DE3726731A1 - Verfahren zum aufbringen von ueberzuegen auf gegenstaende mittels magnetfeldunterstuetzter kathodenzerstaeubung im vakuum - Google Patents
Verfahren zum aufbringen von ueberzuegen auf gegenstaende mittels magnetfeldunterstuetzter kathodenzerstaeubung im vakuumInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Aufbringen von Über
zügen auf Gegenständen der im Oberbegriff des Anspruchs 1 an
gegebenen Art.
Für die Beschichtung von Gegenständen aller Art stehen heute
verschiedene Vakuumbeschichtungsverfahren zur Verfügung. Die
eingangs genannte magnetfeldunterstützte Kathodenzerstäubung
ist eines dieser Verfahren, das in den letzten Jahren zuneh
mend an wirtschaftlicher Bedeutung gewonnen hat.
Die am meisten angewandte Variante der Kathodenzerstäubung ist
die reaktive Magnetronzerstäubung. Dieses Verfahren wird ins
besondere eingesetzt, um Werkstücke mit goldfarbenähnlichen
Überzügen aus Titannitrid zu versehen. Die goldähnliche Farbe
wird dadurch erreicht, daß die Titan- und Stickstoffanteile
der die Überzüge bildenden Verbindungen in einem stöchiometri
schen Verhältnis zueinander stehen. Hierfür ist es notwendig,
daß der Reaktivgasanteil in der Beschichtungskammeratmosphäre,
nämlich der in die Kammer eingeleitete Stickstoff, im Über
schuß vorliegt. Mit anderen Worten enthält die Atmosphäre in
der Beschichtungskammer zusätzlich zum Edelgas-Partialdruck,
der zur Aufrechterhaltung der für die Zerstäubung des Target
materials notwendigen Glimmentladung erforderlich ist, auch
einen Stickstoffpartialdruck.
Nachteilig bei der reaktiven Magnetronzerstäubung ist es, daß
die Erosionszone der Targetoberfläche mit Verbindungen aus Me
tall- und Reaktionsgasatomen beschlagen wird, was eine drasti
sche Reduzierung der Zerstäubungsrate zur Folge hat, da diese
Verbindungen unter vergleichbaren Prozeßbedingungen eine we
sentlich geringere Zerstäubungsausbeute (Anzahl der zerstäub
ten Metallteilchen je einfallendem Reaktivgasion) erbringen.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, das eingangs genann
te Kathodenzerstäubungsverfahren weiterzuentwickeln und we
sentlich zu verbessern, um die Zerstäubungsausbeute und daher
auch die Beschichtungsrate gegenüber den Verfahren nach dem
Stand der Technik beträchtlich zu erhöhen.
Gelöst wird diese Aufgabe in Übereinstimmung mit den kenn
zeichnenden Merkmalen des Anspruchs 1.
Erfindungsgemäß ist es also vorgesehen, die Beschichtungskam
mer kontinuierlich mit Reaktivgas zu beschicken, wobei die Be
schickungsmenge derart bemessen ist, daß der Reaktivgasanteil
in der die Überzüge auf den Werkstücken bildenden Metall-
Reaktivgasverbindung im unterstöchiometrischen Verhältnis vor
liegt. Dadurch wird erreicht, daß die Atmosphäre der Beschich
tungskammer keinen Reaktivgas-Partialdruck enthält, d.h. der
Gesamtdruck in der Beschichtungskammer wird ausschließlich von
dem Edelgas-Partialdruck bestimmt, da in die Beschichtungskam
mer nur soviel Reaktivgas eingeleitet wird, wie bei der Her
stellung der Metall-Reaktivgasverbindung verbraucht wird.
Weiterhin ist erfindungsgemäß eine spezielle Führung der Reak
tivgasströmung vorgesehen, und zwar wird das Reaktivgas in der
Beschichtungskammer unter Umgehung der Zerstäubungskathode un
mittelbar in den Bereich der zu beschichtenden Werkstücke ge
leitet. Dadurch wird erreicht, daß die Targeterosionszone, aus
der die Metallatome abgestäubt werden, frei von Metall-
Reaktivgasverbindungen ist, so daß im Vergleich zu den Ver
fahren nach dem Stand der Technik, bei denen die Erosionszone
der Targetoberfläche mit diesen Verbindungen beschlagen wer
den, eine wesentlich höhere Zerstäubungsausbeute erzielbar
ist.
Zu der verbesserten Zerstäubungsausbeute trägt entscheidend
bei, daß in der Beschichtungskammer kein Reaktivgas
Partialdruck aufgebaut wird. Mit anderen Worten ließe es sich
bei Vorhandensein eines Reaktivgas-Partialdruckes nicht ver
hindern, daß trotz der erfindungsgemäß gewählten Strömungsfüh
rung des Reaktivgases ein gewisser Anteil dieses Gases in den
Bereich unmittelbar über die Targetoberfläche gelangt, wo es
in Verbindung mit zerstäubtem Metall mit der Folge einer ver
ringerten Zerstäubungsausbeute auf die Erosionszone niederge
schlagen werden würde.
Während mit den Verfahren nach dem Stand der Technik, also bei
der Herstellung von stöchiometrischen Metall-Reaktivgasverbin
dungen, regelmäßig eine Zerstäubungsausbeute von etwa 40%
bezogen auf eine Zerstäubung desselben Targetmaterials bei
nicht-reaktiver Prozeßführung erreicht wird, beträgt die mit
dem erfindungsgemäßen Verfahren erzielbare, ebenfalls auf eine
Zerstäubung bei nicht-reaktiver Prozeßführung bezogene Zer
stäubungsausbeute 90%.
Die Zerstäubungsausbeute bei Anwendung des erfindungsgemäßen
Verfahrens ist also um mehr als das Doppelte höher als bei An
wendung der bekannten Verfahren. Berücksichtigt man weiterhin,
daß die Reaktivgas-Durchflußmenge bei Aufrechterhaltung des
erfindungsgemäß einzustellenden unterstöchiometrischen Ver
hältnisses in der Metall-Reaktivgasverbindung zugunsten des
Metallanteils proportional zur verbesserten Zerstäubungsaus
beute erhöhbar ist, so wird klar, daß auch die Beschichtungs
rate bei Anwendung des erfindungsgemäßen Verfahrens im Ver
gleich zu den bekannten Verfahren um mehr als das Doppelte
verbessert werden kann.
Ein weiterer Vorteil des erfindungsgemäßen Verfahrens besteht
darin, daß die verbesserte Zerstäubungsausbeute bzw. Beschich
tungsrate die Keimbildung für das Schichtwachstum an der
Werkstückoberfläche wesentlich erhöht. Die erhöhte Schicht
wachstumsgeschwindigkeit bewirkt, daß der Schichtaufbau beson
ders gleichmäßig verläuft, daß also die Schichteigenschaften
weitgehend isotrop verteilt sind, wodurch unter anderem vor al
lem die Eigenspannungen in der auf den Werkstückoberflächen
aufgebauten Beschichtungen im Vergleich zu den mit den bekann
ten Verfahren erreichbaren Schichten wesentlich verringert
sind.
Eine vorteilhafte Weiterbildung des Verfahrens sieht es vor,
das Reaktivgas in ionisiertem Zustand in die Beschichtungskam
mer einzuleiten. Dadurch wird der Ionisierungsgrad in der Be
schichtungskammer zugunsten einer intensiveren Raumladung er
höht, welche die Entstehung der Metall- und Reaktivgasverbin
dung begünstigt. Ein weiterer Vorteil besteht darin, daß in
folge der erhöhten Raumladung die an die Zerstäubungskathode
angelegte Spannung ohne Beeinträchtigung der Zerstäubungsaus
beute verringert werden kann. Schließlich wird wegen der er
höhten Raumladungsdichte auch die Plasmaentladung an der Tar
getoberfläche wesentlich stabiler. D.h., das mehr oder weniger
ausgeprägte Schwingen des Plasmas in Abhängigkeit der Prozeß
parameter und der Geometrie der Beschichtungskammer wird weit
gehend bedämpft.
