DE4239012C2 - Photoelektrische Konvertierungsvorrichtung zum Erfassen der Bewegung eines Objekts - Google Patents
Photoelektrische Konvertierungsvorrichtung zum Erfassen der Bewegung eines ObjektsInfo
- Publication number
- DE4239012C2 DE4239012C2 DE4239012A DE4239012A DE4239012C2 DE 4239012 C2 DE4239012 C2 DE 4239012C2 DE 4239012 A DE4239012 A DE 4239012A DE 4239012 A DE4239012 A DE 4239012A DE 4239012 C2 DE4239012 C2 DE 4239012C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- photoelectric conversion
- electrodes
- electrode
- silicon layer
- comb
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 19
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 16
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 27
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 238000005311 autocorrelation function Methods 0.000 description 1
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01V—GEOPHYSICS; GRAVITATIONAL MEASUREMENTS; DETECTING MASSES OR OBJECTS; TAGS
- G01V8/00—Prospecting or detecting by optical means
- G01V8/10—Detecting, e.g. by using light barriers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/1446—Devices controlled by radiation in a repetitive configuration
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Geophysics (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft eine photoelektrische
Konvertierungsvorrichtung
gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruches 1.
Eine derartige photoelektrische Konvertierungsvorrichtung
zum Erfassen der Bewegung eines Objekts ist aus der
Druckschrift JP 2-134875 A bekannt. Bei dieser Vorrichtung
ist zwischen einem Paar gegenüberliegender Elektroden eine
amorphe Siliziumschicht für die photoelektrische Umwandlung
angeordnet. Die Elektroden bestehen aus einer transparenten
Elektrode, die auf einer Seite der Siliziumschicht
aufgebracht ist, und aus einer ersten und zweiten
Kammelektrode, die auf der anderen Seite der
Siliziumschicht aufgebracht sind. Die Zähne der einen
Kammelektrode greifen dabei in entsprechende Zahnlücken der
anderen Kammelektrode ein. Hierdurch läßt sich ein
kompakter, integrierter Aufbau schaffen. Infolge der
vorstehend erwähnten Anordnung der Kammelektroden ergibt
sich jedoch eine sehr hohe Empfindlichkeit in der Richtung,
die senkrecht zu den Kammzähnen verläuft. Bewegt sich
jedoch ein Gegenstand im wesentlichen parallel zu den
Kammzähnen, so ist die Empfindlichkeit sehr gering und die
Erfassung des sich bewegenden Gegenstandes schwierig, wenn
nicht gar unmöglich.
Es ist somit Aufgabe der Erfindung, die photoelektrische
Konvertierungsvorrichtung der vorstehend beschriebenen Art
so weiterzubilden, daß ein sich in beliebiger Richtung
bewegender Gegenstand sicher erfaßt werden kann.
Diese Aufgabe wird durch die im Patentanspruch 1
angegebenen Merkmale gelöst.
Gemäß der Erfindung sind längs der jeweiligen Zähne der
Kammelektroden mehrere Elektrodenelemente in unregelmäßigen
Abständen befestigt, wobei die Elektrodenelemente der
ersten und zweiten Kammelektrode unterschiedlich gewichtet
sind. Durch diese Wichtung und die unterschiedliche
räumliche Anordnung dieser Elektrodenelemente wird die
Raumfiltereigenschaft bestimmt. Auf diese Weise können sich
in beliebiger Richtung bewegende Gegenstände leicht erfaßt
werden.
Zweckmäßige Ausgestaltungen der Erfindung sind in den
Unteransprüchen 2 und 3 beschrieben.
Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachstehend
anhand der Zeichnung näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 den Aufbau eines Ausführungsbeispiels einer
photoelektrischen Konvertierungsvorrichtung in
Draufsicht;
Fig. 2 den Hauptteil der in Fig. 1 dargestellten
Vorrichtung in Schnittansicht;
Fig. 3 die Anordnung des Hauptteiles einer
interdigitalen Elektrode in vergrößerter
Draufsicht;
Fig. 4 ein Blockdiagramm, das eine
Signalverarbeitungsschaltung für ein
photoelektrisches Konvertierungselement
wiedergibt;
Fig. 5 die Anordnung des Hauptteiles eines
photoelektrischen Konvertierungselementes in
vergrößerter Draufsicht; und
Fig. 6 den Hauptteil eines anderen Ausführungsbeispiels
in Schnittansicht.
Die Fig. 1 und 2 zeigen den Aufbau eines ersten
Ausführungsbeispiels einer photoelektrischen
Konvertierungsvorrichtung. Wie aus den Fig. 1 und 2
ersichtlich, sind ein transparentes Glassubstrat 1, eine
gemeinsame Elektrode 2, die aus einer transparenten,
leitfähigen Schicht besteht und auf dem Glassubstrat 1
ausgebildet ist, ein Elektrodenanschluß 2a der gemeinsamen
Elektrode 2, eine PIN-artige amorphe Siliziumschicht 3, die
auf der gemeinsamen Elektrode 2 als eine photoelektrische
Konvertierungsschicht ausgebildet ist, und eine
interdigitale Elektrode 4 vorgesehen, die auf der
Oberfläche der amorphen Siliziumschicht 3 ausgebildet ist,
der gemeinsamen Elektrode 2 gegenüberliegt und eine
Raumfilterfunktion aufweist. Die interdigitale Elektrode 4
ist so aufgebaut, daß eine dünne, aus Al, Cr oder ähnlichem
bestehende Metallschicht auf der Oberfläche der amorphen
Siliziumschicht 3 ausgebildet und die sich ergebende
Struktur in einer vorgegebenen Form gestaltet ist, um die
Funktion eines Raumfilters aufzuweisen. Die amorphe
Siliziumschicht 3 ist zwischen die gemeinsame Elektrode 2
und die interdigitale Elektrode 4 aufgenommen, um ein
photoelektrisches Element 5 zu auszubilden, das ein
Raumfilter darstellt. Das Bezugszeichen 6 bezeichnet eine
Oberflächenschutzschicht.
Wie in Fig. 1 dargestellt, ist die interdigitale Elektrode
4 aus einer ersten und einer zweiten Kammelektrode 41 und
42 zusammengesetzt, die eine Vielzahl rechteckiger
Kammzähne zur Erzielung einer Raumfilterfunktion aufweisen.
Die rechteckigen Zähne der ersten und zweiten Kammelektrode
41 und 42 sind geeignet verteilt und gemeinsam so
angeordnet, so daß sie sich mit vorgegebenem Abstand
einander gegenüberliegen. Die ersten und zweiten
Kammelektroden 41 und 42 sind so angeordnet, daß sie der
auf dem Glassubstrat 1 ausgebildeten gemeinsamen Elektrode
2 gegenüberliegen. Weiterhin sind die rechteckigen Zähne
der Kammelektroden 41 und 42 jeweils elektrisch mit
Leitungen 7a bzw. 7b verbunden, die zur Verbindung mit
einem Elektrodenanschluß 8a und einem Elektrodenanschluß 8b
herausgeführt sind. Es ist zu bemerken, daß die oben
beschriebene gemeinsame Elektrode 2 nicht in Bereichen
unter den Leitungen 7a und 7b angeordnet ist. Ferner ist
der Elektrodenanschluß 2a der gemeinsamen Elektrode 2 durch
eine dünne, aus Al, Cr oder dergleichen gebildeten
Metallschicht auf der Oberfläche der transparenten
leitfähigen Schicht ausgebildet, die die gemeinsame
Elektrode 2 darstellt.
Bei diesem Raumfilter sind im Ausführungsbeispiel 20 (in
Längsrichtung) × 26 (in Querrichtung) Zellen S, d. h.
insgesamt 520 Zellen S durch die Verwendung von
Zufallszahlen oder Pseudozufallszahlen so gewichtet, daß
"+1" und "-1" unregelmäßig angeordnet sind, wie dies in
Fig. 1 dargestellt ist. In diesem Fall wird zum Beispiel
eine M-Reihe (auch als Maximal LFSR (Linear Feedback Shift Register) bekannt)
verwendet und zweidimensional als
Pseudozufallszahlen entwickelt. Es ist zu bemerken, daß die
Gesamtsumme der Wichtungen der Zellen S etwa auf "0" zu
setzen ist. Wenn die Gesamtsumme der Wichtungen nicht "0"
ist, ist es notwendig, daß der Absolutwert der Gesamtsumme
10% oder weniger von der Summe der absoluten Werte der
Wichtungen aller Zellen S beträgt. Wenn die Autokorrelation
von einem zweidimensionalen Feld von Wichtungen berechnet
wird, wobei das Feld als räumliches Filter dient, ist ein
Peak nur an einer Stelle vorhanden und Unregelmäßigkeiten
treten in zwei Dimensionen auf. Es ist zu bemerken, daß die
Anzahl der Peaks im schlimmsten Fall vier nicht
überschreiten darf.
Bei diesem Aufbau ist die amorphe Siliziumschicht 3
zwischen der gemeinsamen Elektrode 2 und der interdigitalen
Elektrode 4 angeordnet, um das photovoltaische
photoelektrische Konvertierungselement 5 zu bilden, wobei
das Raumfilter durch die erste und zweite Kammelektrode 41
und 42 der interdigitalen Elektrode 4 ausgebildet ist. Wenn
bei diesem Aufbau ein Bild von zum Beispiel einem Mann als
Zielobjekt von der Seite des Glassubstrats 1 in der
Richtung einfällt, wie dies durch den Pfeil in Fig. 2
gezeigt ist, wird das Bild auf das photoelektrische
Umwandlungselement 5 projiziert. Als Folge fließt der
größte Teil des in der amorphen Siliziumschicht 3
fließenden Stromes in Längsrichtung, in der ein internes
elektrisches Feld durch die PIN-Struktur erzeugt wird, da
die Isoliereigenschaft der Schicht 3 in seitlicher Richtung
(Querrichtung) größer als in Längsrichtung ist. Dadurch
entsprechen die an den Elektrodenanschlüssen 8a und 8b
abgegriffenen Signale den Lichtanteilen, die auf die erste
bzw. zweite Kammelektrode 41 und 42 projiziert werden.
Bei dem in Fig. 3 dargestellten Raumfilter bilden die
rechteckigen Kammzähne die Zellen S aus, die jeweils eine
Lichtempfindlichkeit aufweisen. Die Breite P₁ jeder Zelle S
beträgt 380 µm und der Abstand P₂ zwischen den jeweiligen
Zellen S beträgt 140 µm. In diesem Fall ergibt sich das
Verhältnis von Abstand P₂ zu Breite P₁ zu 0.4 oder weniger.
Die erste und zweite Kammelektrode 41 und 42 bilden die
Zellen, die jeweils mit "+1" und "-1" gewichtet sind, in
Form einer 20 (in Längsrichtung) × 26 (in Querrichtung)
Matrix aus und sind entsprechend an die
Elektrodenanschlüsse 8a und 8b angeschlossen. Demzufolge
sind alle Ausgänge zu Ausgängen "+1" bzw. "-1"
zusammengefaßt, so daß ein Ausgangssignal in Abhängigkeit
davon erhalten werden kann, ob die Ausgänge mit den
Eingangsklemmen der in Fig. 4 dargestellten
Signalverarbeitungsschaltung verbunden sind.
Fig. 4 zeigt die Signalverarbeitungsschaltung für das in
den Fig. 1 und 2 dargestellte photoelektrische
Konvertierungselement 5. Wie aus Fig. 4 ersichtlich, sind
ein Differenzverstärker 11, ein Bandpaßfilter 12, ein A/D-
Wandler 13 sowie eine arithmetische Verarbeitungseinheit 14
vorgesehen.
Wenn Ausgangssignale von der ersten und zweiten
Kammelektrode 41 und 42 über die Elektrodenanschlüsse 8a
und 8b in den Differenzverstärker 11 eingegeben werden,
wird die Differenz zwischen den Ausgangssignalen
entsprechend verstärkt. Wenn zum Beispiel das Bild eines
Menschen, das auf das photoelektrische
Konvertierungselement 5 projiziert wird, sich über eine
Wegstrecke bewegt, die dem zweifachen Wert von P₁ und P₂
entspricht (P₁: Elektrodenbreite; P₂: Elektrodenabstand),
tritt eine Helligkeitsänderung ein, die einer Periode
entspricht und die durch das photoelektrische
Konvertierungselement 5 in ein elektrisches Signal
umgewandelt wird. Es ist festzustellen, daß die Frequenz
dieses elektrischen Signals durch die
Bewegungsgeschwindigkeit des Mannes festgelegt wird. Das
Signal wird in das Bandpaßfilter 12 eingegeben. Das
Bandpaßfilter 12 läßt die Signalfrequenz, die auf dem sich
bewegenden Mann beruht, hindurch. Das Ausgangssignal des
Bandpaßfilters 12 wird durch den A/D-Wandler 13 A/D-
konvertiert und das resultierende Signal wird zur
arithmetischen Verarbeitungseinheit 14 ausgegeben. Die
arithmetische Verarbeitungseinheit 14 berechnet im Ausführungs
beispiel eine Autokorrelationsfunktion, um die
Bewegungsgeschwindigkeit des Objektes zu berechnen. Ein
Ausgangssignal der arithmetischen Verarbeitungseinheit 14
wird als ein der Anzahl und der Bewegung der sich
bewegenden Objekte entsprechendes Signal an eine
Ausgangsklemme 15 angelegt. Dieses Ausgangssignal kann
als Bewegungsüberwachungssignal für ein Lebewesen,
welches sich unregelmäßig bewegt, benutzt werden.
Bei dem oben beschriebenen Ausführungsbeispiel können, wenn
die erste und zweite Kammelektrode 41 und 42 auf der
amorphen Siliziumschicht 3 gebildet werden, Dunkelströme,
die in dem photoelektrischen Konvertierungselement 5
fließen, durch Ätzung der n-Schicht der amorphen
Siliziumschicht 3 an Stellen zwischen den entsprechenden
Elektroden reduziert werden, wobei durch die Ätzung
Vertiefungen 3a auf der amorphen Siliziumschicht 3
ausgebildet werden, wie dies in Fig. 5 dargestellt ist.
Bei dem obigen Ausführungsbeispiel sind die entsprechenden
Zellen des Raumfilters jeweils mit "+1" bzw. "-1"
gewichtet. Jedoch können die Zellen S auch durch "+1", "-1"
bzw. "0" gewichtet werden, wobei diese gewichteten Zellen S
unregelmäßig angeordnet sind, so daß die Ausgangssignale
der Zellen S, die mit dem gleichen Koeffizienten gewichtet
sind, zu einem Ausgangssignal zusammengefaßt werden und ein
Ausgangssignal in Abhängigkeit davon erhalten werden kann,
ob das Ausgangssignal an die Signalverarbeitungsschaltung
angelegt wird.
Das photoelektrische Konvertierungselement 5 weist beim
obigen Ausführungsbeispiel die gemeinsame Elektrode 2 auf
der Seite des transparenten Glassubstrates 1 auf. Jedoch
kann der gleiche Effekt wie oben erzielt werden, falls die
interdigitale Elektrode 4, welche die Raumfilterfunktion
aufweist, auf der Seite des Glassubstrates 1 ausgebildet
ist. Weiterhin kann der gleiche oben beschriebene Effekt
durch folgende Anordnung erzielt werden. Anstelle des
transparenten Glassubstrates 1 wird ein Metallsubstrat
verwendet und auf der Oberfläche des Metallsubstrates eine
Isolierschicht ausgebildet. Ein photoelektrisches
Konvertierungselement 5 wird auf der Isolierschicht
ausgebildet. In diesem Fall fällt Licht von einem
Zielobjekt von der gegenüberliegenden Seite des
Metallsubstrates ein, d. h. das Licht fällt nach unten auf
das photoelektrische Konvertierungselement 5 ein.
Fig. 6 stellt den Hauptteil eines weiteren
Ausführungsbeispiels dar. Bei dem in Fig. 2 dargestellten
Ausführungsbeispiel ist das photoelektrische
Konvertierungselement 5 auf dem Glassubstrat 1
ausgebildet. Anstelle dieses Glassubstrates 1 wird in
diesem Fall ein Siliziumsubstrat 101 verwendet. Eine
amorphe Siliziumschicht 3 ist über einer Isolierschicht
109 auf dem Siliziumsubstrat 101 ausgebildet, wobei das
Licht von einem Zielobjekt, wie oben beschrieben, nach
unten auf das photoelektrische Konvertierungselement 5
einfällt. Ferner ist die oben beschriebene, in Fig. 4
dargestellte Signalverarbeitungsschaltung als eine
integrierte Schaltung 110 auf dem Siliziumsubstrat 101
ausgebildet. Da bei diesem Ausführungsbeispiel ein
Raumfilter auf dem Siliziumsubstrat 101, auf dem sich die
integrierte Schaltung 110 befindet, ausgebildet ist, kann
fast die ganze Oberfläche des photoelektrischen
Konvertierungselementes 5 als Bereich für das Raumfilter
verwendet werden, der Lichtempfindlichkeit aufweist, ohne
auf einen Photodetektorbereich des Elementes 5 verzichten
zu müssen.
Da ein Raumfilter mit Unregelmäßigkeiten und ein
photoelektrisches Konvertierungselement mit einer amorphen
Siliziumschicht integral ausgebildet werden, kann die
Entwicklung eines optischen Systemes sehr vereinfacht und
ein einfacher Aufbau realisiert werden, so daß eine
großdimensionierte photoelektrische
Konvertierungsvorrichtung zu niedrigen Kosten hergestellt
werden kann. Ferner kann bei Verwendung einer amorphen
Siliziumschicht ein Raumfilterelement mit einer großen
Fläche kostengünstig hergestellt werden. Da das Raumfilter
Unregelmäßigkeiten aufweist, kann ferner die Bewegung von
Objekten innerhalb des Sichtfeldes ohne Rücksicht auf die
Bewegungsrichtungen der Objekte erfaßt werden. Weiterhin
ist die Auslöschung zwischen den Bewegungen der Objekte an
verschiedenen Orten innerhalb des Sichtfeldes reduziert, so
daß die Unabhängigkeit eines jeden Ortes sichergestellt
werden kann und ein deutliches Frequenzsignal, das auf der
Bewegung eines jeden Zielobjektes beruht, erhalten werden
kann. Da ferner eine amorphe Siliziumschicht bei niedrigen
Temperaturen ausgebildet werden kann, kann die Schicht auf
einem Siliziumsubstrat ausgebildet werden. Deshalb können
die entsprechenden Komponenten einschließlich der
Signalverarbeitungsschaltung integriert werden.
Claims (4)
1. Photoelektrische Konvertierungsvorrichtung mit
- - einem Paar gegenüberliegender Elektroden (2, 4) und
- - einer zwischen den Elektroden angeordneten amorphen Siliziumschicht (3) zur Durchführung einer photoelektri schen Umwandlung von Licht, das Licht eines Zielobjektes enthält,
- - wobei wenigstens eine der beiden Elektroden (2, 4) in eine erste und zweite Kammelektrode (41, 42) mit Kamm zähnen unterteilt ist, die im Abstand einander gegenüber liegend angeordnet und entsprechend mit der Siliziumschicht (3) zur Ausbildung einer Raumfilterelektrode in elektrisch positiver und negativer Ausrichtung verbunden sind, dadurch gekennzeichnet,
daß eine Vielzahl von Elektrodenelementen (S) mit den
Kammzähnen verbunden ist, wobei die Elektrodenelemente (S)
der beiden Kammelektroden (41, 42) unregelmäßig angeordnet
sind.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß die unregelmäßig angeordneten Elektrodenelemente (S) in
Übereinstimmung mit der ersten und zweiten Kammelektrode
entsprechend gewichtet sind und ein Absolutwert der Summe
aller Wichtungen der Elektrodenelemente (S) nicht größer
als 10% einer Summe absoluter Werte der Wichtungen aller
Elemente ist.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet,
daß ein Siliziumsubstrat (101) vorgesehen ist, auf welchem
die amorphe Siliziumschicht (3) so ausgebildet ist, daß
eine integrierte Schaltung (110) zur Verarbeitung der von
den beiden Elektroden (2, 4) abgegebenen Signale auf dem
Siliziumsubstrat (101) ausgebildet ist.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3329835A JPH05145049A (ja) | 1991-11-19 | 1991-11-19 | 光電変換装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4239012A1 DE4239012A1 (de) | 1993-05-27 |
DE4239012C2 true DE4239012C2 (de) | 1996-10-17 |
Family
ID=18225764
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE4239012A Expired - Fee Related DE4239012C2 (de) | 1991-11-19 | 1992-11-19 | Photoelektrische Konvertierungsvorrichtung zum Erfassen der Bewegung eines Objekts |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5315100A (de) |
JP (1) | JPH05145049A (de) |
DE (1) | DE4239012C2 (de) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4445196A1 (de) * | 1994-12-17 | 1996-06-20 | Abb Patent Gmbh | Bewegungsmelder zur Erfassung der aus einem zu überwachenden Raumbereich kommenden Strahlung |
AU8502598A (en) | 1997-07-21 | 1999-02-10 | Uniax Corporation | Thin film spatial filters |
RU2350031C1 (ru) * | 2007-07-04 | 2009-03-20 | Игорь Борисович Дунаев | Способ передачи и приема сигналов квадратурной амплитудной модуляции, система для его осуществления, машиночитаемый носитель и применение способа для синхронизации приема сигналов квадратурной амплитудной модуляции |
US7952106B2 (en) * | 2009-04-10 | 2011-05-31 | Everlight Electronics Co., Ltd. | Light emitting diode device having uniform current distribution and method for forming the same |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3569997A (en) * | 1967-07-13 | 1971-03-09 | Inventors And Investors Inc | Photoelectric microcircuit components monolythically integrated with zone plate optics |
US3483096A (en) * | 1968-04-25 | 1969-12-09 | Avco Corp | Process for making an indium antimonide infrared detector contact |
US4063281A (en) * | 1972-12-29 | 1977-12-13 | Research Corporation | Motion detection employing direct Fourier transforms of images |
US3993976A (en) * | 1974-05-13 | 1976-11-23 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Method and apparatus for pattern analysis |
JPS5639429A (en) * | 1979-09-06 | 1981-04-15 | Hamamatsu Tv Kk | High-speed pulse light sensor |
JPS57125496A (en) * | 1981-01-27 | 1982-08-04 | Fujitec Kk | Condition detector |
US4520343A (en) * | 1980-12-16 | 1985-05-28 | Hiroshi Koh | Lift control system |
US4717946A (en) * | 1983-04-20 | 1988-01-05 | Applied Solar Energy Corporation | Thin line junction photodiode |
US4873469A (en) * | 1987-05-21 | 1989-10-10 | Pittway Corporation | Infrared actuated control switch assembly |
US5130775A (en) * | 1988-11-16 | 1992-07-14 | Yamatake-Honeywell Co., Ltd. | Amorphous photo-detecting element with spatial filter |
JPH02134875A (ja) * | 1988-11-16 | 1990-05-23 | Yamatake Honeywell Co Ltd | 光検出素子 |
JP2927437B2 (ja) * | 1988-12-06 | 1999-07-28 | 松下電工株式会社 | 人体検知装置 |
US5149980A (en) * | 1991-11-01 | 1992-09-22 | Hewlett-Packard Company | Substrate advance measurement system using cross-correlation of light sensor array signals |
-
1991
- 1991-11-19 JP JP3329835A patent/JPH05145049A/ja active Pending
-
1992
- 1992-11-18 US US07/978,756 patent/US5315100A/en not_active Expired - Fee Related
- 1992-11-19 DE DE4239012A patent/DE4239012C2/de not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5315100A (en) | 1994-05-24 |
JPH05145049A (ja) | 1993-06-11 |
DE4239012A1 (de) | 1993-05-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE69227009T2 (de) | Opto-elektronischer Skalenleseapparat | |
DE3813079C2 (de) | ||
EP0638784B1 (de) | Lichtelektrische Längen- oder Winkelmesseinrichtung | |
EP0160811B1 (de) | Photoelektrische Messeinrichtung | |
DE3503048C2 (de) | ||
DE112012005759T5 (de) | Infrarotsensor vom pyroelektrischen Typ | |
DE69735990T2 (de) | Photoleitender Detektor | |
DE3905838A1 (de) | Optischer linearkodierer | |
EP1189072A2 (de) | Anordnung zur Bestimmung des Einfallswinkels von Licht | |
EP0343366A1 (de) | Kamera | |
EP0083689B1 (de) | Lichtelektrische inkrementale Längen- oder Winkelmesseinrichtung | |
DE19648063A1 (de) | Maske zum Mustern einer Mikrolinse | |
DE2917253C2 (de) | ||
DE4239012C2 (de) | Photoelektrische Konvertierungsvorrichtung zum Erfassen der Bewegung eines Objekts | |
DE60118756T2 (de) | Optischer polarisationsempfindlichter detektor | |
DE4332859C2 (de) | Positionsgeber zur Erfassung der Lage eines Licht- oder Teilchenstrahls | |
DE69007303T2 (de) | Strahlungsdetektor. | |
EP0312056A1 (de) | Funkenerosionsmaschine | |
DE3244811A1 (de) | Verfahren und einrichtung zum vorspannen von fotoleiterdetektoren | |
DE10033263A1 (de) | Optische Positionsmesseinrichtung | |
DE2457361A1 (de) | Photoelektrisches element zur erfassung der bildschaerfe in der bildebene eines objektivs | |
DE2526110C3 (de) | Vorrichtung zum Messen kleiner Auslenkungen eines Lichtbündels | |
DE69121853T2 (de) | Gerät zur Bestimmung des Azimuts und der Höhe einer Lichtquelle | |
EP0231538B1 (de) | Optischer Weg-Sensor mit einem Filter | |
DE4239013C2 (de) | Zustandsmeßvorrichtung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |