DE3509617A1 - Anordnung zur potentialfreien positiven ansteuerung von gto-thyristoren hoeherer leistung - Google Patents

Anordnung zur potentialfreien positiven ansteuerung von gto-thyristoren hoeherer leistung

Info

Publication number
DE3509617A1
DE3509617A1 DE19853509617 DE3509617A DE3509617A1 DE 3509617 A1 DE3509617 A1 DE 3509617A1 DE 19853509617 DE19853509617 DE 19853509617 DE 3509617 A DE3509617 A DE 3509617A DE 3509617 A1 DE3509617 A1 DE 3509617A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
current
triggering
pulse
ignition
gate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19853509617
Other languages
English (en)
Other versions
DE3509617C2 (de
Inventor
Norbert Dipl.-Ing. 4790 Paderborn Fröhleke
Michael Dipl.-Ing. 1000 Berlin Mues
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Original Assignee
Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Licentia Patent Verwaltungs GmbH filed Critical Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Priority to DE19853509617 priority Critical patent/DE3509617A1/de
Publication of DE3509617A1 publication Critical patent/DE3509617A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE3509617C2 publication Critical patent/DE3509617C2/de
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M1/00Details of apparatus for conversion
    • H02M1/08Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters

Description

  • Anordnung zur potentialfreien positiven Ansteuerung von
  • GTO-Thyristoren höherer Leistung Die Erfindung bezieht sich auf eine Anordnung zur potentialfreien positiven Ansteuerung von GTO-Thyristoren höherer Leistung entsprechend dem Oberbegriff des Anspruches 1.
  • GTO-Thyristoren (Gate Turn Off-Thyristoren) oder auch Abschaltthyristoren finden immer breitere Anwendungsgebiete bei Wechselstrom- und Drehstrom-Umrichtern sowie Gleichstromstellern, weil sie den Leistungsteil vereinfachen, da die Kommutierungsmittel entfallen.
  • Grundsätzlich kann bekanntlich ein GTO-Thyristor über einen Steuerstrom positiver Polarität eingeschaltet und durch einen Steuerstrom negativer Polarität abgeschaltet werden.
  • Zumindest bei größeren GTO-Thyristoren sind darüberhinaus jedocn weitere Kriterien zu beachten, die der Vereinfachungn entgegenstehen. So darf während der Einschaltzeit dieser Steuerstrom nicht auf 0 zurückgehen, auch nicht lücken, weil sonst ein undefinierter, halb leitender/halb sperrender Zustand erreicht wird, der infolge der erhöhten Verlustleistung dem Thyristor gefährlich werden kann. Der Gleichstrom-Steuerimpuls muß deshalb solange gehalten werden, wie der Anodenstrom fließt, d.h. das'kann beliebig lange dauern.
  • Zum Abschalten muß dann der positive Steuer strom erst auf 0 abgesenkt und dann ein negativer Gleichstrom-Löschimpuls gegeben werden, um besagten Schwebezustand zu vermeiden.
  • Darüberhinaus ist eine negative Vorspannung erforderlich, bis wieder neu gezündet wird. In der Fig. 1 sind diese prinzipiellen Steuervorgänge dargestellt. Für die Steuerung müssen folgende Signale an den GTO-Thyristor gegeben werden: Der Zündimpuls, der Dauergatestrom, der Löschimpuls und die negative Vorspannung. Dabei schließt sich einem Zündimpuls A, ein Dauergatestrom B an. Nach einem Löschimpuls C folgt eine negative Vorspannung D (schraffiert) bis zum nächsten Zündimpuls A.
  • Es sind bereits Anordnungen zur Steuerung von Abschaltthyristoren bekannt, die mit dauernd laufenden Chopperwandlern arbeiten, die Rechteckspannungen erzeugen, aus denen die erforderlichen Steuer- und Löschspannungen gewonnen werden (GB-Druckschrift der International Rectifier Co/GB LTD Oxted, Surrey, U.K. von April 1983 "The Gate turn-off Thyristor and its circuit Requirements, Verfasser: P.S.
  • Wilson, Fig. 6 und zugehöriger Text). Es sind dort auf der Leistungsseite diverse für Leistungspotential ausgelegte Speicher- und Schaltelemente für hohe Ströme notwendig, die die Schaltung aufwendig machen. Darüberhinaus sind weitere Maßnahmen erforderlich, um zu einer effektiven Potentialtrennung zwischen Steuer- und Leistungsteil zu kommen.
