JPS5991130A - 高分子基板の表面処理方法 - Google Patents
高分子基板の表面処理方法Info
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- JPS5991130A JPS5991130A JP20150682A JP20150682A JPS5991130A JP S5991130 A JPS5991130 A JP S5991130A JP 20150682 A JP20150682 A JP 20150682A JP 20150682 A JP20150682 A JP 20150682A JP S5991130 A JPS5991130 A JP S5991130A
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- Japan
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- substrate
- electrode
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- glow discharge
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- Pending
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
- B29C59/14—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by plasma treatment
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29K—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES B29B, B29C OR B29D, RELATING TO MOULDING MATERIALS OR TO MATERIALS FOR MOULDS, REINFORCEMENTS, FILLERS OR PREFORMED PARTS, e.g. INSERTS
- B29K2067/00—Use of polyesters or derivatives thereof, as moulding material
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、高分子基板上に各種薄膜を形成した応用製品
の製造工程の一部として、前記基板を巻取りながら、表
面処理する方法に関する。
の製造工程の一部として、前記基板を巻取りながら、表
面処理する方法に関する。
従来例の構成とその問題点
高分子成形物基板を巻取りながら蒸着、スパッタリング
等の手段により前記基板上に薄膜を形成することは、コ
ンデンサの製造、装飾用材料の製造等に古くから用いら
れており、最近では磁気テープの製造や、太陽エネルギ
ー関連の用途の材料２、−２ の製造にも有用であるとして注目され、開発が盛んであ
る。
等の手段により前記基板上に薄膜を形成することは、コ
ンデンサの製造、装飾用材料の製造等に古くから用いら
れており、最近では磁気テープの製造や、太陽エネルギ
ー関連の用途の材料２、−２ の製造にも有用であるとして注目され、開発が盛んであ
る。
これらの用途に適した高分子成形物は、材質。
厚み、＠、長さと、多くの種類があるが、共通した課題
は、製造単位毎の薄膜と基板との間の付着強度の確保と
、前記付着強度の均一性の確保であり、その為、積極的
に前処理が行われるようになってきた。
は、製造単位毎の薄膜と基板との間の付着強度の確保と
、前記付着強度の均一性の確保であり、その為、積極的
に前処理が行われるようになってきた。
前処理として公知の方法は多いが、中でも最も効果の高
い方法に、薄膜形成前に、同一の真空槽内で行うグロー
放電処理がある。
い方法に、薄膜形成前に、同一の真空槽内で行うグロー
放電処理がある。
上記グロー放電処理は、電極構成によらず、これまでは
、幅方向全域に均一に処理することを目的として１基板
の幅よりも広い幅の電極を用いて処理していた。
、幅方向全域に均一に処理することを目的として１基板
の幅よりも広い幅の電極を用いて処理していた。
磁気テープの製造や、太陽エネルギー関連材料の製造に
用いられるような、平均表面粗すが。、０５μｍ以下と
なるような平滑度の良好な基板で、従来法によりグロー
放電処理すると、基板同志が基板の両端部近くで接着す
る現象がみられ、前記現−べ−７・ 象は、処理長さが長くなる程、強調され処理面が基板の
両面９片面のいずれにおいても起り大量処理の隘路とな
っていた。
用いられるような、平均表面粗すが。、０５μｍ以下と
なるような平滑度の良好な基板で、従来法によりグロー
放電処理すると、基板同志が基板の両端部近くで接着す
る現象がみられ、前記現−べ−７・ 象は、処理長さが長くなる程、強調され処理面が基板の
両面９片面のいずれにおいても起り大量処理の隘路とな
っていた。
発明の目的
本発明は、従来技術による処理基板の接着現象をなくす
ことで、大量処理を可能ならしめる処理方法の提供を目
的とするものである。
ことで、大量処理を可能ならしめる処理方法の提供を目
的とするものである。
発明の構成
本発明は、回転支持体に沿って移動する高分子成形物基
板の幅よりも狭い幅の高周波電極で高周波グロー放電処
理することを要旨とするものである。
板の幅よりも狭い幅の高周波電極で高周波グロー放電処
理することを要旨とするものである。
実施例の説明
処理される基板はポリエチレンテレフタレートに代表さ
れるが、ポリイミド、ポリアミド、ポリエチレン２−６
ナフタレート等であってもよく、処理面は、基板の一方
の面か、両方の面のいずれかが、目的に応じて選択され
る。
れるが、ポリイミド、ポリアミド、ポリエチレン２−６
ナフタレート等であってもよく、処理面は、基板の一方
の面か、両方の面のいずれかが、目的に応じて選択され
る。
また、両面を処理する場合、両方共高周波グロー放電処
理するか否かの選択も自由である。
理するか否かの選択も自由である。
さらに高周波電極の材質、形状についての格別の制約は
なく、電極数についても同様である。
なく、電極数についても同様である。
高周波電極についての制限である、処理される基板の幅
との間との関係での、電極の幅については、−律に決定
し難いが、前記基板の幅より１０間〜５０問、好ましく
は１０間〜２０跋程度高周波電極の幅を狭く選ぶことで
、本発明の効果を得ることができる。
との間との関係での、電極の幅については、−律に決定
し難いが、前記基板の幅より１０間〜５０問、好ましく
は１０間〜２０跋程度高周波電極の幅を狭く選ぶことで
、本発明の効果を得ることができる。
高周波グロー放電処理が、基板の全幅以上の幅の電極で
実施されると、処理された基板同志が接着してしまう確
率が著しく増加するのは、高分子成形物が誘電体であり
、端部で電界が乱れ、異常な放電が発生することが多く
なることが原因と推察される。
実施されると、処理された基板同志が接着してしまう確
率が著しく増加するのは、高分子成形物が誘電体であり
、端部で電界が乱れ、異常な放電が発生することが多く
なることが原因と推察される。
次により具体的に本発明の詳細な説明する。
図は、本発明の実施のために用いられた真空中巻取装置
の一例を示す。
の一例を示す。
なお図では、真空中巻取装置の構成には不可欠であるが
、本発明に直接関係のない要素については図示を略した
。
、本発明に直接関係のない要素については図示を略した
。
− ヘ−ノ
図に示すように処理される高分子成形物基板１は、回転
支持体２に沿って、送り出し軸３より巻取り軸４に移動
するよう構成される。
支持体２に沿って、送り出し軸３より巻取り軸４に移動
するよう構成される。
高周波電極６は、例えば回転支持体２と二定の間隔が保
持されるような円弧の一部で構成される。
持されるような円弧の一部で構成される。
高周波電極５への高周波電力の供給は、絶縁導入端子６
．整合回路７を介して、高周波電源８の調整により行わ
れる。
．整合回路７を介して、高周波電源８の調整により行わ
れる。
高周波グロー放電処理される面と反対側の兜を処理する
ために、図では一対の放電電極９による交流グロー（商
用周波数かそれに近い程度の周波数が普通多く用いられ
る。）が用いられるよう構成されている。
ために、図では一対の放電電極９による交流グロー（商
用周波数かそれに近い程度の周波数が普通多く用いられ
る。）が用いられるよう構成されている。
これは単なる棒状又は筒状の電極であってもいいし、磁
界との相互作用を利用したマグネトロン放電を誘起する
ためのマグネトロン放電電極でも良い。
界との相互作用を利用したマグネトロン放電を誘起する
ためのマグネトロン放電電極でも良い。
１０は真空槽１１の内部で、高周波グロー放電条件のう
ち真空度条件が、交流グロー条件の真空度条件と一致し
ない時に差圧を保持するための、６ ベーン かくり室を模式的に示したものである。
ち真空度条件が、交流グロー条件の真空度条件と一致し
ない時に差圧を保持するための、６ ベーン かくり室を模式的に示したものである。
真空槽１１の内部は、排気装置１２により連続して排気
され、必要な流量の放電気体を、可変リーク弁１３の調
節により、前気槽内に導入し、一定圧力、を保つよう構
成される。
され、必要な流量の放電気体を、可変リーク弁１３の調
節により、前気槽内に導入し、一定圧力、を保つよう構
成される。
〔実施例１〕
ポリエチレンテレフタレート基板（幅６０．０＋１１１
、厚み１１μｍ９表面粗す０．０４μｍ）をそれぞれ長
さ４．０００ｍ、 ８．０００ｍ 、 １２．０００ｍ
の３水準準備し、巻取速度５０ ｍ ／ ｍ ｉ ｎで
巻取りながら酸素を導入し、真空度０．０１ Ｔｏｒｒ
で高周波グロー放電と、マグ声トロン放電で、両面を処
理した。
、厚み１１μｍ９表面粗す０．０４μｍ）をそれぞれ長
さ４．０００ｍ、 ８．０００ｍ 、 １２．０００ｍ
の３水準準備し、巻取速度５０ ｍ ／ ｍ ｉ ｎで
巻取りながら酸素を導入し、真空度０．０１ Ｔｏｒｒ
で高周波グロー放電と、マグ声トロン放電で、両面を処
理した。
下の表にその代表的条件を示す。なお回転支持体の直径
は５０傷で、高周波放電電極の曲率半径は２７．６〒で
中心角θは１６６〇一定で、材質はアルミニウムである
。
は５０傷で、高周波放電電極の曲率半径は２７．６〒で
中心角θは１６６〇一定で、材質はアルミニウムである
。
以 下 余 白
ポリアミド基板（幅３０ＯＮ＋１１．厚み８μｍ１表面
粗す０．０２５μｍ）をそれぞれ長さ３．０００ｍ。
粗す０．０２５μｍ）をそれぞれ長さ３．０００ｍ。
と４ 、５００ ｍの２水準準備し、巻取り速度４０ｍ
／ｍｉｎ で巻取りながらアルゴンガスを導入し、真
空度０ ＊０８ Ｔｏｒｒで高周波グロー放電、０．１
５Ｔｏｒｒでマグネトロン放電で、基板両面を処理した
。
／ｍｉｎ で巻取りながらアルゴンガスを導入し、真
空度０ ＊０８ Ｔｏｒｒで高周波グロー放電、０．１
５Ｔｏｒｒでマグネトロン放電で、基板両面を処理した
。
巻取り時の張力を１．ｅＫｇ 、 ４．５にりの２水準
としそれぞれ処理基板を巻き取った後、１日、室温で放
置した後、前記処理基板を用いてＣｏＣｒの垂直磁化膜
の形成を、イオンブレーティング法によ実施例 さて前記表に接着現象の有無を示した様に、本発明によ
れば、全く接着現象はみられなかった。
としそれぞれ処理基板を巻き取った後、１日、室温で放
置した後、前記処理基板を用いてＣｏＣｒの垂直磁化膜
の形成を、イオンブレーティング法によ実施例 さて前記表に接着現象の有無を示した様に、本発明によ
れば、全く接着現象はみられなかった。
なお実施例−２において、端部の接着現象により、基板
がさけて、垂直磁化膜の形成を中断せざるを得なかった
ことがあったが、これは高周波型、極幅が３３０謳、４
ｏＯ門の場合のみで、２９゜陥、２８ｏ笥、２７ｏ胴の
３条件では、全て、長９ ｌ＜−ン 尺の媒体を得ることができた。
がさけて、垂直磁化膜の形成を中断せざるを得なかった
ことがあったが、これは高周波型、極幅が３３０謳、４
ｏＯ門の場合のみで、２９゜陥、２８ｏ笥、２７ｏ胴の
３条件では、全て、長９ ｌ＜−ン 尺の媒体を得ることができた。
一方前記のような処理基板を用いて磁気テープ。
の製造を試み、付着強度の均一性について調べてみると
、高周波電極の幅は基板の幅から１０８〜２０節狭い程
度に留めるのが好ましいことが理解されるが、期待する
処理効果により、６０Ｍｎ程度狭い電極を用いても良い
場合もあり、目的に応じて選択すれば良い。
、高周波電極の幅は基板の幅から１０８〜２０節狭い程
度に留めるのが好ましいことが理解されるが、期待する
処理効果により、６０Ｍｎ程度狭い電極を用いても良い
場合もあり、目的に応じて選択すれば良い。
発明の効果
本発明による処理基板上への薄膜、厚膜の形成は乾式に
よるを問わず、また巻き取り速度、張力。
よるを問わず、また巻き取り速度、張力。
基板の種類、平滑性等につき、特別の配慮なしに量産規
模で、実施できるものであり、その産業上の価値は大で
ある。
模で、実施できるものであり、その産業上の価値は大で
ある。
図は、本発明の実施例において用いる巻取装置の要部の
構成を示す図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・回転支持体、６・
・・・・・高周波電極、７・・・・・・整合回路、８・
・・・・・高周波電源、９・・・・・・放電電極、１１
・・・・・・真空槽、１４・・・・・・フリー口１ｏ
ベーン ーラ。
構成を示す図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・回転支持体、６・
・・・・・高周波電極、７・・・・・・整合回路、８・
・・・・・高周波電源、９・・・・・・放電電極、１１
・・・・・・真空槽、１４・・・・・・フリー口１ｏ
ベーン ーラ。
Claims (1)
- 回転支持体に沿って移動する高分子基板を高周板グロー
放電処理する方法であって、前記基板の幅よりも狭い幅
の高周波電極で高周波グロー放電処理することを特徴と
する高分子基板の表面処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20150682A JPS5991130A (ja) | 1982-11-16 | 1982-11-16 | 高分子基板の表面処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20150682A JPS5991130A (ja) | 1982-11-16 | 1982-11-16 | 高分子基板の表面処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5991130A true JPS5991130A (ja) | 1984-05-25 |
Family
ID=16442175
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20150682A Pending JPS5991130A (ja) | 1982-11-16 | 1982-11-16 | 高分子基板の表面処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5991130A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0248274A2 (en) * | 1986-05-21 | 1987-12-09 | Hitachi, Ltd. | Plasma surface treatment method and apparatus |
| EP0298420A2 (en) * | 1987-07-06 | 1989-01-11 | Kanebo, Ltd. | Apparatus for plasma treatment |
-
1982
- 1982-11-16 JP JP20150682A patent/JPS5991130A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0248274A2 (en) * | 1986-05-21 | 1987-12-09 | Hitachi, Ltd. | Plasma surface treatment method and apparatus |
| US5300189A (en) * | 1986-05-21 | 1994-04-05 | Hitachi, Ltd. | Plasma surface treatment method and apparatus |
| EP0298420A2 (en) * | 1987-07-06 | 1989-01-11 | Kanebo, Ltd. | Apparatus for plasma treatment |
| US4968918A (en) * | 1987-07-06 | 1990-11-06 | Kanebo, Ltd. | Apparatus for plasma treatment |
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