DE3719616A1 - Verfahren und vorrichtung zur beschichtung eines substrats - Google Patents
Verfahren und vorrichtung zur beschichtung eines substratsInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrich
tung zur Beschichtung eines Substrats mit einer orga
nischen Schicht durch Einbringen des Substrats in eine
eine gasförmige Kohlenwasserstoffverbindung enthaltende
Beschichtungskammer, in der mit Hilfe einer Magnete
aufweisenden Kathodenanordnung die Kohlenwasserstoff
verbindung zersetzbar ist, wobei ein sich im Bereich
des Substrats bildendes Plasma durch Anlegen einer
hochfrequenten Spannung an die Kathodenanordnung
anregbar und das Substrat unmittelbar von der Kathode
gehalten ist.
Es ist bereits bekannt, auf dünnwandige Substrate,
beispielsweise Daten- oder Tonträger, eine dünnwandige
Schicht mit Hilfe einer ionisierten Gasatmosphäre bzw.
durch plasmaunterstützte CVD anzubringen, wobei zur
Anregung des Plasmas Hochfrequenz verwendet und mit
Hilfe eines Magnetsystems eine Konzentration der
chemischen Reaktion vor der Kathode bewirkt wird. Da
die Speicherdichte magnetischer Datenträger sehr stark
durch die Schichtdicke der magnetisierbaren Schicht und
dem Abstand des Magnetkopfes von dieser Schicht be
stimmt wird, werden sehr dünne Schichten und besonders
kleine Kopfabstände angestrebt. Erfahrungsgemäß erhöht
sich aber auch dadurch die Gefahr der Beschädigung der
Schicht durch den Kontakt des Kopfes mit der Schicht,
verursacht beispielsweise durch Vibration oder durch
Staubteilchen. Zum anderen muß aber auch die Abnutzung
des Magnetkopfes, insbesondere bei Start-Stop-Betrieb
so gering wie möglich gehalten werden. Da es mit dem
vorbekannten Beschichtungsverfahren nur möglich ist,
eine einzige Schicht mit einem sehr homogenen Aufbau
herzustellen, muß der Hersteller von Datenträgern
Kompromisse hinsichtlich der Schichtqualität eingehen.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde,
ein Verfahren und eine Vorrichtung zu schaffen, die
geeignet sind, einerseits eine sehr dünne und den
Magnetkopf schonende und andererseits eine gegen
Beschädigungen vergleichsweise unempfindliche Schicht
herzustellen.
Erfindungsgemäß wird dies durch ein Verfahren ermög
licht, bei dem der Druck in der Beschichtungskammer und
die Zufuhr der elektrischen Energie vom Generator zur
Kathode zum Zwecke einer sich während des Schichtauf
baus verändernden Schichtqualität definiert variiert
werden, wobei durch Erhöhung des Drucks in der
Beschichtungskammer oder durch Verminderung der Ener
giezufuhr die Härte, der Reibungskoeffizient und der
Brechungsindex der Schicht einen vorgegebenen Gradien
ten erhalten.
Bei einer für die Durchführung dieses Verfahrens
geeigneten Vorrichtung sind in die vom Gas-Vorratsbe
hälter zur Beschichtungskammer führenden Gas-Zuleitung
und in die die Vakuumpumpe mit der Beschichtungskammer
verbundene Pumpen-Saugleitung Absperrorgane eingeschal
tet, über die der in der Beschichtungskammer herr
schende Druck und die Durchflußmenge des Gases regu
lierbar sind.
Vorzugsweise sind dazu die in die Gas-Zuleitung und in
die Pumpen-Saugleitung eingeschalteten Absperrorgane
elektromotorisch, hydraulisch oder pneumatisch in Ab
hängigkeit eines Zeitschaltwerks verstellbar.
Zweckmäßigerweise ist der an die elektrische Zuleitung
der Kathode angeschlossene Generator in seiner Leistung
über ein elektrisch, hydraulisch oder pneumatisch be
tätigbares Stellglied in Abhängigkeit eines Zeitschalt
werks oder einer Steuervorrichtung verstellbar.
Um eine Schicht mit einem Härtegradienten zu erzeugen,
bei dem auf eine zunächst härtere Schutzschicht eine
weichere Oberflächenschicht folgt, wirken das Zeit
schaltwerk und/oder die Steuervorrichtung mit einer
Vakuummeßzelle zusammen, die mit der Beschichtungs
kammer in Verbindung steht und die dem Druck in der
Beschichtungskammer entsprechende Steuersignale erzeugt
und an das Zeitschaltwerk oder die Steuervorrichtung
leitet.
Mit Vorteil wirken das Zeitschaltwerk und/oder die
Steuervorrichtung mit einem Durchfluß-Meßgerät zusam
men, das in die Gas-Zuleitung zwischen dem Gasbehälter
und dem Absperrorgan eingeschaltet ist und das dem
Gaszufluß zur Beschichtungskammer entsprechende Signale
erzeugt und an das Zeitschaltwerk oder die Steuervor
richtung gibt.
Bei einer bevorzugten Ausführungsform sind die ein
Magnetfeld vor der Kathode erzeugenden Magnete mit
ihrer Halterung am Kathodenträger beweglich angeordnet
und mit Hilfe besonderer Motoren drehbar, wodurch eine
besonders gleichmäßige Schichtdicke erzielt wird.
Die Erfindung läßt die verschiedensten Ausführungsmög
lichkeiten zu; eine davon ist in der anhängenden
Zeichnung näher dargestellt und zwar zeigen
Fig. 1 eine Vorrichtung zum Beschichten von
Datenträgern mit einer organischen
Schutzschicht durch Zersetzen einer
gasförmigen Kohlenwasserstoffverbindung
in schematischer Darstellung,
Fig. 2 eine Kathode für eine Vorrichtung nach
Fig. 1 rein schematisch und in vergrö
ßerter Abbildung, wobei das sich im
Betrieb bildende Plasma und die von dem
Magneten erzeugten Feldlinien mit Hilfe
punktierter Felder bzw. durch Pfeile
angedeutet sind und
Fig. 3 bis 6 Diagramme zur Darstellung der mit dem
Verfahren beispielsweise erzielbaren
physikalischen Werte von Schichten.
Die Vorrichtung besteht im wesentlichen aus der Be
schichtungskammer 1 mit der in ihr angeordneten Kathode
2, dem oberhalb der Kathode 2 angeordneten Substrat 3,
den zur Kathode 2 gehörenden Magneten 4, der elek
trischen Energiequelle 5, dem Anschluß 6 für die Gas
flaschen 7, 8, dem in die Gas-Zufuhrleitung 20 einge
schalteten Durchfluß-Meßgerät 10 mit einem magnetisch
angetriebenen Absperrorgan 11, die über den Anschluß 12
an die Beschichtungskammer 1 angeschlossene Vakuum-
Meßzelle 13 und einem mit der Beschichtungskammer 1
über einen Anschluß 14 verbundenen elektromotorisch
angetriebenen Absperrorgan 15 für die Turbovakuumpumpe
16 und die dieser nachgeschalteten Wälzkolbenvakuum
pumpe 17.
Nach dem Einschleusen des Substrats 3 in die evakuierte
Beschichtungskammer 1 bilden sich auf der der Kathode 2
abgekehrten Seite des Substrats 3 Plasma-Schläuche 18,
19 durch Zersetzen des über den Anschluß 6 eingeleite
ten Monomers (z.B. Acetylen-Gas) aus, wobei zur Anre
gung des Plasmas Hochfrequenz (z.B. 13,56 MHz) an der
Kathode 2 anliegt, die von der Energiequelle 5 bzw. dem
Generator erzeugt wird. Gegebenenfalls kann dem Acety
len-Gas noch ein Inertgas, z.B. Argon, beigemischt
werden. Durch Einstellen der Verfahrensparameter können
die Eigenschaften der Schicht verändert werden, spe
ziell können die mechanischen Eigenschaften wie z.B.
Härte und Reibungskoeffizient kontinuierlich im Verlauf
der Beschichtung variiert werden, so daß ein Härtegra
dient entsteht der Gestalt, daß auf eine zunächst
härtere Schutzschicht eine weichere Oberflächenschicht
folgt. Mit diesem Gradienten wird erreicht, daß bei
optimaler Schutzwirkung für das Substrat, beispiels
weise einen Datenträger, die Abnutzung eines mit dem
Datenträger zusammenwirkenden Magnetkopfes möglichst
gering bleibt.
Eine Änderung der eingekoppelten Leistung bewirkt eine
Veränderung der Energie der auf das Substrat 3 auftref
fenden Teilchen und damit eine Strukturveränderung. Es
können also Gradienten innerhalb der Schicht herge
stellt werden, indem man während der Beschichtung von
einem Arbeitspunkt zum nächsten übergeht. Ähnlich wirkt
eine Veränderung des Druckes in der Beschichtungskammer
1 während der Beschichtung.
Zweckmäßigerweise wird der Datenträger bzw. das Sub
strat 3 zunächst mit einer relativ harten Schutzschicht
versehen, und im Verlaufe dieser Beschichtung werden
die Leistung und der Druck verändert derart, daß die
Oberfläche eine Schicht erhält, die weicher ist und
damit gute Gleiteigenschaften aufweist. Auf diese Weise
wird in einem einzigen Beschichtungsvorgang eine zum
Schutz der magnetisierbaren Schicht möglichst harte
Schicht mit einer für den Start-Stop-Betrieb besonders
günstigen weicheren Schicht mit niedrigem Reibungs
koeffizienten kombiniert.
Wie Fig. 2 am Beispiel einer Ausführungsvariante für
eine Kathodenanordnung zeigt, ist der Dunkelraum-
Abstand a zwischen dem Substrat 3 und der Kathode 2
sehr eng bemessen, so daß sichergestellt ist, daß sich
im Raum zwischen dem Substrat 3 und der Kathode 2 keine
Plasmawolke ausbildet, d.h. der bei den gewählten Pro
zeßparametern (z.B. Druck und Leistung) sich einstel
lende Dunkelraumabstand darf nicht überschritten
werden.
In Fig. 3 ist in einem Diagramm die Abhängigkeit der
Härte der Schicht von der während des Beschichtungsvor
gangs anliegenden elektrischen Spannung aufgezeigt. Es
ist erkennbar, daß ein Härte-Maximum bei einer Leistung
von etwa 400 W erzielbar ist. Fig. 4 zeigt, daß sich
ein minimaler Reibungskoeffizient bei etwa 1.000 W
Leistung einstellt und daß bei noch geringerer oder
noch höherer Leistung der Reibungskoeffizient einem
Maximum zustrebt. Wie Fig. 5 zeigt, ist auch der
Brechungsindex von der anliegenden elektrischen Lei
stung abhängig, und zwar nimmt er zu, je höher die
Leistung ist, bis er bei etwa 2.000 W Leistung einen
maximalen Wert erreicht. Im Diagramm nach Fig. 6 ist
aufgezeigt, daß der Brechungsindex und Schichthärte
auch vom Druck abhängen, der während des Beschichtungs
vorgangs in der Beschichtungskammer 1 herrscht. Beide
Werte erreichen ein Maximum bei einem Druck von etwa
10 -2 mbar.
