DE3875340T2 - Vakuum-apparat. - Google Patents

Vakuum-apparat.

Info

Publication number
DE3875340T2
DE3875340T2 DE8989900862T DE3875340T DE3875340T2 DE 3875340 T2 DE3875340 T2 DE 3875340T2 DE 8989900862 T DE8989900862 T DE 8989900862T DE 3875340 T DE3875340 T DE 3875340T DE 3875340 T2 DE3875340 T2 DE 3875340T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
plastic material
material according
vacuum
component
liquid crystal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE8989900862T
Other languages
English (en)
Other versions
DE3875340D1 (de
Inventor
Haan Ger De
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOC Group Ltd
Original Assignee
BOC Group Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=10628524&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=DE3875340(T2) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by BOC Group Ltd filed Critical BOC Group Ltd
Application granted granted Critical
Publication of DE3875340D1 publication Critical patent/DE3875340D1/de
Publication of DE3875340T2 publication Critical patent/DE3875340T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
    • H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
    • H01L21/28506—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
    • H01L21/28512—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table
    • H01L21/28525—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table the conductive layers comprising semiconducting material
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J3/00—Processes of utilising sub-atmospheric or super-atmospheric pressure to effect chemical or physical change of matter; Apparatus therefor
    • B01J3/006—Processes utilising sub-atmospheric pressure; Apparatus therefor
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F04—POSITIVE - DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS FOR LIQUIDS OR ELASTIC FLUIDS
    • F04B—POSITIVE-DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS
    • F04B37/00—Pumps having pertinent characteristics not provided for in, or of interest apart from, groups F04B25/00 - F04B35/00
    • F04B37/10—Pumps having pertinent characteristics not provided for in, or of interest apart from, groups F04B25/00 - F04B35/00 for special use
    • F04B37/14—Pumps having pertinent characteristics not provided for in, or of interest apart from, groups F04B25/00 - F04B35/00 for special use to obtain high vacuum
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76—Making of isolation regions between components
    • H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
    • H01L21/76224—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using trench refilling with dielectric materials
    • H01L21/76229—Concurrent filling of a plurality of trenches having a different trench shape or dimension, e.g. rectangular and V-shaped trenches, wide and narrow trenches, shallow and deep trenches
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76—Making of isolation regions between components
    • H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
    • H01L21/76224—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using trench refilling with dielectric materials
    • H01L21/76232—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using trench refilling with dielectric materials of trenches having a shape other than rectangular or V-shape, e.g. rounded corners, oblique or rounded trench walls
    • H01L21/76235—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using trench refilling with dielectric materials of trenches having a shape other than rectangular or V-shape, e.g. rounded corners, oblique or rounded trench walls trench shape altered by a local oxidation of silicon process step, e.g. trench corner rounding by LOCOS
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76897—Formation of self-aligned vias or contact plugs, i.e. involving a lithographically uncritical step
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L28/20—Resistors
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S417/00—Pumps
    • Y10S417/01—Materials digest

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Compressors, Vaccum Pumps And Other Relevant Systems (AREA)
  • Polyesters Or Polycarbonates (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Non-Positive Displacement Air Blowers (AREA)
  • Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)

