DE3603699A1 - Siliciumstrahlteiler - Google Patents
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Description
Interferometei—Spektrometer sind in der Technik bekannt.
In diesem Zusammenhang haben Interferometer nach Michelson weit verbreitete Aufnahme gefunden, insbesondere in der
Form, bei der ein Strahlteiler zur Verwendung kommt, um zwei unabhängige optische Wege herzustellen, von denen
wenigstens einer ein bewegliches reflektierendes Element
aufweist.
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Um den Bereich von 9000 cm bis 10 cm in einem herkömmlichen Infrarotinterferometer-Spektrometer nach dem
Stand der Technik zu bestreichen, war es bisher notwendig, Altennativstrahlteiler aus Quartz, CaF- und/oder KBr
sowie auch eine Reihe gestreckter Mylarfilme verschiedener
Dicken zu verwenden. Diese Mehrfachanforderungen der
Strahlteiler je nach interessierender Wellenlänge führen offensichtlich zu einer Komplikation des Aufbaus des
Instruments. Außerdem bildet jede erforderliche Veränderung
im Aufbau des Instruments eine mögliche Fehlerquelle. Ferner
sind zahlreiche der bisher nach dem Stand der Technik als Strahlteiler verwendeten Materialien hygroskopisch, was zu
experimentellen Veränderungen führen kann, wenn nicht die
Bedingungen im Laboratorium gleichmäßig aufrechterhalten werden.
Die vorliegende Erfindung schafft ein nicht hygroskopisches
Strahlteilermaterial, welches insbesondere gut geeignet ist
zur Verwendung in dem mittleren bis fernen Infrarotspektralbereich.
Im weitesten Sinne besteht die Erfindung in der Verwendung eines HaLb Leitermateria Ls als StrahLteiLer.
Besonders bevorzugt werden Silicium, Germanium und Galliumarsenid, wobei Silicium das meistbevorzugte Material ist.
Für Strahlteiler, die für eine Verwendung bei höherer Auflösung
bestimmt sind, ist die bevorzugte körperliche Gestalt ein Keil.
Es zeigt:
Fig. 1 den Interferqmetertei I eines Interferometer-Spektrometers
nach dem Stand der Technik,
Fig. 2 die bevorzugte Gestalt eines Strahlteilers gemäß
der Erfindung.
ι / Fig. 1 zeigt in einer schematischen Darstellung ein Inter-
ferometer nach Michelson bei Verwendung in einem Interferometei—Spektrometer
nach dem Stand der Technik. Bei 10 wird eine Quelle analytischer Strahlung mit zugeordneten optischen
Elementen zum Sammeln und Hinlenken der analytischen Strahlung zu dem Interferometer gezeigt. Der Weg der analytischen
Strahlung durch das Interferometer hindurch wird durch eine einzelne Linie 11 dargestellt, um die herum ein Kreis 12
gezogen ist, um darzustellen, daß der gesammelte Strahl der
analytischen Strahlung eine beachtliche Dimension hat. Bei zahlreichen im Handel erhältlichen Einrichtungen der unter
Betracht stehenden Art kann die gesammelte Strahlung einen Durchmesser der Größenordnung von 2 oder mehr Zoll haben.
Die analytische Strahlung folgt der Richtung des Pfeilkopfes auf der Linie 11 zu einem Strahlteiler 13, welcher
den Strahl teilt, so daß er einem ersten Weg 14 zu und
von einem festen Spiegel 15 folgt und einem zweiten Weg 16 zu und von einem beweglichen Spiegel 17 folgt. Die Bewegungsrichtung
des beweglichen Spiegels 17 wird angezeigt durch die Pfeile 18, während der Mechanismus zur Lagerung
des Spiegels 17 und zur Erteilung der Bewegung allgemein
bei 19 bezeichnet ist. Die reflektierte analytische Strahlung von den Spiegeln 15 und 17 wird durch den Strahlteiler 13
erneut kombiniert, so daß sie auf der Linie 20 aus dem Interferometer austritt, wobei das Ausmaß des der Linie
20 folgenden Strahls wiederum durch den Kreis 12 bezeichnet ist. Die der Linie 20 folgende analytische Strahlung wird
in bekannter Weise zu einem Prüfabteil hingelenkt.
Die erwünschte analytische Strahlung bestimmt die Strahlteilerwahl
und verlangt häufig einen Strahlteilerwechsel
bei einem Wechsel in der Wahl der Strahlungswellenlänge.
Dies erfordert zumindest eine Einrichtungszeit und schafft
eine Möglichkeit für Einstellungfehler. Außerdem sind zahlreiche
in Vorrichtungen nach dem Stand der Technik verwendete
Strahlteilermaterialien hygroskopisch, was zu experimentellen
Veränderungen führen kann.
Es liegt im Bereiche der Erfindung, ein Halbleitermaterial
als Strahlteiler zu verwenden, wie beispielsweise die
allgemein in der HaIbleiterindustrie erzeugten Scheiben.
Es kann beispielsweise Silicium, Germanium und Galliumarsenid
verwendet werden, wobei Silicium bevorzugt wird. Diese Materialien können in dem mittleren bis fernen Infrarotspektra
Iberei ch verwendet werden, beispielsweise von
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9000 cm bis 10 cm . Bei Silicium wird erwartet, daß die Dicke zwischen 1/2 und 2 mm liegt. Silicium ist weniger
opak in dem fernen Infrarotbereich, so daß seine Dicke größer sein kann, wenn dies der interessierende Bereich
ist. In allen hier diskutierten Ausführungsformen sollten
die Oberflächen des Halbleitermaterials hochpoliert sein, beispielsweise bis zu einem Grad von 0,4 Mikron.
Es ist gefunden worden, daß Silicium in den mittleren bis fernen Infrarotbereichen einen nahezu vollkommenen Strahlteiler ergibt, indem es einen Reflexionsgrad von 45% und
einen Transmissionsgrad von 55% hat. Wie bei anderen bekannten
Strahlteilern sind wegen ihrer begrenzten Dicke
zwei Reflexionsoberf lachen vorhanden. Bei bekannten Strahlteilern
waren oft Kompensatoren erforderlich, um dieses
Problem zu bewältigen. Im Zusammenhang mit der vorliegenden
Erfindung, insbesondere in dem fernen Infrarotbereich,
können die infolge der zwei reflektierenden Oberflächen
auftretenden Probleme in angemessener Weise dadurch gelöst werden, daß man die Strahlteiler dicker macht. Dies führt
zu einer größeren Trennung der aus den zwei Oberflächen resultierenden Spitzen und demzufolge zu einer größeren
Fähigkeit, zwischen ihnen zu diskriminieren. Jedoch hat
die vergrößerte Dicke der Strahlteiler auch eine größere Absorption von Energie zur Folge.
-) Eine Alternative zu einem dickeren Strahlteiler gemäß der
Erfindung wird in Fig. 2 gezeigt, wo eine keilförmige Gestalt dargestellt ist.Der in Fig. 2 gezeigte Strahlteiler
21 kann aus einem-.beliebigen der hier beschriebenen
Materialien bestehen. Der einfallende Strahl 11 wird von der vorderen Oberfläche 22 teilweise reflektiert, wie bei
23 dargestellt. Ein Teil des übertragenen Strahls wird von der hinteren Oberfläche 24 reflektiert, wie bei 25 gezeigt.
Der übertragene Strahl wird bei 26 gezeigt. Wie im Stand der Technik bekannt, treten bei einer Reflexion dieser
Strahlung von den Reflektoren des Interferometers, wie beispielsweise
15 und 17 in Fig. 1, ähnliche optische Vorgänge auf. Daher die Notwendigkeit einer Kompensation, wie
im Stand der Technik bekannt. In der in Fig. 2 gezeigten Ausführungsform ist jedoch der Strahlteiler 21 keilförmig,
was zu einer optischen Divergenz der aus der Oberfläche 22
resultierenden Spitzen im Gegensatz zu denen der Fläche 24
führt. Somit erleichtert die Keilform das Auffinden der erwünschten Spitze ohne Interferenz von der anderen.
Es sind offensicht Iich in Kenntnis der obigen Lehren zahlreiche
Abwandlungen und Veränderungen der Erfindung möglich, Es kann daher die Erfindung selbstverständlich anders als
hier im einzelnen beschrieben zur Ausführung gelangen.
Claims (8)
1. Si IieiumstrahLteiLer für ein Interferometer-Spektrometer
mit einer analytischen InfrarotstrahLungsquelLe, einem
festen Reflektor, einem beweglichen Reflektor und einer Strahlteilereinrichtung zum Hinlenken der analytischen
Strahlung zu den Reflektoren, dadurch gekennzeichnet, daß der Strahlteiler aus einem Halbleitermaterial gebildet
ist.
2. Strahlteiler nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
daß das Halbleitermaterial Silicium ist.
European Patent Attorneys Zugelassene Vertreter beim Europäischen Patentamt
Deutsche Bank AG Hamburg, Nr. 05/28 497 (BLZ 2OO7OO 00) · Postscheck Hamburg 2842-2ΟΘ
Dresdner Bank AG Hamburg, Nr. 933 6O 35 (BLZ 2OO 8OO 00)
3. StrahlteiLer nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß das HaLbleitermaterial Germanium ist.
4. StrahLteiLer nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß das HalbLeitermateriaL GaLLiumarsenid ist.
5. StrahLteiLer nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß der StrahLteiLer in einer Keilform ausgebildet ist.
6. Strahlteiler nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet,
daß das HaLbLeitermateriaL Silicium ist.
7. StrahLteiLer nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet,
daß das HaLb Leitermateria L Germanium ist.
8. StrahLteiLer nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet,
daß das HaLb Leitermateria L Ga LLiumarsenid ist.
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