DE3851482T2 - Bildsensor vom Typ Kontakt. - Google Patents

Bildsensor vom Typ Kontakt.

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Description

  • Die Erfindung betrifft einen Bildsensor vom Kontakttyp, der bei einem Faksimilegerät, einer Vorrichtung zum Lesen von Briefen und Bildern und dergleichen verwendet werden kann.
  • Als Sensoren zum Lesen von Bildern wurden verkleinernde Bildsensoren wie CCD-Sensoren und MOS-Sensoren verwendet. Da jedoch die Sensorabschnitte dieser verkleinernden Bildsensoren klein sind, nämlich ungefähr 2-4 cm, muß eine Verkleinerung des Manuskripts in der Größenordnung 1/5 bis 1/10 vorgenommen werden und aus diesem Grund war es erforderlich, daß die Länge des Lichtweges vom Manuskript zum Sensorabschnitt lang war. Darüber hinaus wird mit Zunahme des Prozentsatzes der Verkleinerung des Manuskripts die Linsenaberration ein Problem, das die Konstruktionsgenauigkeit des optischen Systems beeinflußt, von dem die Gesamtleistungsfähigkeit des Geräts abhängt.
  • In den letzten Jahren wurden tatkräftig Bildsensoren vom Kontakttyp entwickelt, bei denen ein Bild derselben Größe wie derjenigen des Manuskripts auf der Lichtempfangsfläche des Sensorabschnitts, der eine Länge aufweist, die der Breite des Manuskripts entspricht, über ein optisches Faser/Linsen-Array ausgebildet wird. Als Photodetektoren, wie sie bei derartigen Bildsensoren vom Kontakttyp verwendet werden, existieren solche vom Dünnfilmtyp mit Dünnfilmen aus CdSSe, amorphem Si oder dergleichen, und solche mit mehreren Chips, bei denen IC-Sensoren wie CCD-Sensoren, bipolare IC-Sensoren, MOS-Sensoren oder dergleichen in einer Reihe in Längsrichtung so angeordnet sind, daß diese mehreren Chips eine Länge ergeben, die der Breite des Manuskripts entspricht.
  • Zum Ersetzen optischer Faser/Linsen-Arrays für optische Systeme existieren optische Systeme, bei denen ein Sensorabschnitt an einem Ende eines Bündels optischer Fasern angeordnet ist.
  • Fig. 5 der beigefügten Zeichnungen zeigt einen herkömmlichen Bildsensor vom Kontakttyp mit einem optischen Faser/Linsen- Array, bei dem eine Lichtquelle a ein Manuskript b beleuchtet und das vom Manuskript b reflektierte Licht durch ein optisches Faser/Linsen-Array c läuft, was zu einem Bild derselben Größe wie derjenigen des Manuskripts auf einem Photodetektor p führt. Dieser Bildsensor vom Kontakttyp weist die folgenden Nachteile auf:
  • (1) die Gesamtlänge des optischen Faser/Linsen-Arrays c beträgt ungefähr 15-40 mm, und diese Gesamtlänge muß zwischen dem Manuskript b und dem Phototdetektor p freigehalten werden;
  • (2) da die Brenntiefe des optischen Faserarrays c flach ist, ist eine Positionseinstellung jedes Teils dieses optischen Systems beim Herstellprozeß des Bildsensors vom Kontakttyp erforderlich;
  • (3) wenn helle optische Faser-Linsen für ein optisches Faser/Linsen-Array verwendet werden, wird chromatische Aberration ein Problem und demgemäß müssen in Fällen, bei denen Farbsensoren verwendet werden, optische Faser-Linsen mit großer Gesamtlänge, die jedoch dunkel sind, verwendet werden; und
  • (4) die Kosten des optischen Faser/Linsen-Arrays c sind hoch.
  • Fig. 6 zeigt einen herkömmlichen Bildsensor vom Kontakttyp mit einem Bündel optischer Fasern, bei dem eine Lichtquelle e ein Manuskript f beleuchtet und das vom Manuskript reflektierte Licht durch optische Fasern h läuft, die in ein leitendes Substrat g eingebettet sind, und es auf einen Photodetektor i trifft, der an einem Ende des Bündels optischer Fasern h angeordnet ist. Dieser Bildsensor vom Kontakttyp weist die folgenden Nachteile auf:
  • (1) die Lichtempfangsfläche des Photodetektors i muß in Berührung mit dem Ende des Bündels optischer Fasern h gebracht werden, damit verhindert wird, daß sich Lichtstrahlen aus den optischen Fasern aufweiten und einander zwischen benachbarten optischen Fasern überlappen;
  • (2) wenn der Photodetektor i direkt an einem Ende des Bündels optischer Fasern h ausgebildet ist, muß das Material für die Ausbildung des Photodetektors i in Form dünner Filme vorliegen und darüber hinaus sind die Kosten des Substrats, in dem die optischen Fasern h eingebettet sind, hoch; und
  • (3) die Anzahl von Sensoren, die gleichzeitig hergestellt werden können, ist begrenzt, was die Produktivität niedrig macht.
  • JP-A-6074766 offenbart eine optische Sensorvorrichtung ähnlich der der vorliegenden Fig. 6, bei der jedoch ein einzelner Dünnfilmphotodetektor direkt auf einer Seite eines Substrats ausgebildet ist. Licht von einem beleuchteten Original, das an der dem Substrat gegenüberliegenden Seite angeordnet ist, fällt auf eine im Substrat eingebettete Faseroptik, die das Licht durch das Substrat zum Photodetektor überträgt.
  • Aus JP-A-60027176 ist auch eine Festkörper-Bildaufnahmevorrichtung bekannt, bei der ein einzelnes Halbleiter-Bildaufnahmeelement über erhöhte Goldkontaktierungsflecke mit einem ein Filter tragenden lichtdurchlässigen Substrat verbunden ist. Das einzelne Bildaufnahmeelement ist hinter dem Substrat zwischen diesem und einem festen Gehäuse angeordnet. Die erhöhten Goldkontaktflecken werden von Kontaktflächen auf dem Halbleitersubstrat getragen. Weitere erhöhte Goldkontaktflecken verbinden die Verdrahtung am Gehäuse mit dem das Filter tragenden Substrat. Eine Verbindung zwischen dem Bildaufnahmeelement und dem Substrat sowie zwischen dem Substrat und dem Gehäuse wird durch Druckbonden der erhöhten Goldkontaktierungsflecke erzielt.
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Bildsensor vom Kontakttyp anzugeben, der die vorstehend erörterten und weiteren Nachteile und Mängel der bekannten Vorrichtungen überwindet.
  • Erfindungsgemäß wird ein Bildsensor vom Kontakttyp angegeben, mit einer Lichtquelle zum Beleuchten eines zu lesenden Manuskripts von einer Seite; mehreren Photodetektoren, die so angeordnet sind, daß sie auf derselben Seite des zu lesenden Manuskripts wie die Lichtquelle liegen, und die das vom Manuskript reflektierte Licht in ein elektrisches Signal umsetzen; einem Substrat, das zwischen den Photodetektoren und dem Manuskript angeordnet ist, wobei ein Bündel optischer Fasern in das Substrat eingebettet ist; Verdrahtungselektroden, die an der Oberseite des Substrats entsprechend der Lichtemissionsseite des Bündels optischer Fasern angeordnet sind, und Verdrahtungselektroden, die auf den Lichtempfangsflächen der Photodetektoren angeordnet sind, wobei die Photodetektoren in einer Reihe in solcher Weise angeordnet sind, daß die Lichtempfangsflächen derselben der Lichtemissionsseite des Bündels optischer Fasern mit einem Abstand von nicht mehr als 150 um gegenüberstehen, und wobei die auf den Photodetektoren angeordneten Verdrahtungselektroden elektrisch unter Verwendung eines Bondverfahrens mit erhöhten Lötmittel-Kontaktflächen elektrisch mit den auf dem Substrat angeordneten Verdrahtungselektroden verbunden sind.
  • Die hier beschriebene Erfindung ermöglicht es, folgendes zu schaffen: (1) einen Bildsensor vom Kontakttyp, bei dem die Länge des optischen Wegs frei unter Verwendung optischer Fasern eingestellt werden kann, was zu einem miniaturisierten Sensor führt; (2) einen Bildsensor vom Kontakttyp, bei dem der Photodetektor und das die optischen Fasern haltende Substrat zu einem Körper integriert sind, so daß eine Brennweiteneinstellung der Linsen überflüssig wird, was zu einer Verbesserung der Produktivität und einer Verringerung der Herstellkosten führt; und (3) einen Bildsensor vom Kontakttyp, bei dem der Abstand zwischen der Lichtempfangsfläche jedes Photodetektors und der Lichtemissionsfläche des Bündels optischer Fasern so kurz wie möglich eingestellt werden kann, was zu einem Bildsensor vom Kontakttyp mit hoher Auflösung führt.
  • Die Erfindung wird nachfolgend unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen näher beschrieben, jedoch nur beispielhaft, in denen:
  • Fig. 1 ein Querschnitt ist, der einen erfindungsgemäßen Bildsensor vom Kontakttyp zeigt;
  • Fig. 2 eine Draufsicht auf den in Fig. 1 dargestellten Bildsensor vom Kontakttyp ist;
  • Fig. 3 eine Reihe von Charakteristikkurven ist, die die Beziehung zwischen dem Abstand der optischen Fasern von den Photodetektoren und der Modulationsübertragungsfunktion (MTF = Modulation transfer function) der Photodetektoren zeigen;
  • Fig. 4a und 4b eine Draufsicht bzw. ein Querschnitt sind, die den beim Bildsensor vom Kontakttyp von Fig. 1 verwendeten Photodetektor zeigen; und
  • Fig. 5 und 6 schematische Darstellungen sind, die jeweils herkömmliche Bildsensoren vom Kontakttyp zeigen.
  • Die Erfindung schafft einen Bildsensor vom Kontakttyp, bei dem mehrere Photodetektoren in einer Reihe in solcher Weise angeordnet sind, daß die Lichtempfangsflächen der Photodetektoren der Lichtemissionsseite eines Bündels optischer Fasern, die in ein Substrat eingebettet sind, zugewandt sind, und Verdrahtungselektroden, die auf dem Substrat angeordnet sind, sind unter Verwendung von Lötkontaktfleck-Bonden oder dergleichen mit Verdrahtungselektroden verbunden, die auf den Lichtempfangsflächen der Photodetektoren angeordnet sind. Auf diese Weise kann der Abstand zwischen der Lichtemissionsseite des Bündels optischer Fasern und den Lichtempfangsflächen der Photodetektoren auf einen Abstand eingestellt werden, bei dem eine vorgegebene Modulationsübertragungsfunktion (MTF) erzielt werden kann.
  • Beispiele
  • Die Fig. 1 und 2 zeigen einen erfindungsgemäßen Bildsensor vom Kontakttyp, der eine Lichtquelle 2, die ein zu lesendes Manuskript 1 beleuchtet, Photodetektoren 6, die das vom Manuskript 1 reflektierte Licht in ein elektrisches Signal umwandeln, und ein isolierendes Substrat 3 aufweist, das zwischen den Photodetektoren 6 und dem Manuskript 1 angeordnet ist. Ein Bündel optischer Fasern 4a, die ein optisches Faserarray 4 bilden, sind in das Substrat 3 eingebettet. Verdrahtungselektroden 5 sind an der Oberseite 3a des Substrates 3 angeordnet. Die Verdrahtungselektroden 5 auf dem Substrat 3 sind unter Verwendung von Lötmittel-Kontaktflecken 7 mit Verdrahtungselektroden 8 (Fig. 4) verbunden, die auf den Lichtempfangsflächen 6a der Photodetektoren 6 angeordnet sind.
  • Mehrere Photodetektoren 6 sind in einer Reihe entlang dem Substrat 3 in solcher Weise angeordnet, daß die Gesamtlänge der Photodetektoren 6 in Längsrichtung des Substrats 3 mit der Breite des Manuskripts 1 übereinstimmt. Da die auf den Lichtempfangsflächen 6a der Photodetektoren 6 angeordneten Verdrahtungselektroden 8 mit den auf der Oberseite 3a des Substrats 3 angeordneten Verdrahtungselektroden unter Verwendung von Lötmittel-Kontaktflecken 7 verbunden sind, besteht ein kleiner Abstand zwischen den Lichtempfangsflächen 6a der Photodetektoren 6 und der Oberfläche 3a des Substrats 3 (d. h. zwischen den Lichtempfangsflächen 6a der Photodetektoren 6 und der Lichtemissionsseite des Bündels optischer Fasern 4a). Wenn dieser Abstand groß ist, überlappt Licht von einer optischen Faser und Licht von einer benachbarten optischen Faser, was zu einer Verringerung der Modulationsübertragungsfunktion (MTF) der Photodetektoren 6 führt. So muß dieser Abstand auf einen Abstand eingestellt sein, bei dem die erforderliche MTF oder eine kleinere erzielt werden kann.
  • Fig. 3 zeigt die Beziehung zwischen der MTF der Photodetektoren 6 und dem Abstand d zwischen der Lichtemissionsseite 4b des Bündels optischer Fasern 4a und den Lichtempfangsflächen 6a der Photodetektoren 6, und sie zeigt an, daß die MTF bei einer Erhöhung des Abstandes d stark abnimmt und demgemäß zum Erzielen einer MTF von 40% oder mehr bei einer Auflösung von 8 Punkte/mm (d. h. bei einer Raumfrequenz von 4 lp/mm) der Abstand d auf 150 um oder weniger eingestellt werden muß.
  • Der vorstehend genannte Bildsensor vom Kontakttyp wird wie folgt hergestellt: als Photodetektor 6 wird ein CCD-Sensor mit einer Auflösung von 8 Punkte/mm und einer Länge von ungefähr 70 mm verwendet, wie in den Fig. 4a und 4b dargestellt, wobei auf der Lichtempfangsfläche 6a jedes Photodetektors 6 zum Verhindern einer Verringerung der Auflösung an den Grenzen zwischen den Photodetektoren 6 ein Lichtempfangsabschnitt 9a und ein Signalübertragungsabschnitt 9b entlang der gesamten Fläche der Lichtempfangsfläche 6a in deren Längsrichtung ausgebildet sind und darüber hinaus eine Anzahl Verdrahtungselektroden 8 außerhalb dieser Lichtempfangs- und Signalübertragungsabschnitte 9a und 9b in Breitenrichtung der Lichtempfangsfläche 6a ausgebildet ist. Auf der Lichtempfangsfläche 6a einschließlich des Lichtempfangsabschnitts 9a und des Lichtübertragungsabschnitts 9b ist, wie dies in Fig. 4a dargestellt ist, ein Passivierungsfilm 10 aus SixN1-x (0< x< 1) oder aus SiO&sub2; durch eine Dünnfilm- Herstellungstechnik ausgebildet. Lötmittel-Kontaktflecke 7 sind auf den Verdrahtungselektroden 8 ausgebildet.
  • Die optischen Fasern 4a bestehen aus Quarzglasfasern oder Glasfasern mit mehreren Bestandteilen, die zu einem Bündel zusammengefaßt sind, was zu einem optischen Faserarray 4 führt, das dann zwischen die Hälften des Substrats 3 (Fig. 2) eingebettet wird. Danach werden auf der Oberfläche 3a des Substrats 3 Leitungen 5a und Anschlüsse 5b der Verdrahtungselektroden aus Dünnfilmen unter Verwendung einer Verarbeitungstechnik für feine Strukturen hergestellt. Die Anschlüsse 5b kontaktieren die auf den Photodetektoren 6 ausgebildeten Lötmittel-Kontaktflecke 7.
