DE3712589A1 - Verfahren zur herstellung von in reihe verschalteten duennschicht-solarzellen - Google Patents
Verfahren zur herstellung von in reihe verschalteten duennschicht-solarzellenInfo
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Description
Verfahren zur Herstellung von in Reihe verschalteten auf einem
gemeinsamen Substrat angeordneten Dünnschicht-Solarzellen, wobei
auf dem Substrat großflächig nacheinander eine erste
Elektrodenschicht, zumindest eine Schicht aus Halbleitermaterial
und eine zweite Elektrodenschicht aufgebracht werden und wobei
die Schichten zu deren Verschaltung strukturiert werden.
Um von Anwendungen geforderte Spannungsbereiche von 12 bis 15
Volt befrieden zu können, müssen Solarzellen in Reihe verschaltet
werden. Dabei bieten Dünnschicht-Solarzellen im Vergleich zur
Verschaltung diskreter kristalliner Siliziumscheiben den
wesentlichen Vorteil, daß eine Herstellung durch großflächige
Schichten auf Substraten durch Sprüh-, Aufdampf- und
Plasmaentladungprozesse möglich ist, wobei dann diese Schichten
in einzelne Solarzellenbereiche aufgeteilt und verschaltet werden.
Als Beispiel hierfür ist die DE-OS 28 39 038 zu nennen. Diese
Schrift bezieht sich auf Verfahren der eingangs genannten Art,
wobei zunächst eine Fläche des Substrats vollständig mit einem
Film aus einem durchsichtigen elektrisch leitfähigen Material
sowie einem darüberliegenden zweiten Film aus mindestens einem
Halbleitermaterial überzogen wird, um anschließend bestimmte
Abschnitte der Filme selektiv abzutragen und zu entfernen, so
daß auf dem Substrat zahlreiche auf Abstand angeordnete
Sperrschicht-Photozellen ausgebildet sind. Anschließend wird
großflächig eine Deckschicht als zweite Elektrodenschicht
aufgebracht, die sodann in unmittelbarer Nachbarschaft zu den
Stellen, an denen die selektive Materialabtragung von der ersten
Elektrodenschicht und der darüberliegenden Halbleiterschichten
ausgeführt wurden, ebenfalls unterbrochen werden, um die
erforderliche Verschaltung zu ermöglichen.
Um die Separierung der einzelnen Bereiche, d.h. die
Strukturierung der Schichten zu bewerkstelligen, sind
Abtragungsprozesse bekannt, die z.B. auf thermische, auf
mechanische, auf chemische Art oder mit Hilfe einer
Strukturierungsbalken- oder lift-off-Technologie ausgeführt
werden. Solche Abtragungsprozesse weisen jedoch erhebliche
Nachteile auf. So können eine Kondensatbildung an kühlenden
Stellen des Substrats im Falle der thermischen Abtragung,
herumliegendes abgeplatztes Material und Risse in der
verbleibenden Schicht im Falle der mechanischen Abtragung oder
Unterätzungen durch inhomogene Angriffe des Ätzmediums und
nicht rückstandsfreies Entfernen des selben im Falle der
chemischen Abtragung auftreten. Bei Trocknungsbedingungen für
das lift-off-Material in einem für den Halbleiter kritischen
Temperaturbereich kann ein unvollständiges Entfernen von
lift-off-Material (z. B. Metalloxide oder organisches Material wie
Kautschuk) erfolgen.
Die Nachteile der zuvor erwähnten Abtragungsprozesse sind dann
besonders gravierend, wenn Materialpartikel der Größe von
mehreren µm bis nahezu 20 bis 30 µm Größe von z. B. der
leitfähigen transparenten ersten Schicht in dem Bereich zu liegen
kommen - eventuell durch kondensiertes Material und somit
Bildung chemischer Bindungen-, in dem anschließend die
Halbleiterschicht bzw. -schichten aufgebracht werden sollen, die
beispielsweise im Fall einer amorphen Si-Solarzelle nicht einmal
1 µm dick ist. Typische Dicken der a-Si-Halberleiterschicht
liegen im Bereich zwischen 500 und 700 nm, so daß bei Vorliegen
entsprechender Partikel Kurzschlüsse zwischen der ersten und
zweiten Elektrodenschicht auftreten können.
Ein besonderer Nachteil des der DE-OS 28 39 038 zu entnehmenden
Verfahrens, bei dem erwähntermaßen die erste Elektrodenschicht
zusammen mit der auf dieser aufgebrachten Schicht aus
Halbleitermaterial gemeinsam strukturiert werden, ist auch darin
zu sehen, daß z. B. bei chemischen Abtragungsprozessen
Reaktionen vor allem oxidativer Natur (Luft, Säuren) auftreten,
die zu undefinierten Schichtzusammensetzungen
(Stöchiometrieveränderung, SiO2-Bildung) führen und somit die
Qualität der Halbleiterschicht verschlechtern. Bei a-Si-Solarzellen
werden auch Laugen (NaOH, KOH) zur Abtragung von
Materialbereichen benutzt, wobei die Qualitätsminderung des
a-Si-Materials durch Alkali-lonen bekannt ist. Erwähntermaßen
führen mechanische Prozesse bei der Abtragung der
Halbleiterschicht und der darunterliegenden Eleketrodenschicht
häufig zu mechanischen Beschädigungen der letzteren, so daß
der zum Schluß auszubildende Kontakt zwischen der ersten und
zweiten Elektrodenschicht ungenügend sein kann. Bei einer
thermischen Abtragung, z.B. durch Laserlicht, treten
entsprechende Veränderungen der Oberfläche der ersten
Elektrodenschicht ebenfalls auf.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Verfahren der
eingangs genannten Art so auszubilden, daß die zum Verschalten
von auf einem gemeinsamen Substrat angeordneten
Dünnschichtsolarzellen erforderliche Strukturierung im
wesentlichen ohne Beschädigung der einzelnen Schichten erfolgen
kann und ohne daß die nach dem Stand der Technik bekannten
Hilfschichten erforderlich sind. Auch soll die Möglichkeit
geschaffen werden, die Verbindungsbereiche zwischen den
einzelnen Elektrodenschichten möglichst schmal auszubilden, so
daß eine optimale Ausnutzung des photoaktiven Materials
ermöglicht wird.
Die Aufgabe wird im wesentlichen dadurch gelöst, daß die erste
Elektrodenschicht vor Aufbringen der weiteren Schichten
strukturiert wird. Dabei kann die Strukturierung unmittelbar
nach Aufbringen der ersten Elektrodenschicht, aber auch vorher
erfolgen. Letzteres bedeutet, daß zunächst auf dem Glassubstrat
die Struktur z.B. durch Auftragen von entfernbarem Material
vorgegeben wird, anschließend die Elektrodenschicht aufgebracht
und sodann das Material entfernt oder so behandelt wird, daß
sich in der Elektrodenschicht vorzugsweise streifenförmige
Bereiche ausbilden, die elektrisch getrennt sind. Unter
Aufbringen ist dabei nicht nur z. B. das Abscheiden von Material
zu verstehen, sondern gegebenenfalls auch ein Nachbehandeln,
Konditionieren oder Optimieren z.B. des Flächemwiderstandes oder
der Transparenz zu verstehen. Selbstverständlich kann unter
Aufbringen aber auch nur das Anordnen der Schicht auf dem
Substrat meinen.
Als Material ist insbesondere TiO2 dann geeignet, wenn die
Elektrodenschicht aus ITO besteht. Ferner kann nach erfolgter
Strukturierung eine Optimierung des ITO-Schichtmaterials
erfolgen, um erfolgte unerwünschte Widerstandsänderungen zu
beheben.
Auch besteht die Möglichkeit, parallel zu der gewünschten
Struktur auf der Elektrodenschicht Materialien, vorzugsweise
Pastenmaterial in Linien aufzutragen, die der späteren
Strukturierung der weiteren Schichten dienen, und sodann
entlang der Linien als Führung die Elektrodenschicht z.B. durch
Laser zu strukturieren.
Demzufolge wendet man sich von den durch den Stand der
Technik vorgegebenen Lösungsvorschlägen ab, eine Strukturierung
erst dann vorzunehmen, wenn zumindest die Halbleiterschichten
auf der ersten Elektrodenschicht aufgetragen sind. Durch die
erfindungsgemäße Lehre wird vielmehr die für die Verschaltung
der einzelnen Dünnschichtsolarzellen wesentliche Strukturierung
der ersten Elektrodenschicht vor Auftragen der weiteren Schichten
vorgenommen, so daß eine Strukturierung der ersten
Elektrodenschicht mit Mitteln erfolgen kann, die andernfalls zu
unerwünschten Beeinflussungen der darüberliegenden Schichten,
insbesondere der Halbleiterschicht führen könnten.
Vorzugsweise erfolgt die Strukturierung der ersten
Elektrodenschicht durch eine bereichsweise Umwandlung des
Elektrodenmaterials in ein hochohmiges Material. Dies kann z. B.
durch Funkenerosion erfolgen, wobei erfindungsgemäß vorgesehen
ist, daß die erste Elektrodenschicht im Bereich einer schmalen
Funkenentladung, die z. B. durch ein Metallskalpell erreichbar
ist, schmilzt und gezielt schnell wieder abgekühlt wird, so daß
ein Ausfällen geschmolzenen Materials unmittelbar im selben
Bereich erfolgt. Hierdurch erfolgt keine Abtragung, sondern
einzig und allein eine Umwandlung von leitfähigem zu
hochohmigem Material. Die Kühlung selbst kann dabei z. B. durch
ein Wasser-Alkohol-Gemisch vorgenommen werden.
In Ausgestaltung der Erfindung wird vorgeschlagen, daß
vorzugweise gleichzeitig mit der Strukturierung der ersten
Elektrodenschicht auf diese ein elektrisch leitfähiges Material
aufgebracht wird, das von den weiteren Schichten abgedeckt
wird und daß anschließend zur Verschaltung eine elektrisch
leitende Verbindung von der zweiten Elektrodenschicht mit dem
elektrisch leitfähigen Material hergestellt wird. Das leitfähige
Material ist vorzugsweise eine Paste wie z.B. Ag-Paste, die in
schmalen Streifen in unmittelbarer Nachbarschaft zu den
Bereichen der ersten Elektrodenschicht aufgebracht wird, in
denen eine Trennung in einzelne Abschnitte durch z. B. die
angesprochene Materialumwandlung erfolgt.
Nach einer weiteren Ausführungsform der Erfindung wird parallel
zu dem elektrisch leitfähigen Material und vorzugsweise
gleichzeitig ein die Strukturierung der Schicht des
Halbleitermaterials und der zweiten Elektrodenschicht bewirkendes
Material aufgebracht. Dieses Material kann ebenfalls
pastenförmig ausgebildet sein. Dabei kann entsprechend des
verwendeten Materials durch Wärmebehandlung oder z. B. durch
Ultraschall ein Aufbrechen des Materials derart erfolgen, daß
die darüberliegenden Bereiche der Halbleiterschicht und der
zweiten Elektrodenschicht mit entfernt werden. Dabei ist es
jedoch nicht erforderlich, daß die sogenannten lift-off-bars oder
Strukturierungsbalken oder -streifen nicht selbst vollständig
entfernt werden, da sie hochohmig sind.
Sofern nach einem eigenerfinderischen Lösungsvorschlag
gleichzeitig die Strukturierung der ersten Elektrodenschicht z. B.
durch Funkenerosion zusammen mit dem Auftragen der zuvor
erwähnten Materialien erfolgt, spricht man von einem
sogenannten simultanen Strukturierungsprozeß, an den sich
unmittelbar das Auftragen der Halbleiterschicht/-schichten und
der zweiten Elektrodenschicht anschließen. Diese simultane
Strukturierung erfolgt dabei vorteilhafterweise mit einem einzigen
Werkzeug, welches gleichzeitig eine Vorrichtung zur
Funkenerosion und zwei Vorrichtungen zum Auftragen von zwei
zur Strukturierung der ersten Elektrodenschicht parallelen
schmalen Linien mit Pastenmaterial in direkter Nachbarschaft
(eventuell sogar übergreifend) besitzt. Dieser simultane
Strukturierungsprozeß ist zwar als bevorzugt anzugeben, jedoch
können selbstverständlich die einzelnen Strukturierungsprozesse
auch getrennt mit anderen Verfahren wie z. B. mit Laser
(Schmelzen des Materials) oder Siebdruck (Aufbringen von Paten
in schmalen Streifen) durchgeführt werden.
Ganz allgemein kann die Aufgabe der auf die Elektrodenschicht
aufzutragenden Materialien so bezeichnet werden, daß diese
bereits zwingend die Struktur der anschließend aufzutragenden
Schichten bestimmen.
Weitere Einzelheiten der Erfindung ergeben sich aus den
Ansprüchen und den diesen zu entnehmenden Merkmalen, für sich
und/oder in Kombination.