Description

  • Die Erfindung betrifft einen Vakuumapparat, insbesondere einen Vakuumpumpenapparat zur Erzeugung eines Hochvakuums, und Bauteile dieses Vakuumapparats, die im Betrieb einem Vakuum, insbesondere einem Hochvakuum, ausgesetzt sind. Mit dem hier verwendeten Begriff "Hochvakuum" ist ein Absolutdruck von 1,332 · 10&supmin;&sup4; mbar (1 · 10&supmin;&sup4; Torr) oder weniger zu verstehen.
  • Zu den Vakuumpumpen, die zur Erzeugung solcher Drücke geeignet sind, gehören Diffusions- und Turbomolekularpumpen. Eines der Probleme bei der Herstellung einer solchen Pumpe und eines eine solche Pumpe aufweisenden Vakuumpumpenapparats ist die Auswahl der Materialien, aus welchen die Bauteile der Pumpe und des Apparats herzustellen sind. Viele Materialien, die man anderenfalls gerne in den Bauteilen verwenden würde, entgasen in einem Hochvakuum in solchem Maße, daß sie das Erreichen des gewünschten Evakuierungsgrades in der zu evakuierenden Kammer verhindern. Dementsprechend werden die im Betrieb einem Hochvakuum ausgesetzten Bauteile typischerweise aus Metallen, wie rostfreiem Stahl, und Aluminium hergestellt, und insbesondere Bauteile aus Kunststoff werden, wenn überhaupt, kaum in einem Hochvakuum eingesetzt, und deshalb werden Vorteile wie eine Verminderung der Kosten und des Gewichts des Vakuumapparats, die typischerweise mit der Verwendung von Kunststoff verbunden sind, nicht erreicht.
  • Wir haben nun überraschenderweise entdeckt, daß Kunststoffe mit Flüssigkristall-Polymeren wesentlich weniger entgasen als andere von uns getestete Kunststoffe, und zwar in einem Ausmaß, welches ihren Einsatz bei Hochvakuum in einem Vakuumapparat ermöglicht.
  • Die vorliegende Erfindung schafft das Konzept für die Verwendung eines Kunststoffes mit Flüssigkristall-Polymeren als Bauteil, welches im Einsatz einem Hochvakuum von 1,332 · 10&supmin;&sup4; mbar (10&supmin;&sup4; Torr) oder weniger ausgesetzt ist.
  • Dieses aus Kunststoff bestehende Bauteil kann eine dem Hochvakuum ausgesetzte Oberfläche von mindestens 20 cm²haben.
  • In dem Kunststoff können typischerweise faserige oder andere Verstärkungen eingebettet sein. Die Fasern können beispielsweise aus Mineralien wie Glas oder Kohlenstoff bestehen. Die Verwendung solcher Verstärkungen kann jedoch das Maß des Entgasens des Kunststoffs unter Hochvakuum erhöhen, aber im allgemeinen nicht so weit, daß der Kunststoff zur Verwendung in einem Apparat zur Erzeugung eines Hochvakuums ungeeignet würde.
  • Das besagte Bauteil wird typischerweise durch Spritzguß oder Extrudieren hergestellt. Vorzugsweise ist das Flüssigkristall-Polymer ein aromatischer Polyester oder aromatischer Copolyester, und jedes im Handel erhältliche Flüssigkristall- Polymer, das beispielsweise durch Spritzguß in Komponenten mit hoher Biegefestigkeit (beispielsweise größer als 75 MPa) formbar ist, kann bei der Erfindung Verwendung finden.
  • Solche im Handel erhältliche Flüssigkristall-Polymere sind typischerweise aromatische Copolyester.
  • Ein Sortiment von geeigneten Flüssigkristall-Polymeren ist unter dem Warenzeichen VECTRA von Celanese Limited erhältlich. Jedes dieser Flüssigkristall-Polymere in diesem Sortiment ist vermutlich ein aromatischer Copolyester, der aus Phenyl und durch Esterverbindungen an den 1,4- bzw. 1,6-Positionen verbundenen Naphtyhlringen besteht. Sie können ohne Veränderung auf allen konventionellen Maschinen verarbeitet werden. Die Schmelztemperaturen für Spritzguß und Extrusion liegen typischerweise im Bereich von 285ºC, wobei die Spritz- Schmelztemperaturen gewöhnlich um 100ºC gehalten werden.
  • Aus solchen Flüssigkristall-Polymeren bestehende Bauteile können leicht aggressive Umgebungen aushalten und können beispielsweise in Kryopump-Apparaten sogar dann eingesetzt werden, wenn sie Tiefsttemperaturen im Bereich von -100ºC bis -196ºC ausgesetzt sind, oder in Diffusionspump-Apparaten sogar dann, wenn sie Temperaturen von 100ºC ausgesetzt sind.
