DE3719616A1 - Verfahren und vorrichtung zur beschichtung eines substrats - Google Patents

Verfahren und vorrichtung zur beschichtung eines substrats

Info

Publication number
DE3719616A1
DE3719616A1 DE19873719616 DE3719616A DE3719616A1 DE 3719616 A1 DE3719616 A1 DE 3719616A1 DE 19873719616 DE19873719616 DE 19873719616 DE 3719616 A DE3719616 A DE 3719616A DE 3719616 A1 DE3719616 A1 DE 3719616A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
coating chamber
cathode
substrate
layer
coating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE19873719616
Other languages
English (en)
Inventor
Peter Hubert
Barbara Dipl Phys Dr Kussel
Peter Dipl Phys Dr Wirz
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Balzers und Leybold Deutschland Holding AG
Original Assignee
Leybold AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Leybold AG filed Critical Leybold AG
Priority to DE19873719616 priority Critical patent/DE3719616A1/de
Priority to US07/119,627 priority patent/US4921724A/en
Priority to EP88106467A priority patent/EP0294572A1/de
Priority to JP63143845A priority patent/JPS63317677A/ja
Publication of DE3719616A1 publication Critical patent/DE3719616A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244Gas supply means
    • H01J37/32449Gas control, e.g. control of the gas flow
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/02Pretreatment of the material to be coated
    • C23C16/0272Deposition of sub-layers, e.g. to promote the adhesion of the main coating
    • C23C16/029Graded interfaces
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52Controlling or regulating the coating process
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623Mechanical discharge control means
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32917Plasma diagnostics
    • H01J37/3299Feedback systems

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
  • Magnetic Record Carriers (AREA)

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrich­ tung zur Beschichtung eines Substrats mit einer orga­ nischen Schicht durch Einbringen des Substrats in eine eine gasförmige Kohlenwasserstoffverbindung enthaltende Beschichtungskammer, in der mit Hilfe einer Magnete aufweisenden Kathodenanordnung die Kohlenwasserstoff­ verbindung zersetzbar ist, wobei ein sich im Bereich des Substrats bildendes Plasma durch Anlegen einer hochfrequenten Spannung an die Kathodenanordnung anregbar und das Substrat unmittelbar von der Kathode gehalten ist.
Es ist bereits bekannt, auf dünnwandige Substrate, beispielsweise Daten- oder Tonträger, eine dünnwandige Schicht mit Hilfe einer ionisierten Gasatmosphäre bzw. durch plasmaunterstützte CVD anzubringen, wobei zur Anregung des Plasmas Hochfrequenz verwendet und mit Hilfe eines Magnetsystems eine Konzentration der chemischen Reaktion vor der Kathode bewirkt wird. Da die Speicherdichte magnetischer Datenträger sehr stark durch die Schichtdicke der magnetisierbaren Schicht und dem Abstand des Magnetkopfes von dieser Schicht be­ stimmt wird, werden sehr dünne Schichten und besonders kleine Kopfabstände angestrebt. Erfahrungsgemäß erhöht sich aber auch dadurch die Gefahr der Beschädigung der Schicht durch den Kontakt des Kopfes mit der Schicht, verursacht beispielsweise durch Vibration oder durch Staubteilchen. Zum anderen muß aber auch die Abnutzung des Magnetkopfes, insbesondere bei Start-Stop-Betrieb so gering wie möglich gehalten werden. Da es mit dem vorbekannten Beschichtungsverfahren nur möglich ist, eine einzige Schicht mit einem sehr homogenen Aufbau herzustellen, muß der Hersteller von Datenträgern Kompromisse hinsichtlich der Schichtqualität eingehen.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren und eine Vorrichtung zu schaffen, die geeignet sind, einerseits eine sehr dünne und den Magnetkopf schonende und andererseits eine gegen Beschädigungen vergleichsweise unempfindliche Schicht herzustellen.
Erfindungsgemäß wird dies durch ein Verfahren ermög­ licht, bei dem der Druck in der Beschichtungskammer und die Zufuhr der elektrischen Energie vom Generator zur Kathode zum Zwecke einer sich während des Schichtauf­ baus verändernden Schichtqualität definiert variiert werden, wobei durch Erhöhung des Drucks in der Beschichtungskammer oder durch Verminderung der Ener­ giezufuhr die Härte, der Reibungskoeffizient und der Brechungsindex der Schicht einen vorgegebenen Gradien­ ten erhalten.
Bei einer für die Durchführung dieses Verfahrens geeigneten Vorrichtung sind in die vom Gas-Vorratsbe­ hälter zur Beschichtungskammer führenden Gas-Zuleitung und in die die Vakuumpumpe mit der Beschichtungskammer verbundene Pumpen-Saugleitung Absperrorgane eingeschal­ tet, über die der in der Beschichtungskammer herr­ schende Druck und die Durchflußmenge des Gases regu­ lierbar sind.
Vorzugsweise sind dazu die in die Gas-Zuleitung und in die Pumpen-Saugleitung eingeschalteten Absperrorgane elektromotorisch, hydraulisch oder pneumatisch in Ab­ hängigkeit eines Zeitschaltwerks verstellbar.
Zweckmäßigerweise ist der an die elektrische Zuleitung der Kathode angeschlossene Generator in seiner Leistung über ein elektrisch, hydraulisch oder pneumatisch be­ tätigbares Stellglied in Abhängigkeit eines Zeitschalt­ werks oder einer Steuervorrichtung verstellbar.
Um eine Schicht mit einem Härtegradienten zu erzeugen, bei dem auf eine zunächst härtere Schutzschicht eine weichere Oberflächenschicht folgt, wirken das Zeit­ schaltwerk und/oder die Steuervorrichtung mit einer Vakuummeßzelle zusammen, die mit der Beschichtungs­ kammer in Verbindung steht und die dem Druck in der Beschichtungskammer entsprechende Steuersignale erzeugt und an das Zeitschaltwerk oder die Steuervorrichtung leitet.
Mit Vorteil wirken das Zeitschaltwerk und/oder die Steuervorrichtung mit einem Durchfluß-Meßgerät zusam­ men, das in die Gas-Zuleitung zwischen dem Gasbehälter und dem Absperrorgan eingeschaltet ist und das dem Gaszufluß zur Beschichtungskammer entsprechende Signale erzeugt und an das Zeitschaltwerk oder die Steuervor­ richtung gibt.
Bei einer bevorzugten Ausführungsform sind die ein Magnetfeld vor der Kathode erzeugenden Magnete mit ihrer Halterung am Kathodenträger beweglich angeordnet und mit Hilfe besonderer Motoren drehbar, wodurch eine besonders gleichmäßige Schichtdicke erzielt wird.
Die Erfindung läßt die verschiedensten Ausführungsmög­ lichkeiten zu; eine davon ist in der anhängenden Zeichnung näher dargestellt und zwar zeigen
Fig. 1 eine Vorrichtung zum Beschichten von Datenträgern mit einer organischen Schutzschicht durch Zersetzen einer gasförmigen Kohlenwasserstoffverbindung in schematischer Darstellung,
Fig. 2 eine Kathode für eine Vorrichtung nach Fig. 1 rein schematisch und in vergrö­ ßerter Abbildung, wobei das sich im Betrieb bildende Plasma und die von dem Magneten erzeugten Feldlinien mit Hilfe punktierter Felder bzw. durch Pfeile angedeutet sind und