  • Es ist auch bereits vorgeschlagen worden, für die 0bertragung der Zünd- und Löschimpulse und die Erzeugung von Dauergatestrom sowie negativer Vorspannung jeweils getrennte Einzelwandlcr in bestimmter Schaltung und Ansteuerung zu verwenden, wobei eine vollständige Potentialtrennung zwischen Leistungs- und Steuerteil bei vereinfachter Schaltung erfolgt (P 34 18 657.3). Der erforderliche Zündstrom (Gatestrom) solcher Ansteuerschatungen weist im allgemeinen eine große Schwankungsbreite auf, die abhängig ist von Einflüssen wie Exemplarstreuungen der Bauelemente, den Umgebungstemperaturen, den Versorgungs- und Referenzspannungen sowie de Gate-Kathodenspannung des ennndGOhit was zu einer Anpassung der Ansteuerschaltungen für den jeweils ungünstigsten Fall zwingt. *) ergeben sich relativ hohe Ansteuerverlustleistungen. Nachteilig ist auch, daß relativ große Mindest-Aus-Zeiten der GTO-Thyristoren den Stellbereich unnötig einschränken.
  • Aufgabe der Erfindung ist die Schaffung einer Ansteuerschaltung für GTO-Thyristoren, die verlustarm den erforderlichen Zündstrom liefert. Dabei sollte der Zündstrom weitgehend unabhängig von den vorgenannten Einflüssen sein und nach einer anfänglichen Znndstromüberhöhung sollte unbegrenzt ein konstanter Dauergatestrom (Rückenstrom) zur Verfügung stehen.
  • Diese Aufgabe wird für eine Anordnung der eingangs genannten Art gemäß den kennzeichnenden Merkmalen des Anspruches 1 gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen sind den Unteransprüchen entnehmbar.
  • Anhand von schematischen Ausführungsbeispielen wird die Erfindung im nachstehenden näher erläutert.
  • Es zeigen: Fig. 1 den prinzipiell erforderlichen Steuerstromverlauf für einen GTO-Thyristor Fig. 2 das Schaltbild einer Impulsstromquelle zur positiven Ansteuerung von GTO-Thyristoren für hohe Dynamik anforderungen *) Für Spannungsquellen mit Vorwiderständen, die Stromquellencharakter haben, Auf Fig. 1 wurde einleitend schon eingegangen.
  • Fig. 2 zeigt eine erfindungsgemäße Ansteuerschaltung für die Bereiche A und B nach Fig. 1. Danach ist an das Gate eines Leistungs-GTO-Thyristors 1 ein positiver Zündstrom von zwei sekundärseitig parallelgeschalteten Zündimpulswandlern T und T'1 anlegbar. Ix sekundärseitigen Zündstromkreis zum Gate liegt neben einer Entkopplungsdiode 2 bzw. 2' im Rückpfad ein gemeinsamer Leistungstransistor 3, der bei positiver Spannung selbsttätig einschaltet und bei negativer Spannung (beim Löschvorgang) den Weg über die Sekundärwicklungen der Zündimpulswandler T1, T'1 sperrt. Eine quergeschaltete Diode 4 und ein Widerstand 5 bilden einen niederohmigen Steuer abschluß für den GTO-Thyristor 1 und dienen der Erhöhung der statischen und dynamischen Sperrfahigkeit.
  • Die Primärwicklungen der Zündimpulswandler T1 und T'1 werden von einer Eingangsspannung Ue1 jeweils über Leistungsschalter 6, 6' gespeist. Es finden hier Feldeffekttransistoren Verwendung, die als Endstufen Stromquellenfunktion haben und für die Erzeugung des Dauerrückenstroms im Gegentakt angesteuert werden. Die erforderlichen Steuersignale dazu werden in einer hier nicht näher dargestellten Impulsbildungsstufe I erzeugt. Während der Zündimpulsüberhöhung werden beide Stromquellen mit den Signalen UST2 und U'sT2 gleichzeitig eingeschaltet und übersteuert. Mit den-Signalen UST1 und U' ST1 wird der Rückenstrom erzeugt, indem im Gegentakt die Stromquellen gesperrt und freigegeben werden.
  • In der Impulsbildungseinheit I werden das Pulsbreitenverhältnis des Stromrichters, die minimale EIN-Zeit, zur Sicherung des vollständigen Durchschaltens des anzusteuernden GTO-Thyristors, die minimale AUS-Zeit, zur Sicherung der Sperrfähigkeit des anzusteuernden GTO-Thyristors und die Stromrichterfrequenz festgelegt. Zusätzlich wird das so gewonnene Steuersignal entsprechend der erforderlichen Arbeitsweise (Gleichtakt oder Gegentakt) der Ansteuerendstufen 6, 6' angepaßt.