  • Andere in den Bauteilen der Erfindung verwendbare Flüssigkristall-Polymere sind unter dem Warenzeichen XYDAR RC - 210 von Dartco Technology Center, Augusta, Georgia erhältlich.
  • Weitere geeignete Flüssigkristall-Polymere sind beispielsweise in der US-Patentschrift 4 614 629 beschrieben, die insbesondere aromatische Flüssigkristall-Copolyester nennt, wie beispielsweise Copolymere aus Polyäthylenesterphthalaten mit Poly-p-Hydrobenzoesäure.
  • Vakuumapparate mit Bauteilen nach der Erfindung können beispielsweise bei Vakuumkammern eingesetzt werden, in denen eine Vakuumverdampfung oder eine Kathodenzerstäubung stattfinden. Bei einem Vakuum-Sedimentations-Apparat kann beispielsweise eine Grundplatte aus Kunststoff mit Flüssigkristall-Polymeren hergestellt sein.
  • Bauteile nach der Erfindung können in einer Vakuum-Drehschieberpumpe, einer Vakuum-Diffusionspumpe, einer Trockenvakuumpumpe oder einer Vakuum-Turbomolekularpumpe eingebaut sein. Sie können insbesondere zur Herstellung der Stirnplatten einiger solcher Pumpen, sonstiger Bauteile solcher Pumpen mit einer maximalen Wanddicke von 9 mm oder weniger, von Rohrleitungen, Rohrverzweigungen, Verbindungen, Adaptern oder Ventilbauteilen eingesetzt werden. Das Gehäuse einer Turbomolekularpumpe kann ebenfalls unter Verwendung eines Kunststoff mit Flüssigkristall-Polymeren nach der Erfindung hergestellt sein.
  • Die einzige Zeichnung (nicht maßstäblich) zeigt einen Teil eines Vakuum-Sedimentations-Apparates mit einer Grundplatte bestehend aus Kunststoff mit Flüssigkristall-Polymeren.
  • Die Zeichnung zeigt eine Vakuumsedimentationskammer vollständig herkömmlicher Bauart mit Ausnahme des Materials, aus welchem ihre Grundplatte hergestellt ist. Der Apparat weist eine ringförmige Grundplatte auf, welche aus Kunststoff mit Flüssigkristall-Polymeren besteht. Die Oberfläche der Grundplatte 2 greift vakuumdicht in eine Glocke 4 ein. Zusätzlich weist der Apparat einen Aufbau aus Elektroden und einer Beschichtungsmaterialquelle auf, der mit der Bezugsziffer 6 bezeichnet ist, und einen Werkstückhalter-Ring 8 für ein zu beschichtendes Werkstück. Die Grundplatte 2 weist eine Mehrzahl von Bohrungen 12 oder anderen Öffnungen auf, durch welche elektrische Leitungen und dgl. geführt werden können. Die Grundplatte 2 bildet eine kreisförmige Öffnung 10, durch welche der Apparat evakuierbar ist, und zwar unter Verwendung einer konventionellen Vakuumpumpe bis zu einem Druck von 1,332 · 10&supmin;&sup4; mbar (1 · 10&supmin;&sup6; Torr) oder weniger. Die Außenkante der Grundplatte bildet typischerweise einen Kreis, dessen Durchmesser im Bereich von 30 cm liegt, während die Öffnung 10 einen Durchmesser im Bereich von 10 cm hat. Dementsprechend ist im Gebrauch eine relativ große Oberfläche der Grundplatte dem Vakuum ausgesetzt. Daher ist es wichtig, daß die Grundplatte gute Entgasungs-Eigenschaften hat.
  • Die hervorragenden Entgasungs-Eigenschaften des Kunststoff mit Flüssigkristall-Polymeren (im Vergleich mit anderen Kunststoffen) sind in Beispielen der untenstehenden Tafel gezeigt. Tafel Bsp. Nr. Test-Material Entgasungsgrad 1. Evakuierung nach 4 h 2. Evakuierung nach 1 h 4 h VECTRA A230 ("C-gefüllt braun") VECTRA A420 ("glasgefüllt braun") VECTRA A130 ("glasgefüllt weiß") PEBAX MX PEBAX SNOO FORAFLON (ETFE) Rostfreier Stahl, aluminiumbeschichtet Rostfreier Stahl
  • Die Ergebnisse zeigen die Überlegenheit der drei Beispiele (1 bis 3) nach der Erfindung gegenüber den anderen getesteten Kunststoffen (Beispiele 4 bis 11). Das Material nach Beispiel 1 ist auch dem rostfreien Stahl und dem aluminiumbeschichteten rostfreien Stahl der Beispiele 16 und 17 überlegen.

