DE3786840T2

DE3786840T2 - Vorrichtung und Verfahren zur Oberflächenbehandlung mit Plasma.

Info

Publication number: DE3786840T2
Application number: DE87107321T
Authority: DE
Inventors: Yoshinori Honda; Makoto Kitoh; Yuichi Kokaku
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1986-05-21
Filing date: 1987-05-20
Publication date: 1994-01-20
Anticipated expiration: 2007-05-21
Also published as: DE3786840D1; US5300189A; JPS62274080A; EP0248274A3; EP0248274B1; KR870010942A; KR910000290B1; EP0248274A2

Description

Feld der Erfindung

Diese Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Plasmabehandlung einer Oberfläche und eine Vorrichtung zur hochwirksamen Bearbeitung einer Filmoberfläche mit Plasma.
Es sind Techniken zum Nachformieren einer Oberfläche eines aus unterschiedlichen Materialien bestehenden Substrats durch Einwirkenlassen eines Gasplasmas auf die Oberfläche bekannt. Z. B. sind für Polymere, wie in einem Artikel mit der Überschrift "Plasma nivoru Kobunshi Zairvo no Homen Shori" (Oberflächenbearbeitung von Polymermaterialien mit Plasma), verschiedene Arten von Anwendungen angegeben, wie z. B. Techniken, durch die hydrophile radikale in die Oberfläche eingebracht werden, indem man Sauerstoffplasma darauf einwirken läßt, um so das Haftvermögen von Farben zu verbessern, Plasmaätzverfahren unter Verwendung von Ionenenergie und Reaktionen aktiver Radikale, etc.
Wenn es möglich wäre, solch eine Plasmaoberflächenbearbeitung an einem langen Film durchzuführen, würde deren Produktivität beträchtlich erhöht. Aus diesem Grund ist, wie z. B. in JP-A-57-18737 offenbart, eine Vorrichtung zur kontinuierlichen Oberflächenbearbeitung mit Plasma vorgeschlagen worden.
Ähnliche Vorrichtungen zur kontinuierlichen Plasmaoberflächenbearbeitung sind in JP-A-59-91128 und JP-A-59-91130 offenbart. Bei Vorrichtungen dieser Art wird Film auf eine in einer Vakuumkammer angeordneten rotierenden zylindrischen Trommel aufgerollt und eine kontinuierliche Plasmaoberflächenbearbeitung des Films wird durch Zuführen von elektrischer Leistung zu einer gegenüber der Seitenoberfläche der Bearbeitungstrommel angeordneten Gegenelektrode durchgeführt, während der Film in einer Richtung synchron zur Rotation der Bearbeitungstrommel abgespult wird.
Um in diesem Fall die Wirksamkeit der Plasmaoberflächenbearbeitung zu verbessern, sind atmosphärische Bedingungen zum Beschleunigen hochenergetischer Ionen auf den Film notwendig. Jedoch ist gemäß dem oben beschriebenen Stand der Technik die Bearbeitungstrommel geerdet und die Potentialdifferenz zwischen der bearbeiteten Oberfläche und dem Plasma beträgt höchstens einige 10 Volt, auch wenn eine Hochfrequenzspannung mit 13,56 MHz, was eine gebräuchliche Frequenz ist, an die Gegenelektrode zur Erzeugung des Plasmas angelegt wird. Wenn die Bearbeitungstrommel nicht geerdet ist und eine negative Hochspannung an sie angelegt wird, werden positive Ionen im Plasma beschleunigt und auf diese Weise ist es möglich, die Wirksamkeit der Plasmaoberflächenbearbeitung durch Nutzung dieser Energie zu verbessern. Jedoch entstehen im Fall des Anlegens einer Hochspannung an die rotierende Bearbeitungstrommel Probleme dadurch, daß (1) der Mechanismus kompliziert wird, da eine Hochspannung an einen rotierenden Körper angelegt wird, daß (2) die Gefahr einer unnötigen Entladung entsteht, da andere Teile als der bearbeitete Bereich der rotierenden Trommel auf Hochspannung gebracht werden und daß (3), wenn ein Metallfilm auf dem Film angebracht ist, der Metallfilm selber auf die Hochspannung gebracht werden sollte, weswegen auch der Zufuhr- und Aufwickelmechanismus auf die Hochspannung gebracht wird, was dessen Isolierung verkompliziert.

