DE3685941T2 - Automatische entwickelvorrichtung. - Google Patents

Description

• Diese Erfindung betrifft eine automatische Entwicklungs- Vorrichtung, welche das genaue Entwickeln eines auf ein zu bearbeitendes Halbleitersubstrat aufgetragenen Resists durchführt.
• Die Erzeugung eines Resistmusters auf einer Photomaske oder einem Halbleiterplättchen erfolgt allgemein nach dem lithographischen Prozeß. Der lithographische Prozeß umfaßt die Schritte des Auftrages eines Resistmaterials auf die Oberfläche eines zu bearbeitenden oder zu behandelnden Substrats, des Zeichnens eines Bilds mittels selektiver Beaufschlagung des Resists mit elektromagnetischen Strahlen, wie Ultraviolettstrahlen oder Teilchenstrahlen, z.B. Elektronik- bzw. Elektronenstrahlen, und Entwickeln des resultierenden gemusterten Resists.
• Diese Entwicklungsmethode läßt sich grundsätzlich in die folgenden drei Arten einteilen:
• Tauchprozeß
• Sprühprozeß
• Paddelprozeß.
• Der aus z.B. JP-A-56130923 bekannte Tauchprozeß besteht in einem Eintauchen eines gegebenen Substrats, das mit einem Resist beschichtet ist, in eine Entwicklungslösung. Dieser Prozeß bietet die Vorteile, daß nur eine geringe Menge an Entwicklungslösung benutzt zu werden braucht, die Temperatur der Entwicklungslösung einfach zu regeln ist und das erhaltene Resistmuster Vergleichsweise kleine Maßabweichungen zeigt. Die beachtenswertesten Nachteile des Tauchprozesses sind aber, daß bei kontinuierlicher Entwicklung zum Bearbeiten einer Anzahl von Substraten in der Entwicklungslösung schwimmende Fremdkörperteilchen in beachtlichem Ausmaß erscheinen; das Absetzen dieser Fremdkörperteilchen kann zu Defekten im Resistmuster, Verbindungsbrüchen oder Kurzschluß Anlaß geben und damit Schwierigkeiten bei der Ausbildung eines vorbestimmten Resistmusters hervorrufen; die Durchführbarkeit des betreffenden Entwicklungsprozesses wird beeinträchtigt, was Schwierigkeiten bezüglich der Automation aufwirft; wenn das behandelte Substrat nach der Entwicklung des Resistmusters herausgenommen wird, wird ferner die unerwünschte Auf- oder Anlösung des fertiggestellten Resistmusters durch die daran anhaftende Entwicklungslösung gefördert; es ist daher (auf diese Weise) unmöglich, dem heutigen Bedarf nach einem Resistmuster höherer Genauigkeit zu genügen.
• Der z.B. aus JP-A-59134829 bekannte Sprühprozeß besteht im Aufsprühen oder -spritzen einer klaren Entwicklungslösung auf einen auf einem Substrat geformten Resist. Der Sprühprozeß bietet die Vorteile, daß sich der Entwicklungsschritt ohne weiteres automatisieren läßt; da stets eine klare (frische) Entwicklungslösung aufgetragen wird, ist das fertige Resistmuster weniger Defekten unterworfen. Der Sprühprozeß ist jedoch mit den Mängeln behaftet, daß die Temperatur der Entwicklungslösung schwierig zu regeln ist; da aufgrund des Einflusses der Verdampfungswärme Unterschiede in der Temperatur der auf die Oberfläche des Substrats auf getragenen Entwicklungslösung auftreten, kann das fertige Resistmuster Maßabweichungen unterworfen sein.
• Der Paddelprozeß umfaßt die Schritte eines Haltens eines gegebenen, mit einem Resist beschichteten Substrats in einem Ruhezustand oder in einem sich langsam drehenden Zustand und eines Ausbildens eines Films einer Entwicklungslösung auf dem Resist durch Auftropfen. Der Paddelprozeß ist eine zwischen dem Sprühprozeß und dem Tauchprozeß liegende Methode. Der Paddelprozeß bietet nämlich Vorteile dahingehend, daß der Verbrauch an Entwicklungslösung, wie im Fall des Tauchprozesses, gering ist und daß eine Automatisierung einfach realisierbar ist. Dennoch ist der Paddelprozeß mit den Mängeln behaftet, daß die Temperatur der Entwicklungslösung, wie beim Sprühprozeß, schwierig zu regeln ist und Maßabweichungen im resultierenden Resistmuster feststellbar sein können.