Claims (10)

1. Verwendung eines Kunststoff-Materials mit Flüssigkristall- Polymeren als Bauteil, welches im Gebrauch einem Hochvakuum von 1,332 · 10&supmin;&sup4; mbar (10&supmin;&sup4; Torr) oder weniger ausgesetzt ist.
2. Verwendung eines Kunststoff-Materials nach Anspruch 1, wobei das Flüssigkristall-Polymer ein aromatischer Polyester oder aromatischer Copolyester ist.
3. Verwendung eines Kunststoff-Materials nach Anspruch 2, wobei der aromatische Copolyester Phenyl und Naphthylringe aufweist, welche durch Esterverbindungen an den 1,4- bzw. 1,6- Positionen angelagert sind.
4. Verwendung eines Kunststoff-Materials nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei das Bauteil eine Oberfläche von mindestens 20 cm² besitzt, welche dem Hochvakuum ausgesetzt ist.
5. Verwendung eines Kunststoff-Materials nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei das Bauteil ein Teil einer Vakuumpumpe ist.
6. Verwendung eines Kunststoff-Materials nach Anspruch 5, wobei das Vakuumpumpen-Bauteil eines oder mehrere der Teile Stirnplatte, Rohrleitungen, Verbindungen, Adapter, Rohrverzweigungen oder Ventile der Pumpe ist.
7. Verwendung eines Kunststoff-Materials nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei das Bauteil eine Grundplatte einer Vakuumsedimentationskammer ist.
8. Verwendung eines Kunststoff-Materials nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei in das Bauteil ein Verstärkungsmaterial eingebettet ist.
9. Verwendung eines Kunststoff-Materials nach Anspruch 8, wobei das Verstärkungsmaterial aus Mineral- oder Kohlenstoffasers besteht.
10. Verwendung eines Kunststoff-Materials nach Anspruch 9, wobei das Mineral Glas ist.
DE8989900862T 1987-12-15 1988-12-14 Vakuum-apparat. Expired - Fee Related DE3875340T2 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB878729245A GB8729245D0 (en) 1987-12-15 1987-12-15 Vacuum apparatus
PCT/GB1988/001105 WO1989005689A1 (en) 1987-12-15 1988-12-14 Vacuum apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE3875340D1 DE3875340D1 (de) 1992-11-19
DE3875340T2 true DE3875340T2 (de) 1993-03-04

Family

ID=10628524

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE8989900862T Expired - Fee Related DE3875340T2 (de) 1987-12-15 1988-12-14 Vakuum-apparat.

Country Status (6)

Country Link
US (1) US5022829A (de)
EP (1) EP0344290B1 (de)
JP (1) JP2837205B2 (de)
DE (1) DE3875340T2 (de)
GB (1) GB8729245D0 (de)
WO (1) WO1989005689A1 (de)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5725362A (en) * 1995-05-09 1998-03-10 Xolox Corporation Pump assembly
JP4714362B2 (ja) * 2001-03-26 2011-06-29 大阪瓦斯株式会社 低温用成形材料

