DE3524112C1 - Passive frequency multiplier - Google Patents
Passive frequency multiplierInfo
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- DE3524112C1 DE3524112C1 DE3524112A DE3524112A DE3524112C1 DE 3524112 C1 DE3524112 C1 DE 3524112C1 DE 3524112 A DE3524112 A DE 3524112A DE 3524112 A DE3524112 A DE 3524112A DE 3524112 C1 DE3524112 C1 DE 3524112C1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B19/00—Generation of oscillations by non-regenerative frequency multiplication or division of a signal from a separate source
- H03B19/06—Generation of oscillations by non-regenerative frequency multiplication or division of a signal from a separate source by means of discharge device or semiconductor device with more than two electrodes
- H03B19/14—Generation of oscillations by non-regenerative frequency multiplication or division of a signal from a separate source by means of discharge device or semiconductor device with more than two electrodes by means of a semiconductor device
Description
Die Erfindung betrifft einen passiven Frequenzverviel
facher laut Oberbegriff des Hauptanspruches.
Passive Frequenzvervielfacher, die ausschließlich aus
passiven Bauelementen bestehen, sind bekannt (Lehrbuch der
Hochfrequenztechnik von Fritz Vilbig, 1944, S. 279, Meinke,
Einführung in die Elektrotechnik höherer Frequenzen, Band 1,
Springer-Verlag 1960, Seiten 220 bis 223 und Radio-Communi
cation, Juli 1976, Seiten 506 bis 509). Gegenüber bekannten
aktiven Frequenzvervielfachern, die beispielsweise mit in
Basisschaltung betriebenen Transistoren aufgebaut sind und
eine zusätzliche Vorspannung für den Transistor benötigen
(Frequenz, 21, 1967, 5, Seiten 152 bis 160) besitzen solche
passiven Frequenzvervielfacher den Vorteil eines einfachen
Schaltungsaufbaus mit verminderten Störquellen. Passive Fre
quenzvervielfacher bestehen aus einem unsymmetrischen oder
symmetrischen Eingangskreis, der so bemessen ist, daß er
für die Frequenz der gewünschten Harmonischen des Eingangs
signals eine niedrige Impedanz darstellt, einem Ausgangs
kreis, der die gewünschte Harmonische aus den erzeugten Ober
wellen herausfiltert, sowie einer oder vorzugsweise zwei
parallelgeschalteten Dioden zwischen Eingangskreis und Aus
gangskreis. Es ist auch bekannt, den Eingangs- bzw. Aus
gangskreis beispielsweise als Parallelschwingkreis auszu
bilden, so daß Eingangskreis und Ausgangskreis einen Gleich
strompfad gegen Masse besitzen.
Diese bekannten mit Dioden aufgebauten passiven Frequenzver
vielfacher besitzen den Nachteil, daß die an den Dioden an
liegende Durchlaßspannung, die der Differenz zwischen Ein
gangsspannung und Ausgangsspannung entspricht, durch die er
zeugte Ausgangsspannung gerade dann vermindert wird, wenn an
sich durch die Dioden der größte Strom fließen soll, der
im Hinblick auf einen großen Wirkungsgrad insbesondere zur
Erzeugung von höheren Harmonischen angestrebt wird. Außer
dem wird durch diese Ausgangsspannung die Sperrspannung
an den Dioden erhöht, wenn gerade möglichst wenig Strom
fließen soll, die Dioden also sperren sollen.
Es ist Aufgabe der Erfindung, einen passiven Frequenzver
vielfacher zu schaffen, der diesen Nachteil vermeidet und
auch für höhere Vervielfachungsfaktoren einen guten Wirkungs
grad besitzt.
Diese Aufgabe wird ausgehend von einem passiven Frequenzver
vielfacher laut Oberbegriff des Hauptanspruches durch dessen
kennzeichnende Merkmale gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen
ergeben sich aus den Unteransprüchen.
Durch den erfindungsgemäßen Ersatz der Dioden durch Transi
storen in Basisschaltung wird der Strom als Exponentialwert
der Eingangsspannung praktisch unabhängig von der Ausgangs
spannung erzeugt, durch letztere also nicht beeinflußt. Ein
erfindungsgemäßer Frequenzvervielfacher erzeugt also auch noch
bei Ausgangskreisen für höhere Harmonische ausreichenden
Strom und kann daher auch noch für höhere Vervielfachungs
werte den Ausgangskreis mit verbessertem Wirkungsgrad er
regen. Dazu kommt noch der Vorteil, daß die minimale Durch
laßspannung von Transistoren kleiner ist als die Durchlaß
spannung von Dioden, was den Wirkungsgrad zusätzlich erhöht.
Die Transistoren arbeiten als rein passive Bauelemente ohne
zusätzliche Betriebsspannung. Die erfindungsgemäße Maßnahme
ist für alle bekannten Grundschaltungen solcher passiver Fre
quenzvervielfacher geeignet, bei denen eine oder zwei, gege
benenfalls auch mehrere Dioden zwischen Eingangskreis und
Ausgangskreis vorgegeben sind. Für den erfindungsgemäßen
Zweck sind alle üblichen bipolaren Transistoren geeignet.
Die Erfindung wird im folgenden anhand schematischer Zeich
nungen an vier Ausführungsbeispielen näher erläutert.
Fig. 1 zeigt einen passiven Frequenzvervielfacher mit nur ei
nem Gleichrichterelement zwischen Eingangskreis 1 und Aus
gangskreis 2, das gemäß der Erfindung durch einen bipola
ren Transistor 3 gebildet ist, dessen Emitter mit dem Ein
gangskreis 1 und dessen Kollektor mit dem Ausgangskreis 2
verbunden ist und dessen Basis an Masse liegt. Der Eingangs
kreis 1 ist so dimensioniert, daß er für die Frequenz der
gewünschten Harmonischen eine niedrige Impedanz darstellt,
der Ausgangskreis 2 ist so dimensioniert, daß durch ihn die
gewünschte Harmonische aus dem erzeugten Oberwellenspektrum
herausgegliedert wird. Je nach Dimensionierung dieses Aus
gangskreises 2 wird eine gerade oder ungerade Harmonische
ausgefiltert, mit dem Frequenzvervielfacher nach Fig. 1 kön
nen also gerade oder ungerade Vervielfachungskosten er
zeugt werden.
Fig. 2 zeigt den Aufbau mit zwei parallelgeschalteten Tran
sistoren 4 und 5, die in diesem Beispiel als Komplementär-
Transistoren (pnp zu npn) ausgebildet sind und die wieder
in Basisschaltung betrieben sind. Mit dieser Parallelschal
tung von zwei Transistoren 4 und 5 und gemeinsamer An
steuerung über den Eingangskreis 1 können ungeradzahlige
Harmonische erzeugt werden, geradzahlige Harmonische werden
unterdrückt.
Fig. 3 zeigt die Ausbildung des Eingangskreises 1 als Symme
trierübertrager, die beiden Transistoren 6 und 7 werden
symmetrisch angesteuert und sind vom gleichen Typ. Mit die
ser Schaltung können geradzahlige Vielfache der Eingangsfre
quenz f erzeugt werden, ungeradzahlige Harmonische werden
unterdrückt.
Fig. 4 zeigt die Ausbildung des Ausgangskreises 2 als Symme
trierübertrager, die beiden Transistoren 8 und 9 sind zu
einander komplementär und werden gemeinsam angesteuert. Hier
mit können geradzahlige Harmonische erzeugt werden.
Für die Schaltungen mit komplementären Transistoren ist mit
einem Kondensator zwischen Eingangskreis und den beiden gal
vanisch verbundenen Transistoremittern besonders gute Unter
drückung der jeweils nicht gewünschten Harmonischen erziel
bar, weil durch den Kondensator Gleichheit der Emitterstrom-
Mittelwerte gewährleistet ist. Diese galvanische Trennung
zwischen den Transistoren und dem Eingangskreis durch einen
Kondensator ist bei diesen Schaltungen mit komplementären
Transistoren möglich, da der Gleichstrompfad des Eingangs
kreises für die Transistoren in diesem Fall durch die unmit
telbare Verbindung der Emitter hergestellt ist.
Eine weitere Kombination besteht in der Ausbildung von Ein
gangs- und Ausgangskreis als Symmetrierübertrager. Mit Tran
sistoren gleichen Typs können damit ungeradzahlige Vielfache
der Eingangsfrequenz erzeugt werden, geradzahlige Harmoni
sche werden unterdrückt.
Claims (6)
1. Passiver Frequenzvervielfacher mit mindestens einem
zwischen einem Eingangskreis und einem Ausgangskreis
angeordneten, in einem geschlossenen Gleichstromkreis
betriebenen Gleichrichterelement, dadurch ge
kennzeichnet, daß das Gleichrichter
element durch einen Trasistor (3, 4, 5, 6, 7, 8, 9) in
Basisschaltung gebildet ist, dessen Emitter mit dem
Eingangskreis (1) und dessen Kollektor mit dem Aus
gangskreis (2) verbunden ist.
2. Frequenzvervielfacher nach Anspruch 1 zum Erzeugen von
ungeradzahligen Harmischen, dadurch gekenn
zeichnet, daß zwischen Eingangs- und Ausgangs
kreis zwei komplementäre Transistoren (4, 5) parallelge
schaltet sind (Fig. 2).
3. Frequenzvervielfacher nach Anspruch 1 zum Erzeugen von
geradzahligen Harmonischen, dadurch gekenn
zeichnet, daß der Eingangskreis (1) als Symme
trierübertrager ausgebildet ist (Fig. 3).
4. Frequenzvervielfacher nach Anspruch 1 zum Erzeugen von
geradzahligen Harmonischen, dadurch gekenn
zeichnet, daß zwischen Eingangs- und Ausgangs
kreis zwei komplementäre Transistoren (8, 9 ) parallel
geschaltet sind und daß der Ausgangskreis als Symme
trierüberträger ausgebildet ist (Fig. 4).
5. Frequenzvervielfacher nach Anspruch 2 oder 4, dadurch
gekennzeichnet, daß zwischen Eingangs
kreis und den beiden galvanisch verbundenen Transistor
emittern ein Kondensator geschaltet ist.
6. Frequenzvervielfacher nach Anspruch 1 zum Erzeugen von
ungeradzahligen Harmonischen, dadurch gekenn
zeichnet, daß Eingangs- und Ausgangskreis als
Symmetrierübertrager geschaltet sind und Transistoren
gleichen Typs verwendet sind.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE3524112A DE3524112C1 (en) | 1985-07-05 | 1985-07-05 | Passive frequency multiplier |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE3524112A DE3524112C1 (en) | 1985-07-05 | 1985-07-05 | Passive frequency multiplier |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3524112C1 true DE3524112C1 (en) | 1987-01-02 |
Family
ID=6275076
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE3524112A Expired DE3524112C1 (en) | 1985-07-05 | 1985-07-05 | Passive frequency multiplier |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE3524112C1 (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7346324B2 (en) * | 2003-09-29 | 2008-03-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | Grounded-emitter circuit, and high-frequency receiver and high-frequency transmitter using the same |
EP1698046B1 (de) * | 2003-12-19 | 2014-03-19 | TELEFONAKTIEBOLAGET LM ERICSSON (publ) | Frequenzvervielfachungsanordnungen und verfahren zur frequenzvervielfachung |
-
1985
- 1985-07-05 DE DE3524112A patent/DE3524112C1/de not_active Expired
Non-Patent Citations (4)
Title |
---|
Frequenz, 21, 1967, 5, S.152-160 * |
Meinke, H.H., Einführung in die Elektro- technik höherer Frequenzen, Bd.1, Springer Verlag 1965, S.220-223 * |
Radio Communication, July 76, S.506-509 * |
Vilbig, Fritz, Lehrbuch der Hochfrequenz- technik, 1944, S.279 * |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7346324B2 (en) * | 2003-09-29 | 2008-03-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | Grounded-emitter circuit, and high-frequency receiver and high-frequency transmitter using the same |
EP1698046B1 (de) * | 2003-12-19 | 2014-03-19 | TELEFONAKTIEBOLAGET LM ERICSSON (publ) | Frequenzvervielfachungsanordnungen und verfahren zur frequenzvervielfachung |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8100 | Publication of patent without earlier publication of application | ||
D1 | Grant (no unexamined application published) patent law 81 | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |