DE3839530C2 - - Google Patents
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- DE3839530C2 DE3839530C2 DE3839530A DE3839530A DE3839530C2 DE 3839530 C2 DE3839530 C2 DE 3839530C2 DE 3839530 A DE3839530 A DE 3839530A DE 3839530 A DE3839530 A DE 3839530A DE 3839530 C2 DE3839530 C2 DE 3839530C2
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B33/1446—Reducing contamination, e.g. by dust, debris
- G11B33/1453—Reducing contamination, e.g. by dust, debris by moisture
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine Magnetplattenvorrich
tung mit einem Gehäuse, welches mit einer Belüftungsöffnung versehen ist, und mit einer Entfeuchtungseinrichtung zum Entfernen von
in der Vorrichtung befindlicher Feuchtigkeit.
Fig. 1 zeigt eine konventionelle Magnetplattenvorrichtung,
die eine zu rotierende Platte umfaßt, einen Kopf, der nahe
an der Aufzeichnungsfläche der Platte gehalten wird, eine
Betätigungseinrichtung, um den Kopf in Radialrichtung der
Platte zu bewegen und dgl. (keine der genannten Einrichtun
gen ist in der Zeichnung dargestellt), wobei diese Einrich
tungen in einem Gehäuse 1 installiert sind. An einer geeig
neten Stelle innerhalb des Gehäuses 1 ist eine Belüftungs
öffnung 2 vorgesehen, um es der Umgebungsluft zu ermögli
chen, in das Gehäuse 1 zu strömen, um die Druckänderung
innerhalb des Gehäuses 1 auszugleichen.
Es fließt jedoch auch die Feuchtigkeit in der Umgebungsluft
durch die Belüftungsöffnung 2 in das Gehäuse 1, wodurch
die Feuchtigkeit im Gehäuse 1 ansteigt. Wenn bei dermaßen
hohen Feuchtigkeiten im Gehäuse 1 die Platte angehalten
wird und der Kopf die Platte kontaktiert, so ziehen sich
der Kopf und die Platte manchmal gegenseitig an, was zu
Betriebsstörungen führen kann.
In konventioneller Weise wird daher ein Ansteigen der Feuch
tigkeit im Gehäuse 1 begrenzt, indem eine Absorptionsein
richtung 15 im Gehäuse 1 installiert wird, die einen Absorp
tionsmittelbehälter 15a umfaßt, der beispielsweise mit Kie
selgel 15b, einem siliciumhaltigen Absorptionsmittel, ge
füllt ist, wobei die in das Gehäuse 1 eintretende Feuchtig
keit mittels des Kieselgels 15b in der Absorptionseinrich
tung 15 absorbiert wird. In diesem Zusammenhang ist der
Absorptionsmittelbehälter 15a mit einer Öffnung 15c zum
Regulieren der Absorptionsgeschwindigkeit versehen, um die
Absorptionsgeschwindigkeit zu steuern, damit die Feuchtig
keit im Gehäuse 1 nicht unerwünscht niedrig wird, wenn die
Feuchtigkeit mittels des Kieselgels 15b über die Öffnung
15c absorbiert wird. (Siehe beispielsweise "The Tribology
of Magnetic Records", ein Papier zum 46. Meeting of the
Applied Magnetics Society of Japan, a corporation aggrega
te, Seite 17).
Das Kieselgel 15b ist jedoch porös und die Oberfläche pro
Gewichtseinheit ist sehr groß, und während sein Betrag an
Feuchtigkeits-Absorption pro Gewichtseinheit im wesentli
chen proportional zum Anstieg der Feuchtigkeit ansteigt,
solange die Struktur des Kieselgels 15b gelartig bleibt,
wie dies aus Fig. 2 deutlich wird, welche die Beziehung
zwischen dem Betrag der Feuchtigkeits-Absorption pro Ge
wichtseinheit und der Feuchtigkeit zeigt, tendiert die
Feuchtigkeits-Absorption mittels des Kieselgels 15b dazu,
gesättigt zu werden, wenn die Feuchtigkeit hoch genug ist
und die Feuchtigkeits-Absorption mittels des Kieselgels
15b ausreichend fortgeschritten ist, um den Feuchtigkeits
gehalt im Kieselgel 15b zu erhöhen (siehe beispielsweise
"Kagaku Kohgaku Binran" (A Handbook of Chemical Engineer
ing, in Englisch), überarbeitete Ausgabe 1978, publiziert
von Maruzen Company Limited, Seite 854).