  • *) in Verbindung mit den Elementen 16 bzw. 16' und 17 bzw. 17' Um Steuerstromeinbrüche während des Wechsels von einer Endstufe z.B. 6 zur anderen 6' zu vermeiden (Kommutierungseinbrüche), kann noch eine Überlappungszeit tüL für die Signale UST1 und U'ST1 in der Impulsbildungsstufe I vorgegeben werden.
  • Der GTO-Gatestrom muß, wie eingangs in Bezug auf Fig. 1 erwähnt, verschiedene Anforderungen erfüllen. Zunächst muß eine Überhöhung des Zündstromes (vgl. Fig. 1 dort A) zu Beginn des positiven Gatestroms erreicht werden. Dazu wird der Zündkondensator 11 auf eine Spannung Ue2) Ue1 aufgeladen.
  • (Ue2 z.B. 60 V, Ue1 z.B. 24V). Die Aufladung erfolgt über einen Halbleiterschalter 10 (z.B. Feldeffekttransistor), damit die Aufladezeit und somit die AUS-Zeit für den GTO-Thyristor möglichst kurz werden kann und außerdem die Verlustleistung im Vorwiderstand gering bleibt. Beide Stromquellen (gegeben durch die Schalter 6, 6') werden während der Zündüberhöhung über steuert und parallel betrieben. Dadurch erzielt man einen steilen Gatestromanstieg für den GTO-Thyristor 1 und einen hohen Scheitelwert.
  • Die Steuersignale UST2 und U1ST2 Sowie UST1 und U' ST1 für das Einschalten des GTO-Thyristors werden über Treiber stufen 7, 7' sowie 8, 8' und ein negiertes ODER-Glied 9 geführt. Damit wird über den Steuertransistor 12 der Transistor 10 (MOS-FET) mit Z-Diode 14 gesteuert.
  • Solange das invertierende ODER-Gatter 9 Low-Signal abgibt, ist Transistor 12 gesperrt und Transistor 10 zum Laden des Zündkondensators 11 ebenfalls. Liegt keines der Signale UST1, US,T1, UST2 WULST2 an, dann ist der Ausgang des invertierenden ODER-Gatters 9 auf High. Damit werden die Transistoren 12 und 10 leitend und der Kondensator 11 wird auf Ue2 aufgeladen.
  • Um eine Stromüberhöhung zu erreichen, werden beide Impulsendstufen 6 und 6 synchron parallel angesteuert und die beiden Impulsstromquellen durch das Schalten der hohen Lade- spannung von Zündkondensator 11 übersteuert. Während der Übersteuerungsphase wird der Stromquellencharakter der Endstufen 6 und 6' aufgehoben. Dadurch erzielt man einen steilen Gatestromanstieg und einen hohen Scheitelwert.
  • Für den Dauergatestrom (Rückenstrom) des GTO-Thyristors 1 werden die Impuls wandler im Gegentaktbetrieb gesteuert.
  • Für eine exakte Umschaltung müssen die Stromquellen (gegeben u.a. durch 6, 6') nicht nur jeweils ein- sondern auch ausgeschaltet werden. Für die Ausschaltung stehen die Steuerspannungen UST1 und U'STl zur Verfügung. Bei Ansteuerung der entsprechenden Treiberstufen 8 und 8' werden die entsprechenden Punkte Z bzw. Z' und damit die Basisvorspannung der entsprechenden Stromquelle auf 0 gezogen. Die Umschaltung auf den jeweils anderen Impuls wandler kann nahtlos erfolgen.
  • Mit Hilfe der MOS-Ladestromquelle wird die Steuerstromsteilz. .
  • heit/auf iG 5 A/µs und der Absolutwert des Steuerstromes beim Einschalten auf IGM (4 ... 15) IGmin erhöht. Nach einer Mindest-AUS-Zeit des GTOs ( ^- Aufladezeit von C ) ist gewährleistet, daß mit iG >iGmin angesteuert wird.
  • Durch die Erfindung kann unabhängig von der Dimensionierung eines Impulsnetzwerkes zur Erhöhung der Steuerstromsteilheit und der absoluten Höhe des Einschaltsteuerstromes durch einen Eingriff in die Steuerung die Ubersteuerungszeit tü ent- sprechend den Daten des anzusteuernden GTO-Thyristors 1 eingestellt werden.
  • Es ergibt sich ein guter Wirkungsgrad durch Einsatz der Ladeeinrichtung (10/14). Es wird eine niedrige Eingangsspannung Ue1 möglich und folglich eine geringe Eingangsleistung. Ferner ergibt sich ein großer Stellbereich aus der kurzen AUS-Zeit, die durch schnelle, verlustarme Aufladung des Zündkondensators 11 über den Halbleiterschalter 10 ermöglicht wird. Durch die Spannungsüberhöhung an Zünd'-kondensator 11, die Übersteuerung der Stromquellen und den Parallelbetrieb beider Impulsstromquellen ergibt sich eine große Gatestromsteilheit und Stromüberhöhung.
  • Durch eine überlappende Ansteuerung der Impuls stromquellen sind ferner Gatestromeinbrüche gering.
  • - Leerseite -

