DE3633998A1 - Strahlendetektor - Google Patents
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Description
Die Erfindung betrifft einen Strahlendetektor mit mehre
ren, in Strahlenrichtung nacheinander angeordneten Detek
torelementen.
Ein Strahlendetektor dieser Art kann in einem Detektor
array eines Computertomographen zur Erfassung der aus dem
Aufnahmeobjekt austretenden Röntgenstrahlung Verwendung
finden. In Strahlenrichtung vorhergehende Detektorelemen
te wirken dabei jeweils als Filter für nachfolgende De
tektorelemente. Aus den Ausgangssignalen der Detektorele
mente, die einzeln erfaßt werden, kann die mittlere
Strahlenenergie der empfangenen Strahlung bestimmt wer
den. Auf diese Weise ist auch eine Korrektur gemäß der
Strahlenaufhärtung im Aufnahmeobjekt, eine Korrektur un
terschiedlicher spektraler Empfindlichkeit der Detektor
elemente und eine Korrektur der Schwankungen der mittle
ren Energie des vom Strahler emittierten Spektrums ein
schließlich der Vorfilterung möglich.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Strahlen
detektor der eingangs genannten Art als Halbleiterdetek
tor in besonders einfacher Weise aufzubauen, so daß ge
trennte Detektorelemente vermieden sind.
Diese Aufgabe ist erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß der
Strahlendetektor einstückig aus einem Halbleiterkörper
aufgebaut ist, welcher mindestens einen quer zur Strah
lenrichtung verlaufenden Abschnitt, z.B. eine Nut, zur
Unterteilung in mehrere Detektorelemente aufweist, wel
cher eine geringere Leitfähigkeit als die Nachbarbereiche
hat. Bei dem erfindungsgemäßen Strahlendetektor ist die
Trennung in einzelne Detektorelemente in einfacher Weise
dadurch erreicht, daß der Detektor senkrecht zur Strah
lenrichtung durch einen Abschnitt geringerer Leitfähig
keit unterteilt, vorzugsweise eingekerbt wird. Dadurch
ist eine getrennte Kontaktierung der so gebildeten Detek
torelemente möglich.
Eine besonders zweckmäßige Ausbildung eines erfindungsge
mäßen Strahlendetektors ergibt sich, wenn der Halbleiter
körper auf der einen seiner parallel zur Strahlung lie
genden Flächen einen p- und auf der gegenüberliegenden
Fläche einen n-leitenden Bereich aufweist und wenn die
Bereiche jeweils von zwei einander gegenüberliegenden
Nuten unterbrochen sind. Auf diese Weise können zwei in
Strahlenrichtung hintereinanderliegende Dioden gebildet
werden, die als Strahlendetektor dienen.
Die Erfindung ist nachfolgend anhand eines in der Zeich
nung dargestellten Ausführungsbeispieles näher erläutert.
In der Zeichnung ist ein Strahlendetektor 1 dargestellt,
der aus zwei Detektorelementen 2, 3 besteht, die von zwei
Halbleiterdioden gebildet sind. Die detektierte Strahlung
verläuft in Richtung des Pfeiles 4, so daß die Detektor
elemente 2, 3 in Strahlenrichtung hintereinander liegen.
Der Strahlendetektor 1 ist einstückig aus einem Halblei
terkörper aufgebaut, welcher zwei quer zur Strahlenrich
tung verlaufende Nuten 5, 6 zur Unterteilung in die De
tektorelemente 2, 3 aufweist.
Die Herstellung des Strahlendetektors 1 erfolgt in der
Weise, daß ein z.B. aus Germanium oder Silicium bestehen
der, nicht dotierter Halbleiterkörper auf der einen pa
rallel zur Strahlung liegenden Fläche dotiert wird, so
daß ein p-leitender Bereich entsteht. Auf der gegenüber
liegenden Fläche wird er so dotiert, daß ein n-leitender
Bereich entsteht. Anschließend werden diese Bereiche
durch die Nuten 5, 6 unterbrochen. Auf diese Weise ent
stehen auf dem nicht dotierten i-Bereich 7 zwei p-Be
reiche 8, 9 und zwei n-Bereiche 10, 11, die zur Signal
abnahme in der in der Figur dargestellten Weise dienen
und die Dioden bilden.
Das dargestellte Ausführungsbeispiel kann so abgewandelt
werden, daß die Nut 6 entfällt und nur ein durchgehender
n-Bereich auf einer Seite des Strahlendetektors vorge
sehen ist. Der Strahlendetektor weist in diesem Fall dann
einen gemeinsamen Masseanschluß auf.
Anstelle der Nuten 5, 6 kann als Abschnitt mit schlechter
Leitfähigkeit zur Trennung der beiden Detektorelemente
auch nicht dotiertes Material entsprechend dem i-Bereich
7 vorgesehen werden, das die Nuten 5, 6 ausfüllt, wie
dies gestrichelt schraffiert dargestellt ist.
Claims (4)
1. Strahlendetektor mit mehreren, in Strahlenrichtung
nacheinander angeordneten Detektorelementen (2, 3),
dadurch gekennzeichnet, daß der
Strahlendetektor einstückig aus einem Halbleiterkörper
aufgebaut ist, welcher mindestens einen quer zur Strah
lenrichtung verlaufenden Abschnitt (5, 6) zur Untertei
lung in mehrere Detektorelemente (2, 3) aufweist, welcher
eine geringere Leitfähigkeit als die Nachbarbereiche hat.
2. Strahlendetektor nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß der Abschnitt von
einer Nut (5, 6) gebildet ist.
3. Strahlendetektor nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß der Abschnitt von
nicht dotiertem Material gebildet ist.
4. Strahlendetektor nach einem der Ansprüche 1 bis 3,
dadurch gekennzeichnet, daß der
Halbleiterkörper auf der einen seiner parallel zur Strah
lung liegenden Flächen einen p-leitenden Bereich (8, 9)
und auf der gegenüberliegenden Fläche einen n-leitenden
Bereich (10, 11) aufweist und daß diese Bereiche (8, 9,
10, 11) von zwei einander gegenüberliegenden Abschnitten
(5, 6) geringerer Leitfähigkeit unterbrochen sind.
Priority Applications (3)
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5434417A (en) * | 1993-11-05 | 1995-07-18 | The Regents Of The University Of California | High resolution energy-sensitive digital X-ray |
WO1999040454A2 (de) * | 1998-02-05 | 1999-08-12 | Forschungszentrum Jülich GmbH | Ortsauflösender gamma-detektor |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5771271A (en) * | 1997-04-16 | 1998-06-23 | Infimed, Inc. | Phototimer for radiology imaging |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2490875A1 (fr) * | 1980-09-23 | 1982-03-26 | Thomson Csf | Photodiode comportant plusieurs elements photosensibles tres rapproches qui presentent entre eux un excellent decouplage |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3550094A (en) * | 1968-04-01 | 1970-12-22 | Gen Electric | Semiconductor data storage apparatus with electron beam readout |
DE1812127A1 (de) * | 1968-12-02 | 1970-06-11 | Telefunken Patent | Halbleiteranordnung zum Messen ionisierender Strahlung |
US3691389A (en) * | 1969-06-09 | 1972-09-12 | Ronald Ellis | Radiation detector comprising semi-conductor body incorporating a two-dimensional array of p-i-n-devices |
DE2239953A1 (de) * | 1972-08-14 | 1974-02-28 | Siemens Ag | Detektoranordnung |
DE2543065A1 (de) * | 1975-09-26 | 1977-03-31 | Siemens Ag | Verfahren zum herstellen einer ortsaufloesenden detektoranordnung |
JPS5956773A (ja) * | 1982-09-25 | 1984-04-02 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | 半導体放射線検出素子 |
US4688067A (en) * | 1984-02-24 | 1987-08-18 | The United States Of America As Represented By The Department Of Energy | Carrier transport and collection in fully depleted semiconductors by a combined action of the space charge field and the field due to electrode voltages |
JPH0678376A (ja) * | 1992-05-20 | 1994-03-18 | Nec Corp | パターン付きテレコン制御方式 |
-
1986
- 1986-10-06 DE DE19863633998 patent/DE3633998A1/de not_active Withdrawn
-
1987
- 1987-10-01 US US07/103,383 patent/US4901126A/en not_active Expired - Fee Related
- 1987-10-02 JP JP1987152130U patent/JPH062282Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2490875A1 (fr) * | 1980-09-23 | 1982-03-26 | Thomson Csf | Photodiode comportant plusieurs elements photosensibles tres rapproches qui presentent entre eux un excellent decouplage |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
"Rev.Sci.Instr." 46 (1975) 53-57 * |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5434417A (en) * | 1993-11-05 | 1995-07-18 | The Regents Of The University Of California | High resolution energy-sensitive digital X-ray |
WO1999040454A2 (de) * | 1998-02-05 | 1999-08-12 | Forschungszentrum Jülich GmbH | Ortsauflösender gamma-detektor |
WO1999040454A3 (de) * | 1998-02-05 | 1999-09-23 | Forschungszentrum Juelich Gmbh | Ortsauflösender gamma-detektor |
Also Published As
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---|---|
JPH062282Y2 (ja) | 1994-01-19 |
US4901126A (en) | 1990-02-13 |
JPS6362732U (de) | 1988-04-25 |
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Legal Events
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