DE3625213A1 - Verstaerker zum verstaerken von signalen in der elektrischen nachrichtentechnik - Google Patents
Verstaerker zum verstaerken von signalen in der elektrischen nachrichtentechnikInfo
- Publication number
- DE3625213A1 DE3625213A1 DE19863625213 DE3625213A DE3625213A1 DE 3625213 A1 DE3625213 A1 DE 3625213A1 DE 19863625213 DE19863625213 DE 19863625213 DE 3625213 A DE3625213 A DE 3625213A DE 3625213 A1 DE3625213 A1 DE 3625213A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- transistor
- resistor
- output
- collector
- base
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 15
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 6
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 6
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 5
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 3
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
- H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K5/00—Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
- H03K5/01—Shaping pulses
- H03K5/02—Shaping pulses by amplifying
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft einen Verstärker zum Verstärken von
Signalen in der elektrischen Nachrichtentechnik gemäß dem
Oberbegriff des Patentanspruches.
Ein solcher Verstärker ist aus dem Buch "Halbleitungsschal
tungstechnik" von U. Tietze u. Ch. Schenk, 2. Auflage, 1971
S. 162, Abb. 10.3, bekannt.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Verstärker
der obigen Art folgendermaßen weiterzubilden:
- a) Es sollen binäre Eingangssignale unterschiedlicher Amplitude und geringer Flankensteilheit so verstärkt werden, daß rechteckförmige Ausgangssignale mit kon stanter Amplitude und einer Flankensteilheit ≦ 1 ns entstehen.
- b) Es soll eine Anschlußmöglichkeit für ein Meßgerät geschaffen werden, um die Parameter des Ausgangs signals zu messen. Dabei sollen durch den Anschluß des Meßgerätes die Parameter des Ausgangssignals nur in einem vernachlässigbaren Maß verändert wer den.
- c) Im Bereich von einer unteren Grenzfrequenz von 0,1 MHz bis zu einer oberen Grenzfrequenz von 500 MHz sollen der Signaleingang und der Signal ausgang vorgegebene Ein- bzw. Ausgangswiderstände aufweisen.
- d) Die Amplitude von Überschwingern im Ausgangssignal darf nicht höher als 1% der Amplitude des Ausgangs signals selbst sein.
- e) Der Verstärker soll in einer kostengünstigen Bau weise aufgebaut sein.
Diese Aufgabe wird durch den kennzeichnenden Teil des Patent
anspruches gelöst.
Aus der Abb. 9.1 auf der S. 145 des vorgenannten Buches ist
es an sich bekannt, bei einem Differenzverstärker nicht nur
einen Transistor (wie in der Abb. 10.3) sondern beide Tran
sistoren mit Kollektorwiderständen zu beschalten.
Aus der Abb. 9.3 auf der S. 150 des vorgenannten Buches ist
es an sich bekannt, bei einem Differenzverstärker die Basis
des zweiten Transistors über einen Basisvorwiderstand mit
einer Referenzspannung zu verbinden.
Aus der Abb. 10.33 auf der S. 188 des vorgenannten Buches
ist es an sich bekannt, bei einem Emitterfolger in die Ver
bindung der Basis des betr. Transistors mit der Signalquelle
einen Längswiderstand einzufügen sowie den Kollektor mit der
Basis über eine Reihenschaltung eines Gegenkopplungswider
standes mit einem Kondensator zu verbinden.
Aus der deutschen Auslegungsschrift 10 01 433, Fig. 2, ist
es an sich bekannt, bei einem mehrstufigen Verstärker die
letzte Verstärkerstufe mit einem Betriebsausgang und einem
Meßausgang auszustatten, wobei der Betriebsausgang über ei
nen Entkopplungswiderstand und der Meßausgang über einen
Spannungsteiler angeschlossen ist.
Die Erfindung wird anhand eines in der Figur dargestellten
Ausführungsbeispieles erläutert.