Claims (6)

  1. Patentansprüche 1. Anordnung zur potential freien positiven Ansteuerung von GTO-Thyristoren höherer Leistung unter Verwendung von Zündimpulswandlern mit nachgeschalteten Gleichrichtungsmitteln, die sekundärseitig parallelgeschaltet auf das Gate des GTO-Thyristors wirken und primärseitig von wenigstens einer Ei.ny^.gsspannung gespeist über steuerbare Leistungsschalter betrieben werden, dadurch gekennzeichnet, daß die Leistungsschalter (6, 6') Stromquellenfunktion haben und bei niedrig gehaltener Eingangs spannung für fUr eine Erstellung des Dauergatestromes des GTO-Thyristors (1) unter primärseitigen Gegentaktbetrieb der Zündimpulswandler (T1, T'1) ausgelegt sind und daß eine zweite Eingangsspannung (Ue2) höheren Potentials für eine Zündimpulsüberhöhung vorgesehen ist, über die, gesteuert ber einen steuerbaren Halbleiterschalter (10) eine Aufladung eines Zündkondensators (11) erfolgt, der ia Augenblick der Zündung des GTO-Thyristors (1) über die steuer- baren Leistungsschalter (6, 6') entladen wird unter Übersteuerung der Impulsstromquellen (6, 6'), wobei die Primärwicklungen der Zündimpulswandler (T1, T'1) für eine Zündstromüberhöhung parallel, d.h. im Gleichtakt betrieben sind.
  2. 2. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die steuerbaren Leistungsschalter (6, 6') als Stromquellen jeweils aus Feldeffekttransistoren mit Gateseitig zugeordneter Z-Diode bestehen, wobei die Gates an einer Teilspannung der ersten Eingangsspannung (Uel) angeschlossen über Steuerimpulse (UsT2 U'5T2, UST1, U'STi einer Impulsbildungsstufe (I) ansteuerbar sind.
  3. 3. Anordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Steuerimpulse (UST2, U'ST2, UST1, U'ST1) über Treiberstufen (7, 7', 8, 8') sowie verschieden gepolte Entkopplungsdioden (15, 15', 16, 16') zu den Gates der Leistungsschalter (6, 6') geführt sind.
  4. 4. Anordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Steuerimpulse (UST2, U'ST2, UST1, U1ST1) zusätzlich über ein negiertes ODER-Gatter (9) an die Basis eines Steuertransistors (12) gelegt sind und über diesen Transistor (12) der Ladevorgang des Zündkondensators (11) über den steuerbaren Halbleiterschalter (10) beeinflußbar ist.
  5. 5. Anordnung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß über den Transistor (12) das Gate des steuerbaren Halbleiterschalters (10) auf 0-Potential legbar ist.
  6. 6. Anordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß eine temperaturkompensierte Stromgegenkopplung der Leistungsschalter (6, 6') auf Steuerpotential vorgesehen ist.
DE19853509617 1985-02-27 1985-02-27 Anordnung zur potentialfreien positiven ansteuerung von gto-thyristoren hoeherer leistung Granted DE3509617A1 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19853509617 DE3509617A1 (de) 1985-02-27 1985-02-27 Anordnung zur potentialfreien positiven ansteuerung von gto-thyristoren hoeherer leistung

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19853509617 DE3509617A1 (de) 1985-02-27 1985-02-27 Anordnung zur potentialfreien positiven ansteuerung von gto-thyristoren hoeherer leistung

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE3509617A1 true DE3509617A1 (de) 1986-09-04
DE3509617C2 DE3509617C2 (de) 1987-12-03

Family

ID=6265495

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19853509617 Granted DE3509617A1 (de) 1985-02-27 1985-02-27 Anordnung zur potentialfreien positiven ansteuerung von gto-thyristoren hoeherer leistung

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE3509617A1 (de)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0748037A2 (de) * 1995-06-07 1996-12-11 Kollmorgen Corporation Elektronischer Motorregler mit isolierter Gateansteuerung und verteilter Stromversorgung
EP0893884A2 (de) * 1997-07-24 1999-01-27 Asea Brown Boveri AG Verfahren und Vorrichtung zum Ansteuern eines Abschaltthyristors
EP0893883A2 (de) * 1997-07-24 1999-01-27 Asea Brown Boveri AG Vorrichtung zum Begrenzen des Haltestromes eines Abschaltthyristors
US9622331B2 (en) 2012-12-26 2017-04-11 Unison Industries, Llc Discharge switch device for ignition excitation system

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3646578A (en) * 1969-10-21 1972-02-29 Lear Jet Ind Inc Gate drive for controlled rectifiers
DE3418657A1 (de) * 1984-05-17 1985-11-21 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Anordnung zur steuerung von abschaltthyristoren hoeherer leistung
DE3443247A1 (de) * 1984-11-23 1986-05-28 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Schaltungsanordnung zum potentialfreien einschalten eines hochstromes ueber einen gto-thyristor in einer stromrichterschaltung

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3646578A (en) * 1969-10-21 1972-02-29 Lear Jet Ind Inc Gate drive for controlled rectifiers
DE3418657A1 (de) * 1984-05-17 1985-11-21 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Anordnung zur steuerung von abschaltthyristoren hoeherer leistung
DE3443247A1 (de) * 1984-11-23 1986-05-28 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Schaltungsanordnung zum potentialfreien einschalten eines hochstromes ueber einen gto-thyristor in einer stromrichterschaltung

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
DE-Z.: BBC-Nachrichten 1982, H.2, S.43-49 *
GB-Druckschrift "The Gate turn-off Thyristor and its circuit Requirements" der International Rectifier Co/GB Ltd. Oxted, Surrey, UK,April 1983 *
Philips Technical publication 004 "Basic GTO drivecircuits" 31.3.1981 *

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0748037A2 (de) * 1995-06-07 1996-12-11 Kollmorgen Corporation Elektronischer Motorregler mit isolierter Gateansteuerung und verteilter Stromversorgung
EP0748037A3 (de) * 1995-06-07 1998-03-04 Kollmorgen Corporation Elektronischer Motorregler mit isolierter Gateansteuerung und verteilter Stromversorgung
EP0893884A2 (de) * 1997-07-24 1999-01-27 Asea Brown Boveri AG Verfahren und Vorrichtung zum Ansteuern eines Abschaltthyristors
EP0893883A2 (de) * 1997-07-24 1999-01-27 Asea Brown Boveri AG Vorrichtung zum Begrenzen des Haltestromes eines Abschaltthyristors
EP0893884A3 (de) * 1997-07-24 2000-03-29 Asea Brown Boveri AG Verfahren und Vorrichtung zum Ansteuern eines Abschaltthyristors
EP0893883A3 (de) * 1997-07-24 2000-03-29 Asea Brown Boveri AG Vorrichtung zum Begrenzen des Haltestromes eines Abschaltthyristors
US6191640B1 (en) 1997-07-24 2001-02-20 Asea Brown Boveri Ag Method and device for driving a turn-off thyristor
US9622331B2 (en) 2012-12-26 2017-04-11 Unison Industries, Llc Discharge switch device for ignition excitation system

Also Published As

Publication number Publication date
DE3509617C2 (de) 1987-12-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0108283B1 (de) Elektronischer Schalter
EP1783910B1 (de) Schaltungsanordnung und ein Verfahren zur galvanisch getrennten Ansteuerung eines Halbleiterschalters
DE3126525C2 (de) "Spannungsgesteuerter Halbleiterschalter und damit versehene Spannungswandlerschaltung"
EP0498917B1 (de) Taktgesteuerter Umrichter mit Strombegrenzung
DE102018126779B4 (de) Gate-Treiber-Schaltung mit Spannungsinvertierung für einen Leistungshalbleiterschalter
DE102019102311A1 (de) Gate-Treiber-Schaltung mit Spannungsinvertierung für einen Leistungshalbleiterschalter
DE2821683A1 (de) Schaltersystem
DE2221225C3 (de) Einrichtung zur Gewinnung abgestufter Spannungswerte einer hohen Gleichspannung für den Betrieb einer Mehrschicht-Kathodenstrahlröhre o.dgl.
DE69929951T2 (de) Steuerungsschaltung für einen im Wechselbetrieb arbeitenden Schalter mit Halbleiterbauteilen
DE2163834A1 (de) Transistorisiertes Netzgerät
DE2842726C3 (de) Schaltungsanordnung mit einem Hochspannungsleistungstransistor
DE3405936A1 (de) Einrichtung zur ansteuerung eines leistungs-feldeffekt-schalttransistors
DE3741221C1 (de) Anordnung zum Befreien eines Halbleiterschalters vor hoher Sperrspannungsbeanspruchung sowie Anwendung hierzu
DE1562033A1 (de) Schnellwirkende elektronische Schaltung
DE4421249A1 (de) Schaltstromversorgungsgerät mit Snubber-Schaltung
EP0674102B1 (de) Wechselstromzündung mit optimierter elektronischer Schaltung
DE102017101272A1 (de) Treiber für einen High-Side-Schalter eines Kaskodenschalters
DE3244988A1 (de) Gegentakt-wechselrichterschaltung mit gespeicherter ladung fuer schnelles umschalten
DE3509617A1 (de) Anordnung zur potentialfreien positiven ansteuerung von gto-thyristoren hoeherer leistung
DE2753915C3 (de) Schaltungsanordnung mit einem Hochspannungsleistungs transistor
DE2214949A1 (de) Steuereinrichtung fur ein Steuer bares Bauelement
DE2606304A1 (de) Treiberschaltung zur steuerung der leitfaehigkeit eines halbleiterbauelements
EP0192086A1 (de) Kurzschlusssicherung eines Linearnetzteiles
DE2332887A1 (de) Einrichtung zur schnellen und verlustleistungsarmen ansteuerung der basisemitter-strecken von transistoren
EP0146832B1 (de) Abschalteinrichtung für einen selbstschwingenden Sperrwandler

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee