DE3504224A1 - An eine fotodiode angekoppelter transimpedanz-verstaerker - Google Patents

An eine fotodiode angekoppelter transimpedanz-verstaerker

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DE3504224A1
DE3504224A1 DE19853504224 DE3504224A DE3504224A1 DE 3504224 A1 DE3504224 A1 DE 3504224A1 DE 19853504224 DE19853504224 DE 19853504224 DE 3504224 A DE3504224 A DE 3504224A DE 3504224 A1 DE3504224 A1 DE 3504224A1
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Hans-Norbert Dr. 8000 München Toussaint
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Siemens AG
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/04Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only
    • H03F3/08Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only controlled by light
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B10/00Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
    • H04B10/60Receivers
    • H04B10/66Non-coherent receivers, e.g. using direct detection
    • H04B10/69Electrical arrangements in the receiver
    • H04B10/693Arrangements for optimizing the preamplifier in the receiver
    • H04B10/6931Automatic gain control of the preamplifier

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Description

  • An eine Foto diode angekoppelter Transimpedanz-Verstär-
  • ker Die Erfindung bezieht sich auf einen an eine Fotodiode angekoppelten Transimpedanz-Verstärker mit drei, jeweils einen Transistor aufweisenden Verstärkerstufen, von denen die erste in Kollektor-Basisschaltung und die zweite in Emitter-Basisschaltung betrieben ist, und bei dem der Transistor der dritten Verstärkerstufe wenigstens emitterseitig eine Lastimpedanz aufweist und zwischen dem eingangsseitigen Basisanschluß des Verstärkers und einem Schaltungspunkt des Verstärkers, der zu einem Verstärkereingangssignal ein gegenphasiges Signal führt, ein Gegenkopplungswiderstand vorgesehen ist.
  • Ein solcher Verstärker ist aus dem Aufsatz mit dem Titel "TRANSIMPEDANCE OPTICAL PREAMPLIFIER HAVING A COMMON COLLECTOR FRONT END", abgedruckt in ELECTRONICS LETTERS Vol. 18, No. 23, vom 11. November 82, bekannt. Die von solchen Verstärkern empfangenen optischen Signale kommen meist mit unterschiedlich großem Leistungspegel an, da sie z.B.
  • unterschiedlich lange LWL-Übertragungsstrecken und/oder Lichtwellenleiter mit voneinander verschiedener Dämpfung durchlaufen haben. Auch kann die Strahlungsleistung der jeweils verwendeten Sendedioden voneinander abweichen.
  • Jedenfalls ist es erwünscht, daß ein solcher Verstärker im Leistungspegel stark voneinander abweichende optische Signale so verarbeiten kann, daß dabei keine Übersteuerung des Verstärkers auftritt.
  • Um diesen Schwierigkeiten zu begegnen, ist es aus der DE-PS 32 04 839 schon bekannt, den Kollektorwiderstand des Transistors der ersten Verstärkerstufe eines solchen Transimpedanz-Verstärkers mittels eines diesem Widerstand parallel geschalteten Feldeffekt-Transistors so zu verändern, daß dadurch der Verstärkungsgrad des Verstärkers dem Pegel der jeweils empfangenen optischen Impulse angepaßt werden kann.
  • Dies ist jedoch eine relativ aufwendige Methode, da dem Gate des Feldeffekt-Transistors hierzu eine Steuerspannung zugeführt werden muß, die in Abhängigkeit vom Pegel der optischen Signale schwankt.
  • Aufgabe vorliegender Erfindung ist es daher, einen Verstärker der eingangs genannten Art derart auszubilden, daß mit einer relativ einfachen Schaltungsmaßnahme verhindert werden kann, daß der Verstärker durch Eingangssignale mit großem Pegel übersteuert wird.
  • Erfindungsgemäß ergibt sich die Lösung dieser Aufgabe dadurch, daß der Gegenkopplungswiderstand an den emitterseitigen Anschluß des dritten Transistors angeschlossen ist und daß der kollektorseitige Anschluß des zweiten Transistors über eine Diode, die im Ruhezustand des Verstärkers durch die Speisespannung des zweiten Transistors in Sperrichtung gepolt ist, mit dem Basisanschluß des ersten Transistors verbunden ist.
  • Durch den Anschluß der Diode an den Kollektor des zweiten Transistors, der in Emitter-Basisschaltung betrieben wird, ist die Diode im Ruhezustand, also beim optischen Eingangspegel Null sicher gesperrt, da am Kollektor des zweiten Transistors im Ruhezustand des Verstärkers nahezu der volle Wert der Speisespannung liegt. Je größer der Pegel der optischen Eingangssignale ist, desto stärker wird der zweite Transistor leitend. Die Diode wird dadurch rasch zunehmend Strom führen. Der Diodenstrom wirkt am Eingang des ersten Transistors dem Strom durch die Fotodiode umso stärker entgegen, je größer der Eingangspegel der optischen Signale ist. Infolgedessen wird eine Übersteuerung des Verstärkers durch optische Signale mit großem Pegel sicher vermieden.
  • In weiterer Ausgestaltung der Erfindung kann vorgesehen sein, daß eine weitere Diode dem Gegenkopplungswiderstand parallel geschaltet ist und mit ihrer Kathode mit dem Basisanschluß des ersten Transistors verbunden ist.
  • Besonders vorteilhaft wird auf diese Weise ein Eingangsverstärker für optische Signale bereitgestellt, der weitgehend störungsfrei sogenannte dreistufige optische Signale verarbeiten kann. Diese dreistufigen optischen Signale gehen von einem optischen Ruhepegel aus, der etwa das 0,5-fache des optischen Maximalpegels beträgt.
  • Optische Impulse können hierbei dadurch gebildet werden, daß für die Zeitspanne eines Impulses der optische Pegel den maximalen Wert oder den Wert Null annimmt. Die eine Diode übernimmt dabei die Verminderung des Verstärkungsgrades beim Auftreten der optischen Signale in der einen Richtung, ausgehend vom Pegel 0,5, und die andere Diode wird bei optischen Signalen wirksam, die vom Pegel 0,5 ausgehend zu den erstgenannten optischen Signalen gegengerichtet sind. Zugleich sorgen die beiden Dioden dafür, daß, bei geeigneter Bemessung des Verstärkers, der optische Ruhepegel, unabhängig von seiner absoluten Größe, jeweils am Verstärkerausgang denselben elektrischen Pegel verursacht.
  • Ferner kann im Rahmen der Erfindung vorgesehen sein, daß als Dioden Schottky-Dioden vorgesehen sind.
  • Die Verwendung solcher Dioden sorgt für ein rasches Ansprechen der Kompressionswirkung, da solche Dioden eine relativ sehr geringe Schwellspannung haben.
  • Weiter kann vorgesehen sein, daß der dritte Transistor eine kollektorseitige Lastimpedanz aufweist und daß ein Kondensator zwischen dem Kollektoranschluß des dritten Transistors und dem vom Emitteranschluß abgewandten Ende des Gegenkopplungswiderstandes vorgesehen ist.
  • Dadurch wird vorteilhaft die Kapazität der beiden Dioden kompensiert, wodurch die Ansprechzeit der Kompressionswirkung verkürzt wird.
  • Vorteilhaft kann auch vorgesehen sein, daß der Emitterwiderstand des dritten Transistors in zwei Serienwiderstände aufgeteilt ist und daß eine Shunt-Diode dem masseseitigen Serienwiderstand parallel geschaltet ist.
  • Diese Schaltung ist besonders vorteilhaft, wenn der letzte Transistor neben dem Emitterwiderstand einen Kollektorwiderstand aufweist, um z.B. das Ausgangssignal des Verstärkers am Kollektor abzugreifen. Die wirksame Emitterimpedanz wird durch die stromdurchflossene Shunt-Diode verringert, wodurch letztlich die am Kollektor abgegriffene Spannung erhöht wird.
  • Zur weiteren Erhöhung der Kollektorimpedanz des dritten Transistors kann vorteilhaft vorgesehen sein, daß die kollektorseitige Lastimpedanz des dritten Transistors durch einen aperiodisch gedämpften Schwingkreis realisiert ist.
  • Schließlich kann noch vorgesehen sein, daß die Emitter-und Kollektoranschlüsse des dritten Transistors durch nachgeschaltete RC-Glieder als Signalabgriffe für jeweils ein dem mittleren Eingangsignal des Verstärkers proportionales Signal ausgebildet sind.
  • Hierdurch können z.B. für Überwachungs- und Regelaufgaben bezüglich der optischen Übertragungsstrecke geeignete Signale gewonnen werden.
  • Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachstehend anhand von sieben Figuren noch näher erläutert.
  • Dabei zeigen die Figuren jeweils unter Weglassung aller nicht unbedingt zum Verständnis der Wirkungsweise des Verstärkers nach der Erfindung erforderlichen Einzelheiten, Fig. 1 ein Schaltbild des Verstärkers, der zum Empfang von optischen Signalen, die von einem Nuilpegel ausgehen, geeignet ist, Fig. 2 das Schaltbild eines Verstärkers, der ein Differenzierglied aufweist, um aus den Signalflanken der optischen Signale Nadelimpulse abzuleiten.
  • die Figuren 3 bis 6 mögliche Modifikationen der in den Figuren 1 und 2 dargestellten Verstärkerschaltungen und Fig. 5 das Diagramm eines dreistufigen optischen Signals.
  • Im einzelnen ist Figur 1 zu entnehmen, daß der Transimpedanz-Verstärker drei Verstärkerstufen aufweist, die jeweils einen Transistor enthalten. Der erste Transistor 1 ist in Kollektor-Basisschaltung betrieben und in seinen Basis-Kollektoreingangskreis ist eine PIN-Photodiode 2 eingefügt, über die der Transistor 1 zunehmend Basisstrom erhält, wenn die PIN-Photodiode 2 durch ein optisches Signal belichtet wird. Der Transistor 3 der zweiten Verstärkerstufe des Transimpedanz-Verstärkers ist in Emitter-Basisschaltung betrieben und wird daher synchron zum Transistor 1 der ersten Verstärkerstufe, mit dessen emitterseitigem Anschluß 4 die Basiselektrode des Transistors 3 verbunden ist, zunehmend leitend, wenn die Intensität des optischen Signals, das auf die PIN-Photodiode 2 einwirkt, ebenfalls zunimmt.
  • Der Transistor 5 der dritten Verstärkerstufe ist bei dem in Fig. 1 dargestellten Beispiel in Kollektor-Basisschaltung betrieben und mit seiner Basiselektrode an einen kollektorseitigen Abgriff 6 des Transistors 3 der zweiten Verstärkerstufe angeschlossen. An einem emitterseitigen Abgriff 7 des Transistors 5 der dritten Verstärkerstufe wird die Ausgangsspannung Ua des Verstärkers abgenommen. Die Ausgangsspannung Ua ist dabei die an dem Emitterwiderstand 8 liegende Spannung, der zwischen den Schaltungspunkt 7 und Masse eingefügt ist.
  • Der Schaltungspunkt 7 ist außerdem über einen Widerstand 9 mit dem Basisanschluß 10 des Transistors 1 der ersten Verstärkerstufe verbunden. Schließlich ist noch zwischen den Schaltungspunkten 6 und 10 eine Diode 11 vorgesehen. Die Diode 11 ist dabei so gepolt, daß sich durch die gewählten Arbeitspunkte der drei Transistoren im Ruhezustand für die Diode 11 eine Sperrspannung ergibt.
  • Bei zunehmendem optischem Pegel der optischen Signale, die auf die PIN-Photodiode 2 einwirken, wird der Transistor 3 zunehmend stromführend. Das Potential des Schaltungspunktes 6 nähert sich dabei immer mehr dem Massepotential, wobei der rasch sich vergrößernde Strom durch die Diode 11, die vorteilhaft durch eine Schottky-Diode gebildet wird, verhindert, daß der von der PIN-Photodiode 2 gelieferte Basisstrom für den Transistor 1 bei großen Pegeln der optischen Signale den Transistor 1 übersteuern kann.
  • Fig. 2 zeigt das Schaltbild eines gegenüber dem anhand von Fig. 1 erläuterten Verstärker modifizierten Verstärkeraufbaus. Bei dem Verstärker nach Fig. 2 ist zusätzlich zur Diode 11 eine weitere Diode 12 zwischen den Schaltungspunkt 7 und den Schaltungspunkt 10 geschaltet. Die Diode 12 ist so gepolt, daß sie mit ihrer Kathode am Basisanschluß 10 des ersten Transistors 1 liegt.
  • Auf diese Weise ist der Verstärker nach Fig. 2 besonders dazu geeignet, um optische Eingangssignale zu verarbeiten, die dreistufig sind. Solche optischen Signale, vergleiche hierzu insbesondere Fig. 7, gehen von einem optischen Ruhepegel aus, der etwa den Wert 0,5 des maximalen optischen Pegels aufweist. Die optischen Signale werden dabei dadurch realisiert, daß für die Dauer eines Signalimpulses der optische Pegel entweder den Wert Null annimmt, ein solches Signal ist in Fig. 7 mit 13 bezeichnet oder den maximalen Pegelwert, vergleiche hierzu in Fig.l das Signale4.
  • Bei der Verstärkerschaltung nach Fig. 2 tritt die Diode 11 in Aktion, wenn die optischen Signale 14 einen so großen Leistungspegel aufweisen, daß sie den Verstärker zu übersteuern drohen und die Diode 12 für die optichen Signale 13. Beide Dioden sind vorteilhaft an niederohmige Strompfade angeschlossen, denn der Strompfad der Diode 11 verläuft über den Transistor 3 nach Masse und der Strompfad der Diode 12 über den Transistor 5 zu dem von Masse abgewandten Pol der Betriebsspannungsquelle.
  • Die Schaltung nach Fig. 2 kann auch vorteilhaft bei optischen Signalen verwendet werden, die nur zweistufig sind, also von einem Nullpegel ausgehen. In diesem Fall ist dafür zu sorgen, daß die Wirkung der optischen Signale auf den Verstärker durch ein Differenzierglied beeinflußt wird, das bei jeder Signalflanke des optischen Signals bewirkt, daß ein bei einer Anstiegsflanke in der einen Richtung und bei einer Abstiegsflanke des optischen Signals in der anderen Richtung gepolter Nadelimpuls auftritt. Ein solches Differenzierglied ist in Fig. 2 durch zwei in Serie geschaltete Widerstände 15, 16 realisiert, die dem Widerstand 9 parallel geschaltet sind und deren Verbindungspunkt 17 über einen Kondensator 18 an Masse angeschlossen ist. Die Dioden 11 und 12 verhindern dabei, daß bei der Erzeugung der Nadelimpulse eine Übersteuerung des Verstärkers infolge zu großer optischer Eingangspegel auftreten kann. Die Wirkungsweise der Dioden 11, 12 ist dabei dieselbe wie bei einem dreistufigen optischen Eingangssignal.
  • Fig. 3 zeigt, wie durch die Einfügung eines Kondensators 19 zwischen einen kollektorseitigen Anschlußpunkt 20 des Transistors 5 der dritten Verstärkerstufe und den Schaltungspunkt 10 die Kapazität der Dioden 11 und 12 kompensiert werden kann.
  • Außerdem ist aus Fig. 3 zu ersehen, daß zwischen den Schaltungspunkt 20 und den von Masse abgewandten Pol der Speisespannungsquelle + UB ein Kollektorwiderstand 21 eingefügt werden kann, so daß eine Ausgangsspannung Ua am Schaltungspunkt 20 abgegriffen werden kann.
  • Zur Verminderung der wirksamen Emitter-Impedanz des Transistors 5 der dritten Verstärkerstufe kann auch der Emitterwiderstand 8 in zwei Serienwiderstände 8a und 8b aufgeteilt, vergleiche hierzu Fig. 4, und einem der beiden Teilwiderstände 8b eine Diode 22 parallel geschaltet werden, so daß der Teilwiderstand 8b durch die Diode 22, deren Widerstandswert im leitenden Zustand sehr gering ist, überbrückt wird. Bei nur schwach leitendem Tran- sistor 5 ist die Diode 22 stromlos und der für den Transistor 5 resultierende Emitterwiderstand ist dann durch die Reihenschaltung der Widerstände 8a und 8b gegeben.
  • Zur Erhöhung der Kollektorimpedanz des Transistors 5 der dritten Verstärkerstufe kann der Kollektorwiderstand 21 des Transistors 5 auch durch einen vom Widerstand 21 aperiodisch gedämpften Schwingkreis 23 gebildet sein, wie Fig. 5 zeigt.
  • Aus Fig. 6 ist zu ersehen, daß an die emitter- und kollektorseitigen Schaltungspunkte 7, 20 jeweils RC-Glieder 24 angeschlossen werden können. Bei geeigneter Bemessung dieser Glieder kann am Ausgang dieser RC-GLieder ein Signal abgegriffen werden, das dem mittleren optischen Eingangspegel proportional ist.

Claims (7)

  1. Patentansprüche n An eine Fotodiode angekoppelter Transimpedanz-Verstärker mit drei, jeweils einen Transistor aufweisenden Verstärkerstufen, von denen die erste in Kollektorbasisschaltung und die zweite in Emitterbasisschaltung betrieben ist, und bei dem der Transistor der dritten Verstärkerstufe wenigstens emitterseitig eine Lastimpedanz aufweist und zwischen dem eingangsseitigen Basisanschluß des Verstärkers und einem Schaltungspunkt des Verstärkers der zu einem Verstärker-Eingangssignal ein gegenphasiges Signal führt, ein Gegenkopplungswiderstand vorgesehen ist, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß der Gegenkopplungswiderstand (9) an den emitterseitigen Anschluß (7) des dritten Transistors (5) angeschlossen ist und daß der kollektorseitige Anschluß (6) des zweiten Transistors (3) über eine Diode(ll), die im Ruhezustand des Verstärkers durch die Speisespannung (+UB) des zweiten Transistors (3) in Sperrichtung gepolt ist, mit dem Basisanschluß (10) des ersten Transistors (1) verbunden ist.
  2. 2. Transimpedanz-Verstärker nach Anspruch 1, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß eine weitere Diode (12) dem Gegenkopplungswiderstand (9) parallel geschaltet ist und mit ihrer Kathode mit dem Basisanschluß (10) des ersten Transistors (1) verbunden ist.
  3. 3. Transimpedanz-Verstärker nach Anspruch 1 oder 2, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß als Dioden (11, 12) Schottky-Dioden vorgesehen sind.
  4. 4. Transimpedanz-Verstärker nach Anspruch 3, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß der dritte Transistor (5) eine kollektorseitige Lastimpedanz (21) aufweist und daß ein Kondensator (19) zwischen dem Kollektoranschluß (20) des dritten Transistors (5) und dem vom Emitteranschluß (7) des dritten Transistors (5) abgewandten Ende des Gegenkopplungswiderstandes (9) vorgesehen ist.
  5. 5. Transimpedanz-Verstärker nach Anspruch 4, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß der Emitterwiderstand (8) des dritten Transistors (5) in zwei Serienwiderstände (8a, 8b) aufgeteilt ist und daß eine Shunt-Diode (22) dem masseseitigen Serienwiderstand (8b) parallel geschaltet ist.
  6. 6. Transimpedanz-Verstärker nach einem der Ansprüche 4 oder 5, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß die kollektorseitige Lastimpedanz (21) des dritten Transistors (5) durch einen aperiodisch gedämpften Schwingkreis (21, 23) realisiert ist.
  7. 7. Transimpedanz-Verstärker nach einem der Ansprüche 4 bis 6, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß die Emitter- und Kollektoranschlüsse (7, 20) des dritten Transistors (5) durch nachgeschaltete RC-Glieder (24) als Signalabgriffe für jeweils ein dem mittleren Eingangssignal des Verstärkers proportionales Signal ausgebildet sind.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0313914A1 (de) * 1987-10-26 1989-05-03 Siemens Aktiengesellschaft Schaltungsanordnung mit einem an einen opto-elektrischen Wandler angeschlossenen Vorverstärker
DE4107849A1 (de) * 1991-03-12 1992-09-17 Licentia Gmbh Schaltungsanordnung fuer einen photoempfaenger
DE10126379A1 (de) * 2001-05-30 2002-12-12 Infineon Technologies Ag Schaltungsanordnung zum Digitalisieren eines Informationssignals

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0313914A1 (de) * 1987-10-26 1989-05-03 Siemens Aktiengesellschaft Schaltungsanordnung mit einem an einen opto-elektrischen Wandler angeschlossenen Vorverstärker
US4870369A (en) * 1987-10-26 1989-09-26 Siemens Aktiengesellschaft Circuit arrangement having a pre-amplifier connected to an opto-electric transducer
DE4107849A1 (de) * 1991-03-12 1992-09-17 Licentia Gmbh Schaltungsanordnung fuer einen photoempfaenger
DE10126379A1 (de) * 2001-05-30 2002-12-12 Infineon Technologies Ag Schaltungsanordnung zum Digitalisieren eines Informationssignals
DE10126379C2 (de) * 2001-05-30 2003-06-26 Infineon Technologies Ag Schaltungsanordnung

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