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4679994A (en) * 1981-03-09 1987-07-14 Allied Corporation Piston vacuum pump
US4431770A (en) * 1982-07-29 1984-02-14 Celanese Corporation Wholly aromatic polyester comprising 4-oxy-4'-carboxybiphenyl moiety which is capable of forming an anisotropic melt phase
EP0166038A1 (de) * 1984-05-30 1986-01-02 Celanese Corporation Spritzgiessverfahren
JPS6121471A (ja) * 1984-07-06 1986-01-30 Mitsubishi Electric Corp 繊維強化プラスチツク製真空容器
JPS61200848A (ja) * 1985-03-04 1986-09-05 Sumitomo Electric Ind Ltd 真空容器
US4973442A (en) * 1985-09-26 1990-11-27 Foster Miller Inc. Forming biaxially oriented ordered polymer films
US4939235A (en) * 1985-09-26 1990-07-03 Foster-Miller, Inc. Biaxially oriented ordered polybenzothiazole film
US4854825A (en) * 1987-02-27 1989-08-08 Commonwealth Scientific And Industrial Research Organization Multi-stage vacuum pump
JPS63223372A (ja) * 1987-03-11 1988-09-16 Hitachi Ltd 圧縮機
US4875839A (en) * 1987-03-20 1989-10-24 Kabushiki Kaisha Toshiba Scroll member for use in a positive displacement device, and a method for manufacturing the same
US4836753A (en) * 1987-06-19 1989-06-06 Shop-Vac Corporation Portable electric blower
US4966807A (en) * 1988-06-13 1990-10-30 Foster Miller, Inc. Multiaxially oriented thermotropic polymer films and method of preparation

Also Published As

Publication number Publication date
US5022829A (en) 1991-06-11
JPH03502423A (ja) 1991-06-06
WO1989005689A1 (en) 1989-06-29
EP0344290B1 (de) 1992-10-14
GB8729245D0 (en) 1988-01-27
JP2837205B2 (ja) 1998-12-14
EP0344290A1 (de) 1989-12-06
DE3875340D1 (de) 1992-11-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE19726802C1 (de) Wäßrige Dispersion von Fluorpolymeren unterschiedlicher Teilchengröße
DE68913026T2 (de) Polymergehäuse für Fluidmaschinen und Pumpen.
DE2014774B2 (de) Stabile hitzehaertbare harzmassen
DE3875340T2 (de) Vakuum-apparat.
DE2751221A1 (de) Verfahren zur aufbringung eines reflexionsvermindernden belages auf unterlagen aus organischem material
DE2813665C2 (de)
DE10259380B4 (de) Gleitelemente und deren Verwendung
DE2212928C3 (de) Wärmehärtbare Folie
EP0669953B1 (de) Verfahren zur herstellung von ligninhaltigen polymeren
DE2052856A1 (de) Verfahren zum Polymerisieren ungesättigter alicyclischer Verbindungen
DE1295185B (de) Verfahren zur Verbesserung der Verklebbarkeit von Formkoerpern fluorhaltiger Polymerisate
DE1961452C3 (de) Wärmehärtbare trägerfreie Folie
DE2018841A1 (de) Verbundstoff mit einem gegen Abnutzung und chemische Einflüsse beständigen Überzug
DE19634334C1 (de) Wisch- und kratzfeste Reflexionsbeschichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE918356C (de) Verfhren zur Verbesserung von hochmolekularen Stoffen
Kruse Crazes in osmium tetroxide stained styrene polymers
EP4381003A2 (de) Strukturelle transparente faser-matrix-komposite und verfahren zur deren herstellung
DE662244C (de) Vakuumgefaess
DE3939338A1 (de) Thermoplastische acrylharzmassen, verfahren zu ihrer herstellung und ihre verwendung
DE1805567U (de) Kunststoff-folie.
DE10105778B4 (de) Verfahren zur Oberflächenbeschichtung von Polymethylmethacrylat-Substraten
DE4325287A1 (de) Kunststoff für die Verwendung im Vacuum
DE2242722C3 (de) Polyaminosäurelösung und ihre Verwendung zur Herstellung von geformten Gebilden und als Beschichtungsmasse
DE1808008C3 (de) Verfahren zum Härten von Epoxidharzen
WO2019086290A1 (de) Nanostrukturierte titan-mehrschichtelektrode

Legal Events

Date Code Title Description
8363 Opposition against the patent
8365 Fully valid after opposition proceedings
8339 Ceased/non-payment of the annual fee