Kurzbeschreibung der Erfindung

Es ist Aufgabe dieser Erfindung, eine Plasmaoberflächenbearbeitungsvorrichtung anzugeben, die die Bearbeitung eines Films durch ein Plasma mit hoher Bearbeitungsgeschwindigkeit und hoher Wirksamkeit ermöglicht, ohne den Aufbau der Vorrichtung in unnötiger Weise zu verkomplizieren.
Diese Aufgabe wird gemäß den Kennzeichen der unabhängigen Ansprüche gelöst. Abhängige Ansprüche sind auf bevorzugte Ausgestaltungen gerichtet.
In einer Plasmaoberflächenbearbeitungsvorrichtung, in der ein Film auf eine geerdete rotierende Elektrode oder Abrollelektrode aufgewickelt ist und in eine feste Richtung abgespult wird, und in der in ein zwischen der rotierenden Elektrode und einer gegenüber der rotierenden Elektrode angeordneten Gegenelektrode eingefährtes Gas durch Anlegen einer Hochfrequenzspannung an die Gegenelektrode in ein Plasma umgewandelt wird, ist die Fläche, auf der das Plasma in Kontakt mit der Gegenelektrode steht, mindestens 1,5mal größer als die Fläche, auf der das Plasma in Kontakt mit der rotierenden Elektrode steht.
Es ist bekannt, daß im Fall, daß die wirksamen Flächen der Elektroden in einem Hochfrequenzplasma, dessen Frequenz 100 kHz bis 100 MHz beträgt, deutlich unterschiedlich sind, die Elektrode mit der kleineren wirksamen Fläche negativ im Verhältnis zur anderen wird, d. h., es tritt der sogenannte self-bias-Effekt (Selbstvorspannung) auf. Die wirksame Fläche bedeutet hier die Fläche, auf der eine Elektrode in Kontakt mit dem Plasma ist. Wenn folglich eine Gegenelektrode mit einer ausreichend größeren Fläche als der Fläche des Bearbeitungsbereichs der rotierenden Elektrode, d. h. der Fläche, auf der die Elektrode in Kontakt mit dem Plasma ist, verwendet wird und hochfrequente elektrische Leistung an die Gegenelektrode angelegt wird, wird durch den Selbstvorspannungseffekt der Bearbeitungsbereich der geerdeten rotierenden Elektrode auf ein hohes negatives Potential im Verhältnis zum Potential des Plasmas gebracht. Da positive Ionen durch diese Potentialdifferenz beschleunigt und auf die Oberfläche des Films geschleudert werden, wird die Wirksamkeit der Bearbeitung beträchtlich erhöht.
Nun wird der Begriff "Gegenelektrode mit einer ausreichend größeren Fläche als die Fläche des Bearbeitungsbereichs der rotierenden Elektrode" quantitativer erklärt. Es wird zunächst angenommen, daß die Fläche, auf der das Plasma in Kontakt mit der Bearbeitungstrommel steht, durch S&sub1; und die Fläche, auf der das Plasma in Kontakt mit der Gegenelektrode durch S&sub2; bezeichnet ist. Wenn der Wert von S&sub2;/S&sub1; gleich 1 ist, sind die Potentialdifferenzen zwischen dem Plasma und den beiden Flächen einander gleich. Wenn andererseits S&sub2;/S&sub1; > 1 ist, ist die Potentialdifferenz zwischen dem Plasma und dem Bearbeitungsbereich größer als die andere. Dieser Effekt tritt auch auf, wenn S&sub2;/S&sub1; geringfügig größer als 1 ist. Jedoch ist die Potentialdifferenz zwischen dem Plasma und dem Bearbeitungsbereich größer und die Bearbeitungswirksamkeit nimmt zu, wenn S&sub2;/S&sub1; größer wird. Deswegen ist zur Erzielung einer befriedigenden Wirkung der Oberflächennachformierungsbearbeitung S&sub2;/S&sub1; größer als 1,5. Ferner ist in dem Fall, daß höhere Ionenenergien erforderlich sind, wie für Zerstäubungsätzen etc., vorzuziehen, daß S&sub2;/S&sub1; größer als 3 ist. Außerdem kann das zur Plasmabearbeitung benutzte Gas willkürlich je nach Zweck der Bearbeitung gewählt werden. Der Gasdruck kann passend für den Zweck der Bearbeitung gewählt werden.

Kurzbeschreibung der Zeichnungen

Fig. 1 ist ein Schema des Aufbaus einer kontinuierlichen Plasmaoberflächenbearbeitungsvorrichtung gemäß dieser Erfindung;
Fig. 2 zeigt ein spezifisches Beispiel des Aufbaus in der Nähe der erfindungsgemäßen kontinuierlichen Plasmaoberflächenbearbeitungsvorrichtung;
Fig. 3 zeigt eine andere Ausgestaltung der kontinuierlichen Plasmaoberflächenbearbeitungsvorrichtung gemäß dieser Erfindung;
Fig. 4 ist ein Schema des Aufbaus der kontinuierlichen Oberflächenbearbeitungsvorrichtung zur Erläuterung eines anderen Beispiels für die Form der Gegenelektrode gemäß dieser Erfindung;
Fig. 5 ist eine perspektivische Ansicht eines spezifischen Aufbaus in der Nähe der in Fig. 4 gezeigten Gegenelektrode;
Fig. 6 ist ein Graph, der die Beziehung zwischen der Ätzgeschwindigkeit eines Polyesterfilms und dem Elektrodenoberflächenverhältnis zeigt; und
Fig. 7 ist ein Schema des Aufbaus einer herkömmlichen kontinuierlichen Plasmaoberflächenvorrichtung.

Beschreibung der bevorzugten Ausgestaltungen

Nachfolgend wird die Erfindung mit Bezug auf die Fig. 1 bis 6 erläutert.
Fig. 1 verdeutlicht schematisch den Aufbau einer kontinuierlichen Plasmaoberflächenbearbeitungsvorrichtung gemäß dieser Erfindung, bei der die Vorrichtung aus einer Vakuumkammer 1, einem Evakuierungsmechanismus 2 zum Evakuieren derselben, einem Filmabspulmechanismus 7-10, einer Plasmaoberflächenbearbeitungskammer 3, einer Hochfrequenzspannungsvorrichtung 4 und einer Reaktionsgas- Zufuhrvorrichtung 5 besteht. Der Filmabspulmechanismus besteht aus einer Abspulrolle 7 zum Abspulen eines Films 6, einer rotierenden Elektrode 8, einer Aufwickelrolle 9, einer Führungsrolle 10 zum Stabilisieren der Spannung des Films und zum Verhindern der Entstehung von Falten, einem Antriebsmechanismus um diese zu drehen und zu regeln, und einem Drehgeschwindigkeitsregelmechanismus. In der Plasmaoberflächenbearbeitungskammer 3 sind eine Gegenelektrode 11, ein Gaseinlaß 12 und ein Evakuierungsanschluß 13, wie in der Figur gezeigt, angeordnet. Um Gas gleichmaßig in die Bearbeitungskammer 3 einzuführen, ist es wünschenswert, eine Anzahl kleiner Löcher 14 in der Gegenelektrode 11 zu bilden, wie in Fig. 2 gezeigt, durch die das Gas ausgeblasen wird. Außerdem ist es vorzuziehen, die rotierende Elektrode 8 und die Gegenelektrode 11 mit Wasser zu kühlen, um deren Aufheizung durch vom Plasma produzierte Hitze zu verhindern.
Die Gegenelektrode 11 ist in dieser Ausgestaltung so gebaut, daß sie das Plasma einschließt, wie in Fig. 2 gezeigt, so daß das Plasma nicht auf den äußeren Umfangsbereich der rotierenden Elektrode 8 verteilt wird. Auf diese Weise ist die Fläche, auf der das Plasma in Kontakt mit der Gegenelektrode 11 steht, größer als die Fläche, auf der das Plasma in Kontakt mit der rotierenden Elektrode 8 steht. Im Gegensatz dazu kann, wie in Fig. 7 gezeigt, in einer herkömmlichen Vorrichtung die Wirkung dieser Erfindung nicht erreicht werden, da die Gegenelektrode 11 einfach entlang des äußeren Umfangs der rotierenden Elektrode 8 in konstantem Abstand von dieser angeordnet ist, wodurch das Plasma auf den äußeren Umfang der rotierenden Elektrode 8 verteilt wird. Jedoch ist die Form der Gegenelektrode 11 gemäß dieser Erfindung nicht auf die in Fig. 1 gezeigte beschränkt.
Die Fig. 4 und 5 zeigen eine andere Form der Gegenelektrode. Sie unterscheidet sich von der in Fig. 1 gezeigten darin, daß der Bereich der Gegenelektrode, der der rotierenden Elektrode am nächsten liegt, entlang des äußeren Umfangs der rotierenden Elektrode gebildet ist. Aus der obigen Erläuterung ist offensichtlich, daß die Wirkung dieser Erfindung genauso gut mit der in Fig. 4 angegebenen Elektrodenform erreicht werden kann.
In diesem Fall sind sowohl rotierende Elektrode 8 als auch die Vakuumkammer 1 geerdet und ferner ist die Fläche der Gegenelektrode 11 ausreichend größer als die Fläche, auf der das Plasma in Kontakt mit der rotierenden Elektrode 8 steht.
Nun wird das Plasmaoberflächenbearbeitungsverfahren unter Verwendung der erfindungsgemäßen Plasmaoberflächenbearbeitungsvorrichtung für den Fall erläutert, daß die Plasmaoberflächenbearbeitung z. B. als Vorbereitungsschritt für das Abscheiden von Metall auf einem Polyesterfilm durch Verdampfung durchgefährt wird. Der Zweck dieses Schritts ist, das Haftvermögen zwischen dem Metall und dem Polyesterfilm durch Bilden von Unebenheiten durch Ätzen der Oberfläche des Polyesterfilms mit einem Argonplasma oder durch Einführen von polaren Radikalen in die Oberfläche zu verbessern.
Ein Polyesterfilm wurde in die in Fig. 1 gezeigte kontinuierliche Plasmaoberflächenbearbeitungsvorrichtung eingebracht und Argongas wurde nach Evakuieren der Reaktionskammer mit konstanter Flußrate zugefährt. Hierbei wurden die Flußrate und die Evakuierungsgeschwindigkeit so geregelt, daß der Gasdruck in der Reaktionskammer bei ungefähr 13,3 Pa gehalten wurde. Dann wurde während des Antreibens des Filmabspulmechanismus und des Aufwickelns des Films in einer festgelegten Richtung eine Hochfrequenzspannung mit einer Frequenz von 13,56 MHz und einer Amplitude von 1 kV an die Gegenelektrode angelegt, um Plasma zu erzeugen. Die Bearbeitungswirkung wurde für verschiedene Filmabspulgeschwindigkeiten untersucht, und ein befriedigendes Haftvermögen wurde sogar bei einer Geschwindigkeit von 100 m/min erhalten.
Als nächstes wird ein Verfahren zur Bildung eines Kohlenstoffilms unter Verwendung derselben Vorrichtung wie oben erwähnt erläutert.
Bei dieser Ausgestaltung ist die rotierende Elektrode 8 geerdet und eine Hochfrequenzspannung von 100 kHz bis 100 MHz wird an die gegenüber angeordnete Gegenelektrode 11 angelegt. Auf diese Weise wird ein Plasma aus Kohlenwasserstoffgas oder aus einem Gasgemisch aus Kohlenwasserstoff und Wasserstoff erzeugt und ein Kohlenstoffilm wird auf der Oberfläche eines auf der geerdeten Elektrode (der Rotierenden Elektrode 8) angeordneten Films gebildet. Eines der wichtigsten Kennzeichen dieser Erfindung ist, daß die Fläche der Gegenelektrode 11 ausreichend größer als die Fläche des Bearbeitungsbereichs der rotierenden Elektrode 8 (der geerdeten Elektrode) ist. Bei der Hochfrequenzentladung im oben angegebenen Frequenzbereich ändert sich der Nahbereichs-Spannungsabfall, der dadurch entsteht, daß die Elektrodenbeweglichkeit wesentlich größer als die Beweglichkeit der positiven Ionen ist, in Abhängigkeit vom Verhältnis der wirksamen Flächen der beiden Elektroden und der Spannungsabfall ist groß für die Elektrode, die eine kleine Fläche hat. Dabei bedeuten wirksame Flächen die Flächen, auf denen die Elektroden in Kontakt mit dem Plasma sind. Folglich ist das Plasmapotential bezogen auf das Oberflächenpotential groß, wenn die Fläche, auf der die Gegenelektrode 11 in Kontakt mit dem Plasma ist, ausreichend größer als die Fläche des bearbeiteten Bereichs der rotierenden Elektrode 8 (der geerdeten Elektrode) ist, wodurch ein Zustand hergestellt wird, bei dem hochenergetische Ionen auf die Oberfläche des bearbeiteten Bereichs geschleudert werden und ein harter Kohlenstoffilm darauf gebildet wird.
Es ist wünschenswert, daß das oben beschriebene Verhältnis der wirksamen Flächen des bearbeiteten Bereichs der rotierenden Elektrode 8 (der geerdeten Elektrode) und der Gegenelektrode 11 mindestens 1 : 3 beträgt, besser 1 : 5. Zusätzlich ist es wünschenswert, daß die Amplitude der Hochspannung größer als 1 kV ist.
Als oben erwähnter Kohlenwasserstoff können z. B. die folgenden Gase oder Dämpfe benutzt werden:
1. gesättigte aliphatische Kohlenwasserstoffe wie Methan, Ethan, Propan, Butan, etc.
2. ungesättigte aliphatische Kohlenwasserstoffe wie Ethylen, Acetylen, Propen, Buten, Butadien, etc.
3. aromatische Kohlenwasserstoffe wie Benzol, Naphtalin, Toluol, Ethylbenzol etc. Der in dieser Ausgestaltung gebildete harte Kohlenstoffilm ist ein amorpher Kohlenstoffilm, in dem amorphe oder kristalline, Wasserstoffatome enthaltende Bereiche vermischt sind, der hart ist, kaum abgerieben wird und eine Vickers-Härte von 1000 oder mehr hat.
Das Verfahren zum Bilden eines harten Kohlenstoffilms gemaß . . dieser Erfindung wird im folgenden genauer beschrieben, für den Fall seiner Anwendung auf den Schritt des Bildens eines Schutzfilms für ein Magnetband, z. B. durch Aufdampfen.
Ein 10 Mikrometer dicker Polyesterfilm, auf dessen einer Oberfläche ein magnetischer dünner Film aus Kobalt-Nickel-Legierung mit 0,1 Mikrometer Dicke durch Aufdampfung abgeschieden wurde, wurde in die in Fig. 1 dargestellte Vorrichtung eingebracht. Dann wurde in die Vakuumkammer 1 und die Bearbeitungskammer 3, nachdem diese vorher auf einen Druck von nicht über 1·10&supmin;³ Pascal evakuiert worden waren, Benzoldampf mit konstanter Flußrate eingeführt, so daß der Druck in der Bearbeitungskammer 3 durch Regeln der Evakuierungsgeschwindigkeit bei 6,66 Pascal gehalten wurde. Anschließend wurde eine Hochfrequenzspannung mit einer Frequenz von 13,56 MHz und einer Spannungsamplitude von 2 kV an die Gegenelektrode 11 angelegt, um Plasma zu erzeugen. Nach einer in 3 Stunden durchgefährten kontinuierlichen Bearbeitung war auf der ganzen Oberfläche des 900m langen Films ein gleichmäßiger 20 nm dicker Kohlenstoffilm gebildet worden. Während der Bearbeitung wurde keine anomale Entladung festgestellt. Das so bearbeitete Magnetband wurde längs geschnitten, um ein 8 mm breites Band zu bilden, und in einer VTR-Wiedergabevorrichtung benutzt. Es traten weder ein Verkleben des Bandes noch eine Destabilisierung des Bandantriebs auf und die Lebensdauer des Bands war im Vergleich zu einem unbearbeiteten Band erheblich vergrößert.
Zum Vergleich wurde eine Vorrichtung benutzt, in der die Gegenelektrode eine kleinere Oberfläche als der bearbeitete Bereich hatte, wie in Fig. 7 gezeigt, und eine Plasmaoberflächenbearbeitung wurde unter Bedingungen durchgeführt, die ansonsten mit den oben beschriebenen identisch waren. Auf diese Weise wurde bei Filmgeschwindigkeiten von nicht weniger als 10m/min kein befriedigendes Haftvermögen erzielt. Um den oben beschriebenen Effekt quantitativer zu untersuchen, wurde der Film in den in Fig. 1 und 7 dargestellten Vorrichtungen, in denen während einer festgelegten Zeitdauer Plasma erzeugt wurde, angehalten, und es wurde festgestellt, daß die Ätzgeschwindigkeit in der in Fig. 1 dargestellten Vorrichtung ungefähr 10 bis 20 Mal höher als die in der in Fig. 7 dargestellten Vorrichtung erreichte ist.
In diesem Zusammenhang zeigt Fig. 6 die Beziehung zwischen der Ätzgeschwindigkeit und dem Elektrodenflächenverhältnis, wenn ein Polyesterfilm mit der erfindungsgemäßen kontinuierlichen Plasmaoberflächenbearbeitungsvorrichtung geätzt wird.
Die oben beschriebene Ausgestaltung kann auch mit großer Wirksamkeit für eine Bearbeitung zur Verhinderung von elektrischer Aufladung von Film durch Einbringen polarer Radikale, Plasma-CVD, bei der Filme aus reaktivem Gas gebildet werden, Plasmapolymerisation und dergleichen benutzt werden, und sie ist auf diese Verfahren leicht anzuwenden. Außerdem bezieht sich die obige Ausgestaltung auf die Bildung eines Metallfilms auf einem Polymerfilm. Es ist jedoch möglich, einen metallbeschichteten Polymerfilm oder Metallfolie in der gleichen Weise zu bearbeiten.
Fig. 3 illustriert eine andere Ausgestaltung, bei der eine Mehrzahl von Bearbeitungskammern gegenüber einer rotierenden Trommel angeordnet sind, um die Bearbeitungsgeschwindigkeit zu erhöhen. Mit dieser Art von Vorrichtung ist es möglich, einen Vielschichtfilm durch Verändern der Bearbeitungsbedingungen und/oder der Art des reaktiven Gases in jeder Reaktionskammer zu bilden, oder andere Bearbeitungen, wie Plasmareinigen, -ätzen, -zerstäuben, -verdampfen und dergleichen gleichzeitig mit der Erzeugung des Kohlenstoffilms durch Verändern der Struktur der angegebenen Bearbeitungskammern durchzuführen. In dem Fall, daß die Hochspannung an die rotierende Elektrode 8 angelegt wird, kann die Vorrichtung nicht die oben beschriebenen Mehrfachfunktionen haben. Folglich ist diese Eigenschaft der Multifunktionalität ein Nebeneffekt dieser Erfindung aufgrund der Tatsache, daß die rotierende Elektrode 8 geerdet ist.
Wie oben erklärt, können mit dieser Erfindung vorteilhafte Wirkungen erzielt werden, durch die es möglich ist, Filme mit Plasma bei hoher Bearbeitungsgeschwindigkeit und hoher Wirksamkeit zu bearbeiten.

Claims

1. Plasmaoberflächenbearbeitungsvorrichtung zur Bearbeitung eines Films mit Plasma, mit:

Mitteln (7,9,10) zum Abrollen des Films (6), der in eine feste Richtung vorwärtsbewegt wird, um eine geerdete rotierende Elektrode (8);

Mitteln (4) zum Anlegen einer Hochfrequenzspannung an eine Gegenelektrode (11), die gegenüber der rotierenden Elektrode (8) angeordnet ist; und

Mitteln (12) zum Einführen von Gas zwischen die rotierende Elektrode (8) und die Gegenelektrode (11), um ein Plasma zu erzeugen, dadurch gekennzeichnet, daß

die Fläche, auf der die Gegenelektrode (11) in Kontakt mit dem Plasma steht, mindestens 1,5 mal größer als die Fläche ist, auf der die rotierende Elektrode (8) in Kontakt mit dem Plasma steht.

2. Plasmaoberflächenbearbeitungsvorrichtung nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine Mehrzahl von Gegenelektroden (11), die gegenüber der rotierenden Elektrode (8) angeordnet sind.

3. Plasmaoberflächenbearbeitungsvorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Fläche, auf der die Gegenelektroden (11) in Kontakt mit dem Plasma stehen, mindestens 3 mal so groß ist wie die Fläche, auf der die rotierende Elektrode (8) damit in Kontakt steht.

4. Plasmaoberflächenbearbeitungsvorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß eine Anzahl kleiner Löcher in den Gegenelektroden (11) gebildet ist, so daß das Gas gleichförmig durch diese in eine Bearbeitungskammer (3) eingeführt wird.

5. Plasmaoberflächenbearbeitungsvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Gegenelektroden (11) und die rotierende Elektrode (8) mit Wasser gekühlt sind.

6. Plasmaoberflächenbearbeitungsverfahren zur Bearbeitung eines Films mit Plasma mit folgenden Schritten:

Abrollen des Films (6), der in eine festgelegte Richtung vorwärts bewegt wird, um eine geerdete rotierende Elektrode (8);

Anlegen einer Hochfrequenzspannung an eine Gegenelektrode (11), die gegenüber der rotierenden Elektrode (8) angeordnet ist;

Einführen von Gas zwischen die rotierende Elektrode (8) und die Gegenelektrode (11), um Plasma zu erzeugen, dadurch gekennzeichnet, daß die Fläche, auf der die Gegenelektrode (11) in Kontakt mit dem Plasma steht, mindestens 1,5 mal so groß ist wie die Fläche, auf der die rotierende Elektrode (8) in Kontakt mit dem Plasma steht.

7. Plasmaoberflächenbearbeitungsverfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Fläche, auf der die Gegenelektrode (11) in Kontakt mit dem Plasma steht, mindestens 3 mal so groß ist wie die Fläche, auf der die rotierende Elektrode (8) in Kontakt mit dem Plasma steht.

8. Plasmaoberflächenbearbeitungsverfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß eine Anzahl kleiner Löcher in der Gegenelektrode (11) gebildet ist, so daß das Gas gleichförmig durch diese in eine Bearbeitungskammer (3) eingeführt wird.

9. Plasmaoberflächenbearbeitungsverfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Gegenelektrode (11) und die rotierende Elektrode (8) mit Wasser gekühlt werden.