  • Danach werden die Photodetektoren 6 in einer Reihe in solcher Weise angeordnet, daß die Lichtempfangsabschnitte 9a der Photodetektoren 6 der Lichtemissionsseite des Bündels optischer Fasern 4a gegenüberstehen, und die Verdrahtungselektroden 8 der Photodetektoren 6 werden durch ein Aufschmelzbondverfahren, bei dem die Lötmittel-Kontaktflecke 7 durch Erhitzen auf 180ºC-350ºC in einem Ofen (Fig. 1 und 2) geschmolzen werden, mit den Anschlüssen Sb des Substrats 3 verbunden. Auf diese Weise wird das Befestigen der Photodetektoren 6 am Substrat 3 zu den Zwecken der Fixierung und der Herstellung elektrischer Anschlüsse der Photodetektoren 6 am Substrat 3 ausgeführt.
  • Der auf diese Weise erhaltene Bildsensor vom Kontakttyp weist einen Abstand von 50 um oder weniger zwischen den Lichtempfangsflächen 6a der Photodetektoren 6 und der Lichtemissionsseite 4b des Bündels optischer Fasern 4a auf, und er zeigt ein MTF von 50% oder mehr bei einer Raumfrequenz von 4 lp/mm. Der vorstehend angegebene Herstellprozeß für diesen Bildsensor vom Kontakttyp ermöglicht es, eine Positionsabweichung zwischen den Lichtempfangsflächen 6a der Photodetektoren 6 und der Lichtemissionsseite 4b des Bündels optischer Fasern 4a unter Verwendung von Lötkontaktfleckbonden, durch das ein Selbstausrichtungseffekt erzielt wird, auf einfache Weise einzustellen.
  • Obwohl das vorstehend angegebene Beispiel nur einen CCD- Sensor als Photodetektor 6 offenbart, ist die Erfindung auf IC-Sensoren, Dünnfilmsensoren oder dergleichen außer auf einen CCD-Sensor anwendbar. Darüber hinaus kann statt des Aufschmelzbondverfahrens, bei dem ein Selbstausrichtungseffekt erzielt wird, auch ein Tool-bond-Verfahren verwendet werden. Darüber hinaus können, anstatt daß Verdrahtungselektroden 8 an beiden Enden der Lichtempfangsflächen 6a der Photodetektoren 6 angeordnet sind, Anschlußelektroden an einem Ende der Lichtempfangsflächen 6a der Photodetektoren 6 ausgebildet sein, wobei unbenutzte Kontaktflecke am anderen Ende der Lichtempfangsflächen 6a ausgebildet sind.

Claims (1)

  1. Bildsensor vom Kontakttyp mit einer Lichtquelle (2) zum Beleuchten eines zu lesenden Manuskripts von einer Seite; mehreren Photodetektoren (6), die so angeordnet sind, daß sie auf derselben Seite des zu lesenden Manuskripts wie die Lichtquelle (2) liegen, und die das vom Manuskript reflektierte Licht in ein elektrisches Signal umsetzen; und einem Substrat (3), das zwischen den Photodetektoren und dem Manuskript angeordnet ist, wobei ein Bündel optischer Fasern (4) in das Substrat eingebettet ist; gekennzeichnet durch Verdrahtungselektroden (5), die an der Oberseite des Substrats (3) entsprechend der Lichtemissionsseite des Bündels optischer Fasern angeordnet sind, und durch Verdrahtungselektroden (8), die auf den Lichtempfangsflächen (6a) der Photodetektoren angeordnet sind, wobei die Photodetektoren (6) in einer Reihe in solcher Weise angeordnet sind, daß die Lichtempfangsflächen derselben der Lichtemissionsseite des Bündels optischer Fasern (4) mit einem Abstand von nicht mehr als 150 um gegenüberstehen, und wobei die auf den Photodetektoren angeordneten Verdrahtungselektroden (8) elektrisch unter Verwendung eines Bondverfahrens mit erhöhten Lötmittel-Kontaktflächen elektrisch mit den auf dem Substrat angeordneten Verdrahtungselektroden (5) verbunden sind.
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