Die Erfindung wird nachstehend anhand von in der Zeichnung
dargestellten bevorzugten Ausführungsbeispielen näher erläutert,
anhand derer sich weitere Einzelheiten, Vorteile und Merkmale
ergeben.
Es zeigen:
Fig. 1 in schematischer Darstellung den Ablauf eines ersten
Verfahrens zur Herstellung von in Reihe verschalteten
Dünnschicht-Solarzellen,
Fig. 2 einen schematischen Prozeßablauf eines zweiten
Verfahrens,
Fig. 3 eine Prinzipdarstellung zur Herstellung einer
Strukturierung und
Fig. 4 eine rein schematische und perspektivische Darstellung
eines Dünnschichtsolarzellenverbandes.
In Fig. 1 soll der Ablauf eines Verfahrens zur Herstellung von
in Reihe verschalteten Dünnschicht-Solarzellen prinzipiell
dargestellt werden. Auf einem Substrat (10) wird großflächig
eine erste Elektrodenschicht (12), die vorzugsweise aus einem
transparenten leitenden Oxid (TCO) wie ITO, Zinnoxid oder
Indiumoxid besteht, aufgebracht. Nachdem die erste
Elektrodenschicht (12) aufgetragen worden ist, werden
entsprechend der gewünschten Struktur zueinander beabstandete
stegförmige Bereiche (14) und (16) in der Elektrodenschicht (12)
ausgebildet, die eine elektrische Trennung zwischen den zwischen
diesen liegenden Bereichen (18), (20) und (22) bewirken. Dabei
verlaufen die Stege (14) und (16) parallel zueinander und von
Seite zu Seite des Substrats (10), also in die Zeichenebene
hinein. Die Stege (14) und (16) werden im Ausführungsbeispiel
durch Funkenerosion ausgebildet. Hierdurch erfolgt kein
Materialabtrag, vielmehr wird durch Erwärmen und
anschließendes schnelles Abkühlen bzw. Abschrecken eine
Umwandlung des elektrisch leitenden Materials in ein
hochohmiges Material bewirkt. Selbstverständlich besteht auch
die Möglichkeit, in den Stegen (14) und (16) das Material der
Elektrodenschicht (12) abzutragen. Vorzugsweise gleichzeitig zur
Ausbildung der isolierenden Bereiche (14) und (16) werden
parallel zu diesen linienförmig Pasten (24), (26) und (28), (30)
aufgetragen, die unterschiedliche Aufgaben zu erfüllen haben.
Dabei werden die Pasten (24), (26), (28) und (30) jeweils auf
einer - im Ausführungsbeispiel der linken - Seite der Bereiche
(18), (20) und (22) der Elektrodenschicht (12) benachbart zu
den Unterbrechungen (14) und (16) verlaufend angeordnet.
Die Verbindungsstreifen oder -balken (24) und (26), die auch
als stitch-bars bezeichnet werden, haben die Aufgabe, bei einem
fertiggestellten Dünnschichtsolarzellenverband die elektrisch
leitende Verbindung zwischen der ersten Elektrodenschicht und
einer zweiten Elektrodenschicht (32) derart herzustellen, daß die
einzelnen Dünnschicht-Solarzellen in Reihe verschaltet sind. Die
Strukturierungsstreifen oder -balken (28) und (30), die auch als
lift-off-bars zu bezeichnen sind, sollen dagegen die
Strukturierung der anschließend aufzubringenden
Halbleiterschicht (34) und die zweite Elektrodenschicht (32)
herbeiführen. Die Breite der Streifen (24), (26), (26) und (30)
beträgt jeweils ca. 50-200 µm bei einer Höhe von vorzugsweise
5-10 µm, gegebenenfalls 20 µm.
Als Material für die Verbindungsstreifen oder -balken (24) und
(26) ist insbesondere eine Einbrennsilberpaste mit einem
Feststoffgehalt von 80-85 Gew% zu nennen, die eine
Einbrenntemperatur von 400-460°C aufweist. Hierdurch ergibt sich
der Vorteil, daß das Substrat (10) nicht verzogen und die
Eleketrodenschicht (12), sofern diese aus TCO, insbesondere ITO
besteht, thermisch kaum belastet wird.