Es ist ein Verstärker mit einer ersten und einer zweiten
Stufe dargestellt + U und - U sind die beiden Pole
einer Betriebsspannungsquelle und mit M ein Masseanschluß
bezeichnet.
Die erste Stufe, welche als Differenzverstärker ausgebil
det ist, besteht aus den Transistoren Ts 1 und Ts 2, den
Kollektorwiderständen R 2 und R 3, einem für beide Transi
storen gemeinsamen Emitterwiderstand R 4 sowie einer Spule
L 1. Mit E ist ein Signaleingang bezeichnet. Er ist über
einen Kondensator C 1 mit der Basis des ersten Transistors
Ts 1 verbunden. Die Basis des zweiten Transistors Ts 2 ist
über Basisvorwiderstand R 5 mit einer Referenzspannungs
quelle verbunden, welche eine Referenzspannung U ref ab
gibt. Die Referenzspannung U ref ist eine Gleichspannung,
und die Referenzspannungsquelle ist so ausgebildet, daß
diese Gleichspannung einstellbar ist. Der Kollektor und
die Basis des ersten Transistors Ts 1 sind miteinander
über eine Reihenschaltung eines ersten Gegenkopplungs
widerstandes R 1 und eines ersten Gegenkopplungskondensa
tors C 2 verbunden.
Der zuvor beschriebenen ersten Stufe ist eine zweite, als
Emitterfolge ausgebildete Stufe mit einem dritten Tran
sistor Ts 3 nachgeschaltet. Die Basis dieses Transistors
ist mit dem Kollektor des zweiten Transistors Ts 2 verbun
den, und in diese Verbindung ist ein Kondensator C 3 und
ein Längswiderstand R 6 eingefügt. Auch der dritte Tran
sistor Ts 3 ist mit einem Kollektorwiderstand R 8 beschal
tet, mit R 9 ist der zugehörige Emitterwiderstand bezeich
net. Mit diesem in Reihe liegt eine Spule L 3. Die Basis
und der Kollektor des dritten Transistors Ts 3 sind mit
einander über eine Reihenschaltung eines zweiten Gegen
kopplungswiderstandes R 7 und eines zweiten Gegenkopplungs
kondensators C 4 verbunden.
Die zweite Stufe weist einen Betriebsausgang A 1 und einen
Meßausgang A 2 auf. Der Betriebsausgang A 1 ist über eine
Reihenschaltung eines Entkopplungswiderstandes R 10 und
eines Kondensators C 5 mit dem Emitter des dritten Tran
sistors Ts 3 verbunden. Der Meßausgang A 2 ist über einen
Kondensator C 6 mit dem Abgriff eines Spannungsteilers
verbunden. Der Spannungsteiler besteht aus einem ersten
und einem zweiten Spannungsteilerwiderstand R 11 bzw.
R 12. Der erste Spannungsteilerwiderstand R 11 ist mit
dem Emitter des dritten Transistors Ts 3 verbunden. Der
zweite Spannungsteilerwiderstand R 12 ist mit dem zwei
ten Pol - U der Betriebsspannungsquelle, also mit einem
für das Ausgangssignal neutralen Pol, verbunden. In Rei
he mit dem zweiten Spannungsteilerwiderstand R 12 liegt
ein Kondensator C 7.
Beiden Stufen ist gemeinsam, daß die Kollektorwiderstände
R 2, R 3 und R 8 mit dem ersten Pol + U und die Emitterwider
stände R 4 und R 9 mit dem zweiten Pol - U der Betriebsspan
nungsquelle verbunden sind. Die Basis des ersten Transi
stors Ts 1 und die Basis des dritten Transistors Ts 3 ist
über je eine Spule L 1 bzw. L 2 mit dem Masseanschluß M
verbunden. Da hier npn-Transistoren angenommen wurden,
führt der erste Pol + U positive und der zweite Pok - U
negative Spannung gegenüber dem Masseanschluß M.
Die Funktion ist folgende:
Das zu verstärkende binäre Eingangssignal wird an dem Si
gnaleingang E gelegt. Es gelangt über den Kondensator C 1
auf die Basis des ersten Transistors Ts 1 und wird dadurch
in der ersten Stufe verstärkt. Dabei wirkt die Reihenschal
tung aus dem ersten Gegenkopplungswiderstand R 1 und dem
ersten Gegenkopplungskondensator C 2 zusammen mit dem Kol
lektorwiderstand R 2 als Gegenkopplung. Eine weitere Gegen
kopplung bewirkt der Basisvorwiderstand R 5 zusammen mit dem
Kollektorwiderstand R 3 und dem Emitterwiderstand R 4.
Das binäre Eingangssignal weist wegen seiner Übertragung
über eine lange Leitung oder wegen einer Signalverarbei
tung in den diesem Verstärker vorgeschalteten Baugruppen
nicht mehr die für ein binäres Signal ideale Rechteck
form auf. Es können außerdem Signale mit unterschiedlich
hohem Pegel auftreten. Durch die Wahl geeigneter Werte
für den ersten Gegenkopplungswiderstand R 1, den Kollek
torwiderständen R 2 und R 3, den Emitterwiderstand R 4 und
den Basisvorwiderstand R 5 ist die Verstärkung so hoch be
messen, daß bei der Mindest-Amplitude des Eingangssigna
les diese erste Stufe schon übersteuert ist und somit am
Kollektor des zweiten Transistors Ts 2 ein rechteckförmi
ges Signal mit der geforderten Flankensteilheit und kon
stanter Amplitude entsteht. Die Gegenkopplungen verhin
dern eine Schwingungsneigung, die wegen der hohen Ver
stärkung während der Impulsflanken bestehen kann. So
wird erreicht, daß die Amplitude von Überschwingern den
vorgegebenen Wert nicht überschreitet.
Im Eingangssignal können die Signalelemente für die lo
gische Eins (im folgenden kurz "Impuls" genannt) und die
jenigen für die logische Null "Pausen" genannt) unter
schiedliche Kurvenformen aufweisen. Das heißt Impulse und Pau
sen sind gegenüber einer gedachten Mittellinie nicht sym
metrisch, wenn man die Mittellinie als Symmetrieachse an
sieht und die zeitliche Verschiebung zwischen Impulsen und
Pausen unberücksichtigt läßt. Durch geeignete Einstellung
der Referenzspannung U ref läßt sich erreichen, daß im Aus
gangssignal Impulse und Pausen symmetrisch sind.
In der zweiten Stufe wirkt die Reihenschaltung, des zwei
ten Gegenkopplungswiderstandes R 7 mit dem zweiten Gegen
kopplungskondensator C 4 zusammen mit dem Längswiderstand
R 6 und dem Kollektorwiderstand R 8 ebenfalls als Gegenkopp
lung. Durch diese Gegenkopplung wird ein linearer Fre
quenzgang erreicht.
Beiden Stufen gemeinsam ist, daß alle Kondensatoren zur
Gleichstromabriegelung dienen. Sie sind so bemessen, daß
ihre Scheinwiderstandswerte auch bei der unteren Grenz
frequenz von 0,1 MHz vernachlässigbar klein sind. Die
Spulen L 1, L 2 und L 3 dienen der Gleichstromführung.
Ihre Induktivität ist so groß gewählt, daß der Schein
widerstand auch bei der unteren Grenzfrequenz einen ver
nachlässigbaren Einfluß hat. Der Emitterwiderstand R 9
dient zusammen mit dem Kollektorwiderstand R 8 zur Gleich
strom-Arbeitspunkt-Einstellung des Transistors Ts 3.
Der Verstärker ist in konventioneller Leiterplattenbau
weise aufgebaut. Dabei ergeben sich parasitäre Elemente,
das sind Kapazitäten zwischen den Leiterbahnen und Induk
tivitäten der Leiterbahnen. Auch die elektrischen Bauele
mente (Widerstände, Kondensatoren, Spulen, Transistoren)
weisen parasitäre Elemente auf.
Der erste und zweite Gegenkopplungswiderstand R 1 bzw. R 7,
die Kollektorwiderstände R 2, R 3 und R 8, die Emitterwider
stände R 4 und R 9, der Basisvorwiderstand R 5, der Längs
widerstand R 6, der Entkopplungswiderstand R 10 sowie der
erste und zweite Spannungsteilerwiderstand R 11 bzw. R 12
sind unter Berücksichtigung der parasitären Elemente so
bemessen, daß im Bereich von einer unteren Grenzfrequenz
von 0,1 MHz bis zu einer oberen Grenzfrequenz von 500 MHz
erreicht werden:
- a) Der Signaleingang E weist einen vorgegebenen Ein gangswiderstand auf.
- b) Die zweite Stufe weist einen Eingangswiderstand auf, der zum Ausgangswiderstand der ersten Stufe konjugiert komplex ist.
- c) Es besteht eine vorgegebene Kopplungsdämpfung zwi schen dem Betriebsausgang A 1 und dem Meßausgang A 2. Es ist eine solche Kopplungsdämpfung vorgege ben, daß ein Anschluß eines Meßgerätes mit belie bigem Eingangswiderstand nur einen vernachlässig bar geringen Einfluß auf die Parameter des am Be triebsausgang A 1 liegenden Ausgangssignal hat.
- d) Der Betriebsausgang A 1 und der Meßausgang weisen vorgegebene Ausgangswiderstände auf.
- e) Der Pegel am Meßausgang A 2 ist um einen vorgege benen Pegelunterschied niedriger als derjenige am Betriebsausgang A 1.
Die vorgenannte Berücksichtigung der parasitären Elemente
hat den Vorteil, daß die sonst zur Erzielung der hohen
Grenzfrequenz angewendete, jedoch teure SMD-Bauweise
(Surface-Mounted-Device-Bauweise) nicht angewendet werden
muß.
Durch die Wahl zueinander konjugiert komplexer Ausgangs-
bzw. Eingangswiderstände wird Anpassung und damit Beibe
haltung der schon in der ersten Stufe erreichten hohen
Flankensteilheit erreicht. Außerdem werden dadurch Über
schwinger vermieden.
Die Anwendung des Spannungsteilers im Zusammenhang mit dem
Meßausgang A 2 hat den Vorteil, daß sich die vorgegebene
Kopplungsdämpfung auch bei einem verhältnismäßig hohen
Ausgangswiderstand der zweiten Stufe erreichen läßt. Der
Pegelunterschied gegenüber dem Betriebsausgang A 1 ist
kein Nachteil, weil er sich bei der Auswertung der Meßer
gebnisse leicht berücksichtigen läßt.
Claims (2)
- Verstärker zum Verstärken von Signalen in der elektrischen Nachrichtentechnik mit folgenden Merkmalen:
- a) Der Verstärker weist eine erste und eine zweite Stufe auf.
- b) Die erste Stufe ist als Differenzverstärker aus geführt und weist einen ersten und einen zweiten Transistor (Ts 1 bzw. Ts 2) sowie einen Signalein gang (E) auf.
- c) Der Signaleingang (E) ist mit der Basis des ersten Transistors (Ts 1) verbunden.
- d) Der erste Transistor (Ts 1) ist mit einem Kollektor widerstand (R 2) beschaltet.
- e) Der Kollektor und die Basis des ersten Transistors (Ts 1) sind miteinander über eine Reihenschaltung eines ersten Gegenkopplungswiderstandes (R 1) und eines ersten Gegenkopplungskondensators (C 2) ver bunden.
- f) Die Basis des zweiten Transistors (Ts 2) ist über einen Basisvorwiderstand (R 5) mit einer Referenz spannungsquelle verbunden, welche eine Referenz spannung (U ref ) abgibt.
- g) Die zweite Stufe ist mit einem dritten Transistor (Ts 3) als Emitterfolge ausgeführt.
- h) Die Basis des dritten Transistors (Ts 3) ist mit dem Kollektor des zweiten Transistors (Ts 2) ver bunden.
