DE3642445A1

DE3642445A1 - Resonatoranordnung mit einem halbleiter-laser

Info

Publication number: DE3642445A1
Application number: DE19863642445
Authority: DE
Inventors: Nobuyuki Miyauchi; Osamu Yamamoto; Hiroshi Hayashi; Saburo Yamamoto; Shigeki Maei
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1985-12-10
Filing date: 1986-12-09
Publication date: 1987-06-11
Anticipated expiration: 2006-12-10
Also published as: DE3642445C2; GB8629386D0; GB2186112A; US4817109A; GB2186112B

Description

Die Erfindung betrifft eine Resonatoranordnung mit einem Halbleiter-Laser.

Da Halbleiter-Laser Licht mit einer festen Wellenlänge erzeugen, finden sie eine breite Anwendung in optischen Kommunikations-, Meß-, Informationsverarbeitungssystemen etc., in denen sie als Quelle kohärenten Lichtes dienen. Das von Halbleiter-Lasern erzeugte Licht ändert jedoch seine Wellenlänge kontinuierlich oder diskontinuierlich in Abhängigkeit von der Temperatur und/oder dem Strom. Diese Veränderlichkeit der Wellenlänge erzeugt ein optisches Rauschen, wodurch die Leistung von optischen Systemen mit Halbleiter-Lasern herabgesetzt wird. Um diese Probleme zu vermeiden, wurden externe Resonatoranordnungen für die Halbleiter-Laser entwickelt. Fig. 5 zeigt eine herkömm liche Resonatoranordnung mit einem Halbleiter-Laser, bei welcher ein Halbleiter-Laser 1 auf einen Tragteil 2 angeordnet ist, und zwar so, daß die Seite der Schicht mit der epitaxialen Zunahme im Halbleiter-Laser 1 auf das Tragteil 2 gerichtet ist, um die Wärmeabstrahlung zu verbessern. Das von der Vorderseite 13 der aktiven Schicht 10 des Halbleiter-Lasers 1 erzeugte Licht wird durch ein Fenster 5 nach außen abgestrahlt, wobei die aktive Schicht nur einige µm über dem flächigen Tragteil 2 liegt. Das Tragteil 2 ist an einer Querplatte 6 befestigt, welche zusammen mit dem Fenster 5 und Seitenwänden 7 ein Gehäuse bildet. Auf dem Tragteil 2 ist ebenfalls ein Reflektor 3 angebracht. Ein Teil des von der Rückseite 12 des Halblei ter-Lasers 1 ausgestrahlten Lichtes wird an einer Reflexionsfläche 41 auf dem Reflektor 3 reflektiert und auf den Halbleiter-Laser 1 zurückgestrahlt. Zur Vereinfachung ist in Fig. 5 die Verdrahtung nicht dargestellt. Als Reflektor 3 kann ein Halbleiter-Chip verwendet werden, dessen Reflexionsfläche 41 beispielsweise aus einem mehrere Schichten enthaltenden, reflektierenden Film aus Metall wie Gold oder aus einer dielektrischen Substanz besteht, welcher auf eine gespaltene Fläche des Chips aufgeklebt ist.

In einem derartigen Halbleiter-Laser 1 ergibt sich ein externer Longitudinalmode λ _e=2d/(m _e+1/2), welcher von dem Abstand d zwischen der Licht emittierenden Rückseite 12 und der Reflexionsfläche 41 abhängt. Dementsprechend weist der Halbleiter-Laser 1 eine stabile Oszillatorschwingung im Longitudinalmode nahe dem Spitzenwert der Verstärkungsver teilung auf, wobei der interne Longitudinalmode λ=2nl/m, der von der internen Hohlraumlänge abhängt, ganz oder fast mit dem externen Longitudinalmode λ _e übereinstimmt, wobei m und m _e ganze Zahlen sind und n der effektive Brechungsindex des Hohlleiters im Halbleiter-Laser ist. Es wurde gefunden, daß bei einer externen Hohlraumlänge d=50 µm eine Vorrichtung mit einem Halbleiter-Laser Licht in einem stabilen Longitudinalmode über einen weiten Temperaturbe reich von 31°C mit konstanter Lichtstärke erzeugt, wie die Kurve in Fig. 6 zeigt. Die Eigenschaften einer derartigen Vorrichtung mit einem Halbleiter-Laser kommen den notwen digen Erfordernissen für optische Systeme schon nahe. Um aber die Intensität des vom Halbleiter-Laser ausgestrahlten Lichts zu stabilisieren, muß eine Regelungsschaltung vor gesehen werden, welche die Intensität des von der Vorder seite des Halbleiter-Lasers ausgestrahlten Lichtes mißt.

Dennoch können Vorrichtungen mit einem Halbleiter-Laser, wie sie in Fig. 5 gezeigt ist, nicht mit einer derartigen Regelung versehen werden, da das von der Rückseite 12 ausge strahlte Halbleiter-Laser-Licht vom Reflektor 3 zurückge worfen wird und somit nicht auf einen Fotodetektor geleitet werden kann. Daher muß eine optische Vorrichtung eingesetzt werden, durch die ein Teil des von der Vorderseite des Halbleiter-Lasers abgestrahlten Lichtes abgezweigt und zum Fotodetektor geleitet wird. Fig. 7 zeigt eine derartige optische Vorrichtung 8, die eine Kollimatorlinse 81 zum parallelen Bündeln des von der Vorderseite 13 des Halblei ter-Lasers 1 ausgestrahlten Lichtes 131, einen Strahlen teiler 82 zur Aufteilung der parallel gebündelten Licht strahlen in zwei Komponenten 132 und 133, eine erste Kondensorlinse 83 zur punktförmigen Bündelung der ersten Lichtkomponente 132 und eine zweite Kondensorlinse 84 zur punktförmigen Bündelung der zweiten Lichtkomponente 133 enthält. Die von der ersten Kondensorlinse 83 punktförmig gebündelte Lichtkomponente 132 wird als Lichtquelle zum Lesen und/oder Schreiben von Informationen verwendet, während die von der zweiten Kondensorlinse 84 punktförmig gebündelte Lichtkomponente 133 auf einen optischen Detektor 85 geleitet wird, welcher die Lichtstärke des Halbleiter- Lasers mißt. Von Nachteil ist jedoch die hohe Präzision, mit welcher die optischen Elemente angeordnet und zuein ander ausgerichtet werden müssen. Darüber hinaus wird noch die Lichtstärke des Halbleiter-Lasers herabgesetzt, da ein Teil des von der Vorderseite ausgestrahlten Lichtes zur Messung der Lichtstärke des Halbleiter-Lasers verwendet wird.

Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine Resonatoranordnung mit einem Halbleiter-Laser zu schaffen, bei welcher sich ein einfacher Aufbau ergibt und die Lichtstärke des Halbleiter-Lasers bei der Messung nicht geschwächt wird.

Diese Aufgabe wird durch die im Anspruch 1 gekennzeichneten Merkmale gelöst.

Mit der Erfindung ergeben sich folgende Vorteile:

1. Die Resonatoranordnung mit dem Halbleiter-Laser erzeugt ein Halbleiter-Laser-Licht mit einer stabilen Oszillator- Wellenlänge.
2. Die Lichtstärke des vom Halbleiter-Laser erzeugten Lichtes kann ohne ein zusätzliches, kompliziertes optisches System gemessen werden.
3. Die Lichtstärke des Halbleiter-Lasers wird bei Verwendung zum Schreiben und/oder Lesen von Informationen nicht herabgesetzt, da kein optisches System zum Aufteilen des Laser-Lichtes erforderlich wird, wodurch eine enge Bauweise und eine hohe Arbeitsgeschwindigkeit erreicht wird.
4. Die Messung der Lichtstärke des Laser-Lichtes ist repro duzierbar, wobei nur eine einfache optische Anordnung ver wendet wird, die keine präzise und komplizierte Einstellung der optischen Achse erfordert, wodurch die Herstellungs kosten niedrig gehalten werden können.

Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen gekennzeichnet.

Die Erfindung wird nachstehend anhand der in den Zeich nungen dargestellten Ausführungsformen erläutert. Es zei gen:

Fig. 1 eine Resonatoranordnung mit einem Halbleiter-Laser in einer ersten Ausführung;

Fig. 2 eine Resonatoranordnung mit einem Halbleiter-Laser in einer zweiten Ausführung;

Fig. 3 eine Resonatoranordnung mit einem Halbleiter-Laser in einer dritten Ausführung;

Fig. 4 ein Diagramm, in dem die Kurvenverläufe des Lichtstärkenverhältnisses sowie der Koeffizient der Stärke des auf den Fotodetektor treffenden Halbleiter-Laser-Lichtes aufgetragen sind;

Fig. 5 eine herkömmliche Vorrichtung mit einem Halblei ter-Laser;

Fig. 6 ein Diagramm mit dem Kurvenverlauf der Oszillator- Wellenlänge über der Temperatur; und

Fig. 7 eine optische Zusatz-Meßvorrichtung für die her kömmliche Vorrichtung mit einem Halbleiter-Laser aus Fig. 5.

Beispiel 1

Fig. 1 zeigt eine Resonatoranordnung mit einem Halbleiter- Laser 1, einem Reflektor 4, der in einem Abstand zur Licht emittierenden Rückseite 12 des Halbleiter-Lasers 1 angeord net ist, und mit einem Fotodetektor 17, der sich in der Nähe des Reflektors 4 befindet. Der Reflektor 4 besitzt eine erste Reflexionsfläche 4 a, die parallel zur Licht emittierenden Rückseite 12 ausgerichtet ist und ein Teil 121 des von der Rückseite 12 ausgestrahlten Lichtes auf den Halbleiter-Laser 1 zurückwirft, und eine zweite Reflexions fläche 4 b, die in einem Winkel R zur ersten Reflexions fläche 4 a angeordnet ist und einen anderen Teil 122 des von der Rückseite 12 ausgestrahlten Lichtes auf den Fotodetek tor 17 leitet.

Das Laser-Licht wird fächerförmig von der Rückseite 12 ausgestrahlt, wie durch strichpunktierte Linien in Fig. 1 dargestellt ist. Dabei liegen die beiden Reflexionsflächen 4 a und 4 b innerhalb des aufgefächerten Lichtstrahles. Demnach wird ein Teil 121 des von der Rückseite 12 ausgestrahlten Laser-Lichtes von der ersten Reflexionsfläche 4 a direkt auf den Halbleiter-Laser 1 zurückgeworfen, woraus sich ein externer Resonator ergibt. Andererseits wird ein anderer Teil 122 des von der Rückseite 12 ausgestrahlten Laser- Lichtes an der zweiten Reflexionsfläche 4 b reflektiert und anschließend auf den Fotodetektor 17 geleitet, mit dem die Lichtstrahlintensität des Halbleiter-Lasers 1 gemessen wird.

Das von der Vorderseite 13 ausgestrahlte Laser-Licht 131 wird als Lichtquelle zum Schreiben und/oder Lesen von Infor mationen durch eine optische Vorrichtung 18 verwendet. Da in dieser optischen Vorrichtung 18 nicht noch zusätzlich wie beim Stand der Technik die Lichtstärke gemessen werden muß, kann sie einfach aufgebaut sein und nur optische Bauteile wie eine Kondensorlinse enthalten. Somit kann das von der Vorderseite 13 ausgestrahlte Laser-Licht 131 beispielsweise wirksam zum Schreiben verwendet werden, ohne daß aufgrund zusätzlicher, komplizierter optischer Systeme irgendwelche Verluste auftreten.