Als Material für die Strukturierungsbalken (28) und (30) (für
die folgenden Schichten) ist insbesondere eine Paste wie TiO2 mit
einem Feststoffgehalt von 20% zu nennen, ebenfalls bei
verwendetem TCO als Elektrodenschichtmaterial.
Nachdem die Strukturierung der ersten Elektrodenschicht (12)
erfolgt und die linienförmigen vorzugsweise aus Pasten
bestehenden Materialien (24), (26), (28) und (30) aufgetragen
worden sind, wird großflächig die Halbleiterschicht (34)
aufgebracht. Dabei ist die Halbleiterschicht (34) im eigentlichen
Sinne mehrschichtig aufgebaut, damit durch Lichteinfall
Ladungsträger erzeugt und zu den Elektroden abgeführt werden.
Die Halbleiterschicht (34) sowie die zweite Elektrodenschicht (32)
werden erwähntermaßen großflächig über die gesamte erste
Elektrodenschicht (12) aufgetragen, decken demzufolge auch die
Materialien (24), (26), (28) und (30) ab. Sodann können bei
geeigneten Materialien die lift-off-bars (28) und (30) durch z. B.
Einwirkung von Ultraschall entfernt werden, wodurch auch die
darüberliegenden Bereiche der Halbleiterschicht (34) und der
zweiten Elektrodenschicht (32) entfernt werden. Es bilden sich
demzufolge Freiräume (36) und (38) aus, die eine Trennung der
Halbleiterschichten (34) und der zweiten Elektrodenschicht (32)
in diskrete Bereiche hervorrufen, die einzelne
Dünnsicht-Solarzellen bilden. ln der Zeichnung bilden demzufolge
der Abschitt (20) der ersten Elektrodenschicht mit dem Abschnitt
(40) der Halbleiterschicht (34) und dem Abschnitt (42) der
zweiten Elektrodenschicht (32) eine einzelne
Dünnschicht-Solarzelle. Um die Ladungsträger abzuleiten und die
einzelnen nebeneinanderliegenden Dünnschicht-Solarzellen in Reihe
zu verschalten, erfolgt in einem letzten Verfahrensschritt eine
Kontaktierung zwischen der Halbleiterschicht (12) bzw. den
Bereichen (18), (20) und (22) und den entsprechend zugeordneten
Bereichen (42) und (44) der zweiten Elektrodenschicht. Diese
Kontaktierung kann vorzugweise ebenfalls durch Funkenerosion
dadurch erfolgen, daß die stitch-bars (24) und (26) zu den
Bereichen (42) und (44) durchkontaktiert werden. Hierdurch
erfolgt eine Reihenschaltung mit der aus den Schichten (20),
(40) und (42) aufgebauten mittleren Solarzelle (46) mit den
benachbarten Solarzellen (48) bzw. (50).
Selbstverständlich kann der Aufbau einer jeden Solarzelle
dahingehend geändert werden, daß die Halbleiterschicht (34)
mehrschichtig ausgebildet ist oder z. B. zwischen der zweiten
Elektrodenschicht (32) und der darunterliegenden
Halbleiterschicht (34) eine weitere nicht dargestellte
Zwischenschicht wie z.B. SnOx-Schicht angeordnet ist, die zur
Reflektion von Infrarotstrahlung dient, um ein Aufheizen des
Dünnschichtsolarzellenverbandes zu unterbinden.
In Fig. 2 ist ein Verfahren zur Herstellung eines
Dünnschichtsolarzellenverbandes beschrieben, wobei für gleiche
Elemente gleiche Bezugszeichen benutzt werden.
Entsprechend dem Prozeß nach Fig. 1 erfolgt die Strukturierung
der ersten Elektrodenschicht (12) vor Aufbringen der weiteren
Schichten, also der Halbleiterschicht (34) und der zweiten
Elektrodenschicht (32). Dabei können die die Bereiche (18), (20)
und (22) elektrisch trennenden Stege (14) und (16) ebenfalls
durch Materialumwandlung oder aber auch durch mechanisches
Abtragen ausgebildet werden. Sodann werden in unmittelbarer
Nachbarschaft zu den Stegen (14) und (16) lift-off-bars (52) und
(54) auf den Bereichen (20) und (22) aufgetragen, die den
lift-off-bars (28) und (30) nach Fig. 1 entsprechen.
Anschließend erfolgt entsprechend der Beschreibung nach Fig. 1
das großflächige Auftragen der Halbleiterschicht (14) und der
zweiten Elektrodenschicht (32) mit gegebenenfalls zuvor
anzuordnender Zwischenschicht. Schließlich werden die
lift-off-bars (52) und (54) entfernt, um die Strukturierung der
Halbleiterschicht (34) und der zweiten Elektrodenschicht (32) zu
erzielen. Anschließend können in die sich ausgebildeten
Freiräume (56) und (58) z. B. im Siebdruckverfahren Leitpasten
(60) und (62) eingebracht werden, die eine Verbindung zwischen
dem Bereich (64) der zweiten Elektrodenschicht (32) mit dem
Bereich (20) der ersten Elektrodenschicht (12) bzw. zwischen dem
Bereich (66) und dem Bereich (68) herstellt, um die teilweise
dargestellten einzelnen Dünnschicht-Solarzellen (70), (72) und
(74) in Reihe zu verschalten.
In Fig. 4 ist ein Dünnschichtsolarzellenverband rein schematisch
und in perspektivischer Darstellung wiedergegeben, um zu
verdeutlichen, daß durch die zuvor beschriebenen
Verfahrensschritte auf dem Substrat (10) eine Vielzahl von
parallel verlaufenden Dünnschicht-Solarzellen angeordnet sind,
von denen einige beispielhaft mit den Bezugszeichen (76), (78)
und (80) bezeichnet sind. Die parallel verlaufenden
Dünnschicht-Solarzellen (76), (78) und (80) sind in Reihe
verschaltet, damit der Dünnschichtsolarzellenverband die
gewünschte Spannung liefern kann. Um die einzelnen Solarzellen
(76), (78), (80) herzustellen, kann vorzugsweise ein Werkzeug
Verwendung finden, das der Fig. 3 rein schematisch zu
entnehmen ist.
Man erkennt, daß die auf dem Substrat (10) angeordnete erste
Elektrodenschicht (12) vorzugsweise aus TCO mittels
Funkenerosion strukturiert wird, um die streifenförmigen Bereiche
(14) bzw. (16) auszubilden. Gleichzeitig weist das Werkzeug
Düsen (82) und (84) auf, über die die Pastenstreifen (24), (26)
bzw. (28), (30) parallel verlaufend neben den Bereichen (14)
und (16) auf die Oberfläche der Elektrodenschicht (12)
aufgetragen werden. Bei dem Streifenmaterial (24), (26) handelt
es sich erwähntermaßen vorzugsweise um Einbrennsilberpasten,
wohingegen das Material der Streifen (28) und (30) eine Paste
mit vorzugsweiseTiO2 ist.
Die Funkenerosion selbst ist durch den Blitz oberhalb der
Bereiche (14), (16) angedeutet. Die Entladung erfolgt über eine
skalpellförmig ausgebildete Elektrode. Damit die Funkenentladung
erfolgt, muß ein Stromgenerator (86) vorgesehen sein, dessen
einer Pol mit der Oberfläche der Elektrodenschicht (12) und
dessen anderer Pol mit der nicht dargestellten skalpellförmig
ausgebildeten Elektrode verbunden ist.
Das der Fig. 3 zu entnehmende Werkzeug kann dahingehend
modifiziert werden, daß es als Mehrfachwerkzeug ausgebildet
wird, d.h. zur Herstellung des Dünnschichtsolarzellenverbandes
nach Fig. 4 können mehrere Skalpellelektroden und Düsen (82)
und (84) nebeneinander angeordnet werden, um gleichzeitig die
Struktur von mehreren parallel zueinander angeordneten
Dünnschichtsolarzellen vorzugeben.
Claims (18)
1. Verfahren zur Herstellung von in Reihe verschalteten auf
einem gemeinsamen Substrat angeordneten
Dünnschicht-Solarzellen, wobei auf dem Substrat großflächig
nacheinander eine erste Elektrodenschicht, zumindest eine
Schicht aus Halbleitermaterial und eine zweite
Elektrodenschicht aufgebracht werden und wobei die Schichten
zu deren Verschaltung strukturiert werden,
dadurch gekennzeichnet,
daß die erste Elektrodenschicht vor Aufbringen der weiteren
Schichten strukturiert wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß die erste Elektrodenschicht unmittelbar nach ihrem
Aufbringen strukturiert wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß auf das Substrat zunächst die Struktur der ersten
Elektrodenschicht bestimmendes Material und sodann die erste
Elektrodenschicht aufgetragen wird, um anschließend das
Material derart zu entfernen, daß die Struktur der
Elektrodenschicht entsteht.
4. Verfahren nach Anspruch 3,
dadurch gekennzeichnet,
daß das Material pastenförmig ist und vorzugsweise ausTiO2
besteht oder dieses enthält und die Elektrodenschicht aus
TCO, vorzugsweise ITO besteht.
5. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß vorzugsweise gleichzeitig mit der Strukturierung der
ersten Elektrodenschicht parallel zu deren Struktur auf dieser
elektrisch leitfähiges Material vorzugsweise in Streifen
aufgebracht wird, das von den weiteren Schichten abgedeckt
wird, und daß anschließend zur Verschaltung eine
Verbindung zu der zweiten Elektrodenschicht hergestellt wird.
6. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß durch Aufbringen von weiterem Material auf der ersten
Elektrodenschicht die Struktur der anschließenden
aufzubringenden Schichten vorgegeben und gewonnen wird.
7. Verfahren nach Anspruch 6,
dadurch gekennzeichnet,
daß die weiteren Materialien vorzugsweise TiO2 Pasten sind,
die linien- oder streifenförmig auf die erste Elektrodenschicht
aufgetragen werden.
8. Verfahren nach Anspruch 5,
dadurch gekennzeichnet,
daß parallel zu dem elektrisch leitfähigen Material und
vorzugsweise gleichzeitig ein die Strukturierung der Schicht
des Halbleitermaterials und der zweiten Elektrodenschicht
bewirkendes Material aufgebracht wird.
9. Verfahren nach Anspruch 6,
dadurch gekennzeichnet,
daß vorzugsweise gleichzeitig mit der Strukturierung der
ersten Elektrodenschicht auf dieser das die Strukturierung
der Schicht des Halbleitermaterials und der zweiten
Elektrodenschicht bewirkende Material aufgebracht wird.
10. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Strukturierung der ersten Elektrodenschicht durch
eine bereichsweise Umwandlung in ein hochohmiges Material
erfolgt.
11. Verfahren nach Anspruch 1 oder 10,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Strukturierung der ersten Elektrodenschicht durch
Funkenerosion erfolgt.
12. Verfahren nach Anspruch 5,
dadurch gekennzeichnet,
daß das elektrisch leitende Material eine Paste wie z.B.
Silbereinbrennpaste mit einer Einbrenntemperatur von
400-460°C ist.
13. Verfahren nach Anspruch 6,
dadurch gekennzeichnet,
daß das die Strukturierung der Schicht des
Halbleitermaterials und der zweiten Elektrodenschicht
bewirkende Material eine hochohmige Paste ist, die
vorzugsweise durch Ultraschall derart in Schwingung gesetzt
wird, daß die darüberliegenden Bereiche der Schicht des
Halbleitermaterials und der zweiten Elektrodenschicht zerstört
werden.
14. Verfahren nach Anspruch 5,
dadurch gekennzeichnet,
daß das elektrisch leitende Material zu der zweiten
Elektrodenschicht erosiv durchkontaktiert wird.
15. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß das elektrisch leitfähige Material und/oder das die
Strukturierung der Schicht des Halbleitermaterials und der
zweiten Elektrodenschicht bewirkende Material streifenförmig
und parallel zu der die elektrische Trennung der ersten
Elektrodenschichten bewirkenden Struktur angeordnet wird.
16. Verfahren nach Anspruch 8,
dadurch gekennzeichnet,
daß das elektrisch leitfähige Material und das die
Strukturierung der Schicht des Halbleitermaterials und der
zweiten Elektrodenschicht bewirkende Material nebeneinander
gegebenenfalls teilweise überlappend auf der ersten
Elektrodenschicht und vorzugsweise gleichzeitig aufgebracht
werden.
17. Verfahren nach Anspruch 10,
dadurch gekennzeichnet,
daß die erste Elektrodenschicht aus TCO besteht und durch
Schmelzen parallel verlaufender Streifenbereiche und
unmittelbar sich anschließendes Abkühlen strukturiert wird.
18. Verfahren nach zumindest einem der vorhergehenden
Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Strukturierung der ersten Elektrodenschicht und das
Auftragen der die Strukturierung der anschließend
aufzutragenden Schicht gleichzeitig mit einem Werkzeug
erfolgt.
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