- i) In die Verbindung zwischen der Basis des dritten Transistors (Ts 3) und dem Kollektor des zweiten Transistors (Ts 2) ist ein Längswiderstand (R 6) eingefügt.
- k) Der dritte Transistor (Ts 3) ist mit einem Kollek torwiderstand (R 8) beschaltet.
- l) Die Basis und der Kollektor des dritten Transistors (Ts 3) sind miteinander über eine Reihenschaltung eines zweiten Gegenkopplungswiderstandes (R 7) und eines zweiten Gegenkopplungskondensators (C 4) ver bunden.
- m) Die zweite Stufe weist einen Betriebsausgang (A 1) auf, welcher mit dem Emitter des dritten Transi stors (Ts 3) verbunden ist.
- n) In die Verbindung zwischen dem Betriebsausgang (A 1) und dem Emitter des dritten Transistors (Ts 3) ist ein Entkopplungswiderstand (R 10) eingefügt.
- o) Die zweite Stufe weist einen Meßausgang (A 2) auf, der mit einem Abgriff eines Spannungsteilers ver bunden ist. Der Spannungsteiler besteht aus einem ersten und einem zweiten Spannungsteilerwiderstand (R 11 bzw. R 12). Der erste Spannungsteilerwider stand (R 11) ist mit dem Emitter des dritten Tran sistors (Ts 3) verbunden. Der zweite Spanungstei lerwiderstand (R 12) ist mit einem für das Ausgangs signal neutralen Pol (- U) verbunden.
- p) Der Verstärker ist in konventioneller Leiterplatten bauweise aufgebaut.
- q) Der erste und zweite Gegenkopplungswiderstand (R 1
bzw. R 7), die Kollektorwiderstände (R 2, R 3, R 8),
die Emitterwiderstände (R 4, R 9), der Basisvorwider
stand (R 5), der Längswiderstand (R 6), der Entkopp
lungswiderstand (R 10) sowie der erste und zweite
Spannungsteilerwiderstand (R 11 bzw. R 12) sind un
ter Berücksichtigung der parasitären Elemente so
bemessen, daß im Bereich von einer unteren Grenz
frequenz von 0,1 MHz bis zu einer oberen Grenzfre
quenz von 500 MHz erreicht werden:
- q1) Der Signaleingang (E) weist einen vorgegebenen Eingangswiderstand auf.
- q2) Es besteht eine vorgegebene, hohe Kopplungs dämpfung zwischen dem Betriebsausgang (A 1) und dem Meßausgang (A 2).
- q3) Der Betriebsausgang (A 1) und der Meßausgang (A 2) weisen vorgegebene Ausgangswiderstände auf.
- q4) Bei einem Eingangssignal mit Mindest-Amplitude wird ein rechteckförmiges Ausgangssignal mit konstanter Amplitude und einer Flankensteilheit ≦ 1 ns abgegeben.
- q5) Die Amplitude von Überschwingern im Ausgangssi gnal ist nicht höher als 1% der Amplitude des Ausgangssignals selbst.
- Den Oberbegriff bilden die Merkmale a, b, c, g, h und m. Die übrigen Merkmale bilden den kennzeichnenden Teil.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19863625213 DE3625213A1 (de) | 1986-07-25 | 1986-07-25 | Verstaerker zum verstaerken von signalen in der elektrischen nachrichtentechnik |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19863625213 DE3625213A1 (de) | 1986-07-25 | 1986-07-25 | Verstaerker zum verstaerken von signalen in der elektrischen nachrichtentechnik |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3625213A1 true DE3625213A1 (de) | 1988-02-04 |
Family
ID=6305983
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19863625213 Withdrawn DE3625213A1 (de) | 1986-07-25 | 1986-07-25 | Verstaerker zum verstaerken von signalen in der elektrischen nachrichtentechnik |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE3625213A1 (de) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1198414B (de) * | 1964-05-30 | 1965-08-12 | Telefunken Patent | Schaltungsanordnung zum Vergleichen einer Eingangsspannung mit einer vorgebbaren Schwellenspannung, insbesondere zur Impulsformung |
DE1901433B2 (de) * | 1969-01-13 | 1973-06-07 | Siemens AG, 1000 Berlin u 8000 München, 1 | Ehrstufiger transistorierter wechselspannungsverstaerker mit gleichspannungsfreiem ein- und ausgang |
-
1986
- 1986-07-25 DE DE19863625213 patent/DE3625213A1/de not_active Withdrawn
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1198414B (de) * | 1964-05-30 | 1965-08-12 | Telefunken Patent | Schaltungsanordnung zum Vergleichen einer Eingangsspannung mit einer vorgebbaren Schwellenspannung, insbesondere zur Impulsformung |
DE1901433B2 (de) * | 1969-01-13 | 1973-06-07 | Siemens AG, 1000 Berlin u 8000 München, 1 | Ehrstufiger transistorierter wechselspannungsverstaerker mit gleichspannungsfreiem ein- und ausgang |
Non-Patent Citations (3)
Title |
---|
N.N: Operationsverstärker Anwendungen, In: Funkschau 1980, H.3, S.71-74 * |
TIETZE/SCHENK: Halbleiter-Schaltungstechnik, 2.Aufl., Berlin Heidelberg New York, 1971, S.145,150,188 * |
TIETZE/SCHENK: Halbleiter-Schaltungstechnik, 5.Aufl., Berlin Heidelberg New York, 1980, S.100-102,115-122 * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3435728C2 (de) | Transistorisierte Verstärker- und Mischer-Eingangsstufe | |
EP0468072B1 (de) | Hörgeräteschaltung mit einer Endstufe mit einer Begrenzungseinrichtung | |
DE3234240A1 (de) | Transistorisierte eingangsverstaerker- und mischstufe fuer einen rundfunkempfaenger | |
DE69424985T2 (de) | Transimpedanzverstärkerschaltung mit variablen Rückkopplungs- und Lastwiderstandsschaltungen | |
DE102005020615B4 (de) | Signalübertragungsanordnung mit einem Transformator und einer Empfängerschaltung | |
DE2811626C2 (de) | Filter zur Dämpfung kurzzeitiger Störsignale | |
DE69725277T2 (de) | Rauscharmer Verstärker | |
DE3621777C2 (de) | ||
DE2834673C2 (de) | Schaltung einer Verbindungsleitung zur Signalübertragung zwischen symmetrischen a- und b-Klemmen und einem unsymmetrischen Leiterpaar | |
DE2819087C2 (de) | Verstärkerschaltung mit zwei Transistoren | |
DE3013678C2 (de) | Elektronische Schaltungsanordnung zur Erzeugung geregelter Anstiegs- und Abfallzeiten eines Sinusquadrat-Signals | |
DE3625213A1 (de) | Verstaerker zum verstaerken von signalen in der elektrischen nachrichtentechnik | |
EP0319852A2 (de) | Schaltungsanordnung zur Modulation eines Halbleiter-Injektionslasers für die optische Nachrichtenübertragung | |
DE2006203A1 (de) | Differentialverstärker | |
DE3228785C2 (de) | ||
DE2355714C2 (de) | ||
DE2657589C2 (de) | Dämpfungsfreier elektronischer Schalter | |
DE2838038A1 (de) | Einspeiseeinheit mit hohem ausgangsseitigen innenwiderstand | |
DE2523090A1 (de) | Breitband-signalgenerator | |
DE2720614B2 (de) | Breitbandverstärker für Fotodioden | |
DE3229437A1 (de) | Brueckenendstufe fuer einen tonfrequenz-empfangsverstaerker | |
DE4001573C2 (de) | ||
DE1257887B (de) | Mischschaltung mit einem Transistor | |
DE1146530B (de) | Demodulator fuer amplitudenmodulierte Stromimpulse | |
DE1274754B (de) | Elektrisches Filter |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
8130 | Withdrawal |