• Diese Erfindung ist im Hinblick auf die oben angegebenen Umstände entwickelt worden; sie bezweckt die Schaffung einer automatischen Entwicklungsvorrichtung, die ein Resistmuster einer hohen Genauigkeit zu erzeugen und die Entwicklung des Resists zuverlässig durchzuführen vermag.
• Zur Lösung dieser Aufgabe wird mit der Erfindung eine automatische Entwicklungsvorrichtung mit einem Entwicklungsbehälter und einer Zuführeinrichtung zum Zuführen einer Entwicklungslösung in den Entwicklungsbehälter geschaffen, die dadurch gekennzeichnet ist, daß der Entwicklungsbehälter aus einer Bühne, auf die ein Substrat aufzulegen ist, und einem Behandlungsgehäuse, das relativ zur Bühne bewegbar ist, um die Bühne aufzunehmen, gebildet ist, wobei das Behandlungsgehäuse eine Bodenwand und einen in der Bodenwand gebildeten Auslaß aufweist und wobei die Bühne zum luftdichten Verschließen des Auslasses durch Bewegen oder Verschieben des Behandlungsgehäuses mit der Bodenwand in Berührung bringbar ist, um damit den Entwicklungsbehälter zu bilden.
• Die vorliegende Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß nach Beendigung der Entwicklung die Bühne und das Behandlungsgehäuse relativ zueinander verschoben werden, um damit das Substrat unmittelbar aus der Entwicklungslösung herausnehmen zu können; die Entwicklungszeit mit einer angemessen hohen Genauigkeit geregelt werden kann; die Entwicklungslösung abgezogen werden kann, sobald der Entwicklungsvorgang zu einem Ende gebracht ist; die Entwicklung stets mit einer klaren bzw. frischen Entwicklungslösung durchführbar ist; und die Zahl der anderenfalls möglicherweise im Resistmuster auftretenden Defekte verringert werden kann.
• Ein besseres Verständnis dieser Erfindung ergibt sich aus der folgenden genauen Beschreibung anhand der beigefügten Zeichnungen, in denen zeigen:
• Fig. 1 eine automatische Entwicklungsvorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform der Erfindung,
• Fig. 2 und 3 einen Vergleich zwischen den Entwicklungseigenschaften der erfindungsgemäßen Entwicklungsvorrichtung nach Fig. 1 und denen der herkömmlichen Tauch- und Sprühentwicklungen,
• Fig. 4 eine automatische Entwicklungsvorrichtung gemäß einer zweiten Ausführungsform der Erfindung, die eine Funktion zum unmittelbaren Regeln der Temperatur der Entwicklungslösung aufweist, und
• Fig. 5 bis 7 jeweils eine automatische Entwicklungs- vorrichtung gemäß anderen Ausführungsformen der Erfindung.
• Fig. 1 ist eine Schnittansicht einer automatischen Entwicklungsvorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsfomn dieser Erfindung. Diese Entwicklungsvorrichtung weist ein aus einem Fluorharz, z.B. Teflon, hergestelltes Gehäuse 1 auf, das eine Behandlungskammer 1A luftdicht abzuschließen vermag. Ein Motor 2 befindet sich unterhalb des Gehäuses 1. Eine durch den Motor 2 in Drehung versetzbare Dreh-Welle 3 ist durch das Zentrum der Bodenwand des Gehäuses 1 hindurch in die Behandlungskammer 1A eingeführt. An dem in die Behandlungskammer 1A eingeführten Abschnitt der Welle 3 ist eine Substrat-Bühne 4 montiert. Durch die Welle 3 und die Substrat-Bühne 4 verläuft ein Durchgang 5 für konstant erwärmtes Wasser. Der Durchgang 5 mündet an bzw. in der Seitenwand des sich aus der Behandlungskammer 1 heraus erstreckenden Abschnitts der Welle 3. Die Mündungsöffnungen sind mit Anschlüssen 6A, 6B versehen. Die Anschlüsse 6A, 6B sind mit einer Rohrleitung 9 verbunden, die mit einer zwischengeschalteten elektronischen Thermostatkammer (ETC) 7 und einer Pumpe 8 ausgestattet ist, so daß konstant erwärmtes Wasser (z.B. auf 20 - 25ºC gehalten) dem Inneren der Welle 3 und der Substrat-Bühne 4 zuspeisbar ist. Die Mündung(en) des Durchgangs 5 für konstant erwärmtes Wasser ist (sind) durch eine ringörmige hohle Kammer (groove) 10 abgedeckt, die luftdicht an der Welle 3 montiert ist.