Fig. 3 bis 6 Diagramme zur Darstellung der mit dem Verfahren beispielsweise erzielbaren physikalischen Werte von Schichten.
Die Vorrichtung besteht im wesentlichen aus der Be­ schichtungskammer 1 mit der in ihr angeordneten Kathode 2, dem oberhalb der Kathode 2 angeordneten Substrat 3, den zur Kathode 2 gehörenden Magneten 4, der elek­ trischen Energiequelle 5, dem Anschluß 6 für die Gas­ flaschen 7, 8, dem in die Gas-Zufuhrleitung 20 einge­ schalteten Durchfluß-Meßgerät 10 mit einem magnetisch angetriebenen Absperrorgan 11, die über den Anschluß 12 an die Beschichtungskammer 1 angeschlossene Vakuum- Meßzelle 13 und einem mit der Beschichtungskammer 1 über einen Anschluß 14 verbundenen elektromotorisch angetriebenen Absperrorgan 15 für die Turbovakuumpumpe 16 und die dieser nachgeschalteten Wälzkolbenvakuum­ pumpe 17.
Nach dem Einschleusen des Substrats 3 in die evakuierte Beschichtungskammer 1 bilden sich auf der der Kathode 2 abgekehrten Seite des Substrats 3 Plasma-Schläuche 18, 19 durch Zersetzen des über den Anschluß 6 eingeleite­ ten Monomers (z.B. Acetylen-Gas) aus, wobei zur Anre­ gung des Plasmas Hochfrequenz (z.B. 13,56 MHz) an der Kathode 2 anliegt, die von der Energiequelle 5 bzw. dem Generator erzeugt wird. Gegebenenfalls kann dem Acety­ len-Gas noch ein Inertgas, z.B. Argon, beigemischt werden. Durch Einstellen der Verfahrensparameter können die Eigenschaften der Schicht verändert werden, spe­ ziell können die mechanischen Eigenschaften wie z.B. Härte und Reibungskoeffizient kontinuierlich im Verlauf der Beschichtung variiert werden, so daß ein Härtegra­ dient entsteht der Gestalt, daß auf eine zunächst härtere Schutzschicht eine weichere Oberflächenschicht folgt. Mit diesem Gradienten wird erreicht, daß bei optimaler Schutzwirkung für das Substrat, beispiels­ weise einen Datenträger, die Abnutzung eines mit dem Datenträger zusammenwirkenden Magnetkopfes möglichst gering bleibt.
Eine Änderung der eingekoppelten Leistung bewirkt eine Veränderung der Energie der auf das Substrat 3 auftref­ fenden Teilchen und damit eine Strukturveränderung. Es können also Gradienten innerhalb der Schicht herge­ stellt werden, indem man während der Beschichtung von einem Arbeitspunkt zum nächsten übergeht. Ähnlich wirkt eine Veränderung des Druckes in der Beschichtungskammer 1 während der Beschichtung.
Zweckmäßigerweise wird der Datenträger bzw. das Sub­ strat 3 zunächst mit einer relativ harten Schutzschicht versehen, und im Verlaufe dieser Beschichtung werden die Leistung und der Druck verändert derart, daß die Oberfläche eine Schicht erhält, die weicher ist und damit gute Gleiteigenschaften aufweist. Auf diese Weise wird in einem einzigen Beschichtungsvorgang eine zum Schutz der magnetisierbaren Schicht möglichst harte Schicht mit einer für den Start-Stop-Betrieb besonders günstigen weicheren Schicht mit niedrigem Reibungs­ koeffizienten kombiniert.
Wie Fig. 2 am Beispiel einer Ausführungsvariante für eine Kathodenanordnung zeigt, ist der Dunkelraum- Abstand a zwischen dem Substrat 3 und der Kathode 2 sehr eng bemessen, so daß sichergestellt ist, daß sich im Raum zwischen dem Substrat 3 und der Kathode 2 keine Plasmawolke ausbildet, d.h. der bei den gewählten Pro­ zeßparametern (z.B. Druck und Leistung) sich einstel­ lende Dunkelraumabstand darf nicht überschritten werden.
In Fig. 3 ist in einem Diagramm die Abhängigkeit der Härte der Schicht von der während des Beschichtungsvor­ gangs anliegenden elektrischen Spannung aufgezeigt. Es ist erkennbar, daß ein Härte-Maximum bei einer Leistung von etwa 400 W erzielbar ist. Fig. 4 zeigt, daß sich ein minimaler Reibungskoeffizient bei etwa 1.000 W Leistung einstellt und daß bei noch geringerer oder noch höherer Leistung der Reibungskoeffizient einem Maximum zustrebt. Wie Fig. 5 zeigt, ist auch der Brechungsindex von der anliegenden elektrischen Lei­ stung abhängig, und zwar nimmt er zu, je höher die Leistung ist, bis er bei etwa 2.000 W Leistung einen maximalen Wert erreicht. Im Diagramm nach Fig. 6 ist aufgezeigt, daß der Brechungsindex und Schichthärte auch vom Druck abhängen, der während des Beschichtungs­ vorgangs in der Beschichtungskammer 1 herrscht. Beide Werte erreichen ein Maximum bei einem Druck von etwa 10 -2 mbar.
  • Auflistung der Einzelteile:  1 Beschichtungskammer
     2 Kathode
     3 Substrat
     4 Magnet
     5 elektrische Energiequelle, Generator
     6 Anschluß
     7 Gasflasche, Azethylenflasche
     8 Gasflasche, Argonflasche
    10 Durchfluß-Meßgerät
    11 magnetisch angetriebenes Absperrorgan
    12 Anschluß
    13 Vakuum-Meßzelle
    14 Anschluß
    15 Absperrorgan mit elektromotorischem Antrieb
    16 Turbovakuumpumpe
    17 Wälzkolbenvakuumpumpe
    18 Plasma-Schlauch
    19 Plasma-Schlauch
    20 Gas-Zuleitung
    21 Pumpen-Saugleitung
    22 elektrische Anschlußleitung
    23 Anode

Claims (7)

1. Verfahren zur Beschichtung eines Substrats (3) mit einer organischen Schicht durch Einbringen des Sub­ strats (3) in eine eine gasförmige Kohlenwasserstoff­ verbindung enthaltende evakuierbare Beschichtungskammer (1), in der mit Hilfe einer Magnete (4) aufweisenden Kathodenanordnung (2, 4) die Kohlenwasserstoffverbin­ dung zersetzbar ist, wobei im Bereich des Substrats (3) durch Anlegen einer hochfrequenten Spannung an die Kathodenanordnung (2) ein Plasma (18, 19) erzeugbar ist und wobei das Substrat (3) unmittelbar vor der Kathode gehalten ist, dadurch gekennzeichnet, daß der Druck in der Beschichtungskammer (1) und die Zufuhr der elek­ trischen Energie zur Kathode (2) zum Zwecke einer sich während des Schichtaufbaus verändernden Schichtqualität definiert variiert werden, wobei durch Erhöhung des Drucks in der Beschichtungskammer (1) oder durch Ver­ minderung der Energiezufuhr die Härte, der Reibungs­ koeffizient und der Brechungsindex der Schicht einen vorgegebenen Gradienten erhalten.
2. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach An­ spruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß in die vom Gas- Vorratsbehälter (7, 8) zur Beschichtungskammer (1) führende Gas-Zuleitung (20) und in die die Vakuumpumpe (16, 17) mit der Beschichtungskammer (1) verbindende Pumpen-Saugleitung (21) Absperrorgane (11 bzw. 15) eingeschaltet sind, über die der in der Beschichtungs­ kammer (1) herrschende Druck regulierbar ist.
3. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die in die Gas-Zuleitung (20) und in die Pumpen- Saugleitung (21) eingeschalteten Absperrorgane (11 bzw. 15) elektromotorisch, hydraulisch oder pneumatisch in Abhängigkeit eines Zeitschaltwerks verstellbar sind.
4. Vorrichtung nach den vorherigen Ansprüchen, dadurch gekennzeichnet, daß der an die elektrische Zuleitung (22) der Kathode (2) angeschlossene Generator (5) in seiner Leistung über ein elektrisch, hydraulisch oder pneumatisch betätigbares Stellglied in Abhängigkeit eines Zeitschaltwerks oder einer Steuervorrichtung verstellbar ist.
5. Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 2 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Zeitschaltwerk und/oder die Steuervorrichtung mit einer Vakuummeßzelle (13) zusammenwirkt, die mit der Beschichtungskammer in Verbindung steht, und die dem Druck in der Beschich­ tungskammer (1) entsprechende Steuersignale erzeugt und an das Zeitschaltwerk bzw. die Steuervorrichtung leitet.
6. Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 2 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß das Zeitschaltwerk und/oder die Steuervorrichtung mit einem Durchfluß- Meßgerät (10) zusammenwirkt, das in die Gas-Zuleitung (20) zwischen dem Gasbehälter (7, 8) und dem Absperr­ organ (11) eingeschaltet ist, und das dem Gaszufluß zur Beschichtungskammer (1) entsprechende Signale erzeugt.
7. Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 2 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die ein Magnetfeld vor der Kathode erzeugenden Magnete (4) mit ihrer Halterung im Kathodenträger beweglich angeordnet und von besonderen Motoren drehbar sind.
DE19873719616 1987-06-12 1987-06-12 Verfahren und vorrichtung zur beschichtung eines substrats Withdrawn DE3719616A1 (de)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19873719616 DE3719616A1 (de) 1987-06-12 1987-06-12 Verfahren und vorrichtung zur beschichtung eines substrats
US07/119,627 US4921724A (en) 1987-06-12 1987-11-12 Process for coating a substrate with an organic coating having gradated hardness
EP88106467A EP0294572A1 (de) 1987-06-12 1988-04-22 Verfahren und Vorrichtung zur Beschichtung eines Substrats
JP63143845A JPS63317677A (ja) 1987-06-12 1988-06-13 基板を有機層でコーテイングする方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19873719616 DE3719616A1 (de) 1987-06-12 1987-06-12 Verfahren und vorrichtung zur beschichtung eines substrats

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE3719616A1 true DE3719616A1 (de) 1988-12-29

Family

ID=6329547

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19873719616 Withdrawn DE3719616A1 (de) 1987-06-12 1987-06-12 Verfahren und vorrichtung zur beschichtung eines substrats

Country Status (4)

Country Link
US (1) US4921724A (de)
EP (1) EP0294572A1 (de)
JP (1) JPS63317677A (de)
DE (1) DE3719616A1 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102008028537A1 (de) * 2008-06-16 2009-12-17 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zum Abscheiden einer Kratzschutzbeschichtung auf einem Kunststoffsubstrat

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2256085A (en) * 1991-05-13 1992-11-25 Integrated Plasma Ltd Plasma deposition and etching of substrates.
GB2256084A (en) * 1991-05-13 1992-11-25 Integrated Plasma Ltd Plasma deposition and etching of substrates.
DE4128547A1 (de) * 1991-08-28 1993-03-04 Leybold Ag Verfahren und vorrichtung fuer die herstellung einer entspiegelungsschicht auf linsen
JP3042127B2 (ja) * 1991-09-02 2000-05-15 富士電機株式会社 酸化シリコン膜の製造方法および製造装置
DE19625329A1 (de) * 1996-06-25 1998-01-08 Karlsruhe Forschzent Stoffverbund und Verfahren zu dessen Herstellung
US6110329A (en) * 1996-06-25 2000-08-29 Forschungszentrum Karlsruhe Gmbh Method of manufacturing a composite material
US6375811B1 (en) * 1999-08-12 2002-04-23 Northrop Grumman Corporation Flexible, highly durable, transparent optical coatings
US7410915B2 (en) * 2006-03-23 2008-08-12 Asm Japan K.K. Method of forming carbon polymer film using plasma CVD
US20100104770A1 (en) * 2008-10-27 2010-04-29 Asm Japan K.K. Two-step formation of hydrocarbon-based polymer film
US8697198B2 (en) * 2011-03-31 2014-04-15 Veeco Ald Inc. Magnetic field assisted deposition

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3128022A1 (de) * 1980-07-17 1984-01-26 Barr & Stroud Ltd., Glasgow, Scotland Verfahren zum erzeugen von kohlenstoffueberzuegen fuer optische zwecke
EP0179665A2 (de) * 1984-10-25 1986-04-30 Applied Materials, Inc. Verfahren und Vorrichtung zur chemischen Abscheidung aus der Dampfphase mittels eines durch Magnetron verstärkten Plasmas
DE3442208A1 (de) * 1984-11-19 1986-05-28 Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln Verfahren und vorrichtung zum herstellen harten kohlenstoffschichten
DE3545794A1 (de) * 1984-12-25 1986-07-03 TDK Corporation, Tokio/Tokyo Magnetaufzeichnungsmedium

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4043889A (en) * 1976-01-02 1977-08-23 Sperry Rand Corporation Method of and apparatus for the radio frequency sputtering of a thin film
DE2821119C2 (de) * 1978-05-13 1983-08-25 Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln Verfahren und Anordnung zur Regelung des Entladungsvorganges in einer Katodenzerstäubungsanlage
US4201645A (en) * 1978-06-26 1980-05-06 Robert J. Ferran Closed-loop sputtering system and method of operating same
DE3202709A1 (de) * 1982-01-28 1983-08-04 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V., 8000 München Verfahren und einrichtung zum beschichten eines substrates mit inhomogenen schichten
EP0085397B1 (de) * 1982-01-28 1988-04-27 Toshiba Kikai Kabushiki Kaisha Dampfphasen-Vorrichtung zum Aufwachsen von Halbleitermaterial
EP0137697B1 (de) * 1983-08-31 1987-11-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Verfahren zur Herstellung eines optischen Informationsaufzeichnungsmediums
US4698256A (en) * 1984-04-02 1987-10-06 American Cyanamid Company Articles coated with adherent diamondlike carbon films
EP0182367B1 (de) * 1984-11-20 1990-04-18 Hitachi Maxell Ltd. Magnetischer Aufzeichnungsträger und Herstellung derselben
DE3521318A1 (de) * 1985-06-14 1986-12-18 Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln Verfahren und vorrichtung zum behandeln, insbesondere zum beschichten, von substraten mittels einer plasmaentladung
JPS61289530A (ja) * 1985-06-17 1986-12-19 Hitachi Ltd 磁気記録媒体
US4755426A (en) * 1986-01-18 1988-07-05 Hitachi Maxell, Ltd. Magnetic recording medium and production of the same

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3128022A1 (de) * 1980-07-17 1984-01-26 Barr & Stroud Ltd., Glasgow, Scotland Verfahren zum erzeugen von kohlenstoffueberzuegen fuer optische zwecke
EP0179665A2 (de) * 1984-10-25 1986-04-30 Applied Materials, Inc. Verfahren und Vorrichtung zur chemischen Abscheidung aus der Dampfphase mittels eines durch Magnetron verstärkten Plasmas
DE3442208A1 (de) * 1984-11-19 1986-05-28 Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln Verfahren und vorrichtung zum herstellen harten kohlenstoffschichten
DE3545794A1 (de) * 1984-12-25 1986-07-03 TDK Corporation, Tokio/Tokyo Magnetaufzeichnungsmedium

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102008028537A1 (de) * 2008-06-16 2009-12-17 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zum Abscheiden einer Kratzschutzbeschichtung auf einem Kunststoffsubstrat
DE102008028537B4 (de) * 2008-06-16 2012-11-29 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zum Abscheiden einer Kratzschutzbeschichtung auf einem Kunststoffsubstrat

Also Published As

Publication number Publication date
US4921724A (en) 1990-05-01
EP0294572A1 (de) 1988-12-14
JPS63317677A (ja) 1988-12-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3322680C2 (de)
DE3854276T2 (de) Kathodenzerstäubungsverfahren und Vorrichtung zur Durchführung desselben.
DE3881077T2 (de) Verfahren zur herstellung eines diamantfilms.
DE69605280T2 (de) Verfahren zum aufbringen diamantähnlicher kohlenstoff-filme
EP0625218B1 (de) Verfahren und vorrichtung zur oberflächenmodifikation durch physikalisch-chemische reaktionen von gasen oder dämpfen an oberflächen mit unterstützung von hochgeladenen ionen
EP0349556B1 (de) Verfahren und vorrichtung zur bearbeitung von festkörperoberflächen durch teilchenbeschuss
DE4106513C2 (de) Verfahren zur Regelung eines reaktiven Sputterprozesses und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
EP0021140A1 (de) Ionenquelle in einer Vakuumkammer und Verfahren zum Betrieb derselben
WO1991000374A1 (de) Verfahren und vorrichtung zur beschichtung von substraten
DE19826259A1 (de) Verfahren und Einrichtung zum Vakuumbeschichten eines Substrates
DE3719616A1 (de) Verfahren und vorrichtung zur beschichtung eines substrats
WO2004031441A1 (de) Vorrichtung zur durchführung eines plasma-unterstützten prozesses
DE19505268A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Behandlung von Substratoberflächen
DE102011105645A1 (de) Entschichtungsverfahren für harte Kohlenstoffschichten
DE3425755A1 (de) Verfahren zur herstellung eines magnetaufzeichnungstraegers
WO1997034024A1 (de) Einrichtung zum vakuumbeschichten von schüttgut
DE3880275T2 (de) Anlage und Verfahren zur Ablagerung einer dünnen Schicht auf ein durchsichtiges Substrat, insbesondere zur Herstellung von Glasscheiben.
DE19546826C1 (de) Verfahren und Einrichtung zur Vorbehandlung von Substraten
DE4128779C2 (de) Verfahren zum Herstellen von Feinstrukturen und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens sowie Verwendungen des Verfahrens und der Vorrichtung
DE69231293T2 (de) Verfahren und vorrichtung zur plasmabeschichtung
EP2087503B1 (de) Vorrichtung zum vorbehandeln von substraten
EP1273025B1 (de) Vorrichtung zum plasmabehandeln der oberfläche von substraten durch ionenätzung
DE1905058B2 (de) Vorrichtung fuer die beschichtung von werkstuecken durch hochfrequenzplasmazerstaeubung von werkstoffen im vakuum
DD142568A1 (de) EINRICHTUNG ZUM REAKTIVEN BESCHICHTEN MIT DEM PLASM&TRON
DE3837487A1 (de) Verfahren und vorrichtung zum aetzen von substraten mit einer magnetfeldunterstuetzten niederdruck-entladung

Legal Events

Date Code Title Description
OM8 Search report available as to paragraph 43 lit. 1 sentence 1 patent law
8139 Disposal/non-payment of the annual fee