DE3715101A1 - Kontrolle von intensitaet und wellenlaenge einer laserdiode - Google Patents
Kontrolle von intensitaet und wellenlaenge einer laserdiodeInfo
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Description
Die Erfindung betrifft allgemein Quellen kohärenten Lichtes,
und insbesondere Laserdioden. Spezieller betrifft die Erfindung
Geräte und Verfahren zur Steuerung bzw. Regelung der Emissionswellenlänge
und der Ausgangsintensität von Laserdioden.
Die Entwicklung und praktische Verwirklichung von Fühlersystemen,
welche einen optischen Signaleingang benötigen, und von faseroptischen
Nachrichtensystemen mit hoher Datenrate, erfordern
Stabilität des optischen Impulseingangs an die optischen Fasern.
Derartige Systeme können Halbleiter-Diodenlaser als Lichtquellen
verwenden.
Es gibt wenigstens drei Gruppen von Laserdioden, die nach ihrer
Struktur eingeteilt werden. Einfache Diodenlaser sind sogenannte
Homostrukturlaser, da sie aus einem einzigen Halbleitermaterial
hergestellt sind. Eine Homostrukturlaserdiode kann beispielsweise
Gebiete aus n-Typ und p-Typ-Galliumarsenid umfassen. Die
Kombination von aus dem n-Bereich in den p-Bereich injizierten
Elektronen mit Löchern, oder positiven Ladungsträgern im p-
Bereich bewirkt die Emission von Laserlicht. Alle Laserdioden
umfassen zwei polierte parallele Flächen, die senkrecht zur
Ebene des pn-Übergangs, also der Verbindungsstelle zwischen
den Bereichen vom p-Typ und n-Typ liegen. Das emittierte Licht
wird in dem Bereich zwischen den polierten Flächen hin- und
herreflektiert und wird folglich bei jedem Durchgang durch
den pn-Übergang verstärkt.
Ein typischer Einzel-Heterostruktur-Halbleiterlaser besitzt
eine zusätzliche Schicht aus Aluminiumgalliumarsenid, in der
einige der Galliumatome in dem Galliumarsenid durch Aluminiumatome
ersetzt sind. Injizierte Elektronen werden an der
Aluminiumgalliumarsenidschicht gestoppt, wodurch ein Laserlicht
höherer Intensität emittiert wird, als es gewöhnlich bei einem
Homostrukturdiodenlaser geschieht.
Ein typischer Doppel-Heterostruktur-Halbleiterlaser umfaßt
drei Schichten aus Galliumarsenid, die durch zwei Schichten
aus Aluminiumgalliumarsenid getrennt sind. Die Vorauswahl
von Materialien entweder des n-Typs oder p-Typs bewirkt weitere
Zunahmen der Intensität des emittierten Laserstrahls.
Die Intensität und die Wellenlänge des aus einer Laserdiode
injizierten Lichtes variieren als Funktionen der Betriebstemperatur
und des Injektionsstromes, der zur Zufuhr von
Elektronen angelegt wird. Die wirksame Verwendung einer Laserdiode
als Lichtquelle erfordert häufig ein Ausgangssignal
bekannter Intensität und Wellenlänge. Sowohl die Intensität
als auch die Wellenlänge sind nichtlineare Funktionen des
Injektionsstromes und der Betriebstemperatur der Laserdiode.
Frühere Verfahren zur Regelung der Wellenlänge oder Intensität
der Emission haben ohne Variante Kontrollsysteme verwendet,
bei denen entweder die Temperatur oder der Injektionsstrom
zur Einstellung der Wellenlänge verändert wird. Derartige
Systeme können eine Kopplung eines gedämpften harmonischen
Oszillators zwischen dem Injektionsstrom und der Temperatur
zeigen. Frühere Kontrollsysteme, welche die Intensität und
die Wellenlänge regeln, haben den Nachteil, daß sie eine
übermäßig lange Zeit benötigen, um die erwünschte Wellenlänge
und Intensität zu erreichen. In einigen schwierigen Betriebssituationen
werden die gewünschten Werte der Wellenlänge und
der Intensität nie erreicht, da das System um die erwünschten
Werte schwingt.
Durch die Erfindung werden eine verbesserte Vorrichtung und
ein Verfahren zur Regelung der Emissionswellenlänge und der
Ausgangsintensität einer Laserdiode geschaffen. Das Steuersystem
und das Verfahren gemäß der Erfindung bieten die Möglichkeit,
die Zeit zu vermindern, die zur Erzielung erwünschter
Werte der Intensität und der Wellenlänge für das Ausgangssignal
einer Laserdiode konsistent bzw. widerspruchsfrei mit
thermischen Verzögerungszeiten erforderlich ist. Die Regelstabilität
wird aufgrund des Systems mit geschlossener Schleife
vergrößert, wodurch die Intensität und die Wellenlänge die erwünschten
Werte exponentiell annähern und dabei der Injektionsstrom
und die Temperatur entkoppelt sind. Die Möglichkeit,
Zeitkonstanten unabhängig für den Strom und die Temperatur
einzustellen, bietet verschiedene Vorteile in praktischen
Systemgestaltungen, in denen thermische Verzögerungen das
Temperaturansprechverhalten verzögern.
Das erfindungsgemäße Verfahren zur gleichzeitigen Regelung
der Intensität und der Wellenlänge eines optischen Ausgangssignals
aus einer Laserdiode kann die Schritte umfassen, daß
die Intensität des optischen Signals ermittelt wird und ein
erwünschter Wert der Intensität mit der ermittelten bzw. abgefühlten
Intensität verglichen wird, um ein Intensitätsfehlersignal
zu erzeugen. Das Verfahren kann ferner die
Schritte umfassen, daß die Wellenlänge des optischen Signals
ermittelt bzw. abgefühlt wird und ein erwünschter Wert der
Wellenlänge mit der ermittelten Wellenlänge verglichen wird,
um ein Wellenlängenfehlersignal zu erzeugen. Das Verfahren
umfaßt ferner die Schritte, daß ein Temperaturfehlersignal
erzeugt wird, das eine Funktion der Wellenlängen- und Intensitätsfehlersignale
ist, und daß ein Injektionsstromfehlersignal
erzeugt wird, das eine Funktion der Wellenlängen- und
Intensitätsfehlersignale ist. Das erfindungsgemäße Verfahren
umfaßt überdies die Schritte, daß die Temperatur der Laserdiode
als Funktion des Temperaturfehlersignals eingestellt
wird, und daß der Injektionsstrom der Laserdiode als Funktion
des Injektionsstromfehlersignals eingestellt wird.
Bei dem Schritt der Bestimmung des Temperaturfehlers kann vorgesehen
sein, daß das Wellenlängenfehlersignal als Funktion
der Veränderungsrate der Intensität des optischen Signals
bezüglich des Injektionsstroms der Laserdiode an einer vorbestimmten
Betriebstemparatur der Laserdiode berechnet wird,
und als eine Funktion der Veränderungsrate der Intensität des
optischen Signals bezüglich des Injektionsstroms der Laserdiode
an einer vorbestimmten Betriebstemperatur der Laserdiode.
Bei der Bestimmung des Injektionsstromfehlersignals kann vorgesehen
sein, daß das Wellenlängenfehlersignal als Funktion
der Veränderungsrate der Wellenlänge bezüglich der Temperatur
der Laserdiode bei einer vorbestimmten Betriebsinjektionsstromveränderung
und als eine Funktion der Veränderungsrate der Intensität
bezüglich der Temperatur der Laserdiode bei einem vorbestimmten
Betriebsinjektionsstroms berechnet wird.
Ein System zur gleichzeitigen Regelung der Intensität und der
Wellenlänge eines optischen Ausgangssignals aus einer Laserdiode
umfaßt Mittel zur Ermittlung der Intensität des optischen Signals
und Mittel zum Vergleich eines gewünschten Wertes der Intensität
mit der ermittelten Intensität, um ein Intensitätsfehlersignal
zu erzeugen. Das System umfaßt ferner Einrichtungen zur Ermittlung
bzw. Abfühlung der Wellenlänge des optischen Signals und
Einrichtungen zum Vergleichen eines gewünschten Wertes der Wellenlänge
mit der ermittelten Wellenlänge, um ein Wellenlängenfehlersignal
zu erzeugen. Das System umfaßt zusätzlich Einrichtungen
zur Erzeugung eines Temperaturfehlersignals, das eine Funktion
der Wellenlängen- und Intensitätsfehlersignale ist, und Einrichtungen
zur Erzeugung eines Injektionsstromfehlersignals, das eine
Funktion der Wellenlängen- und Intensitätsfehlersignale ist. Das
System umfaßt ferner Einrichtungen zum Einstellen der Temperatur
der Laserdiode als Funktion des Temperaturfehlersignals und Einrichtungen
zum Einstellen des Injektionsstroms der Laserdiode
als Funktion des Injektionsstromfehlersignals.
Die Erfindung wird im folgenden beispielsweise unter Bezugnahme
auf die Zeichnung näher erläutert; es zeigt:
Fig. 1 ein Blockdiagramm der erfindungsgemäßen Schaltung;
Fig. 2 eine graphische Darstellung einer Wellenlängenänderung
als Funktion der Laserdiodentemperatur; und
Fig. 3 eine graphische Darstellung der Wellenlängenänderung
als Funktion des Injektionsstroms der Laserdiode.
Die Intensität und die Wellenlänge einer Laserdiode sind nichtlineare
Funktionen des Injektionsstroms der Betriebstemperatur
der Laserdiode. Wenn eine Laserdiode in engen Bereichen von
Temperatur und Strom betrieben wird, hängen die optische Intensität,
die optische Wellenlänge, der Injektionsstrom und die
Temperatur der Laserdiode wie folgt zusammen:
Δ I = (w I/δ i) To Δ i + (δ I/-δ T) io Δ T (1)
Δλ = (δλ/δ i) To Δ i + (δλ /δ T) io Δ T (2)
Δλ = (δλ/δ i) To Δ i + (δλ /δ T) io Δ T (2)
wobei,
Δ I die Veränderung der Intensität des optischen Ausgangssignals von der Diode ist;
Δλ die Veränderung der Wellenlänge des optischen Ausgangssignals aus der Laserdiode;
Δ i die Veränderung des Injektionsstroms;
Δ T die Veränderung der Temperatur der Laserdiode;
(δ I/δ i) To die Veränderung der Intensität aufgrund einer Veränderung des Injektionsstroms um seinen Betriebswert i o herum bei konstanter Temperatur;
(δ I/w T) io die Veränderung der Intensität aufgrund einer Veränderung der Temperatur der Laserdiode um ihren Betriebswert T o herum für einen konstanten Wert des Injektionsstroms;
(δλ/δ i) To die Veränderung der optischen Wellenlänge aufgrund einer Veränderung des Injektionsstroms um seinen Betriebswert i o herum bei konstanter Temperatur; und
(δλ/δ T) io die Veränderung der Wellenlänge aufgrund einer Veränderung der Temperatur der Laserdiode um ihren Betriebswert T o herum für einen konstanten Wert des Injektionsstroms.
Δ I die Veränderung der Intensität des optischen Ausgangssignals von der Diode ist;
Δλ die Veränderung der Wellenlänge des optischen Ausgangssignals aus der Laserdiode;
Δ i die Veränderung des Injektionsstroms;
Δ T die Veränderung der Temperatur der Laserdiode;
(δ I/δ i) To die Veränderung der Intensität aufgrund einer Veränderung des Injektionsstroms um seinen Betriebswert i o herum bei konstanter Temperatur;
(δ I/w T) io die Veränderung der Intensität aufgrund einer Veränderung der Temperatur der Laserdiode um ihren Betriebswert T o herum für einen konstanten Wert des Injektionsstroms;
(δλ/δ i) To die Veränderung der optischen Wellenlänge aufgrund einer Veränderung des Injektionsstroms um seinen Betriebswert i o herum bei konstanter Temperatur; und
(δλ/δ T) io die Veränderung der Wellenlänge aufgrund einer Veränderung der Temperatur der Laserdiode um ihren Betriebswert T o herum für einen konstanten Wert des Injektionsstroms.
Die vorstehend definierten partiellen Ableitungen sind Parameter,
die für eine vorgegebene Laserdiode gemessen werden können. Im
Prinzip ist es möglich, eine Steuer- bzw. Regelschaltung derart
aufzubauen, daß die Intensität und die Wellenlänge auf spezifische
Werte dadurch eingestellt werden, daß der Diodenstrom und
die Temperatur um die Betriebswerte i o und T o herum verändert
werden. Die Steuergleichungen werden durch Lösung der Gleichungen
(1) und (2) für Δ i und Δ T erhalten:
Δ i = [(δλ/δ T) io Δ I - (δ I/δ T) io Δλ]D -1 (3)
Δ T = [-(δλ/δ i) To Δ I + (δ I/δ i) To Δλ] D -1 (4)
D = (δ I/δ i) To (δλ/δ T) io - (δ I/δ T) io (δλ/δ i) To -(5)
Δ T = [-(δλ/δ i) To Δ I + (δ I/δ i) To Δλ] D -1 (4)
D = (δ I/δ i) To (δλ/δ T) io - (δ I/δ T) io (δλ/δ i) To -(5)
Es ist dabei angenommen, daß D wie vorstehend in Gleichung (5)
definiert ist, in den interessierenden Bereichen der Variablen
nicht gleich Null ist. Die Gleichungen (3) und (4) können in
einfacherer Form wie folgt angegeben werden:
Δ i = [E Δ I + B Δλ] (6)
Δ T = [C Δ I + A Δλ] (7)
Δ T = [C Δ I + A Δλ] (7)
wobei
A = (δ I/δ i) To D -1; (8)
B = -(δ I/δ T) io D -1; (9)
C = -(δλ/δ i) To D -1; and (10)
E = (δλ/w T) io D -1. (11)
B = -(δ I/δ T) io D -1; (9)
C = -(δλ/δ i) To D -1; and (10)
E = (δλ/w T) io D -1. (11)
Wie in der Fig. 1 gezeigt ist, umfaßt eine Steuerschaltung 10
einen Fühler 16, der ein Ausgangssignal liefert, welches die
Wellenlänge des Lichts anzeigt, das von einer Laserdiode 14
emittiert wird. Der Ausgangsstrahl der Laserdiode 14 fällt
auf einen ersten Strahlteiler 15, der den größten Teil des
Laserdiodenausgangs unabgelenkt hindurchläßt, so daß er sich
zu einem anderen Gerät (nicht gezeigt) fortpflanzen kann, das
zum Empfang von Licht aus der Laserdiode 14 positioniert ist.
Ein Teil I r des Laserdiodenausgangs wird durch den Strahlteiler
15 zu einem zweiten Strahlteiler 17 reflektiert, der einen
Teil I r1 der Intensität I r zum Wellenlängenfühler 16 lenkt.
Der Wellenlängenfühler 12 kann irgendeine bekannte Einrichtung
sein, wie ein Absorbtionsdetektor oder ein Faraday-Detektor
in einem Alkalimetalldampf.
Ein zweiter Teil I r2 der Intensität I r , die auf den zweiten
Strahlteiler auftrifft, geht durch diesen Strahlteiler hindurch
und trifft auf einen Intensitätsfühler 12 auf. Der Intensitätsfühler
12 liefert ein Ausgangssignal, das die Intensität des
Lichtes angibt, das von der Laserdiode 14 emittiert wird. Der
Intensitätsfühler 12 kann beispielsweise eine Fotodiode sein.
Es gibt viele bekannte Verfahren zur Bestimmung der Intensität
und der Wellenlänge einer Laserdiode, wobei die hier angegebenen
Verfahren nur beispielsweise Verfahren sind, die als zufriedenstellend
zur Ausführung der Erfindung erachtet wurden.
Gemäß der Fig. 1 liefert die Steuerschaltung ein Signal, das
eine Schätzung des erwünschten Stromes I o zu einer
Summierschaltung 18 angibt. Die Steuerschaltung liefert an eine
Summierschaltung 20 auch ein Signal, das eine Schätzung der gewünschten
Wellenlänge λ o angibt. Die Summierschaltungen 18
und 20 subtrahieren erwünschte Werte I o und g o , die von den
Schätzwerten I und λ subtrahiert werden, um die Fehlersignale
zu erzeugen:
I - I o = Δ I (12)
λ - λ o = Δλ (13)
λ - λ o = Δλ (13)
Die vorstehend angegebenen Werte von Δ I und Δλ werden
verarbeitet, um Schätzwerte des Fehlers Δ i im Injektionsstrom
des Fehlers Δ T der Temperatur der Laserdiode 14 zu erhalten.
Diese Fehler werden über der Zeit integriert, um den erwünschten
Injektionsstrom und die Temperatur zu erhalten.
Gemäß der Fig. 1 wird ein Signal, das den gewünschten
Wellenlängenausgang Δλ aus der Summierschaltung 20 angibt, an ein
Paar von Multiplizierschaltungen 22 und 24 eingegeben. Die
Multiplizierschaltung 22 multipliziert das Δλ-Signal mit
A = (δ I/δ i) To D -1 und die Multiplizierschaltung 24 multipliziert
das Δλ Signal mit B = -(δ I/δ T) io D -1. Die Summierschaltung 18
gibt am Ausgang ein Signal ab, das den erwünschten Strom I angibt,
und legt es an ein Paar von Multiplizierschaltungen 26
und 28. Die Multiplizierschaltung 26 multipliziert das Stromsignal
mit C = -(δλ/δ T) io D -1, während die Multiplizierschaltung
28 das Stromsignal mit E = (δλ/δ T) io D -1 multipliziert.
Der Ausgang A Δλ der Multiplizierschaltung 22 und der Ausgang
C Δ I der Multiplizierschaltung 26 werden an eine Summierschaltung
30 eingegeben. Der Ausgang der Summierschaltung 30 beträgt dann
Δ T = [-(δλ/δ i) To Δ I + (δ I/δ i) To Δλ] D -1. Der Ausgang B Δλ der Multiplizierschaltung
24 und der Ausgang E Δ I der Multiplizierschaltung
28 werden einer Summierschaltung 32 eingegeben. Der Ausgang der
Summierschaltung 32 beträgt Δ i = [(δλ/δ T) io Δ I - (δ I/δ T) io Δλ] D --1.
Ein Integrator 33 integriert den Ausgang der Summierschaltung
30 zur Erzeugung eines Temperatursteuer- bzw. Regelsignals T o ,
das über einen Begrenzer 34 an eine Temperaturregelvorrichtung
35 geführt wird, die in thermischem Kontakt mit der Laserdiode
14 steht. Der Begrenzer 34 verhindert, daß exzessive Ströme
die Temperatursteuervorrichtung 35 erreichen. Die
Temperatursteuervorrichtung 35 kann in verschiedener Weise aufgebaut
sein. Eine Art der Temperatursteuervorrichtung, die mit der
vorliegenden Erfindung zufriedenstellend arbeitet, ist eine
Peltier-Effekt-Vorrichtung. Der Peltier-Effekt ist ein wohlbekanntes
Festkörperphänomen, bei dem die Temperatur einer Verbindungsstelle
zwischen zwei unähnlichen Metallen durch die
Anlegung eines elektrischen Stromes variiert.
Ein Integrator 37 integriert in ähnlicher Weise den Ausgang
der Summierschaltung 32, um ein Injektionsstrom-Steuersignal
I o zu liefern, das über einen Begrenzer 36 an die Laserdiode
14 angelegt ist. Der Begrenzer 36 verhindert, daß übermäßige
Injektionsströme an die Laserdiode 14 angelegt werden, um deren
Zerstörung zu verhindern.
Wenn die dynamischen Bereiche der abhängigen Variablen, der
Wellenlänge λ und der Intensität I auf kleine Betriebsbereiche
um die Regelpunkte λ o und I o begrenzt werden, können die Wellenlänge
und die Intensität als Laurent-Reihe ausgedrückt werden,
nämlich
λ = λ o + δλ/w T + δλ/δ i-(14)
und
I = I o + w I/δ T + δ I/δ i-(15)
wobei alle Therme höherer Ordnung als vernachlässigbar betrachtet
werden. Die Gleichungen, welche die Regelschaltung
der Fig. 1 bestimmen, sind:
τ 1 -1∫[A (λ - g o ) + C (I - -I o )]dt = T (16)
und
t 2 -1∫[B (λ - λ o ) + E (I - -I o )]dt = i (17)
Hierbei sind τ 1 und τ 2 Zeitkonstanten und die anderen Therme
wurden bereits vorstehend definiert. Die Regelgleichungen
können auch geschrieben werden als
τ 1 dT/dt = A (λ - g o ) + C (I -- I o ) (18)
und
τ 2 di/dt = B (λ - λ o ) + E (I -- I o ) (19)
Zur Vereinfachung der Notation können die partiellen Ableitungen
in den vorstehenden Gleichungen geschrieben werden als
α = δ I/w i | i = io ; β = δ I/δ T | T = To ; q = δλ/δ i | i = io und ε = δλ/δ T | T = To .
Die Laurent-Ausdrücke können geschrieben werden als
λ = λ o + ε (T - T o ) + γ (i - i o ) (20)
und
I = I o + β (T - T o ) + α (i - -i o ). (21)
Durch Einsetzen der Laurent-Expansionen der Gleichungen
(17) und (18) in die Differentialgleichungen, erhält man:
τ 1 dT/dt = A [ε (T - T o ) + γ (i - i o )]
+ C [β (T - T o ) + α (i - i o )]- (22)
und
τ 2 di/dt = B [ε (T -T o ) + γ (i- -i o )]
+ E [β (T - T o ) + α (i - i o )].-(23)
Die Differentialgleichungen können zur Erleichterung ihrer
Lösung umgeschrieben werden:
[(A ε + C β) - τ 1 d/dt] (T - T o-) + (A γ + C α) (i - i o ) = 0 (25)
[(B γ + E α) - t 2 d/dt] (i - i o -) + (B ε + E β) (T - T o ) = 0 (26)
[(B γ + E α) - t 2 d/dt] (i - i o -) + (B ε + E β) (T - T o ) = 0 (26)
Das Auflösen der Gleichungen (26) und (27) zur Bildung einer
Differentialgleichung mit nur dem Injektionsstrom i als Variable
ergibt:
τ 1 τ 2(d 2/dt 2) i - [(A e-+C β)τ 2 + (B γ+E α)τ 1] -di/dt + [(A ε+C β)
(B γ+E α) - (B ε+E β)
(A γ+C α)] (i-i o ) = 0 (27)
Die Gleichung (27) für den Injektionsstrom liegt in der grundlegenden
Form für einen gedämpften harmonischen Oszillator vor,
dessen Lösung wohlbekannt ist. Die Gleichungen (25) und (26)
können ebenfalls gelöst werden, um eine Differentialgleichung
der Form der Gleichung (28) zu erhalten, die nur die Temperatur
T als Variable besitzt. Die Temperaturdifferentialgleichung
für die geschlossene Schleife liegt ebenfalls in der Form
eines gedämpften harmonischen Oszillators vor. Die Modelle
für den Injektionsstrom und die Laserdiodentemperatur, die
hier diskutiert werden, gelten für eine Kleinparameter-Linearisierung
der Betriebseigenschaften der Laserdiode 14.