Die Leistung der Zerstäubungskathode spielt bei der Herstel
lung von unterstöchiometrischen Schichten im Sinne des erfin
dungsgemäßen Verfahrens eine wesentliche Rolle. So können die
se Schichten erst dann wirklich zufriedenstellend erzeugt wer
den, wenn die auf die Targeterosionszone der Zerstäubungska
thode bezogene Leistung mindestens 10 Watt/cm2 beträgt. Vor
teilhafterweise ist diese Leistung jedoch mit mehr als 20
Watt/cm2 anzusetzen. Noch bessere Ergebnisse werden mit Lei
stungen oberhalb von 30 Watt/cm2 erzielt.
Auch der Edelgaspartialdruck sollte vorzugsweise im Bereich
von 2 bis 5×10-3 gewählt werden. Die besten Ergebnisse werden
dabei im unteren Druckbereich erzielt, da ein niedrigerer
Druck einer größeren mittleren freien Weglänge der Teilchen in
der Beschichtungskammer entspricht, was wiederum eine Steige
rung der Beschichtungsrate im Verhältnis zur Zerstäubungsrate
bewirkt, da die Anzahl der Zusammenstöße zwischen den Parti
keln auf dem Weg vom Target zum Werkstück abnimmt. Außerdem
wird durch einen möglichst niedrigen Druck die Keimbildung für
das Schichtwachstum an der Oberfläche der Werkstücke erhöht.
Vorteilhafterweise wird an die Werkstücke eine negative Vor
spannung in der Größenordnung von einigen 50 Volt angelegt.
Dadurch wird während des Beschichtungsvorgangs auf der Werks
tückoberfläche eine gewisse Zerstäubung der Beschichtung be
wirkt, durch die schlecht haftende Partikel wieder von der
Werkstückoberfläche abgestäubt werden. Derselbe vorteilhafte
Effekt läßt sich auch durch das Anlegen einer hochfrequenten
Spannung vergleichbarer Intensität an die Werkstücke errei
chen.
Als Targetmaterial für das erfindungsgemäße Verfahren eignet
sich sowohl reines Metall wie auch Legierungen aus reinem Me
tall. So können beispielsweise mit Vorteil Zirkon, Hafnium,
Molybdän, Wolfram, Titan ebenso verwendet werden wie Titan-
Aluminium-, Titan-Wolfram-, Wolfram-Molybdän- und Chrom-
Nickel-Legierungen, beispielsweise zur Herstellung von Titan
nitrid oder Titankarbid.
Ebenfalls weitgehend frei wählbar sind die für das erfindungs
gemäße Verfahren mit Vorteil einsetzbaren Reaktivgase. In Fra
ge kommen Stickstoff, Kohlenstoff, Bor und Silizium enthalten
de Gase ebenso wie deren Mischungen sowie Mischungen mit wei
teren Gasen, also beispielsweise Stickstoff mit Äthen oder
Kohlendioxid, Bor und Äthen und Azethylen und/oder Stickstoff,
Silan und Azethylen und/oder Stickstoff.
Die sich daraus unter Anwendung des erfindungsgemäßen Verfah
rens ergebenden Überzüge auf den Werkstücken sind dann nahezu
unzähliger Art, wie beispielsweise Titan-Aluminium-Oxinitrid,
Titan-Wolfram-Silizium-Karbid, Wolfram-Molybdän-Carbonitrid.
Vorteilhafte Anwendungen des erfindunsgemäßen Verfahrens be
treffen das Beschichten von Werkzeugen,wie beispielsweise Spi
ralbohrer, Gewindebohrer, Schneideisen, Fräsern, Wendeschneid
platten, Reibahlen, Stempeln und Matrizen. Durch eine erfin
dungsgemäße Beschichtung solcher Werkzeuge aus Schnellarbeits
stahl oder aus Hartmetall wird deren Verschleiß- und/oder Kor
rosionswiderstand wesentlich erhöht.
Ähnliche Vorteile werden auch bei der erfindungsgemäßen Be
schichtung von Maschinenteilen erreicht, wie beispielsweise
von Fadenführern, Wellen, Zahnrädern, Lagern, Führungsteilen,
Spannzangen, Schrauben und Muttern.
Das erfindungsgemäße Verfahren ist aber auch mit Vorteil zur
Hartstoffbeschichtung von Gebrauchsgegenständen geeignet, vor
allen zur Verbesserung deren Lebensdauer sowie optischen Ei
genschaften. Solche Gebrauchsgegenstände sind beispielsweise:
Spitzen von Tuschezeichnerröhrchen oder von Kugelschreibern,
Schreibgeräte, Uhrengehäuse, Brillengestelle, Armbänder, Tür
griffe, Geräte für die chirurgische Medizin sowie Gegenstände
aller Art aus Glas, Kunststoff oder keramischen Werkstoffen.
Weitere mit dem erfindungsgemäßen Verfahren erzielbare Vortei
le sollen nunmehr anhand der Zeichnung näher erläutert werden.
Die einzige Figur der Zeichnung zeigt ein Diagramm, in dem das
Verhältnis zwischen Gesamtgasdruck in der Beschichtungskammer
und der Reaktivgas- (hier Stickstoff) Durchflußmenge bei kon
stantem Edelgas-Partialdruck dargestellt ist.
Die Gerade zwischen den Punkten D und A entspricht dem Edel
gas-Partialdruck, der sowohl bei den bekannten Verfahren wie
auch beim erfindungsgemäßen Verfahren konstant gehalten wird,
bei welchem er dem Gesamtdruck in der Beschichtungskammer ent
spricht.
Bei der Herstellung von stöchiometrischen Titannitrid-
Verbindungen gemäß den Verfahren nach dem Stand der Technik,
hat sich der Stickstoff-Partialdruck in der Beschichtungskam
mer bereits eingestellt, wenn die Zerstäubungskathode in Gang
gesetzt wird. Die Größe dieses Partialdrucks entspricht dem
Punkt E im Diagramm. Da bei der Herstellung der Titan-Nitrid-
Verbindung laufend Stickstoff verbraucht wird, sinkt trotz
konstant eingestelltem Stickstoffdurchfluß der Gesamtdruck in
der Kammer bis auf den Punkt C. Der Stickstoffpartialdruck in
der Kammer entspricht dann der senkrechten Koordinatenkompo
nente des Abstandes zwischen den Punkten C und D. Die bekann
ten Verfahren werden mit diesem konstanten Stickstoff-
Partialdruck zusätzlich zu dem Edelgas-Partialdruck betrieben.
Bei der Herstellung von unterstöchiometrischen Titannitrid-
Verbindungen gemäß dem erfindungsgemäßen Verfahren wird die
Zerstäubungskathode zuerst oder gleichzeitig mit dem Stick
stoff-Durchfluß eingeschaltet, so daß keine Nitrierung der
Targeterosionszone stattfinden kann. Der Stickstoffdurchfluß
wird mit niedriger Rate gestartet, anschließend kontinuierlich
erhöht und schließlich auf einen Wert zwischen den Punkten D
und A eingestellt, deren Verbindungsgerade dem konstanten
Edelgas-Partialdruck entspricht, so daß sich in der Atmosphäre
in der Beschichtungskammer kein Stickstoffpartialdruck aufbau
en kann, obwohl die Stickstoffdurchflußmenge wesentlich größer
ist als bei den Verfahren nach dem Stand der Technik.
Nachfolgend soll anhand des Diagrammes der Fig. 1 beschrieben
werden, wie das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung von
Mehrfachschichten, beispielsweise zur Aufbringung einer zu
sätzlichen Schicht, die Metallanteile im Unterschuß enthält,
auf einfache Weise modifiziert werden kann.
Wenn man entgegen den Vorgaben für das erfindungsgemäße Ver
fahren die Stickstoffdurchflußmenge entweder den Punkt A er
reichen läßt oder wenn die Leistung der Zerstäubungskathode
verringert wird, was einer Verschiebung der Geraden durch die
Punkte A und B im Diagramm nach links in Richtung geringerer
Stickstoffdurchflußmenge entspricht, beschlägt die Targetero
sionszone mit Titannitrid-Verbindungen. Um diesen Niederschlag
auf der Erosionszone zu entfernen, muß die Stickstoffdurch
flußmenge verringert werden, bis der Punkt D erreicht wird.