- Auflistung der Einzelteile:
1 Beschichtungskammer
2 Kathode
3 Substrat
4 Magnet
5 elektrische Energiequelle, Generator
6 Anschluß
7 Gasflasche, Azethylenflasche
8 Gasflasche, Argonflasche
10 Durchfluß-Meßgerät
11 magnetisch angetriebenes Absperrorgan
12 Anschluß
13 Vakuum-Meßzelle
14 Anschluß
15 Absperrorgan mit elektromotorischem Antrieb
16 Turbovakuumpumpe
17 Wälzkolbenvakuumpumpe
18 Plasma-Schlauch
19 Plasma-Schlauch
20 Gas-Zuleitung
21 Pumpen-Saugleitung
22 elektrische Anschlußleitung
23 Anode
Claims (7)
1. Verfahren zur Beschichtung eines Substrats (3) mit
einer organischen Schicht durch Einbringen des Sub
strats (3) in eine eine gasförmige Kohlenwasserstoff
verbindung enthaltende evakuierbare Beschichtungskammer
(1), in der mit Hilfe einer Magnete (4) aufweisenden
Kathodenanordnung (2, 4) die Kohlenwasserstoffverbin
dung zersetzbar ist, wobei im Bereich des Substrats (3)
durch Anlegen einer hochfrequenten Spannung an die
Kathodenanordnung (2) ein Plasma (18, 19) erzeugbar ist
und wobei das Substrat (3) unmittelbar vor der Kathode
gehalten ist, dadurch gekennzeichnet, daß der Druck in
der Beschichtungskammer (1) und die Zufuhr der elek
trischen Energie zur Kathode (2) zum Zwecke einer sich
während des Schichtaufbaus verändernden Schichtqualität
definiert variiert werden, wobei durch Erhöhung des
Drucks in der Beschichtungskammer (1) oder durch Ver
minderung der Energiezufuhr die Härte, der Reibungs
koeffizient und der Brechungsindex der Schicht einen
vorgegebenen Gradienten erhalten.
2. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach An
spruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß in die vom Gas-
Vorratsbehälter (7, 8) zur Beschichtungskammer (1)
führende Gas-Zuleitung (20) und in die die Vakuumpumpe
(16, 17) mit der Beschichtungskammer (1) verbindende
Pumpen-Saugleitung (21) Absperrorgane (11 bzw. 15)
eingeschaltet sind, über die der in der Beschichtungs
kammer (1) herrschende Druck regulierbar ist.
3. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet,
daß die in die Gas-Zuleitung (20) und in die Pumpen-
Saugleitung (21) eingeschalteten Absperrorgane (11 bzw.
15) elektromotorisch, hydraulisch oder pneumatisch in
Abhängigkeit eines Zeitschaltwerks verstellbar sind.
4. Vorrichtung nach den vorherigen Ansprüchen, dadurch
gekennzeichnet, daß der an die elektrische Zuleitung
(22) der Kathode (2) angeschlossene Generator (5) in
seiner Leistung über ein elektrisch, hydraulisch oder
pneumatisch betätigbares Stellglied in Abhängigkeit
eines Zeitschaltwerks oder einer Steuervorrichtung
verstellbar ist.
5. Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 2
bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Zeitschaltwerk
und/oder die Steuervorrichtung mit einer Vakuummeßzelle
(13) zusammenwirkt, die mit der Beschichtungskammer in
Verbindung steht, und die dem Druck in der Beschich
tungskammer (1) entsprechende Steuersignale erzeugt und
an das Zeitschaltwerk bzw. die Steuervorrichtung
leitet.
6. Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 2
bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß das Zeitschaltwerk
und/oder die Steuervorrichtung mit einem Durchfluß-
Meßgerät (10) zusammenwirkt, das in die Gas-Zuleitung
(20) zwischen dem Gasbehälter (7, 8) und dem Absperr
organ (11) eingeschaltet ist, und das dem Gaszufluß zur
Beschichtungskammer (1) entsprechende Signale erzeugt.
7. Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 2
bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die ein Magnetfeld
vor der Kathode erzeugenden Magnete (4) mit ihrer
Halterung im Kathodenträger beweglich angeordnet und
von besonderen Motoren drehbar sind.
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