DE3701733A1 - Verfahren und vorrichtung zum zuechten von czochralski-einkristallen - Google Patents

Verfahren und vorrichtung zum zuechten von czochralski-einkristallen

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DE3701733A1 DE19873701733 DE3701733A DE3701733A1 DE 3701733 A1 DE3701733 A1 DE 3701733A1 DE 19873701733 DE19873701733 DE 19873701733 DE 3701733 A DE3701733 A DE 3701733A DE 3701733 A1 DE3701733 A1 DE 3701733A1
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melt
silicon
crucible
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Osamu Haida
Fukuo Aratani
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JFE Steel Corp
Original Assignee
Kawasaki Steel Corp
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/30—Mechanisms for rotating or moving either the melt or the crystal
    • C30B15/305—Stirring of the melt

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