DE3534350C2

DE3534350C2 -

Info

Publication number: DE3534350C2
Application number: DE3534350A
Authority: DE
Inventors: Yoshihide Fujioka; Shigeyuki Harada; Toshihiro Ohba; Yoshiharu Nara Jp Kanatani; Hisashi Wakayama Jp Uede
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1984-09-28
Filing date: 1985-09-26
Publication date: 1987-07-02
Also published as: US4983885A; GB8523924D0; GB2165078B; JPH0546952B2; GB2165078A; DE3534350A1; US4686426A; JPS6183596A

Description

Die Erfindung betrifft eine Treiberschaltung für eine Dünnfilm-EL-Anzeigeeinrichtung gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1. Wie noch im einzelnen dargelegt werden wird, ändert sich bei einer solchen Treiberschaltung (ältere Anmeldung gemäß DE-OS 35 18 596) die Transistorspannung mit der Änderung der Zahl der emittierenden Bildelemente. Dementsprechend ändert sich dann auch die momentan an die Elektroden des Dünnfilm-EL-Anzeigefeldes gelieferte Spannung, d. h. die Elektroden können keine konstante Spannung erhalten. Die Folge sind ungleichmäßige Helligkeit und minderwertige Anzeigequalität. Außerdem kann bei wachsender Anzahl emittierender Bildelemente in einer Abtastzeile die Trei berleistung so weit absinken, daß es zu einem spürbaren Leuchtdichteabfall kommt.

Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, eine Treiber schaltung für eine Dünnfilm-EL-Anzeigeeinrichtung der eingangs genannten Art zu schaffen, die unabhängig von der Zahl der emittierenden Bildelemente für eine konstante Emissionsspannung an den Elektroden des Dünnfilm-EL-Anzeigefeldes sorgt und damit die genannten nachteiligen Effekte vermeidet.

Die Lösung der gestellten Aufgabe ist im kennzeichnenden Teil des Patentanspruchs 1 angegeben. Eine vorteilhafte Ausgestaltung der Erfindung ist einem Unteranspruch zu entnehmen.

Nachstehend wird die Erfindung anhand eines Aus führungsbeispiels unter Bezugnahme auf eine Zeichnung näher erläutert. In der Zeichnung zeigt

Fig. 1 ein Schaltbild eines Treibers für eine Dünnfilm-EL-Anzeigeeinrichtung gemäß der Erfindung,

Fig. 2 ein Strukturbild eines typischen Dünnfilm- EL-Anzeigenfeldes,

Fig. 3 ein Schaltbild des Treibers für eine vor geschlagene Dünnfilm-EL-Anzeigeeinrichtung, von der die Erfindung ausgeht,

Fig. 4 ein Kurvendiagramm, daß die Ein-Aus-Zeiten aller sog. high withstand (hohen Eingangs widerstand besitzenden und hochbelastbaren) MOS-Transistoren, Treiberstufen und Potential schaltkreise zeigt,

Fig. 5 Kurvenformen von angelegter Spannung und Ab strahlung der Bildelemente A und B in Fig. 3,

Fig. 6 ein Muster bildaussendender Elemente aus dem Dünnfilm-EL-Anzeigenfeld,

Fig. 7 ein Blockdiagramm des inneren Aufbaus der Logikschaltung (61) in Fig. 1,

Fig. 8 ein Zeitdiagramm, das die Ein-Aus-Zeiten aller MOS-Transistoren, Treiberstufen und Potential schaltkreise in Fig. 1 und ihre Kurvenformen zeigt, und

Fig. 9 ein Schaltbild eines anderen Beispiels der Kompensationsschaltung (120) für die Treiber spannung gemäß Fig. 1.

In Fig. 2, die den grundsätzlichen Aufbau des erfindungs gemäß benutzten Dünnfilm-EL-Anzeigenfeldes darstellt, be zeichnet 4 eine ZnS-Emitter-Schicht, der Mn als ein aktives Material zur Festlegung des emittierenden Bereichs beigefügt ist. 3 und 5 sind nichtleitende Schichten aus Si₃N₄, SiO₂ oder Al₂O₃. 2 ist eine transparente Elektrode, deren Anzeigenseite aus I.T.O. (Indium-Zinn- Oxyd) besteht und 6 schließlich ist eine Gegenelektro de aus Al. 1 ist ein Trägermaterial aus Glas.

In Fig. 3, die die Treiberschaltung für eine vorgeschlagene Dünnfilm- EL-Anzeigeeinrichtung der eingangs genannten Art zeigt, ist 10 ein Dünnfilm-EL-Anzeigenfeld. In dieser Figur sind nur Datenseiten-Elektroden in X-Richtung und Abtast seiten-Elektroden in Y -Richtung dargestellt. 20 und 30 sind Abtastseiten-N-Kanal-MOS-IC's für die Elek troden in Y-Richtung auf einer ungeraden bzw. geraden Leitung. 21 und 31 sind Logikschaltkreise in der Art von IC-Schieberegistern. 40 und 50 bezeichnet Abtastseiten-P-Kanal-MOS-IC's für die Elektroden in Y-Richtung auf einer ungeraden bzw. geraden Leitung. 60 ist ein Datenseiten-N-Kanal-MOS-IC und 61 ein Logikschaltkreis in der Art eines IC-Schieberegisters. 70 stellt eine Diodenreihe auf der Datenseite dar, die die Treiberschaltungen auf der Datenseite entkoppelt und einen Schutz für die Schaltelemente gegen Rückspannungen bildet. 80 ist eine Voraufladungstreiberschaltung, 90 eine Aufladungstreiberschaltung und 100 eine Schreibtreiberschaltung. 110 ist ein Schaltkreis für das Quellenpotential für die Abtastseiten-N-Kanal- MOS-IC's 20 und 30 und steht normalerweise auf Null potential.

Die Wirkungsweise der Grundschaltung der Erfindung wird im folgenden in bezug auf Fig. 4 und Fig. 5 be schrieben (vgl. ältere Anmeldung nach DE-OS 35 18 596).

Die Ein-Aus-Zeiten des MOS-Transistors, der Treiber schaltung und der Potentialwahlschaltung sind in Fig. 4 wiedergegeben. Die Kurvenformen der anliegenden Span nungen und der Abstrahlung der Bildelemente A und B (Fig. 3) sind in Fig. 5 dargestellt.

Die Beschreibung hier beruht auf der Annahme, daß die Abtastseiten-Elektroden Y ₁ und Y ₂ mit den Bildelementen A bzw. B durch einen Zeilenfolgetreiber ausgewählt wer den. Wie später besprochen wird, wird die Polarität der Spannung für die Bildelemente mit jeder Zeile gewechselt. Das Feld, in dem ein positiver Schreibimpuls an die Bild elemente von ungeradzahligen Zeilen geliefert wird, wird N-P-Feld, und das Feld, in dem ein positiver Schreibimpuls an die Bildelemente von geradzahligen Zeilen geliefert wird, P-N-Feld genannt.

N-P-Feld

A) Die Ansteuerung für die erste (ungeradzahlige) Zeile einschließlich Bildelement A verläuft fol gendermaßen:

1. Schritt T ₁: Voraufladungsperiode (ungeradzahlige Zeile)

Der Schaltkreis für das Quellenpotential 110 ist auf Nullpotential gesetzt; alle MOS-Transistoren NT ₁ bis NT _j der abtastseitigen N-Kanal-MOS-IC's 20 und 30 sind eingeschaltet. Gleichzeitig ist die Voraufladungs treiberschaltung 80 (Spannung ½VM = 30 V) einge schaltet, um das gesamte Feld über die datenseitige Diodenreihe 70 aufzuladen. Inzwischen bleiben alle MOS-Transistoren Nt ₁ bis Nt _i in den datenseitigen N-Kanal-MOS-IC's und alle MOS-Transistoren Pt ₁ bis Pt _i in den abtastseitigen P-Kanal-MOS-IC's 40 und 50 ausgeschaltet.

2. Schritt T ₂: Entladungs/Aufladungsperiode (ungeradzahlige Zeile)

Alle MOS-Transistoren NT ₁ bis NT _i in den abtastseitigen N-Kanal-MOS-IC's 20 und 30 sind ausgeschaltet. Wenn ein MOS-Transistor (z. B. Nt ₂) mit einer gewählten daten seitigen Treiberelektrode (z. B. X ₂) verbunden wird, wobei der datenseitige N-Kanal-MOS-IC 60 ausgeschaltet ist, werden die MOS-Transistoren Nt ₁ und Nt ₃ bis Nt _j, die mit allen nicht gewählten datenseitigen Treiberelektroden ver bunden sind, eingeschaltet. Gleichzeitig werden alle MOS-Transistoren Pt ₁ bis Pt _i auf den abtastseitigen P-Kanal-MOS-IC's 40 und 50 eingeschaltet. Die jetzt eingeschalteten MOS-Transistoren Nt ₁ bis Nt _j (ausgenom men Nt ₂) im datenseitigen N-Kanal-MOS-IC 60 bilden zu sammen mit den MOS-Transistoren PT ₁ bis PT _i in den ab tastseitigen P-Kanal-MOS-IC's 40 und 50 und der Dio de 101 im Schreibtreiberschaltkreis 100 eine Erdver bindung und entladen so die nicht gewählten datenseiti gen Elektroden (X _j ≠ 2).

Die Aufladungstreiberschaltung (Spannung ½VM = 30 V) wird dann eingeschaltet, um die Potentiale aller ab tastseitigen Elektroden auf 30 V zu erhöhen. Während dieser Zeit bleiben alle MOS-Transistoren NT ₁ bis NT _i in den abtastseitigen N-Kanal-MOS-IC's 20 und 30 ausgeschaltet. Dementsprechend beträgt das Potential der gewählten datenseitigen Elektrode X ₂ +30 V und das der nicht gewählten datenseitigen Elektroden (X _j ≠ 2) -30 V, wenn man bezogen auf die abtastsei tigen Elektroden Y mißt.

3. Schritt T′ ₃: Schreibtreiberperiode (ungeradzahlige Zeilen)

Da die abtastseitige Elektrode Y ₁ durch den Zeilen folgetreiber gewählt wurde, ist nur der MOS-Transistor NT ₁, verbunden mit Y ₁ im abtastseitigen N-Kanal- MOS-IC 20, eingeschaltet; alle MOS-Transistoren PT ₁ bis PT _i _-1 im P-Kanal-MOS-IC 40 auf ungeradzahligen Zeilen sind ausgeschaltet. Während dieser Zeit bleiben alle MOS-Transistoren PT ₂ bis PT _i im gegenüberliegenden P-Kanal-MOS-IC 50 auf geradzahligen Zeilen einge schaltet. Gleichzeitig wird die Schreibtreiberschaltung 100 (Spannung VM = 190 V) eingeschaltet, um das Poten tial aller abtastseitigen Elektroden auf geradzahligen Zeilen durch die MOS-Transistoren PT ₂ bis PT _i im P-Kanal-MOS-IC 50 auf 190 V anzuheben. Dadurch wächst infolge kapazitiver Kopplung die Spannung der datenseitig gewählten Elektrode auf VW + ½VM = 220 V und die der datenseitig nicht gewählten Elektrode auf VW - ½VM = 160 V.

B) Die Ansteuerung für die zweite (geradzahlige) Zeile einschließlich Bildelement B verläuft folgendermaßen:

4. Schritt T ₄: Voraufladungsperiode (geradzahlige Zeile)

Die Arbeitsweise während der Voraufladungsperiode ist die gleiche, wie im N-P-Feld, 1. Schritt.

5. Schritt T ₅: Entladungs/Aufladungsperiode (geradzahlige Zeile)

Alle MOS-Transistoren NT ₁ bis NT _i in den abtastseitigen N-Kanal-MOS-IC's 20 und 30 sind ausgeschaltet. Wenn ein MOS-Transistor (z. B. Nt ₂) mit einer gewählten eingeschalteten datenseitigen Treiberelektrode verbun den wird, dann werden die mit den nicht gewählten daten seitigen Treiberschaltungen verbundenen MOS-Transistoren Nt ₁ bis Nt _j (ausgenommen Nt ₂) im datenseitigen N-Kanal- MOS-IC 60 ausgeschaltet. Gleichzeitig werden alle MOS-Transistoren PT ₁ bis PT _i in den abtastseitigen P-Kanal-MOS-IC's 40 und 50 eingeschaltet. Der jetzt eingeschaltete MOS-Transistor Nt ₂ im datenseitigen N-Kanal-MOS-IC 60 bildet zusammen mit den MOS-Tran sistoren PT ₁ bis PT _i in den abtastseitigen P-Kanal- MOS-IC's 40 und 50 und der Diode 101 im Schreib treiberschaltkreis 100 eine Erdverbindung und entlädt so die gewählte datenseitige Elektrode.

Als nächstes wird die Aufladungstreiberschaltung (90) eingeschaltet, um das Potential aller abtastseitigen Elektroden Y auf ½VM = 30 V anzuheben. Während die ser Zeit bleiben alle MOS-Transistoren NT ₁ bis NT _i in den abtastseitigen N-Kanal-MOS-IC's 20 und 30 aus geschaltet. Dementsprechend beträgt das Potential der gewählten datenseitigen Elektrode X ₂ -30 V und das der nicht gewählten datenseitigen Elektroden (X _j ≠ 2) 30 V, wenn man bezogen auf die abtastseitigen Elektroden Y mißt.

6. Schritt T ₆: Schreibtreiberperiode (geradzahlige Zeile)

Da die abtastseitige Elektrode Y ₂ gewählt wurde, sind alle MOS-Transistoren außer PT ₂, der mit Y ₂ im abtast seitigen P-Kanal-MOS-IC 50 verbunden ist, ausgeschaltet. Mit den ausgeschalteten MOS-Transistoren NT ₂bis NT _i im abtastseitigen N-Kanal-MOS-IC 30 auf den geradzahligen Zeilen werden die MOS-Transistoren NT ₁ bis NT _i _-1 im ge genüberliegenden abtastseitigen N-Kanal-MOS-IC 20 auf den ungeradzahligen Zeilen eingeschaltet. Die Schreib treiberschaltung 100 (Spannung: Summe von VW = 190 V und ½VM = 30 V) wird eingeschaltet, um 220 V Spannung über den eingeschalteten MOS-Transistor PT ₂ an die ab tastseitige Elektrode Y ₂ zu liefern. Inzwischen wurde der Schaltkreis für das Quellenpotential 110 auf ½VM = 30 V umgeschaltet, so daß mit einem Quellen potential von 30 V auf den ungeradzahligen Zeilen des N-Kanal-MOS-IC 20 die Spannung der abtastseitigen Elektroden auf den ungeradzahligen Zeilen auf +30 V reduziert wird. Dadurch fällt infolge kapazitiver Kopplung die Spannung der datenseitig gewählten Trei berelektrode X ₂ auf -220 V und die der datenseitig nicht gewählten Elektroden (X _j ≠ 2) auf -160 V.

Der Lauf für das N-P-Feld ist abgeschlossen, wenn die Schritte T ₁ bis T ₃ auf den ungeradzahligen Zeilen und die Schritte T ₄ bis T ₆ auf den geradzahligen Zeilen folgerichtig beschritten wurden.

P-N-Feld

A) Die Ansteuerung für die erste (ungeradzahlige) Zeile, einschließlich Bildelement A im P-N-Feld verläuft folgendermaßen:

1. Schritt T ₁′: Voraufladungsperiode (ungeradzahlige Zeile)

2. Schritt T ₂′: Entladungs/Aufladungsperiode (ungeradzahlige Zeile)

Die Arbeitsweise während der Entladungs/Aufladungsperi ode ist die gleiche, wie im N-P-Feld, 5. Schritt.

3. Schritt T _3′: Schreibtreiberperiode (ungeradzahlige Zeile)

Da die abtastseitige Elektrode Y ₁ gewählt wurde, sind alle MOS-Transistoren, außer PT ₁ verbunden mit Y ₁, im abtastseitigen P-Kanal-MOS-IC 40 ausgeschaltet. So lange die MOS-Transistoren NT ₁ bis NT _i _-1 im abtast seitigen N-Kanal-MOS-IC 20 auf ungeradzahligen Zeilen ausgeschaltet bleiben, sind die MOS-Transistoren NT ₂ bis NT _i im gegenüberliegenden abtastseitigen N-Ka nal-MOS-IC 30 auf den geradzahligen Zeilen eingeschal tet. Die Schreibtreiberschaltung 100 (Spannung ist die Summe aus VW = 190 V und ½VM = 30 V) wird dann einge schaltet, um 220 V an die abtastseitige Elektrode Y ₁ über den eingeschalteten MOS-Transistor PT ₁ zu liefern. Inzwischen wurde der Schaltkreis für das Quellenpoten tial 110 auf ½VM = 30 V umgeschaltet, so daß mit einem Quellenpotential von 30 V auf den geradzahligen Zeilen des N-Kanal-MOS-IC 30 die Spannung der ab tastseitigen Elektroden auf den geradzahligen Zeilen auf +30 V reduziert wird. Dadurch fällt infolge ka pazitiver Kopplung die Spannung der datenseitig ge wählten Treiberelektrode X ₂ auf -220 V und die der datenseitig nicht gewählten Elektroden (X _j ≠ 2) auf -160 V.

4. Schritt T ₄′: Voraufladungsperiode (geradzahlige Zeile)

5. Schritt T ₅′: Entladungs/Aufladungsperiode (geradzahlige Zeile)

Die Arbeitsweise während der Entladungs/Aufladungs periode ist die gleiche, wie im N-P-Feld, 2. Schritt.

6. Schritt T ₆′: Schreibtreiberperiode (geradzahlige Zeile)

Da die abtastseitige Elektrode Y ₂ durch den Zeilenfolge treiber gewählt wurde, ist nur der MOS-Transistor NT ₂, verbunden mit Y ₂ im abtastseitigen N-Kanal-MOS-IC 30 eingeschaltet; alle MOS-Transistoren PT ₂ bis PT _i im P-Kanal-MOS-IC 50 auf geradzahligen Zeilen sind ausge schaltet. Während dieser Zeit bleiben die MOS-Transis toren PT ₁ bis PT _i _-1 im gegenüberliegenden P-Kanal-MOS-IC 40 auf ungeradzahligen Zeilen eingeschaltet. Gleich zeitig wird die Schreibtreiberschaltung 100 (Spannung VW = 190 V) eingeschaltet, um das Potential der abtast seitigen Elektroden auf den ungeradzahligen Zeilen durch die MOS-Transistoren PT ₁ bis PT _i _-1 auf den ungeradzah ligen Zeilen im P-Kanal-MOS-IC 40 auf 190 V anzuheben. Dadurch wächst infolge kapazitiver Kopplung das Poten tial der datenseitig gewählten Elektrode auf VW + ½VM = 220 V und das der datenseitig nicht ge wählten Elektroden auf VW - ½VM = 160 V.

Der Lauf für das P-N-Feld ist abgeschlossen, wenn die Schritte T ₁′ bis T ₃′ auf den ungeradzahligen Zeilen und die Schritte T ₄′ bis T ₆′ auf den geradzahligen Zeilen fol gerichtig beschritten wurden.

Wie im Zeitdiagramm in Fig. 5 dargestellt, wo abwech selnd Treiber für das N-P-Feld und das P-N-Feld wie oben beschrieben, vorhanden sind, wird die Schreib spannung von VW + ½VM (= 220 V), deren Polarität im N-P-Feld und P-N-Feld entgegengesetzt ist, den Bildele menten an gewählten Schnittpunkten zugeführt. Die sol chermaßen zugeführte Schreibspannung ist für eine Licht abgabe ausreichend. Der wechselnde Arbeitstakt, der für das Dünnfilm-EL-Anzeigenfeld erforderlich ist, wird durch zwei Felder, das N-P-Feld und das P-N-Feld, eingeschaltet. Die nicht angewählten Bildelemente empfangen eine Spannung von VW - ½VM (= 160 V), die geringer ist, als die Ansprechschwelle für die Lichtabgabe.

Darüber hinaus kann eine unterschiedliche Strahlungsin tensität zwischen den Feldern eliminiert werden, weil die Schreibspannung von Linie zu Linie mit wechselnder Polarität angeboten wird. Die Wellenformen von A _N und A _P für Bildelement A und die Wellenformen B _P und B _N für Bildelement B in Fig. 5 unterscheiden sich im Betrag der Abstrahlung, aber die integrierten Wellenformen A _N + B _P und A _P + B _N für die Bildelemente A und B sind gleich. Außerdem kann man ein Flackern durch unterschied liche Abstrahlintensität zwischen den Feldern, die durch die Verwendung von Schreibspannungen mit feldweise wech selnder Polarität verursacht werden kann, verringern. Die Strahlungsintensität differiert tatsächlich von Linie zu Linie, aber das Flackern ist nicht sichtbar, weil der Unterschied ausgeglichen ist.

Wie aus obigem verständlich ist, wird der Wechselfeld betrieb mit N-Kanal- und P-Kanal-MOS-Treibern erreicht, die, als Treiberschaltung für abtastseitige Elektroden wirkend, die Polarität der Schreibspannung für die Bild elemente von Linie zu Linie ändert. Änderungen der Ab strahlintensität, die auf die dem Feld angebotene Pola rität der Spannung zurückzuführen sind, werden ausgeglichen und Flackern reduziert. Man erhält auf diese Weise eine zweckmäßige Treiberschaltung für eine gute Anzeigen qualität.

Im Schaltkreis mit den N-Kanal- und P-Kanal-MOS-Treibern, der als Treiber für die abtastseitigen Elektroden arbei tet, wie in Fig. 3 gezeigt ist, tritt ein Problem auf, wenn den Bildelementen die von Zeile zu Zeile wechseln den Polaritäten zugeführt werden. Nimmt man speziell an, daß die abtastseitige Elektrode Y _S gerade angewählt ist, negative Schreibimpulse an die Bildelemente auf der ab tastseitigen Zeile zu liefern, so ist nur der MOS-Tran sistor PT _S, der mit Y _S im abtastseitigen P-Kanal-MOS-IC verbunden ist, zur Schreibzeit eingeschaltet. In dieser Zeit ist die Spannung, die den Elektroden im Dünnfilm- EL-Anzeigenfeld von der Schreibtreiberschaltung ange boten wird, niedrig, weil der Widerstand des eingeschal teten MOS-Transistors PT _S einen Spannungsabfall verur sacht. Der Grad des Spannungsabfalls ist unterschiedlich und hängt von der Strahlungsmenge (DATA) in einer Zeile ab; je größer die Zahl der strahlenden Elemente, umso größer wird der Laststrom und der Spannungsabfall durch den Widerstand des eingeschalteten MOS-Transistors. Des halb können, wenn das Bild nach Fig. 6 mittels Schaltung nach Fig. 3 auf dem Anzeigefeld dargestellt wird, die Abschnitte A, B, C und D verschiedene Helligkeiten auf weisen, etwa A < B < C < D, obwohl sie unbedingt die selbe Helligkeit aufweisen sollten. Das führt mit einer Modulation jeder Zeile zu einer minderwertigen Anzeige qualität.

Demgegenüber ist der Spannungsabfall, den ein N-Kanal-MOS-IC bedingt, klein, da der Ein- Widerstand eines N-Kanal-MOS-Transistors selbst klein ist. Deshalb hat der Spannungsabfall oder seine Schwankung im N-Kanal-MOS-IC nur einen vernachlässigbar kleinen Einfluß auf die Hellig keit, verglichen mit dem Einfluß des Widerstandes des eingeschalteten P-Kanal-MOS-IC.

Zur Lösung des obengenannten Problems stellt der Er finder die Treiberschaltung einer Dünnfilm-EL-Anzeige einrichtung vor und erläutert sie im folgenden.

Fig. 1 zeigt den Schaltungsaufbau der Treiberschaltung der Dünnfilm-EL-Anzeigeeinrichtung der Erfindung. Bau teile, die auch in Fig. 3 vorkommen, erhielten diesel ben Bezugsnummern, eine genaue Beschreibung dazu wurde weggelassen. Fig. 7 ist ein Blockschaltbild, das die innere Konstruktion der logischen Schaltung 61 in Fig. 1 zeigt. Fig. 8 ist ein Zeitdiagramm, das die Ein/Aus-Zeiten und Wellenformen aller MOS-Transistoren, Treiberschaltungen und der Potentialwahlschaltung zeigt.

Hier wird die Treiberzeit für eine Zeile, die einen posi tiven Schreibimpuls für die Bildelemente durch Einschal ten des N-Kanal-MOS-Transistors an die ausgewählte ab tastseitige Elektrode benötigt, N-Kanal-Treiberzeit ge nannt. Die Treiberzeit für eine Zeile, die einen nega tiven Schreibimpuls für die Bildelemente durch Einschal ten des P-Kanal-MOS-Transistors an die ausgewählte ab tastseitige Elektrode benötigt, wird P-Kanal-Treiberzeit genannt.

Der innere Aufbau der Logikschaltung 61 unter Bezug nahme auf Fig. 7 ist folgender:

Solange eine bestimmte Zeile betrieben wird, werden der exklusive Summenausgang der Anzeigeinformation DATA für die nächste Zeile (1: anzeigen, 2: nicht anzeigen) und das Signal fortlaufend in ein Schieberegister 611 mit der Kapazität einer Zeile eingegeben. Die In formation DATA + -Eingabe ins Schieberegister wird zu einer Sperrschaltung 612 geführt und zwar zu Be ginn jeder Treiberzeit (N-Kanal- und P-Kanal-Treiber zeit) und dort bis zu deren jeweiligen Ende gespeichert. 613 bezeichnet eine Torschaltung, die nur während der Schritte T ₂ und T ₅ sowie und T ₂′ und T ₅′ eingeschaltet ist, um den Ausgang der Sperrschaltung 612 den ent sprechenden Torschaltungen der datenseitigen N-Kanal- MOS-Transistoren Nt ₁ bis Nt _j zuzuführen. Während der anderen Schritte (T ₁, T ₃, T ₄, T ₆) ist die Tor schaltung ausgeschaltet, so daß der Ausgang der Sperr schaltung 612 den Torschaltungen der N-Kanal-MOS- Treiber nicht zugeführt ist.

Die fortschrittlichen Kennzeichen der Treiberschaltung der Erfindung sind nachfolgend unter Bezug auf Fig. 1 beschrieben:

120 bezeichnet eine Steuerschaltung zur Kompensation der Treiberspannung, die die Treiberspannung VW im P- Kanal-Treiber zeitgerecht zu der Anzahl ausgesendeter Bildelemente in jeder Zeile verändert. Im vorgestellten Beispiel ist die Treiberspannung zur N-Kanal-Treiberzeit konstant ohne Rücksicht auf die Zahl der abstrahlenden Bildelemente, ein Spannungseinbruch im N-Kanal-MOS-IC ist sehr klein und hat sehr geringen Einfluß auf die Anzeigequalität, selbst bei Änderung der Zahl der strahlenden Bildelemente.

In der Steuerschaltung zur Kompensation der Treiber spannung 120 bezeichnet C _S einen Ladekondensator zur Spannungskompensation. Das -Signal ist "1" zur N-Kanal-Treiberzeit und "0" zur P-Kanal-Treiber zeit. Wenn ein -Signal, ein HD-Signal (Signal für wirksame Datenperiode) und eine Anzeige-Informa tion DATA das AND-Gatter passieren, wird der Konden sator C _S vom Netzgerät VC auf eine zusätzliche Span nung von etwa 30 V aufgeladen. Die in C _S gespeicherte Spannung beträgt VC (maximal) bis OV (minimal), je nachdem wie lange DATA "1" ist (d. h. entsprechend der Anzahl der abstrahlenden Bildelemente). Das Pch-UP- Signal wird zur nächsten P-Kanal-Schreibtreiber zeit gesendet, wobei die Summe der normalen Schreib spannung VW′ und der Kompensationsspannung VS zur Schreibtreiberschaltung 100 geliefert wird.

So wird also bei der Treibermethode mit wechselnden N-Kanal und P-Kanal-Treiberzeiten die Kompensations spannung VS in den Kondensator C _S entsprechend der Zahl abstrahlender Elemente in der N-Kanal-Treiber zeit geladen. Die Summe dieser Kompensationsspan nung VS und der normalen Schreibspannung VW′ wird der Schreibtreiberschaltung 100 zur nächsten P-Kanal-Treiberzeit zugeführt, um dort Spannungsein brüche im P-Kanal-MOS-IC durch Laststrom zur P-Kanal- MOS-IC mit hohem Ein-Widerstand zu kompensieren. Eine konstante Spannung wird so an die Elektroden des Dünnfilm-EL-Anzeigenfeldes geliefert.

Wie aus obigem zu verstehen ist, sieht die in der vor liegenden Erfindung benutzte Treiberschaltung zwar große Ein-Widerstände vor, aber liefert konstante Span nung an die Elektroden des Dünnfilm-Anzeigenfeldes, ohne Rücksicht auf die wechselnde Zahl von emittieren den Bildelementen. Damit ist die Helligkeitsschwankung beseitigt und die Anzeigequalität vervollkommnet.

Andere Beispiele

Im obigen Beispiel werden die Schalttransistoren direkt durch das Anzeigeninformationssignal DATA ein- oder aus geschaltet, um die Kapazität C _S zur Ladung der Kompen sationsspannung zu steuern. Wenn die Schalttransistoren nicht entsprechend geeignet sind, dem obengenannten An zeigeninformationssignal DATA zu folgen, kann ein N-Ziffer-Zähler (N auf den jeweiligen Wert gesetzt) 121 und eine monostabile Multivibratorschaltung 122 nach Fig. 9 eingesetzt werden. In diesem Fall werden Ein/Aus- Schalttransistoren von einem Pulssignal spezieller Aus gangsform vom monostabilen Multivibrator 122 gesteuert.

Die obige Schaltung, in der N-Kanal- und P-Kanal-An steuerung abwechselnd für jede Zeile wiederholt werden, benötigt nur eine Steuerschaltung für die Treiberkom pensationsspannung 120. In der gewöhnlichen Treiber schaltung dagegen, wo N-Kanal- und P-Kanal-Ansteuerung abwechselnd für jedes Feld wiederholt werden, müssen zwei Steuerschaltungen für die Treiberkompensations spannung zum alternierenden Einsatz im P-Kanal-Treiber eingesetzt werden.

Im obigen Beispiel wird die Treiberspannung VW ent sprechend der Zahl der abstrahlenden Bildelemente nur während der P-Kanal-Treiberzeit kompensiert. Das be deutet nicht, daß nicht dieselbe VW-Kompensation auch während der N-Kanal-Treiberzeit vorgenommen werden kann, insbesondere, wenn die Anzeigequalität weiter gesteigert werden soll.

Anstatt des C-Ladungsschaltkreises kann ein D/A-Wand ler als Schaltkreis zur Erzeugung der Kompensations spannung verwendet werden, um eine Kompensationsspan nung zur Referenzspannung des Schreibtreibers zu liefern.

Wie aus der obigen detaillierten Beschreibung deutlich wird, liefert die Treiberschaltung dieser Erfindung eine konstante Emissionsspannung an die Elektroden des Dünnfilm-EL-Anzeigenfeldes, unabhän gig von der Zahl emittierender Bildelemente. Dement sprechend wird die unregelmäßige Helligkeit durch den Ein-Widerstand der Treiberschaltung - ein konventio nelles Problem bei Treiberschaltungen - vermieden und die Anzeigequalität bemerkenswert verbessert.

Claims

1. Treiberschaltung für eine Dünnfilm-EL (Elektrolumi neszenz)-Anzeigeeinrichtung, die

- mit abtastseitigen Elektroden verbundene N-Kanal- MOS-Transistoren und
- mit abtastseitigen Elektroden verbundene P-Kanal- MOS-Transistoren,
- erste Mittel zum Einschalten der N-Kanal-MOS- Transistoren zur Erzeugung von Schreibimpulsen an den Bildelementen auf den Elektrodenzeilen, mit denen die N-Kanal-MOS-Transistoren verbunden sind, ferner
- zweite Mittel zum Einschalten der P-Kanal-MOS- Transistoren zur Erzeugung von Schreibimpulsen an den Bildelementen auf den Elektrodenzeilen, mit denen die P-Kanal-MOS-Transistoren verbunden sind, sowie
- dritte Mittel zur Erzeugung einer Treiberspannung für das Dünnfilm-EL-Anzeigenfeld enthält,
- wobei die zweiten und dritten Mittel derart arbeiten, daß die N-Kanal-MOS-Transistoren und die P-Kanal-MOS- Transistoren abwechselnd ein- und ausschaltbar sind, und daß die Schreibimpulse mit von Elektrodenzeile zu Elektrodenzeile wechselnder Polarität geliefert werden,

gekennzeichnet durch

- vierte Mittel (61, 120) zum Kompensieren des Spannungs abfalls in den P-Kanal-MOS-Transistoren (PT ₁ bis PT _i _-1; PT ₂ bis PT _i) durch Addition einer der Zahl der ausgesendeten Bildelemente entsprechenden Hilfs spannung zu der mit den dritten Mitteln (100) erzeugten Treiberspannung, wenn die P-Kanal-MOS-Transistoren eingeschaltet sind.

2. Treiberschaltung für eine Dünnfilm-EL-Anzeigeein richtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Spannung zur Kompensation des Spannungsab falls speicherbar ist, solange die N-Kanal-MOS- Transistoren (NT ₁ bis NT _i _-1; NT ₂ bis NT _i) eingeschal tet sind.