Wird die Stickstoffdurchflußmenge hingegen konstant gehalten,
so besteht die Atmosphäre in der Beschichtungskammer zusätz
lich zum Edelgas-Partialdruck aus einem Stickstoffpartial
druck, entsprechend der Differenz zwischen den Punkten B und
A, wodurch überstöchiometrische Titannitrid-Verbindungen mit
einem Metallunterschuß erzeugt werden.
Auf diese Weise ist es in einfacher Weise, nämlich ohne Unter
brechung des Beschichtungsprozesses möglich, Mehrfachschichten
auf die Werkstücke aufzubringen, die sich durch ihre unter
schiedlichen Eigenschaften sinnvoll ergänzen. Beispielsweise
kann zur Erfüllung eines funktionellen Zwecks, wie etwa eine
Erhöhung des Korrosionswiderstands, eine unterstöchiometri
sche Schicht, also eine Schicht mit Metallüberschuß auf die
Werkstückoberflächen und anschließend eine überstöchiometri
sche Schicht aufgebracht werden, die Metall im Unterschuß ent
hält und bessere optische Eigenschaft als die erste Schicht
aufweist.
Bei Messungen an den erfindungsgemäß unterstöchiometrisch her
gestellten Beschichtungen auf Werkzeugen, also mit Metall im
Überschuß, wurde überraschenderweise gefunden, daß die
Schichthärte vergleichbar derjenigen von mit den bekannten
Verfahren hergestellten stöchiometrischen Beschichtungen ist.
Während letztere wegen ihrer relativ geringen Zähigkeit und
den auftretenden Schichtspannungen auf Schichtdicken bis zu
maximal 3 µm beschränkt sind, können auch Werkstücke mit dem
erfindungsgemäßen Verfahren problemlos bis zu Schichtdicken
von 6 µm beschichtet werden.
Das erfindungsgemäße Verfahren erlaubt also eine große Varia
tion bei der chemischen Zusammensetzung und der Dicke der
Schichten, so daß die Schichteigenschaften optimal an den spe
zifischen Anwendungsfall angepaßt werden können. Dies ist ne
ben der erhöhten Wirtschaftlichkeit des erfindungsgemäßen Ver
fahrens einer der bedeutendsten Vorteile gegenüber den be
kannten Beschichtungsverfahren.
Claims (14)
1. Verfahren zum Aufbringen von Überzügen auf Gegenstände mit
tels magnetfeldunterstützter Kathodenzerstäubung im Vakuum,
bei dem zur Aufrechterhaltung der für die Zerstäubung des Tar
getmaterials notwendigen Glimmentladung ein Edelgas kontinui
erlich in die Beschichtungskammer eingeleitet und mit Hilfe
einer Vakuumpumpe derart fortlaufend abgepumpt wird, daß ein
konstanter Edelgas-Partialdruck in der Beschichtungskammer
aufrecht erhalten wird, und bei dem wenigstens ein Reaktivgas
in die Beschichtungskammer eingeleitet wird, das mit dem zer
stäubten metallischen Targetmaterial eine Verbindung eingeht,
mit der die Werkstücke überzogen werden, dadurch gekennzeich
net, daß die gesamte kontinuierlich in die Beschichtungskammer
eingeleitete Reaktivgasmenge derart bemessen ist, daß der Re
aktivgasanteil in der Metall-Reaktivgasverbindung des Überzugs
im unterstöchiometrischen Verhältnis vorliegt und kein Reak
tivgaspartialdruck aufgebaut wird, und daß die Reaktivgasströ
mung in der Beschichtungskammer unter Umgehung der Zerstäu
bungskathode unmittelbar in den Raum zwischen Zerstäubungska
thode und zu beschichtenden Werkstücke geführt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die
Zerstäubung des Targetmaterials der Zerstäubungskathode ent
weder vor oder gleichzeitig mit der Reaktivgaseinleitung be
gonnen wird, und daß die eingeleitete Reaktivgasmenge langsam
auf den bestimmungsgemäßen Endwert erhöht wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet,
daß das Reaktivgas über ein Gasverteilungssystem unmittelbar
auf die Werkstückoberflächen geführt wird.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekenn
zeichnet, daß das Reaktivgas in ionisiertem Zustand in die Be
schichtungskammer eingeleitet wird.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekenn
zeichnet, daß die auf die Targeterosionszone bezogene Leistung
der Zerstäubungskathode mindestens 10 Watt/cm2, vor allem 30
Watt/cm2 oder mehr beträgt.
6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der
den Gesamtdruck in der Beschichtungskammer bildende Edelgas-
Partialdruck zwischen 1 und 10×10-3 mbar, vor allem zwischen
2 und 5×10-3 mbar beträgt.
7. Verfahren nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet,
daß an die Werkstücke eine Vorspannung angelegt wird.
8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die
Vorspannung eine negative Spannung mit einem Betrag von minde
stens 50 Volt, vor allem von 100 bis 150 Volt ist.
9. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichntet, daß die
Vorspannung eine hochfrequente Wechselspannung ist.
10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch ge
kennzeichnet, daß das Targetmaterial ein reines Metall, voral
lem Zirkon, Hafnium, Molybdän, Wolfram, Titan, oder eine Le
gierung aus reinen Metallen, vor allem eine Titan-Aluminium-,
Titan-Wolfram-, Wolfram-Molybdän- oder eine Chrom-Nickel-
Legierung ist, und daß das Reaktivgas ein Gemisch aus Stick
stoff, Kohlenstoff, Sauerstoff, gasförmigem Bor und/oder Si
lizium ist.
11. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch ge
kennzeichnet, daß nachfolgend auf die Aufbringung eines Über
zugs mit einem unterstöchiometrischen Reaktivgasanteil ein
weiterer Überzug mit einem überstöchiometrischen Reaktivgasan
teil auf die erste Überzugsschicht aufgebracht wird.
12. Herstellung von hartstoffbeschichteten Werkzeugen unter
Anwendung des Verfahrens nach einem der Ansprüche 1 bis 11.
13. Herstellung von mit Hartstoffschichten belegten Maschinen
teilen unter Anwendung des Verfahrens nach einem der Ansprüche
1 bis 11.
14. Herstellung von mit Hartstoffschichten belegten Gebrauchs
gegenständen unter Anwendung des Verfahrens nach einem der An
sprüche 1 bis 11.
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US07/226,731 US4883574A (en) | 1987-08-11 | 1988-08-01 | Method for applying coatings to objects by means of magnetic field supported reactive cathode sputtering |
DE88112559T DE3888894D1 (de) | 1987-08-11 | 1988-08-02 | Verfahren zum Aufbringen von Überzügen auf Gegenstände mittels magnetfeldunterstützter Kathodenzerstäubung im Vakuum. |
EP88112559A EP0303161B1 (de) | 1987-08-11 | 1988-08-02 | Verfahren zum Aufbringen von Überzügen auf Gegenstände mittels magnetfeldunterstützter Kathodenzerstäubung im Vakuum |
AT88112559T ATE103995T1 (de) | 1987-08-11 | 1988-08-02 | Verfahren zum aufbringen von ueberzuegen auf gegenstaende mittels magnetfeldunterstuetzter kathodenzerstaeubung im vakuum. |
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DE (2) | DE3726731A1 (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10062592A1 (de) * | 2000-12-15 | 2002-07-04 | Draexlmaier Lisa Gmbh | Zierteil für Fahrzeuge |
US9481928B2 (en) | 2010-10-22 | 2016-11-01 | Forschungszentrum Juelich Gmbh | Sputtering sources for high-pressure sputtering with large targets and sputtering method |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CH673071B5 (de) * | 1988-06-24 | 1990-08-15 | Asulab Sa | |
US5108569A (en) * | 1989-11-30 | 1992-04-28 | Applied Materials, Inc. | Process and apparatus for forming stoichiometric layer of a metal compound by closed loop voltage controlled reactive sputtering |
JP3221892B2 (ja) * | 1991-09-20 | 2001-10-22 | 帝国ピストンリング株式会社 | ピストンリング及びその製造法 |
US5557313A (en) * | 1992-11-12 | 1996-09-17 | Tdk Corporation | Wear-resistant protective film for thermal head and method of producing the same |
TW239900B (de) * | 1993-06-17 | 1995-02-01 | Materials Research Corp | |
US6468401B1 (en) * | 1995-04-24 | 2002-10-22 | Bridgestone Corporation | Formation of metal compound thin film and preparation of rubber composite material |
US5750012A (en) * | 1996-04-04 | 1998-05-12 | Micron Technology, Inc. | Multiple species sputtering for improved bottom coverage and improved sputter rate |
JPH11168071A (ja) * | 1997-12-03 | 1999-06-22 | Sony Corp | Ti/TiN膜の連続形成方法 |
WO2005036607A2 (en) * | 2003-10-08 | 2005-04-21 | Deposition Sciences, Inc. | System and method for feedforward control in thin film coating processes |
ATE377579T1 (de) | 2004-07-12 | 2007-11-15 | Cardinal Cg Co | Wartungsarme beschichtungen |
CN101466649B (zh) | 2006-04-11 | 2013-12-11 | 卡迪奈尔镀膜玻璃公司 | 具有低维护性能的光催化涂层 |
US20080011599A1 (en) | 2006-07-12 | 2008-01-17 | Brabender Dennis M | Sputtering apparatus including novel target mounting and/or control |
KR100920725B1 (ko) * | 2007-07-10 | 2009-10-13 | (주)제이 앤 엘 테크 | 피증착물의 박막 증착 장치, 박막 증착 방법 및 이에 의해증착된 고속 가공용 공구 |
WO2009036284A1 (en) | 2007-09-14 | 2009-03-19 | Cardinal Cg Company | Low-maintenance coatings, and methods for producing low-maintenance coatings |
DE102011112288A1 (de) * | 2011-09-05 | 2013-03-07 | Oerlikon Trading Ag, Trübbach | Zierteil für Kraftfahrzeuge |
CN103088289A (zh) * | 2011-10-31 | 2013-05-08 | 深圳富泰宏精密工业有限公司 | 壳体的制备方法及由该方法所制得的壳体 |
US10096725B2 (en) * | 2013-11-13 | 2018-10-09 | Applied Materials, Inc. | Method for graded anti-reflective coatings by physical vapor deposition |
EP3541762B1 (de) | 2016-11-17 | 2022-03-02 | Cardinal CG Company | Statisch-dissipative beschichtungstechnologie |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2410483A1 (de) * | 1973-03-05 | 1974-09-12 | Suwa Seikosha Kk | Verfahren zum beschichten von teilen einer uhr |
DE2750611A1 (de) * | 1976-11-15 | 1978-05-24 | Commissariat Energie Atomique | Verfahren und vorrichtung zur beschichtung eines substrats |
US4428812A (en) * | 1983-04-04 | 1984-01-31 | Borg-Warner Corporation | Rapid rate reactive sputtering of metallic compounds |
GB2145741A (en) * | 1983-09-02 | 1985-04-03 | Leybold Heraeus Gmbh & Co Kg | Reactive vapour deposition operation |
DE3425467A1 (de) * | 1984-07-11 | 1986-01-23 | Battelle-Institut E.V., 6000 Frankfurt | Verfahren zur verbesserung des farbeindrucks von titannitrid-schichten |
WO1986000937A1 (en) * | 1984-07-20 | 1986-02-13 | Battelle-Institut E.V. | Process for production of highly wear-resistant titanium coatings |
DD238171A3 (de) * | 1980-11-12 | 1986-08-13 | Juergen Salm | Verfahren zur steuerung der schichtzusammensetzung beim reaktiven sputtern und danach hergestellte schichten |
DE3624772A1 (de) * | 1985-07-22 | 1987-01-22 | Diesel Kiki Co | Verfahren zum herstellen eines duennfilms |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AU507748B2 (en) * | 1976-06-10 | 1980-02-28 | University Of Sydney, The | Reactive sputtering |
DD146757A3 (de) * | 1979-03-19 | 1981-03-04 | Helmut Dintner | Verfahren und vorrichtung zur hochrateherstellung hochreiner verbindungsschichten |
JPS5940227B2 (ja) * | 1980-06-24 | 1984-09-28 | 富士通株式会社 | リアクティブスパッタリング方法 |
DD232613A3 (de) * | 1980-11-12 | 1986-02-05 | Adw Der Ddr Inst Fuer Magnetis | Verfahren zur steuerung der schichtzusammensetzung von verbindungsschichten |
US4428811A (en) * | 1983-04-04 | 1984-01-31 | Borg-Warner Corporation | Rapid rate reactive sputtering of a group IVb metal |
DE3521053A1 (de) * | 1985-06-12 | 1986-12-18 | Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln | Vorrichtung zum aufbringen duenner schichten auf ein substrat |
US4683043A (en) * | 1986-01-21 | 1987-07-28 | Battelle Development Corporation | Cubic boron nitride preparation |
US4702967A (en) * | 1986-06-16 | 1987-10-27 | Harris Corporation | Multiple-layer, multiple-phase titanium/nitrogen adhesion/diffusion barrier layer structure for gold-base microcircuit interconnection |
-
1987
- 1987-08-11 DE DE19873726731 patent/DE3726731A1/de not_active Withdrawn
-
1988
- 1988-08-01 US US07/226,731 patent/US4883574A/en not_active Expired - Fee Related
- 1988-08-02 EP EP88112559A patent/EP0303161B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1988-08-02 AT AT88112559T patent/ATE103995T1/de not_active IP Right Cessation
- 1988-08-02 DE DE88112559T patent/DE3888894D1/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2410483A1 (de) * | 1973-03-05 | 1974-09-12 | Suwa Seikosha Kk | Verfahren zum beschichten von teilen einer uhr |
DE2750611A1 (de) * | 1976-11-15 | 1978-05-24 | Commissariat Energie Atomique | Verfahren und vorrichtung zur beschichtung eines substrats |
DD238171A3 (de) * | 1980-11-12 | 1986-08-13 | Juergen Salm | Verfahren zur steuerung der schichtzusammensetzung beim reaktiven sputtern und danach hergestellte schichten |
US4428812A (en) * | 1983-04-04 | 1984-01-31 | Borg-Warner Corporation | Rapid rate reactive sputtering of metallic compounds |
GB2145741A (en) * | 1983-09-02 | 1985-04-03 | Leybold Heraeus Gmbh & Co Kg | Reactive vapour deposition operation |
DE3425467A1 (de) * | 1984-07-11 | 1986-01-23 | Battelle-Institut E.V., 6000 Frankfurt | Verfahren zur verbesserung des farbeindrucks von titannitrid-schichten |
WO1986000937A1 (en) * | 1984-07-20 | 1986-02-13 | Battelle-Institut E.V. | Process for production of highly wear-resistant titanium coatings |
DE3624772A1 (de) * | 1985-07-22 | 1987-01-22 | Diesel Kiki Co | Verfahren zum herstellen eines duennfilms |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10062592A1 (de) * | 2000-12-15 | 2002-07-04 | Draexlmaier Lisa Gmbh | Zierteil für Fahrzeuge |
DE10062592B4 (de) * | 2000-12-15 | 2012-06-06 | Lisa Dräxlmaier GmbH | Zierteil für Kraftfahrzeuge |
US9481928B2 (en) | 2010-10-22 | 2016-11-01 | Forschungszentrum Juelich Gmbh | Sputtering sources for high-pressure sputtering with large targets and sputtering method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0303161A2 (de) | 1989-02-15 |
ATE103995T1 (de) | 1994-04-15 |
EP0303161B1 (de) | 1994-04-06 |
US4883574A (en) | 1989-11-28 |
EP0303161A3 (en) | 1990-08-22 |
DE3888894D1 (de) | 1994-05-11 |
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