Wenn man den Fall betrachtet, in dem die Koeffizienten A, B,
C und E gleich den partiellen Ableitungen α = AD; β = -BD;
γ = -CD und ε = ED gesetzt werden, in dem diese Werte in die
Gleichung (23) eingesetzt werden, entkoppeln sich die Lösungen
für den Injektionsstrom und die Temperatur und vermindern sich
auf einfache Exponenten. Das Einschließen dieser Kreuztherme
mit B und C entkoppelt daher wirksam die Zeitabhängigkeiten
des Stromes und der Temperatur. Das Entkoppeln der zeitlichen
Abhängigkeiten des Stromes und der Temperatur gestattet eine
unabhängige Einstellung der Zeitkonstanten der Exponentialausdrücke
für den Injektionsstrom und die Temperatur. Dadurch
daß die Möglichkeit geschaffen wird, unabhängig die Zeitkonstanten
des Injektionsstromes und der Temperaturveränderungen
einstellen zu können, stellen die Vorrichtung und das Verfahren
gemäß der Erfindung sicher, daß die erwünschte Signalwellenlänge
und -intensität in einer zeitsparenden Weise erhalten
werden können. Die Zeitkonstanten können auf geeignete
Werte zur Vermeidung von Schwingungen der Wellenlänge und
der Intensität um die erwünschten Werte herum eingestellt
werden, wodurch die Nachteile herkömmlicher Systeme zur Regelung
der Laserdioden-Ausgangssignale überwunden werden.
Die Werte der partiellen Differentiale bzw. Ableitungen, die
in der vorstehenden Analyse verwendet wurden, können dadurch
bestimmt werden, daß für die Laserdiode 14 bespielsweise δλ/w T
und δλ/δ I gemessen werden. Gemäß der Fig. 2 ist für eine Ruhewellenlänge
λ o von 7800 A das partielle Differential δλ/δ T die
Steigung der Kurve und besitzt einen Wert von etwa 0,605 A pro
Grad Celsius. Gemäß der Fig. 3 beträgt für eine Ruhewellenlänge
g o von 7950 A das partielle Differential δλ/δ i etwa 0,196 A
pro Milliampere.
Die partiellen Differentiale w I/δ T und δ I/ δ i können aus Messungen
der Veränderungsrate der Intensität bei kleinen Temperaturveränderungen
um die gewählte Betriebstemperatur der Laserdiode
14 bestimmt werden, sowie aus Messungen der Veränderungsrate
der Intensität für kleine Injektionsstromänderungen um den Betriebsstrom
herum. Wenn in den Messungen kleine Fehler der
partiellen Differentiale vorliegen, können die hierin angegebenen
Kleinstörungslösungen durch eine Linearisierung eines
wirklichen Exponentials und einer kleinen harmonischen Komponente
angenähert werden, die auf dem kleinen Wert der Kopplung
zwischen dem Injektionsstrom und der Temperatur beruht. Die
harmonische Komponente ist gedämpft und erscheint nur nach
der Erregung durch Systemstörsignale oder durch externe Störung;
sie ist für die Systemleistung nicht schädlich.
Claims (6)
1. Verfahren zur gleichzeitigen Regelung der Intensität und
der Wellenlänge eines optischen Ausgangssignals aus einer
Laserdiode, gekennzeichnet durch die
folgenden Schritte:
Bestimmen von Zeitvariationen des Laserdioden-Injektionsstroms aus einem Wert des Injektionsstroms, der einer gewählten Intensität und einer gewählten Wellenlänge des optischen Ausgangssignals aus der Laserdiode entspricht;
Bestimmen der Zeitvariationen der Laserdioden-Betriebstemperatur aus einem Wert der Betriebstemperatur, der einer gewählten Intensität und einer gewählten Wellenlänge des optischen Ausgangssignals aus der Laserdiode entspricht;
Entkoppeln der Variationen des Injektionsstroms als Funktion der Zeit von Variationen der Betriebstemperatur als Funktion der Zeit; und
Einstellen des Injektionsstroms und der Betriebstemperatur unabhängig voneinander, um die Intensität und die Wellenlänge des Ausgangssignals aus der Laserdiode innerhalb vorbestimmter Grenzen ihrer ausgewählten Werte zu halten.
Bestimmen von Zeitvariationen des Laserdioden-Injektionsstroms aus einem Wert des Injektionsstroms, der einer gewählten Intensität und einer gewählten Wellenlänge des optischen Ausgangssignals aus der Laserdiode entspricht;
Bestimmen der Zeitvariationen der Laserdioden-Betriebstemperatur aus einem Wert der Betriebstemperatur, der einer gewählten Intensität und einer gewählten Wellenlänge des optischen Ausgangssignals aus der Laserdiode entspricht;
Entkoppeln der Variationen des Injektionsstroms als Funktion der Zeit von Variationen der Betriebstemperatur als Funktion der Zeit; und
Einstellen des Injektionsstroms und der Betriebstemperatur unabhängig voneinander, um die Intensität und die Wellenlänge des Ausgangssignals aus der Laserdiode innerhalb vorbestimmter Grenzen ihrer ausgewählten Werte zu halten.
2. Verfahren nach Anspruch 1, gekennzeichnet
durch die weiteren Schritte:
Abfühlen der Intensität des optischen Signals;
Vergleichen des gewählten Wertes der Intensität mit der abgefühlten Intensität, um ein Intensitätsfehlersignal zu erzeugen;
Abfühlen der Wellenlänge des optischen Signals;
Vergleichen des gewählten Wertes der Wellenlänge mit der abgefühlten Wellenlänge, um ein Wellenlängenfehlersignal zu erzeugen;
Erzeugen eines Temperaturfehlersignals, das eine Funktion der Wellenlängen- und Intensitätsfehlersignale ist;
Erzeugen eines Injektionsstromfehlersignals, das eine Funktion der Wellenlängen- und Intensitätsfehlersignale ist;
Einstellen der Temperatur der Laserdiode als Funktion des Temperaturfehlersignals; und
Einstellen des Injektionsstroms der Laserdiode als Funktion des Injektionsstromfehlersignals.
Abfühlen der Intensität des optischen Signals;
Vergleichen des gewählten Wertes der Intensität mit der abgefühlten Intensität, um ein Intensitätsfehlersignal zu erzeugen;
Abfühlen der Wellenlänge des optischen Signals;
Vergleichen des gewählten Wertes der Wellenlänge mit der abgefühlten Wellenlänge, um ein Wellenlängenfehlersignal zu erzeugen;
Erzeugen eines Temperaturfehlersignals, das eine Funktion der Wellenlängen- und Intensitätsfehlersignale ist;
Erzeugen eines Injektionsstromfehlersignals, das eine Funktion der Wellenlängen- und Intensitätsfehlersignale ist;
Einstellen der Temperatur der Laserdiode als Funktion des Temperaturfehlersignals; und
Einstellen des Injektionsstroms der Laserdiode als Funktion des Injektionsstromfehlersignals.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß Zeitvariationen des Laserdiodeninjektionsstroms
für eine feststehende Betriebstemperatur bestimmt werden,
und daß Zeitvariationen der Laserdiodenbetriebstemperatur
für einen festen Injektionsstrom bestimmt werden.
4. System zur gleichzeitigen Regelung der Intensität und der
Wellenlänge eines optischen Ausgangssignals aus einer Laserdiode,
gekennzeichnet durch die folgenden
Merkmale:
Einrichtungen zur Bestimmung von Zeitvariationen des Laserdiodeninjektionsstroms von einem Wert des Injektionsstroms, der einer gewählten Intensität und einer gewählten Wellenlänge des optischen Ausgangssignals aus der Laserdiode entspricht;
Einrichtungen zur Bestimmung von Zeitvariationen der Laserdiodenbetriebstemperatur von einem Wert der Betriebstemperatur, der einer gewählten Intensität und einer gewählten Wellenlänge des optischen Ausgangssignals aus der Laserdiode entspricht;
Einrichtungen zur Entkopplung von Variationen des Injektionsstroms als eine Funktion der Zeit von Variationen der Betriebstemperatur als eine Funktion der Zeit; und
Einrichtungen zum Einstellen des Injektionsstroms und der Betriebstemperatur unabhängig voneinander, um die Intensität und die Wellenlänge des Ausgangssignals aus der Laserdiode innerhalb vorbestimmter Grenzen deren ausgewählter Werte zu halten.
Einrichtungen zur Bestimmung von Zeitvariationen des Laserdiodeninjektionsstroms von einem Wert des Injektionsstroms, der einer gewählten Intensität und einer gewählten Wellenlänge des optischen Ausgangssignals aus der Laserdiode entspricht;
Einrichtungen zur Bestimmung von Zeitvariationen der Laserdiodenbetriebstemperatur von einem Wert der Betriebstemperatur, der einer gewählten Intensität und einer gewählten Wellenlänge des optischen Ausgangssignals aus der Laserdiode entspricht;
Einrichtungen zur Entkopplung von Variationen des Injektionsstroms als eine Funktion der Zeit von Variationen der Betriebstemperatur als eine Funktion der Zeit; und
Einrichtungen zum Einstellen des Injektionsstroms und der Betriebstemperatur unabhängig voneinander, um die Intensität und die Wellenlänge des Ausgangssignals aus der Laserdiode innerhalb vorbestimmter Grenzen deren ausgewählter Werte zu halten.
5. System nach Anspruch 4, ferner gekennzeichnet
durch:
Einrichtungen zum Abfühlen der Intensität des optischen Signals;
Einrichtungen zum Vergleichen des gewählten Wertes der Intensität mit der abgefühlten Intensität, um ein Intensitätsfehlersignal zu erzeugen;
Einrichtungen zum Abfühlen der Wellenlänge des optischen Signals;
Einrichtungen zum Vergleichen des gewählten Wertes der Wellenlänge mit der abgefühlten Wellenlänge, um ein Wellenlängenfehlersignal zu erzeugen;
Einrichtungen zum Erzeugen eines Temperaturfehlersignals, das eine Funktion der Wellenlängen- und Intensitätsfehlersignale ist;
Einrichtungen zum Erzeugen eines Injektionsstrom-Fehlersignals, das eine Funktion der Wellenlängen- und Intensitätsfehlersignale ist;
Einrichtungen zum Einstellen der Temperatur der Laserdiode als Funktion des Temperaturfehlersignals; und
Einrichtungen zum Einstellen des Injektionsstroms der Laserdiode als Funktion des Injektionsstromfehlersignals.
Einrichtungen zum Abfühlen der Intensität des optischen Signals;
Einrichtungen zum Vergleichen des gewählten Wertes der Intensität mit der abgefühlten Intensität, um ein Intensitätsfehlersignal zu erzeugen;
Einrichtungen zum Abfühlen der Wellenlänge des optischen Signals;
Einrichtungen zum Vergleichen des gewählten Wertes der Wellenlänge mit der abgefühlten Wellenlänge, um ein Wellenlängenfehlersignal zu erzeugen;
Einrichtungen zum Erzeugen eines Temperaturfehlersignals, das eine Funktion der Wellenlängen- und Intensitätsfehlersignale ist;
Einrichtungen zum Erzeugen eines Injektionsstrom-Fehlersignals, das eine Funktion der Wellenlängen- und Intensitätsfehlersignale ist;
Einrichtungen zum Einstellen der Temperatur der Laserdiode als Funktion des Temperaturfehlersignals; und
Einrichtungen zum Einstellen des Injektionsstroms der Laserdiode als Funktion des Injektionsstromfehlersignals.
6. System nach Anspruch 4, ferner gekennzeichnet
durch:
Einrichtungen zum Bestimmen von Zeitvariationen des Laserdiodeninjektionsstroms für eine feste Betriebstemperatur; und
Einrichtungen zum Bestimmen von Zeitvariationen der Laserdiodenbetriebstemperatur für einen festen Injektionsstrom.
Einrichtungen zum Bestimmen von Zeitvariationen des Laserdiodeninjektionsstroms für eine feste Betriebstemperatur; und
Einrichtungen zum Bestimmen von Zeitvariationen der Laserdiodenbetriebstemperatur für einen festen Injektionsstrom.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US06/862,759 US4792956A (en) | 1986-05-13 | 1986-05-13 | Laser diode intensity and wavelength control |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3715101A1 true DE3715101A1 (de) | 1987-11-19 |
DE3715101C2 DE3715101C2 (de) | 1992-09-17 |
Family
ID=25339268
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19873715101 Granted DE3715101A1 (de) | 1986-05-13 | 1987-05-06 | Kontrolle von intensitaet und wellenlaenge einer laserdiode |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4792956A (de) |
JP (1) | JPS62273788A (de) |
CA (1) | CA1315332C (de) |
DE (1) | DE3715101A1 (de) |
FR (1) | FR2598860B1 (de) |
GB (1) | GB2190783B (de) |
IL (1) | IL82315A0 (de) |
IT (1) | IT1210728B (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4000583A1 (de) * | 1990-01-10 | 1991-07-11 | Muetek Gmbh | Verfahren zum betreiben eines strahlungsabsorptionsspektrometers |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6381881A (ja) * | 1986-09-25 | 1988-04-12 | Minolta Camera Co Ltd | レ−ザ発振装置 |
JPH01251681A (ja) * | 1988-03-25 | 1989-10-06 | Topcon Corp | 半導体レーザーの発振周波数・発振出力安定化装置 |
JPH0361966A (ja) * | 1989-07-31 | 1991-03-18 | Ricoh Co Ltd | 半導体レーザの出力制御装置 |
US5167444A (en) * | 1990-08-13 | 1992-12-01 | Litton Systems, Inc. | Apparatus and method for optical signal source stabilization |
JP3407893B2 (ja) * | 1991-05-27 | 2003-05-19 | パイオニア株式会社 | 半導体レーザ制御装置 |
JPH06112563A (ja) * | 1992-09-29 | 1994-04-22 | Fujitsu Ltd | 半導体レーザ駆動回路 |
US5381230A (en) * | 1993-02-12 | 1995-01-10 | Honeywell Inc. | Emission source spectrum stabilizer |
US5420877A (en) * | 1993-07-16 | 1995-05-30 | Cymer Laser Technologies | Temperature compensation method and apparatus for wave meters and tunable lasers controlled thereby |
US5524015A (en) * | 1994-07-19 | 1996-06-04 | Spectra-Physics Lasers, Inc. | Optical noise reduction circuitry for laser systems |
US5442648A (en) * | 1994-07-19 | 1995-08-15 | Spectra Physics Lasers, Inc. | Noise rejection circuitry and laser system using the same |
US5428700A (en) * | 1994-07-29 | 1995-06-27 | Litton Systems, Inc. | Laser stabilization |
JPH09331107A (ja) * | 1996-06-11 | 1997-12-22 | Canon Inc | 波長可変光源及びその波長制御方法及び波長多重通信ネットワーク |
JP2871623B2 (ja) * | 1996-07-11 | 1999-03-17 | 日本電気株式会社 | 半導体レーザ装置 |
US6330105B1 (en) | 1998-05-29 | 2001-12-11 | Litton Systems, Inc. | Double-pass fully isolated broadband optical signal source for fiber optic interferometric sensors |
SE514188C2 (sv) * | 1999-02-17 | 2001-01-22 | Altitun Ab | Metod för karakterisering av en avstämbar laser och bestämmande av aktuell våglängd |
SE518827C2 (sv) | 1999-02-17 | 2002-11-26 | Altitun Ab | Metod för karakterisering av en avstämbar laser |
US6185233B1 (en) * | 1999-06-08 | 2001-02-06 | Alcatel | Output power controlled wavelength stabilizing system |
JP2004254240A (ja) * | 2003-02-21 | 2004-09-09 | Fujitsu Ltd | レーザダイオード管理装置およびレーザダイオード管理方法 |
WO2005072224A2 (en) * | 2004-01-20 | 2005-08-11 | Binoptics Corporation | Integrated photonic devices |
US7328114B2 (en) * | 2005-12-09 | 2008-02-05 | General Electric Company | Methods and systems for measuring a rate of change of frequency |
US9500725B2 (en) * | 2013-08-06 | 2016-11-22 | Northrop Grumman Systems Corporation | Probe beam frequency stabilization in an atomic sensor system |
CN115275772B (zh) * | 2022-09-26 | 2022-12-16 | 南京旭奥科技有限公司 | 一种基于tdlas技术的特定时刻激光波长控制方法及装置 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2007015A (en) * | 1977-10-26 | 1979-05-10 | Post Office | Control apparatus |
Family Cites Families (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3411849A (en) * | 1965-05-13 | 1968-11-19 | Honeywell Inc | Frequency stabilized laser |
US3697887A (en) * | 1968-12-23 | 1972-10-10 | Perkin Elmer Corp | Laser frequency stabilization system and method |
US3588253A (en) * | 1969-05-05 | 1971-06-28 | Us Army | Temperature tunable laser diode spectrograph |
US4101847A (en) * | 1976-11-01 | 1978-07-18 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Laser control circuit |
US4081670A (en) * | 1976-11-08 | 1978-03-28 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Automatic bias control circuit for injection lasers |
DE2652608C3 (de) * | 1976-11-19 | 1979-12-13 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Anordnung zur Regelung der Ausgangsleistung eines Halbleiterlasers |
US4109217A (en) * | 1976-12-10 | 1978-08-22 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Stabilization circuit for junction lasers |
GB1533965A (en) * | 1977-04-06 | 1978-11-29 | Inst Fiz An Latvssr | Device for magnetically arranging ferromagnetic components at preset distances from one another |
DE2862391D1 (de) * | 1977-10-26 | 1984-04-26 | Post Office | Control apparatus for a semi-conductor laser device |
US4177436A (en) * | 1977-12-05 | 1979-12-04 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Circuit for controlling the differential output power of a semiconductor laser |
US4187475A (en) * | 1978-01-05 | 1980-02-05 | Analytical Radiation Corp. | Continuously variable laser output coupler |
US4237427A (en) * | 1978-06-16 | 1980-12-02 | International Telephone And Telegraph Corporation | Apparatus for stabilizing a laser |
DE2841433C2 (de) * | 1978-09-22 | 1983-08-25 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Vorstromregelung von Laserdioden |
US4344173A (en) * | 1978-09-25 | 1982-08-10 | Northern Telecom Limited | Stabilization circuit for a digitally operated laser |
DE2847182C3 (de) * | 1978-10-30 | 1986-07-10 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Verfahren zur Modulationsstromregelung von Laserdioden |
US4375067A (en) * | 1979-05-08 | 1983-02-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device having a stabilized output beam |
GB2054949B (en) * | 1979-07-26 | 1983-04-07 | Standard Telephones Cables Ltd | Cooling arrangement for laser diode |
US4349906A (en) * | 1979-09-18 | 1982-09-14 | Xerox Corporation | Optically controlled integrated current diode lasers |
US4307469A (en) * | 1980-04-18 | 1981-12-22 | Harris Corporation | Injection laser diode digital transmitter having signal quality monitoring arrangement |
FR2526237B1 (fr) * | 1982-04-30 | 1986-02-28 | Cit Alcatel | Dispositif de regulation thermique d'un laser a semi-conducteur |
JPS59146457A (ja) * | 1983-02-10 | 1984-08-22 | Olympus Optical Co Ltd | 光出力自動制御装置 |
FR2542511B1 (fr) * | 1983-03-09 | 1986-12-19 | Lecoy Pierre | Procede et dispositif de regulation de la puissance lumineuse de diodes laser |
US4616930A (en) * | 1983-04-20 | 1986-10-14 | Litton Systems, Inc. | Optically biased twin ring laser gyroscope |
US4583228A (en) * | 1983-11-21 | 1986-04-15 | At&T Bell Laboratories | Frequency stabilization of lasers |
GB2154787B (en) * | 1984-01-17 | 1987-04-01 | Standard Telephones Cables Ltd | Laser stabilisation circuit |
SE8401773L (sv) * | 1984-03-30 | 1985-10-01 | Boh Optical Ab | Frekvens- och effektreglering hos laserdioder |
DE3421851C2 (de) * | 1984-06-13 | 1997-12-18 | Sfim Ind Deutschland Gmbh | Verfahren zur Wellenlängen- und Leistungsregelung der Ausgangsstrahlung einer Halbleiterstrahlungsquelle |
CA1210070A (en) * | 1984-10-26 | 1986-08-19 | Northern Telecom Limited | Laser transmitter |
US4631728A (en) * | 1985-07-22 | 1986-12-23 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Thermoelectric cooler control circuit |
-
1986
- 1986-05-13 US US06/862,759 patent/US4792956A/en not_active Expired - Lifetime
-
1987
- 1987-04-16 CA CA000534901A patent/CA1315332C/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-04-22 GB GB8709524A patent/GB2190783B/en not_active Expired
- 1987-04-23 IL IL82315A patent/IL82315A0/xx unknown
- 1987-05-06 DE DE19873715101 patent/DE3715101A1/de active Granted
- 1987-05-11 JP JP62114369A patent/JPS62273788A/ja active Granted
- 1987-05-12 FR FR8706640A patent/FR2598860B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 1987-05-12 IT IT8767408A patent/IT1210728B/it active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2007015A (en) * | 1977-10-26 | 1979-05-10 | Post Office | Control apparatus |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
STROBEL, O.: Simultaneous Wavelength and Power Stabilization of a GaAlAs Semiconductor Laser Applying a Single Detector Scheme. In DE-Z.: J. Opt. Comm., Vol. 5, Nr. 2, 1984, S. 46-49 * |
YAMAGUCHI, S. SUZUKI, M.: Simultaneous Stabilization of the Frequency and Power of an AlGaAs Semiconductor Laser by Use of the Optogalvanic Effect of Krypton. In: US-Z.: IEEE Journal of Quantum Electronics, Vol. QE-19, Nr. 10, 1983, S. 1514-1519 * |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4000583A1 (de) * | 1990-01-10 | 1991-07-11 | Muetek Gmbh | Verfahren zum betreiben eines strahlungsabsorptionsspektrometers |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2598860B1 (fr) | 1994-02-18 |
US4792956A (en) | 1988-12-20 |
JPS62273788A (ja) | 1987-11-27 |
IL82315A0 (en) | 1987-10-30 |
CA1315332C (en) | 1993-03-30 |
IT1210728B (it) | 1989-09-20 |
GB8709524D0 (en) | 1987-05-28 |
FR2598860A1 (fr) | 1987-11-20 |
IT8767408A0 (it) | 1987-05-12 |
DE3715101C2 (de) | 1992-09-17 |
GB2190783B (en) | 1989-12-13 |
GB2190783A (en) | 1987-11-25 |
JPH0587156B2 (de) | 1993-12-15 |
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DE2029704A1 (de) | Halbleiter Laser Apparatur |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition |