DE3530999A1 - Verfahren zur herstellung von halbleiteranordnungen - Google Patents

Verfahren zur herstellung von halbleiteranordnungen

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    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2718026A1 (de) * 1976-04-22 1977-11-10 Fujitsu Ltd Verfahren zum aufwachsen einer duennschicht aus der dampfphase

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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DE2718026A1 (de) * 1976-04-22 1977-11-10 Fujitsu Ltd Verfahren zum aufwachsen einer duennschicht aus der dampfphase

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