• An der Substrat-Bühne 4 sind Klauen 11 Vorgesehen. Unterhalb des Gehäuses 1 sind Zylinder 12A, 12B angeordnet. An den oberen Enden der Zylinder 12A, 12B ist ein lotrecht verschiebbares Behandlungsgehäuse 13 zur Aufnahme der Substrat-Bühne 4 angebracht. Wenn das Behandlungsgehäuse 13 angehoben oder hochgefahren wird, ist ein freier Raum zwischen der oberen Ebene der Bodenwand des Gehäuses 13 und der unteren Ebene der Bodenwand der Substrat-Bühne 4 durch eine Ringdichtung RS flüssigkeitsdicht abgedichtet. Das Behandlungsgehäuse 13 und die Substrat-Bühne 4 bilden somit gemeinsam einen Entwicklungsbehälter. Das Behandlungsgehäuse 13 ist in seinem Zentrum mit einer Öffnung versehen. Wenn das Behandlungsgehäuse 13 abgesenkt oder herabgefahren und voll von der Substrat-Bühne 4 getrennt wird, wird die im Behandlungsgehäuse 13 enthaltene Flüssigkeit über die Öffnung aus der Kammer 1A abgesaugt. Eine Entwicklungslösung wird über eine das Gehäuse 1 durchsetzende Speiserohrleitung 14 in den durch die Substrat-Bühne 4 und das Behandlungsgehäuse 13 gebildeten Entwicklungsbehälter eingespeist.
• Eine Substrat-Einlaßöffnung 15 und eine Substrat-Auslaßöffnung 16 sind an bzw. in den Seitenwänden des Gehäuses 1 vorgesehen. In der Nähe der Außenseite der Substrat-Einlaßöffnung 15 befinden sich Förderer 17 und Arme 18, welche das Substrat vom Förderer 17 in die Behandlungskammer 1A überführen. Das in die Behandlungskammer 1A zu überführende Substrat ist durch Ablagern von Chrom auf einer Glasscheibe, Auftragen eines Resists, Vorbrennen und Zeichnen eines Bilds mittels elektronischer Strahlen bzw. Elektronenstrahlen geformt worden. In der Nähe der Außenseite der Substrat-Auslaßöffnung 16 befinden sich ein Förderer 19 zum Transportieren des Substrats zur nachgeschalteten Stufe sowie Arme 20 zum Herausziehen des Substrats aus der Behandlungskammer 1A auf den Förderer 19.
• An der oberen Wand des Gehäuses 1 ist eine Düse 21 vorgesehen, über welche eine Spülflüssigkeit versprühbar ist. Eine Entwicklungslösung und die Spülflüssigkeit werden aus der Behandlungskammer 1A über eine am bzw. im Boden des Gehäuses 1 ausgebildete Flüssigkeitsaustragöffnung 22 abgezogen. Die Flüssigkeitsaustragöffnung 22 kann auch als Öffnung zum Absaugen einer gasförmigen Atmosphäre aus der Behandlungskammer 1A benutzt werden.
• Das Verfahren zum Entwickeln eines auf dem Substrat geformten Resistmusters mittels der vorliegenden Entwicklungsvorrichtung wird in folgenden Schritten durchgeführt:
• Zunächst werden die Zylinder 12A, 12B betätigt, um das Behandlungsgehäuse 13 hochzufahren und dabei die flüssigkeitsdichte Abdichtung eines Raums herzustellen, der zwischen der oberen Ebene der Bodenwand des Behandlungsgehäuses 13 und der Unterseite der Substrat-Bühne 4 festgelegt ist, so daß damit ein Entwicklungsbehälter gebildet wird. Danach wird eine auf der vorbestimmten Temperatur gehaltene Entwicklungslösung in den durch die Substrat-Bühne 4 und das Behandlungsgehäuse 13 gebildeten Entwicklungsbehälter eingesaugt. Hierauf wird die Substrateinlaßöffnung 15 beispielsweise mittels eines nicht dargestellten Stiftzylinders geöffnet. Anschließend wird das Substrat 23 durch die Transportarme 18 vom Förderer 20 abgenommen und auf die Substrat-Halte-Klauen 11 aufgelegt. Zu diesem Zeitpunkt hat der Entwicklungsvorgang eingesetzt. Während des Entwicklungsvorgangs oder -prozesses wird ein Temperatursensor TS, der beispielsweise aus einem Thermoelement besteht, in die Entwicklungslösung eingetaucht. Falls die Temperatur der Entwicklungslösung vom vorbestimmten Wert abweicht, wird ein vom Temperatursensor TS abgegebenes, die augenblickliche Temperatur der Entwicklungslösung angebendes Steuersignal zur elektronischen Thermostatkammer 7 rückgekoppelt, um dadurch die Temperatur des der Rohrleitung 9 zugespeisten Wassers und die Temperatur der Entwicklungslösung zu regeln. Nachdem die Entwicklung für eine vorbestimmte Zeitspanne durchgeführt worden ist, werden die Zylinder 12A, 12B zum Herabfahren des Behandlungsgehäuses 13 betätigt, um die Entwicklungslösung über die Austragöffnung 22 abzusaugen, so daß damit der Entwicklungsvorgang beendet wird. Danach wird der Motor 2 mit einer Drehzahl von z.B. 200 bis 500/min angetrieben, wobei zur Durchführung des Spülvorgangs eine Spülflüssigkeit über die Düse 21 versprüht wird. Nachfolgend wird die Substrat-Bühne 4 zum Trocknen des Substrats 23 mit etwa 2000/min in Drehung versetzt. Danach wird das Substrat 23 mittels der Transportarme 20 von den Substrat-Halteklauen 11 abgenommen, aus der Behandlungskammer 1A herausgeführt und auf den Förderer 19 aufgelegt, um zur nachfolgenden Stufe überführt zu werden.
• Die oben beschriebene automatische Entwicklungsvorrichtung gemäß dieser Erfindung kann den Tauchprozeß automatisieren, und zwar über die Schritte der Ausbildung eines Entwicklungsbehälters durch Anheben bzw. Hochfahren des Behandlungsgehäuses 13, Einbringen des Substrats 23, Einspeisen einer Entwicklungslösung, Austragen der Entwicklungslösung durch Herabfahren des Behandlungsgehäuses 13 und Freigeben des Substrats 23. Die automatische Entwicklungsvorrichtung gemäß der Erfindung bietet die Vorteile, daß die Temperatur der Entwicklungslösung, wenn diese aufgebracht wird, unter Nutzung des Vorteils des Tauchprozesses, d.h. einfache Regelung der Temperatur der Entwicklungslösung während des Entwicklungsvorgangs, genau geregelt werden kann. Die Temperatur der Entwicklungslösung kann durch Einstellen der Temperatur der den Entwicklungsbehälter bildenden Substrat-Bühne 4 genauer geregelt werden. Weiterhin bietet die automatische Entwicklungsvorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung die Vorteile, daß das Auftreten von Defekten im Resistmuster unterdrückt werden kann, weil der Entwicklungsprozeß mit hoher Genauigkeit durchgeführt und eine klare bzw. saubere (d.h. frische) Entwicklungslösung für jeden Entwicklungsvorgang zugespeist wird; da nach Abschluß des Entwicklungsvorgangs eine Spüllösung über die Düse 21 aufgesprüht wird, kann die Oberfläche des dem Entwicklungsvorgang unterworfenen Substrats schnell gereinigt werden, so daß das Resistmuster praktisch an einem Auflösen gehindert werden kann und damit die Genauigkeit der Entwicklung verbessert wird.
• Fig. 2 veranschaulicht die Beziehung zwischen der Rate oder Menge von Änderungen, die in der Breite eines Resistmusters auftreten, und der Zahl der einem zufriedenstellenden Entwicklungsprozeß unterworfenen Substrate. Die Daten wurden dadurch gewonnen, daß ein Vergleich zwischen dem mittels der automatischen Entwicklungsvorrichtung gemäß Fig. 1 entsprechend der vorliegenden Erfindung durchgeführten Entwicklungsprozeß (ausgezogene Linie) und den auf dem herkömmlichen Tauchprozeß (gestrichelte Linie) und dem Sprühprozeß (strichpunktierte Linie) beruhenden Entwicklungsvorgängen durchgeführt wurde. Bei diesem Versuch besaß das Resistmuster eine Breite von 2 um. Die ausgezogene Linie gemäß Fig. 2 belegt deutlich, daß die erfindungsgemäße automatische Entwicklungsvorrichtung nach Fig. 1 die Entwicklung mit wesentlich höherer Genauigkeit oder Präzision durchführen kann als dies mit dem herkömmlichen Sprühentwicklungsprozeß, wie durch die strichpunktierte Linie angegeben,mögiich ist,und mit praktisch einer gleiäh hohen Genauigkeit wie beim durch die gestrichelte Linie angedeuteten herkömmlichen Tauchprozeß.
• Fig. 3 veranschaulicht die Beziehung zwischen der Zahl oder Häufigkeit von Defekten, die in einer quadratischen Fläche mit einer Seitenlänge von jeweils z.B. 105 mm auftreten, und der Zahl der dem Entwicklungsprozeß unterworfenen Substrate. Die Daten wurden durch Vergleichen des Falls, in welchem ein Resistmuster mittels der erfindungsgemäßen automatischen Entwicklungsvorrichtung nach Fig. 1 (durch ausgezogene Linie dargestellt) gebildet wurde, mit den Fällen gewonnen, in denen ein Resistmuster nach dem herkömmlichen Tauchprozeß (in gestrichelter Linie angegeben) und auch ein Resistmuster nach dem herkömmlichen Sprühentwicklungsprozeß (in strichpunktierter Linie angegeben) geformt wurde. Fig. 3 belegt deutlich, daß der erfindungsgemäße automatische Entwicklungsprozeß nach Fig. 1 (in ausgezogener Linie dargestellt) zu weniger Entwicklungsfehlern als der herkömmliche Tauchprozeß (in gestrichelter Linie dargestellt) führt und praktisch ebenso wenige Entwicklungsdefekte bzw. -fehler wie der herkömmliche Sprühentwicklungsprozeß (in strichpunktierter Linie angegeben) herbeiführt.
• Das vorstehend beschriebene Beispiel der vorliegenden Erfindung bezieht sich auf den Fall, in welchem die Temperatur der Entwicklungslösung, wenn diese tatsächlich aufgetragen bzw. eingesetzt wird, dadurch geregelt wurde, daß man die Ströme des konstant erwärmten Wassers durch die Substrat-Bühne 4 fließen ließ. Es ist ersichtlicherweise möglich, die konstant erwärmten Wasserströme durch den Körper des Behandlungsgehäuses 13 fließen zu lassen. Weiterhin ist eine für die Temperaturregelung beim oben beschriebenen Entwicklungsprozeß benutzte Flüssigkeit nicht auf Wasser beschränkt, vielmehr kann sie auch ein heißes Lösungsmittel, wie Glycerin, oder ein Gas sein. Darüber hinaus repräsentiert das oben beschriebene Beispiel der vorliegenden Erfindung den Fall, in welchem der Temperatursensor TS in eine Entwicklungslösung eingetaucht war und die Temperaturregelung durch Rückkoppeln eines vom Temperatursensor TS abgegebenen Steuersignals, welches die augenblickliche Temperatur der Entwicklungslösung angibt, zur elektronischen Thermostatkammer 7 durchgeführt wurde. In diesem Fall ist es möglich, die Temperatur der Entwicklungslösung mittels des Temperatursensors TS zu überwachen und ein als Ergebnis der Überwachung gewonnenes Temperatursignal zu integrieren, um damit die Entwicklungszeit zu kompensieren.
• Eine Abwandlung der automatischen Entwicklungsvorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung ist nachstehend anhand von Fig. 4 beschrieben. In diesem Fall ist eine aus z.B. einem Pt-Widerstand bestehende Heizplatte 24 auf die Ebene oder Fläche der Substrat-Bühne 4 und die Ebene oder Fläche des Behandlungsgehäuses 13, die mit der Entwicklungslösung in Berührung gelangen, aufgesetzt. Dabei ist die Heizplatte 24 an der Innenseite des Behandlungsgehäuses 13 mit einem kleinen Abstand dazwischen positioniert. Die Temperatur der Heizplatte 24 wird durch eine Temperaturregelschaltung TCC entsprechend einem vom Temperatursensor TS gelieferten Temperatursignal geregelt, um damit die Temperatur der Entwicklungslösung unmittelbar zu regeln oder einzustellen. In diesem Fall ist es zur Verbesserung des Wirkungsgrads der Heizplatte 24 vorteilhaft, über die Rohrleitung 9 und eine Umwälzöffnung 5 Kühlluftströme durch einen zwischen der Heizplatte 24 und dem Behandlungsgehäuse 13 festgelegten Raum strömen zu lassen.
• Eine automatische Entwicklungsvorrichtung gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist im folgenden anhand von Fig. 5 beschrieben. Diese dritte Ausführungsform gemäß Fig. 5 besitzt im wesentlichen die gleiche Funktion wie die erste Ausführungsform nach Fig. 1, nur mit dem Unterschied, daß ein Lösungssammler 24 so ausgebildet ist, daß er mit einer im Zentrum der Bodenplatte des Behandlungsgehäuses 13 vorgesehenen Öffnung, einem Ventil 25, einer Pumpe 26, einem Filter 27 und einem Reservoir oder Vorratsbehälter 28 in Verbindung steht. Die dritte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kennzeichnet sich dadurch, daß nach dem Herabfahren des Behandlungsgehäuses 13 nach Abschluß des Entwicklungsvorgangs oder -prozesses die im Behandlungsgehäuse 13 zurückgehaltene Entwicklungslösung in den Lösungssammler 24 strömt und dann durch die Pumpe 26 abgesaugt wird, um über das Ventil 25 in einer ersten Stellung desselben und den Filter 27 in den Vorratsbehälter 28 überführt zu werden. Da die im Behandlungsgehäuse 13 enthaltene Entwicklungslösung unmittelbar abgeführt oder abgesaugt wird, wird schnell (darauf) über die Düse 21 eine Spülflüssigkeit zur Einleitung des Spülvorgangs ausgesprüht. In diesem Fall ist das Ventil 25 in eine zweite Stellung gesetzt. Die benutzte, in den Flüssigkeits- bzw. Lösungssammler 24 fließende Spülflüssigkeit wird über das Ventil 25 nach außen ausgetragen.
• Bei dieser dritten Ausführungsform wird das Substrat gespült, sobald der Entwicklungsprozeß abgeschlossen ist, um damit ein übermäßiges Auflösen bzw. Anlösen des Resistmusters zu verhindern und folglich die Entwicklungsgenauigkeit zu erhöhen. Außerdem kann die benutzte Entwicklungslösung nach einem Reinigungsvorgang erneut eingesetzt werden.
• Eine Entwicklungsvorrichtung gemäß einer vierten Ausführungsform der Erfindung ist im folgenden anhand von Fig. 6 beschrieben. Diese vierte Ausführungsform besitzt mit Ausnahme eines Gaszuspeisers 30 im wesentlichen die gleiche Funktion wie die erste Ausführungsform nach Fig. 1. Ein Inertgas, z.B. gasförmiger Stickstoff, dessen Temperatur bereits geregelt bzw. eingestellt worden ist, wird von der Außenseite her in die Behandlungskammer 1A eingeleitet und später über eine Ablaßöffnung 22 oder eine andere, an anderer Stelle ausgebildete Öffnung nach außen abgeführt. Die Temperatur der Entwicklungslösung kann somit durch Einstellung der Innentemperatur der Behandlungskammer 1A genau geregelt werden. Während des Entwicklungsvorgangs empfiehlt es sich jedoch, das Abführen des Inertgases zu beenden, um die Verdampfung der Entwicklungslösung zu unterdrücken. In der Beschreibung der dritten und vierten Ausführungsformen ist ein mit einer Verdrahtung verbundenes Thermoelement, nämlich der Temperatursensor TS zur Vereinfachung der Zeichnung weggelassen worden.
• Eine der vorliegenden Erfindung entsprechende automatische Entwicklungsvorrichtung ist vorstehend anhand von Ausführungsformen beschrieben worden. Die Erfindung ist jedoch nicht hierauf beschränkt. Entsprechend den Beschreibungen der Ausführungsformen wurde das Substrat auf einer Bühne 4 montiert, nachdem der Entwicklungsbehälter mit einer Entwicklungslösung gefüllt worden war. Das Substrat kann jedoch auch auf die Substrat-Bühne 4 aufgelegt werden, bevor in letztere eine Entwicklungslösung eingespeist wird.
• Gemäß den Beschreibungen der oben angegebenen Ausführungsformen sind weiterhin die Bühne 4 feststehend und das Behandlungsgehäuse 13 lotrecht verschiebbar. Wie in Fig. 7 dargestellt, ist es jedoch auch möglich, die Zylinder 12A, 12B wegzulassen, das Behandlungsgehäuse 13 zu fixieren bzw. feststehend anzuordnen und stattdessen einen Zylinder 31 für eine lotrechte Verschiebung der Welle 3 vorzusehen und die Bühne 4 relativ zum Behandlungsgehäuse 13 lotrecht verschiebbar auszulegen.
• Darüber hinaus ist es möglich, den Sprühentwicklungsprozeß anzuwenden, indem eine Entwicklungslösung über die Spüldüse 21 versprüht wird. Wie vorstehend erwähnt, können Entwicklungs-Spülen und Trocknen automatisch sowie kontinuierlich bei auf der Bühne 4 gehaltenem Substrat durchgeführt werden, so daß die gesamte Entwicklungsvorrichtung mit einem kompakten Aufbau ausgelegt sein kann.

Claims (11)

1. Automatische Entwicklungsvorrichtung mit einem Entwicklungsbehälter und einer Zuführeinrichtung (14) zum Fördern einer Entwicklungslösung in den Entwicklungsbehälter, dadurch gekennzeichnet, daß der Entwicklungsbehälter aus einer Bühne (4), auf die ein Substrat (23) aufzulegen ist, und einem Behandlungsgehäuse (13), das relativ zur Bühne (4) bewegbar ist, um die Bühne auf zunehmen, gebildet ist, wobei die Bühne (4) zum luftdichten Verschließen des Auslasses durch Bewegen oder Verschieben des Behandlungsgehäuses mit der Bodenwand in Berührung bringbar ist, um damit den Entwicklungsbehälter zu bilden.

2. Automatische Entwicklungsvorrichtung nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine mit der Bühne (4) gekoppelte Dreheinrichtung (2, 3) zum Drehen der Bühne.

3. Automatische Entwicklungsvorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, gekennzeichnet durch eine Antriebseinrichtung (12A, 12B) zum lotrechten Antreiben bzw. Verschieben des Behandlungsgehäuses (13) oder der Bühne (4).

4. Automatische Entwicklungsvorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Dreheinrichtung eine mit der Bühne (4) verbundene Welle (3) und einen Motor (2), um der Welle (3) ein Dreh- oder Rotationsmoment zu erteilen, aufweist.

5. Automatische Entwicklungsvorrichtung nach Anspruch 1, 2, 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß nach dem Trennen des Behandlungsgehäuses (13) von der Bühne (4) nach Abschluß des Entwicklungsprozesses der Auslaß des Behandlungsgehäuses (13) das Austragen einer im Behandlungsgehäuse (13) zurückgehaltenen Entwicklungslösung erlaubt.

6. Automatische Entwicklungsvorrichtung nach Anspruch 5, gekennzeichnet durch eine mit der Auslaßöffnung des Behandlungsgehäuses (13) kommunizierende Austrageinrichtung (24, 25, 26) zum Abziehen eines Fluids über die Auslaßöffnung.

7. Automatische Entwicklungsvorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß in der Bühne (4) und der Welle (3) ein(e) Fluiddurchgang oder -leitung (5), der bzw. die mit temperaturgeregelten Fluidzuführeinrichtungen (7, 8, 9) Versehen ist, ausgebildet ist.

8. Automatische Entwicklungsvorrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß eine Temperaturmeßeinheit (TS) zum Messen der Temperatur der im Entwicklungsbehälter zurückgehaltenen Flüssigkeit vorgesehen ist und daß die temperaturgeregelten Fluidzuführeinricntungen (7, 8, 9) den (die) Fluiddurchgang oder -leitung (5) in die Lage versetzen, das Fluid aufzunehmen, dessen Temperatur einem Ausgangssignal von der Temperaturmeßeinheit (TS) entspricht.

9. Automatische Entwicklungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 8, gekennzeichnet durch eine Düse, über die eine Spül- oder Waschflüssigkeit über die Bühne (4) sprühbar ist.

10. Automatische Entwicklungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 8, gekennzeichnet durch ein die Bühne (4) und das Behandlungsgehäuse (13) umgebendes Gehäuse (1) und eine Inertgaszuführeinheit (30) zum Einführen eines Inertgases in das Gehäuse (1) zwecks Regelung oder Einstellung der in letzterem herrschenden Temperatur.

11. Automatische Entwicklungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 10, gekennzeichnet durch ein in das Behandlungsgehäuse (13) eingesetztes Heizelement (24).