Mit einer solchen konventionellen Vorrichtung können sich
jedoch Probleme ergeben. Beispielsweise im Falle, wenn die
Feuchtigkeits-Absorption mittels des Kieselgels 15b in der
Absorptionseinrichtung 15 ihre Sättigung erreicht hat, kann
die Feuchtigkeit im Gehäuse 1 mittels des Kieselgels 15b
nicht absorbiert werden, selbst wenn die Feuchtigkeit im
Gehäuse 1 exzessiv zunimmt. Desweiteren kann der Betrag
der Feuchtigkeits-Absorption aufgrund des Umstands, daß
die Öffnung 15c zum Regulieren der Absorptionsgeschwindig
keit normalerweise fixiert bzw. feststehend ist, nicht ge
steuert werden, woraus folgt, daß es nicht möglich ist,
die Feuchtigkeit innerhalb des Gehäuses 1 entsprechend der
jenigen der Umgebungsluft in einen solchen Fall zu steuern,
wo die Feuchtigkeit in das Gehäuse 1 strömt, wodurch sich
eine gewisse Gefahr der Feuchtigkeitsbildung innerhalb des
Behälters 1 ergibt.
Bei einer weiteren bekannten Magnetplattenvorrichtung mit
Entfeuchtungeinrichtung gemäß Patents Abstracts of Japan,
P 497, 16.9.1986, Vol. 10, Nr. 271 ist die ein Absorptionsmittel
enthaltende Entfeuchtungeinrichtung direkt zwischen
Entlüftungsöffnung und Gehäuseinnenraum angeordnet. Im übrigen
ergeben sich auch hier die vorgenannten Probleme.
Dementsprechend liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde,
einerseits zu ermöglichen, die Feuchtigkeit innerhalb der
Magnetplattenvorrichtung in stabiler Weise aufzulösen und
zu entfernen, andererseits die Möglichkeit zu schaffen,
die Feuchtigkeit in der Vorrichtung in einem stabilen Zustand
zu halten, der von der Feuchtigkeit in der Umgebungsluft
nicht beeinträchtigt wird.
Diese Aufgabe wird im wesentlichen durch die kennzeichnenden
Merkmale des Patentanspruchs 1 gelöst. Vorteilhafte
Weiterbildungen ergeben sich aus den Unteransprüchen.
Die Entfeuchtungseinrichtung entsprechend der vorliegenden Erfindung
ist vorzugsweise
zusätzlich mit einem Feuchtigkeits-Absorptions
mittel versehen, welches in der Lage ist, eine Atmung bzw.
Respiration durchzuführen, das heißt, Feuchtigkeit
aufzunehmen oder abzugeben.
Die Magnetplattenvorrichtung gemäß vorliegender Erfindung ist in der Lage,
Unzulänglichkeiten der Entfeuchtung des Feuchtigkeits-Steue
rungs-Elements mittels des Feuchtigkeits-Absorptionsmittels
abzuhelfen, wenn die Menge der in die Vorrichtung hinein
strömenden Feuchtigkeit diejenige Feuchtigkeit überschrei
tet, die vom Feuchtigkeits-Steuerungs-Element aufgelöst
und entfernt werden soll. Weiterhin ist sie
in der
Lage, eine Entfeuchtung in der Vorrichtung mittels des
Feuchtigkeits-Absorptionsmittels selbst dann durchzuführen,
wenn das Feuchtigkeits-Steuerungs-Element nicht an Spannung
gelegt ist. Auch ist die Magnetplattenvorrichtung
in der Lage, die Feuch
tigkeit innerhalb der Vorrichtung unabhängig davon zu steu
ern, ob oder ob nicht irgendeine Spannung an das Feuchtig
keits-Steuerungs-Element angelegt ist, wobei semipermanent
sowohl die in die Vorrichtung strömende Feuchtigkeit als
auch diejenige, die vom Absorptionsmittel entwickelt wird,
mittels dem Feuchtigkeits-Steuerungs-Element in der erfin
dungsgemäßen Vorrichtung aufgelöst und entfernt werden kann.
In der nachfolgenden Beschrei
bung wird ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel der Erfin
dung näher beschrieben. In der Zeichnung zeigen:
Fig. 1 eine teilweise aufgeschnittene Vorderansicht einer
Magnetplattenvorrichtung gemäß dem Stand der Technik,
Fig. 2 eine graphische Darstellung, welche die Beziehung
zwischen dem Betrag der Feuchtigkeits-Absorption des Kiesel
gels und der Feuchtigkeit zeigt,
Fig. 3 einen schematischen Vertikalschnitt, welcher die
erfindungsgemäße Magnetplattenvorrichtung zeigt,
Fig. 4 einen vergrößerten schematischen Vertikalschnitt
des wesentlichen Teils gemäß Fig. 3 und
Fig. 5 eine graphische Darstellung, welche die zeitliche
Änderung der Feuchtigkeit innerhalb der Vorrichtung zeigt,
wenn in der Vorrichtung mittels der erfindungsgemäßen Mag
netplattenvorrichtung eine Entfeuchtung vorgenommen worden
ist.
Wie aus den Fig. 3 und 4 ersichtlich ist, besteht die
Magnetplattenvorrichtung aus einer zu rotierenden Platte
3, einem Kopf 4, der in naher Nachbarschaft zur Aufzeich
nungsfläche der Platte gehalten wird, einer Betätigungsein
richtung 5, um den Kopf in radialer Richtung bezüglich der
Platte zu bewegen, sowie andere, nicht dargestellte, an
sich bekannte Bauteile, wobei die vorgenannten Bauteile
in einem Gehäuse 1 untergebracht sind. An geeigneter Stelle
innerhalb des Gehäuses 1 (beispielsweise an der Oberseite)
ist eine Belüftungsöffnung 2 vorgesehen, um es der Umge
bungsluft zu ermöglichen, in das Gehäuse einzutreten, damit
eine Druckänderung innerhalb des Gehäuses 2 ausgeglichen
wird.
Am Boden des Gehäuses 1 sind eine Grundplatte 7, in der
eine Stromversorgungsschaltung 6 integriert ist, die eine
5-Volt-Spannung erzeugt, sowie ein Feuchtigkeits-Absorber
8 aus Polyvinylalkohol angeordnet, der in der Lage ist,
Atmungen bzw. Respirationen durchzuführen, das heißt, Feuch
tigkeit zu absorbieren und zu entwickeln. An einer geeigne
ten Position im Boden des Gehäuses 1 ist ein zweistufiger
Hohlraum ausgebildet. An der oberen Stufe des Hohlraums
befindet sich ein Feuchtigkeits-Steuerungs-Element 9, wel
ches eine Einheit aus drei Schichten darstellt, die aus
einem Wasserstoffionen-Leiter 9b, aus einem festen Polyelek
trolyten und einer ersten Elektrode 9a und einer zweiten
Elektrode 9c besteht, die beide aus porösem filmartigen
Platin bestehen, ein Paar bilden und zwischen sich den Lei
ter sandwichartig aufnehmen. Am mittleren Bereich der unte
ren Stufe des Hohlraums ist eine Öffnung 10 für die Ent
feuchtung ausgebildet, die einen Pufferraum 11 bildet, der
über die Öffnung 10 zum Entfeuchten des Feuchtigkeits-Steu
erungs-Elements nach unten in Verbindung steht. Ein Isolier
glied 12 ist zwischen dem Feuchtigkeits-Steuerungs-Element
und dem Gehäuse 1 angeordnet, um diese beiden Bauteile ge
geneinander zu isolieren.
Von den beiden Elektroden 9a und 9c des Feuchtigkeits-Steu
erungs-Elements 9 führen zwei Anschlüsse 13a und 13c weg.
Das Feuchtigkeits-Steuerungs-Element 9 ist über die An
schlüsse 13a, 13c mit der Stromversorgungsschaltung 6 ver
bunden. Ein Widerstand 14 ist an einem solchen Teil des
Anschlusses 13c vorgesehen, der von der zweiten Elektrode
9c der beiden Elektroden 9a und 9c wegführt.
Bei der wie oben beschrieben aufgebauten erfindungsgemäßen
Vorrichtung strömt die Feuchtigkeit in der Umgebungsluft
über die Belüftungsöffnung 2 in das Gehäuse 1, wenn die
Feuchtigkeit in der Umgebungsluft (der Luft außerhalb des
Gehäuses 1) höher ist als diejenige im Gehäuse 1. Die Feuch
tigkeit wird vom Absorber 8 absorbiert, während sie auch
mittels des Feuchtigkeits-Steuerungs-Elements 9 aufgelöst
und entfernt wird, wenn die Stromversorgungsschaltung 6
eingeschaltet ist. Im folgenden werden detaillierte Erklä
rungen hinsichtlich des Mechanismus des Auflösens und Ent
fernens der Feuchtigkeit entsprechend der vorliegenden Er
findung gegeben.
Von den beiden Elektroden 9a und 9c des Feuchtigkeits-Steue
rungs-Elements 9 kontaktiert die erste Elektrode 9a die
Luft im Gehäuse 1, während die zweite Elektrode 9c die Um
gebungsluft über dem Pufferraum 11 und die Öffnung 10 zur
Entfeuchtung kontaktiert. Zwischen den beiden Elektroden
9a und 9c wird über die Anschlüsse 13a und 13c des Feuchtig
keits-Steuerungs-Elements die Gleichstromspannung von der
Stromversorgungsschaltung 6 angelegt. Die Gleichstromspan
nung wird so angelegt, daß die erste Elektrode 9a die Ano
de und die zweite Elektrode 9c die Kathode ist. Wenn die
Gleichstromspannung zwischen den beiden Elektroden 9a und
9c in dieser Weise angelegt wird, so vollzieht sich an der
Zwischenschicht zwischen der ersten Elektrode 9a und dem
Wasserstoffionen-Leiter 9b die durch die folgende Formel
definierte Reaktion:
Das heißt, die in der Luft im Gehäuse 1 enthaltene Feuchtig
keit wird einer Elektrolyse unterworfen, die Wasserstoff
ionen bewegen sich in Richtung auf die zweite Elektrode
9c, welche die Kathode ist, die Sauerstoffmoleküle verblei
ben im Raum im Gehäuse 1 und die Elektronen, die negative
Ladungen sind, triften zur ersten Elektrode 9a, welche die
Anode ist. Wenn dann die Wasserstoffionen die Zwischen
schicht zwischen dem Wasserstoffionen-Leiter 9b und der
zweiten Elektrode 9c erreichen, so ergeben sich Reaktionen,
die durch die folgenden Formeln (2) und (3) definiert sind:
Die durch die Formeln (2) und (3) definierten Reaktionen
finden im Fall statt, daß die Versorgungsgeschwindigkeit
der vom Wasserstoffionen-Leiter 9b zu der zweiten Elektro
de 9c zu leitenden Wasserstoffionen die Versorgungsgeschwin
digkeit des von der Umgebungsluft zur zweiten Elektrode
9c zur Bildung von Wasser und Sauerstoff zu leitenden Sauer
stoffs übersteigt, während die Reaktion gemäß Formel (1)
im Fall stattfindet, daß die Versorgungsgeschwindigkeit
der Wasserstoffionen niedriger ist als diejenige des Sauer
stoffs, um Wasser zu erzeugen. Daher ist die Feuchtigkeit
innerhalb der Magnetplattenvorrichtung 1 anfänglich gleich
der Feuchtigkeit der Umgebungsluft, wie dies aus Fig. 5
deutlich wird, welche die zeitabhängige Änderung der Feuch
tigkeit im Gehäuse im Vergleich zur Feuchtigkeit in der
Umgebungsluft (welche durch die strichpunktierte Linie re
präsentiert ist) darstellt. Mit dem Fortschreiten der Ent
feuchtung im Laufe der Zeit kommt die Feuchtigkeit in der
Luft, die über die Belüftungsöffnung 2 in das Gehäuse 1
strömt, die Feuchtigkeit, die im Inneren des Gehäuses 1
entwickelte und an die Umgebungsluft durch die Öffnung 10
zum Entfeuchten mittels des Feuchtigkeits-Steuerungs-Ele
ments 9 abgegebene sowie diejenige Feuchtigkeit, die mit
tels des Feuchtigkeitsabsorbers 8 absorbiert oder ent
wickelt wird, nach und nach in ein Gleichgewicht, so daß
sich in etwa ein Zustand einstellt, bei dem das Innere des
Gehäuses 1 bei einer feststehenden Feuchtigkeit entfeuchtet
ist.
Des weiteren arbeitet der Feuchtigkeitsabsorber 8 im Absorp
tionsbetrieb, wenn die Menge der in das Gehäuse 1 über die
Belüftungsöffnung 2 hineinströmenden Feuchtigkeit diejeni
ge, die mittels des Feuchtigkeits-Steuerungs-Elements 9
aufzulösende und zu entfernende Feuchtigkeit übersteigt,
und er arbeitet im Erzeugungsbetrieb, wenn die Feuchtig
keitsmenge, die über die Belüftungsöffnung 2 in das Gehäuse
1 einströmt, geringer ist als diejenige, die vom Feuchtig
keits-Steuerungs-Element 9 aufgelöst und entfernt werden
soll. Dies führt dazu, daß dann, wenn die Stromversorgungs
schaltung 6 beispielsweise abgeschaltet ist und vom Feuch
tigkeits-Steuerungs-Element kein Auflösen und Entfernen
des Wassers durchgeführt wird, die Entfeuchtung innerhalb
des Gehäuses 1 durch Absorptionsbetrieb des Feuchtigkeits-
Absorbers 8 durchgeführt wird. Wenn weiterhin die Stromver
sorgungsschaltung 6 eingeschaltet ist, so wird sowohl die
Feuchtigkeit, die in das Gehäuse 1 einströmt, als auch die
jenige, die vom Feuchtigkeits-Absorber 8 entwickelt wird,
mittels des Feuchtigkeits-Steuerungs-Elements 9 aufgelöst
und entfernt.
Der Wasserstoffionen-Leiter 9b ist aus einem festen Poly
elektrolyten und weist selbst die Eigenschaft des Absorbie
rens von Feuchtigkeit auf, so daß er teilweise die gleiche
Funktion wie diejenige des Feuchtigkeits-Absorbers 8 durch
führt.
Wenn die Feuchtigkeit in der Umgebungsluft im Vergleich
zu derjenigen im Gehäuse 1 beträchtlich höher ist, besteht
die Gefahr, daß das Wasser außerhalb des Gehäuses 1 durch
den Wasserstoffionen-Leiter 9b hindurch durch die Öffnung
10 zur Entfeuchtung gelangen kann und in das Gehäuse 1 strö
men kann. Es ist jedoch möglich zu verhindern, daß die
Feuchtigkeit in das Gehäuse 1 strömt, indem die Ventila
tions-Querschnittsfläche der Öffnung 10 zur Entfeuchtung
deutlich kleiner gemacht wird als die Fläche derjenigen
Oberfläche, wo die zweite Elektrode 9c die Außenluft bzw.