Abweichend von der in Fig. 1 dargestellten Anordnung kann der Reflektor 4 mehr als zwei Reflexionsflächen aufweisen, welche in unterschiedlichen Winkeln zur Licht emittierenden Rückseite 12 des Halbleiter-Lasers 1 angeordnet sind, so daß sich beispielsweise ein Interferenzeffekt ergibt, basie rend auf unterschiedlichen externen Hohlraumlängen, wodurch eine ausgezeichnete Abstimmung der Longitudinalmoden erreicht wird. Im übrigen kann der Halbleiter-Laser 1 auch aus anderen Halbleiter-Materialien als GaAs/GaAlAs beste hen.

Beispiel 2

Im folgenden soll eine Resonatoranordnung mit einem Halb leiter-Laser behandelt werden, die neben dem Halbleiter- Laser und dem hinter der Licht emittierenden Rückseite des Halbleiter-Lasers angeordneten Reflektor einen Fotodetektor enthält, welcher wiederum hinter dem Reflektor angeordnet ist. Dabei wird das von der Rückseite des Halbleiter-Lasers ausgestrahlte Licht mindestens einmal am Reflektor und anschließend an der Licht emittierenden Rückseite des Halbleiter-Lasers reflektiert und das reflektierte Licht anschließend auf den Fotodetektor geleitet.

Das Laser-Licht wird von den Licht emittierenden Seiten des Halbleiter-Lasers in radialer Fächerform ausgestrahlt (des sen Lichtstärke eine Gauß′sche Verteilung aufweist). Dabei weisen die fächerförmigen Lichtstrahlen in der zur aktiven Schicht des Halbleiter-Lasers vertikalen Richtung eine halbe Strahlungslappenbreite von 10° bis 20° bei halbem Maximum auf. Das Verhältnis zwischen dem Spreizwinkel des vom Halbleiter-Laser ausgestrahlten Lichtes und der Stärke des auf den Fotodetektor auftreffenden Lichtes wird im folgenden behandelt.

Den Spreizwinkel R₀ des von der Rückseite des Halbleiter- Lasers ausgestrahlten Lichtes, das direkt auf den Reflektor trifft, erhält man durch folgende Gleichung (1):

R₀ = tan^-1 (h _M/d) (1)

Dabei ist h _M die Höhe desjenigen Abschnittes auf dem Reflek tor, der oberhalb der von der aktiven Schicht des Halb leiter-Lasers gebildeten Ebene liegt, und d die externe Hohlraumlänge, d.h. der Abstand zwischen der Reflexions fläche des Reflektors und der Licht emittierenden Rückseite des Halbleiter-Lasers.

Der Spreizwinkel R₁ des von der Rückseite des Halbleiter- Lasers ausgestrahlten Lichtes, welches auf den Reflektor trifft und anschließend einmal jeweils am Reflektor und an der Rückseite des Halbleiter-Lasers reflektiert wird, erhält man durch die Gleichung (2):

tan^-1 (h _M/d) < R₁ ≧ tan^-1 (h _M/3d) (2)

Die Stärke des auf den Reflektor auftreffenden Lichtes steigt jedes Mal an, wenn das von der Rückseite des Halbleiter-Lasers ausgestrahlte Licht am Reflektor und an der Rückseite des Halbleiter-Lasers reflektiert wird, wobei man den Koeffizienten α₁ der Stärke des auf den Foto detektor geleiteten Lichtes durch die Gleichung (3) erhält:

α₁ = R _r · R _M (3)

Dabei ist R _r der Reflexionsfaktor der Rückseite des Halbleiter-Lasers und R _M der Reflexionsfaktor der Reflexionsfläche auf dem Reflektor.

Schließlich erhält man den Spreizwinkel R _m des von der Rückseite ausgestrahlten Laser-Lichtes, das auf den Reflek tor trifft und anschließend m-fach an der Reflexionsfläche des Reflektors und der Licht emittierenden Rückseite des Halbleiter-Lasers reflektiert wird, durch die Gleichung (4) und den Koeffizienten α _m der Stärke des anschließend auf den Fotodetektor geleiteten Lichtes durch die Gleichung (5):

R _m-1 < R _m ≧ tan¹[h _M/d(2m + 1)] (4)

α _m = (R _r · R _M)m (5)

wobei m=0, 1, 2, 3, ..... ist.

Fig. 4 zeigt das Verhältnis zwischen R _m und a _m mit h _M= 40 µm, d=50 µm, R _r=0,32 und R _M=0,9. Die gestrichelte Kurve stellt dabei das Verhältnis zwischen dem Spreizwinkel R _m des von der Rückseite des Halbleiter-Lasers ausgestrahlten Lichtes und dem Lichtstärkenverhältnis dar. Fig. 4 zeigt, daß bei großem R _m die Lichtstärke des Halbleiter-Lasers gering ist, obwohl das Laser-Licht direkt auf den Reflektor trifft (z.B. bei R=39°, a=1). Fig. 4 zeigt ebenfalls, daß bei kleinem O trotz hoher Lichtstärke das vom Halblei ter-Laser ausgestrahlte Licht mehrfach an der Reflexions fläche des Reflektors und der Rückseite des Halbleiter- Lasers reflektiert wird, wodurch α abnimmt. Das bedeutet, daß bei sehr großem oder kleinem R die Stärke des auf den Reflektor treffenden Lichtes klein wird. Um aber eine relativ hohe Lichtstärke zu erhalten, sollte R vorzugsweise im Bereich von 6,5° bis 39° liegen, d.h. m ist dabei 1 (bei R=15° bis 39°), 2 (bei R=9° bis 15°) oder 3 (bei R= 6,5° bis 9°). Wie aus den Gleichungen (4) und (5) zu erkennen ist, wächst die Stärke des auf den Reflektor treffenden Lichtes (d.h. die Stärke des Lichtes zur Messung der optischen Intensität des Halbleiter-Lasers) mit einem Anstieg von d, R _r und R _M oder mit einem Anstieg von h _M. Dennoch ist experimentell herausgefunden worden, daß d im Bereich von 30 bis 70 µm liegen muß, um die Oszillator- Wellenlänge des vom Halbleiter-Laser erzeugten Lichtes zu stabilisieren. Ferner wird bei sehr hohem R _r die Stärke des auf den Halbleiter-Laser zurückgeworfenen Lichtes redu ziert, wodurch die Funktion des externen Resonators herab gesetzt wird. Dagegen sollte R _M vorzugsweise sehr hoch sein, und zwar 0,9 bis 1 betragen. Der sehr kleine Abschnitt der Reflexionsfläche auf dem Reflektor, der in Resonatorrichtung des Halbleiter-Lasers angeordnet ist, bildet ja zusammen mit dem Halbleiter-Laser einen externen Resonator, so daß h _M theoretisch sehr klein ausgelegt werden kann.

Wenn andererseits die Höhe h _L des über der aktiven Schicht liegenden Abschnittes im Halbleiter-Laser maximal doppelt so groß wie die Höhe h _M desjenigen Abschnittes auf dem Reflektor ist, welcher oberhalb der von der aktiven Schicht im Halbleiter-Laser gebildeten Ebene liegt, wird das vom Reflektor reflektierte Laser-Licht vom Halbleiter-Laser wieder abgestrahlt, ohne wieder auf die Rückseite des Halbleiter-Lasers zurückgeworfen zu werden. Um dieses Phänomen zu vermeiden, muß der Wert von h _M sorgfältig bestimmt werden.

Wenn - wie oben erwähnt - h _M klein ist, wird das vom Halb leiter-Laser ausgestrahlte Licht mindestens einmal jeweils am Reflektor und an der Rückseite des Halbleiter-Lasers reflektiert und das reflektierte Licht anschließend auf den Fotodetektor geleitet, so daß man das Licht zum Messen der Lichtintensität des Halbleiter-Lasers in seiner normalen Lichtstärke erhält, ohne daß die Funktion der Halbleiter- Laser-Vorrichtung zur Stabilisierung der Oszillator-Wellen länge herabgesetzt wird.

Im folgenden soll die in diesem Beispiel verwendete Resona toranordnung im einzelnen beschrieben werden:

Wie Fig. 2 zeigt, ist der Halbleiter-Laser 1 auf einem Tragteil 2 angeordnet und ein Reflektor 3 hinter dem Halbleiter-Laser 1 an einer bestimmten Stelle auf dem Tragteil 2 montiert, wobei die Reflexionsfläche 41 auf dem Reflektor 3 der Licht emittierenden Rückseite 12 des Halbleiter-Lasers 1 gegenüberliegt, wodurch ein externer Resonator gebildet wird. Ein Fotodetektor 17 wie z.B. eine Solarzelle ist hinter dem Reflektor 3 am Tragteil 2 befestigt. Die beschriebenen Bauteile 1, 2, 3 und 17 befinden sich in einem Gehäuse, wie es in Fig. 5 gezeigt ist, wobei das vom Halbleiter-Laser 1 erzeugte Licht durch ein im Gehäuse vorgesehenes Fenster nach außen abgestrahlt wird.

Bei Versorgung mit elektrischem Strom beginnt der Halb leiter-Laser 1 zu schwingen, wodurch aus der aktiven Schicht 10 im Halbleiter-Laser 1 zu beiden Seiten Laser- Licht abgestrahlt wird. Das nach vorn ausgestrahlte Laser- Licht wird beispielsweise zum Schreiben und/oder Lesen von Informationen verwendet, während das nach hinten ausge strahlte Laser-Licht von der Reflexionsfläche 41 auf dem Reflektor 3 reflektiert und anschließend auf die Rückseite 12 des Halbleiter-Lasers 1 zurückgeworfen wird. Aufgrund der externen Resonator-Anordnung schwingt der Halbleiter- Laser 1 in einem stabilen Longitudinalmode. Das vom Reflektor 3 auf den Halbleiter-Laser 1 reflektierte Licht wird an dessen Rückseite 12 wieder reflektiert und auf den Reflektor 3 geworfen. Da das von der Rückseite 12 des Halbleiter-Lasers 1 ausgestrahlte Laser-Licht einen Spreiz winkel aufweist, wird das Licht stufenweise an der Reflexionsfläche 41 des Reflektors 3 in Fächerform nach oben geführt, wobei es mehrfach zwischen der Rückseite 12 und der Reflexionsfläche 41 hin- und herläuft und anschlie ßend als Meßstrahl auf den Fotodetektor 17 trifft, der die Intensität des Laser-Lichtes mißt und ein der Lichtinten sität entsprechendes elektrisches Ausgangssignal erzeugt. Durch Messung des elektrischen Ausgangssignals, das der Stärke des auf den Fotodetektor 17 treffenden Lichtes entspricht, kann die Intensität des vom Halbleiter-Laser 1 ausgesandten Lichtes bestimmt werden. Durch Rückkopplung dieses elektrischen Signals auf die Treiberschaltung des Halbleiter-Lasers 1 kann die Intensität des vom Halbleiter- Laser 1 erzeugten Laser-Lichtes auf einen festen Wert geregelt werden.

Im zuvor beschriebenen Beispiel lag die aktive Schicht 10 in einem Abstand von 5 µm über der Oberfläche des Tragteils 2. Die externe Hohlraumlänge d, die dem Abstand zwischen der Rückseite 12 und der Reflexionsfläche 41 entspricht, betrug 50 µm und die Höhe des Reflektors 3 45 µm. Der Reflexionsfaktor der Reflexionsfläche 41 betrug 0,9. Dabei bestand die Reflexionsfläche 41 aus einer aufgedampften oder plattierten Metallschicht. Der Reflexionsfaktor der Rückseite 12 des Halbleiter-Lasers 1 betrug 0,32. Demnach wurde mit h _M=40 µm, d=50 µm, R=0,32 und R _M=0,9 die Lichtleistung des Halbleiter-Lasers 1 vom Fotodetektor 7 unter den anhand von Fig. 4 aufgezeigten Bedingungen ermittelt.

Beispiel 3

Fig. 3 zeigt eine weitere Ausführungsform der Resonator anordnung mit einem Halbleiter-Laser, die im wesentlichen denselben Aufbau wie die in Fig. 2 dargestellte Ausfüh rungsform hat - mit der Ausnahme, daß die aktive Schicht 10 des Halbleiter-Lasers 1 in einem Abstand von 60 µm über der Oberfläche des Tragteils 2 liegt und die Höhe des Reflek tors 3 100 µm beträgt. Im übrigen ist der Aufbau der Vorrichtung zur Messung der Lichtleistung des Halbleiter- Lasers 1 derselbe wie beim Beispiel 2. Während sich die aktive Schicht 10 des Halbleiter-Lasers 1 bei dem in Fig. 2 gezeigten Ausführungsbeispiel nahe an der Oberfläche des Tragteils 2 befand, liegt sie in diesem Beispiel nunmehr im mittleren Abschnitt des Halbleiter-Lasers, wodurch jedoch die Betriebssicherheit des Halbleiter-Lasers nicht gemin dert wird. Das bedeutet, daß der Reflektor in seiner Höhe groß ausgelegt werden kann, wodurch sich eine einfachere Herstellung des Reflektors ergibt.

Claims

1. Resonatoranordnung mit Halbleiter-Laser, gekennzeichnet durch

- einen Reflektor (3; 4), der gegenüber der Licht emittierenden Rückseite (12) des Halbleiter-Lasers (1) angeordnet ist, und durch
- einen hinter dem Reflektor (3; 4) angeordneten Fotodetektor (17) zur Messung der Lichtstärke des Halbleiter-Lasers (1);
- wobei ein Teil (122) des von der Rückseite (12) des Halbleiter-Lasers (1) abgestrahlten Lichtes vom Reflektor (3; 4) reflektiert und anschließend auf den Fotodetektor (17) geleitet wird.

2. Resonatoranordnung mit einem Halbleiter-Laser nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Reflektor (4) eine erste Reflexionsfläche (4 a), die parallel zur Licht emittierenden Rückseite (12) des Halbleiter-Lasers (1) angeordnet ist und die vertikal auf sie treffenden Lichtstrahlen (121) in Richtung auf den Halbleiter-Laser (1) reflektiert, und eine zweite Reflexionsfläche (4 b) aufweist, die in einem Winkel (R) zur Licht emittierenden Rückseite (12) des Halbleiter-Lasers (1) angeordnet ist und einen Teil (122) des von der Rückseite (12) des Halbleiter-Lasers (1) ausgestrahlten Lichtes in Richtung auf den Fotodetektor (17) reflektiert.

3. Resonatoranordnung mit einem Halbleiter-Laser nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein Teil des von der Rückseite (12) des Halbleiter-Lasers (1) ausgestrahl ten Lichtes mindestens einmal an dem Reflektor (3) und an der Licht emittierenden Rückseite (12) reflektiert und anschließend als Meßstrahl auf den Fotodetektor (17) geleitet wird.

4. Resonatoranordnung mit einem Halbleiter-Laser nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Höhe (h _M) desjenigen Abschnittes auf dem Reflektor (3), welcher oberhalb der von der aktiven Schicht (10) des Halbleiter- Lasers (1) gebildeten Ebene liegt, geringer als der Abstand (d) zwischen dem Halbleiter-Laser (1) und dem Reflektor (3; 4) ist.

5. Resonatoranordnung mit einem Halbleiter-Laser nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die aktive Schicht (10) in der Mitte zwischen der Ober- und der Unterseite des Halbleiter-Lasers (1) liegt.

6. Resonatoranordnung mit einem Halbleiter-Laser nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Höhe (h _M) desjenigen Abschnittes auf dem Reflektor (3), welcher oberhalb der von der aktiven Schicht (10) des Halbleiter- Lasers (1) gebildeten Ebene liegt, maximal die Hälfte der Höhe (h _L) des über der aktiven Schicht (10) liegenden Abschnittes im Halbleiter-Laser (1) beträgt.