Umgebungsluft kontaktiert.
Der Grund, warum der Widerstand 14 an einem Teil des An
schlusses 13c vorgesehen ist, liegt darin, daß das Vorhan
densein des Widerstands 14 es möglich macht, den oberen
Grenzwert des elektrischen Stroms, der durch die Leitung
zwischen den beiden Elektronen 9a und 9c gelangt, konstant
zu halten, wenn die Spannung der Stromversorgungsschaltung
6 konstant ist.
Im Gegensatz zu dem vorstehend Beschriebenen kann die Elek
trodenreaktion die Befeuchtung im Gehäuse 1 durchführen,
wenn die Spannung so angelegt wird, daß die erste Elektrode
9a die Kathode und die zweite Elektrode 9c die Anode ist.
Wenn eine Befeuchtung des Inneren des Gehäuses 1 erforder
lich ist, so kann auf diese Weise eine entsprechende Be
feuchtung durchgeführt werden.
Beim vorstehend beschriebenen Ausführungsbeispiel besteht
der Wasserstoffionen-Leiter 9b eines der Teile des Feuchtig
keits-Steuerungs-Elements 9 aus einem festen Polyelektro
lyten. Der Wasserstoffionen-Leiter kann jedoch auch aus
einer anorganischen Verbindung, beispielsweise einer β-Alu
minium-Substitutionsverbindung bestehen.
Beim vorstehend beschriebenen Ausführungsbeispiel wurden
desweiteren die Erläuterungen unter der Voraussetzung ange
geben, daß das außerhalb des Gehäuses befindliche Gas Luft
ist. Die außerhalb des Gehäuses befindliche Atmosphäre kann
jedoch auch durch Gase wie Sauerstoff, Stickstoff, Wasser
dampf, Wasserstoff, Helium, Argon und dgl. oder durch Gas
gemische aus diesen Gasen ersetzt werden. Im Fall, daß die
Außenatmosphäre ein Gas ist, welches keinen Sauerstoff bein
haltet, bewirken die Wasserstoffionen, die vom Wasserstoff
ionen-Leiter 9b zur zweiten Elektrode 9c zu fördern sind,
nur eine Wasserstoff-erzeugende Reaktion auf der Zwischen
schicht zwischen dem Wasserstoffionen-Leiter 9b und der
zweiten Elektrode 9c, wie diese durch die Formel (3) defi
niert ist.
Desweiteren kann die Stromerzeugungsschaltung 6 durch eine
Primärbatterie oder eine Sekundärbatterie mit einer festen
Spannung ersetzt werden, und der Feuchtigkeits-Absorber
8 ist nicht auf Polyvinylalkohol begrenzt und kann bei
spielsweise durch einen hochmolekularen Feuchtigkeits-Ab
sorber, beispielsweise aus Polyacrylamid oder dgl. ersetzt
werden.
Sämtliche vorstehenden Erläuterungen beziehen sich auf die
Vorrichtung, bei der eine Feuchtigkeits-absorbierende Ein
richtung mit einem Feuchtigkeits-Absorber 8 vorgesehen ist.
Es sind jedoch andere Ausführungsbeispiele möglich, bei
denen ein Feuchtigkeits-Absorber 8 nicht vorgesehen ist.
Auch wurde im vorstehenden davon ausgegangen, daß die Strom
versorgungsschaltung 6 innerhalb des Gehäuses 1 angeordnet
ist. Es versteht sich, daß auch andere Konstruktionen geeig
net sind, bei denen die Stromversorgungsschaltung außerhalb
des Gehäuses 1 angeordnet ist und dem Feuchtigkeits-Steue
rungs-Element 9 die Spannung von außen zugeführt wird.
Claims (15)
1. Magnetplattenvorrichtung mit einem Gehäuse (1), welches mit
einer Belüftungsöffnung (2) versehen ist und
mit einer Entfeuchtungs-Einrichtung (8, 9) dadurch gekennzeichnet, daß die Entfeuchtungs-Einrichtung (8, 9) mit
einem Feuchtigkeits-Steuerungs-Element (9) versehen ist,
welches einen Wasserstoffionen-Leiter (9b) und ein Paar
poröser filmartiger Elektroden (9a, 9c) umfaßt, die den
Leiter (9b) zwischen sich sandwichartig einschließen.
2. Magnetplattenvorrichtung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Entfeuchtungs-Einrichtung (8, 9) auch einen
Feuchtigkeits-Absorber (8) aufweist, welcher in der Lage
ist, Respirationen durchzuführen, das heißt Feuchtig
keit aufzunehmen oder abzugeben.
3. Magnetplattenvorrichtung nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Entfeuchtungs-Einrichtung (8, 9) des weiteren
eine Stromversorgungsschaltung (6) zum Anlegen von Span
nung an das Feuchtigkeits-Steuerungs-Element (9) auf
weist.
4. Magnetplattenvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis
3,
dadurch gekennzeichnet,
daß der Wasserstoffionen-Leiter (9b) aus einem festen
Polyelektrolyten besteht.
5. Magnetplattenspeicher nach einem der Ansprüche 1 bis
3,
dadurch gekennzeichnet,
daß der Wasserstoffionen-Leiter (9b) aus einer anorgani
schen Verbindung besteht.
6. Magnetplatteneinrichtung nach Anspruch 5,
dadurch gekennzeichnet,
daß die anorganische Verbindung aus einer β-Aluminium-
Substitutions-Verbindung besteht.
7. Magnetplattenvorrichtung nach einem der vorhergehenden
Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet,
daß die porösen filmartigen Elektroden (9a, 9c) aus
Platin bestehen.
8. Magnetplattenvorrichtung nach einem der Ansprüche 3 bis
7,
dadurch gekennzeichnet,
daß ein Widerstand (14) zwischen dem Feuchtigkeits-
Steuerungs-Element (9) und der Stromversorgungsschal
tung (6) vorgesehen ist.
9. Magnetplattenvorrichtung nach einem der Ansprüche 2 bis
8,
dadurch gekennzeichnet,
daß der Feuchtigkeits-Absorber (8) aus einem hochmoleku
laren Feuchtigkeits-Absorptionsmittel besteht.
10. Magnetplattenvorrichtung nach Anspruch 9,
dadurch gekennzeichnet,
daß der Feuchtigkeits-Absorber (8) aus Polyvinylalkohol
besteht.
11. Magnetplattenvorrichtung nach Anspruch 9,
dadurch gekennzeichnet,
daß der hochmolekulare Feuchtigkeits-Absorber (8) aus
einem Polyacrylamid besteht.
12. Magnetplattenvorrichtung nach einem der vorhergehenden
Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet,
daß sie eine Öffnung (10) für die Entfeuchtung aufweist,
durch die eine Elektrode (9c) des porösen filmartigen Elektroden
paares (9a, 9c) mit der Außenluft in Verbindung steht.
13. Magnetplattenvorrichtung nach Anspruch 12,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Querschnittsfläche der Öffnung (10) für die
Entfeuchtung wesentlich kleiner ist als die
Oberfläche, mit der die poröse filmartige Elektrode
(9c), mit der Außenluft in Verbindung steht.
14. Magnetplattenvorrichtung nach Anspruch 12,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Spannung an das Feuchtigkeits-Steuerungs-Ele
ment (9) derart angelegt ist, daß die poröse filmartige
Elektrode (9c), die mit der Außenluft in Verbindung
steht, die Kathode ist, während die andere poröse film
artige Elektrode (9a) die Anode ist.
15. Magnetplattenvorrichtung nach Anspruch 12,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Spannung an das Feuchtigkeits-Steuerungs-Ele
ment (9) so angelegt ist, daß die poröse filmartige
Elektrode (9c), die mit der Außenluft in Verbindung
steht, die Anode ist, während die andere poröse filmar
tige Elektrode (9a) die Kathode ist.
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