DE3432117C2 - - Google Patents
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- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 238000005496 tempering Methods 0.000 claims description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 3
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 claims description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 26
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 19
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000000254 damaging effect Effects 0.000 description 1
- 230000002427 irreversible effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
- B05D1/62—Plasma-deposition of organic layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/14—Organic dielectrics
- H01G4/145—Organic dielectrics vapour deposited
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D2506/00—Halogenated polymers
- B05D2506/10—Fluorinated polymers
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- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen
temperaturbeständiger glimmpolymerer Kunststoffschich
ten aus perfluorierten und reinen Kohlenwasserstoffen
durch HF-Entladung, indem die Schichten nach ihrer
Fertigstellung einer Temperung unterzogen werden.
Derartige Schichten, die durch Polymerisation von Gasen
mittels Glimmentladung auf einem Substrat hergestellt
werden, sind aus der DE-PS 29 07 775 bekannt. Dort ist
beschrieben, daß durch eine mehrstündige Temperung bei
Temperaturen über 200°C die Haftfestigkeit zwischen
Trägerfolie und Polymerisatschicht und einer Metalli
sierung verbessert wird. Bei dieser Behandlung besteht
allerdings die Gefahr, daß bei Kondensatoren, die die
genannten glimmpolymeren Kunststoffschichten als Dielek
trikum besitzen, irreversible Änderungen der Kapazi
tät und Blasenbildung im aktiven Teil des Schichtpa
kets auftreten können. Dies wird darauf zurückgeführt,
daß bei einer schnellen Temperaturerhöhung kurzketti
ge Anteile schnell aus dem Polymer herausdiffundieren
und dadurch die plasmapolymeren Kunststoffschichten
beschädigen können.
Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren zum Her
stellen glimmpolymerer Kunststoffschichten anzugeben,
mit dessen Hilfe temperaturbeständige Schichten erhal
ten werden, ohne daß die Schichten bei der Herstellung
beschädigt werden.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß
die Schichten zunächst auf ca. 80°C erwärmt werden
und anschließend die Temperatur sukzessiv in Schritten
bis zu 10°C im Abstand von mindestens einer Stunde auf
höchstens 260°C erhöht wird.
Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren wird der Vorteil
erzielt, daß die Temperaturbeständigkeit der glimm
polymeren Kunststoffschichten wesentlich verbessert ist,
ohne daß die Schichten selbst geschädigt werden. Bei
spielsweise ist die Kurzzeittemperaturbeständigkeit
von Schichtkondensatoren mit den erfindungsgemäß her
gestellten glimmpolymeren Dielektrikumsschichten auf
ca. 260°C erhöht, so daß diese Bauelemente ohne wei
teres einem Tauchlötvorgang, insbesondere für Chip-
Bauformen, unterzogen werden können.
Zusätzlich wird die Langzeitbeständigkeit der Kontaktie
rung derartiger Kondensatoren sicherer, da die durch die
erfindungsgemäße Behandlung entfernten kurzkettigen An
teile bei hohen Temperaturen chemisch nicht inert sind
und das Belagmetall (Aluminium) angreifen.
Um eine Reaktion des Belagmetalls mit Sauerstoff bei
der Temperung zu vermeiden, ist es vorteilhaft, die
Temperung in Vakuum oder Schutzgas, bevorzugt in durch
strömender Stickstoffatmosphäre, vorzunehmen, um die
Konzentration an Sauerstoff und Abdampfprodukten nie
drig zu halten.
Die Anfangstemperatur von ca. 80°C wird dadurch be
stimmt, daß hierbei die kurzkettigen Anteile gerade
beginnen abzudampfen. Die Temperatur- und Zeitintervalle
werden in Abhängigkeit von der Dicke und Zahl der
glimmpolymeren Kunststoffschichten gewählt.
Weitere Vorteile werden anhand der folgenden Ausfüh
rungsbeispiele aufgezeigt.
Fünfziglagige Kondensatoren mit glimmpolymeren Dielek
trikumsschichten wurden kurzzeitig auf 150°C erhitzt
(Bedingungen, bei denen ungetemperte Kondensatoren durch
Blasenbildung noch nicht zerstört werden). Die ungetemper
ten Kondensatoren wiesen nach dieser Behandlung eine Kapa
zitätszunahme von 2,9% und eine Zunahme des Verlustfaktors
von 13 · 10-3 auf. Die erfindungsgemäß getemperten Konden
satoren hatten dagegen keine Kapazitätsänderung und eine
Verlustfaktor-Zunahme von 0,5 · 10 -3. Die elektrischen
Werte wurden dabei jeweils bei 100 kHz gemessen.
Die beobachtete Kapazitätszunahme bei den ungetemperten
Kondensatoren kann durch Oxidation der Radikale im Di
elektrikum erklärt werden, da ähnliche Kapazitätsänderungen
beim Tempervorgang unter Schutzgas nicht beobachtet wurden.
Gleichzeitig deuten hier der starke Anstieg des Verlust
faktors bei starker Abnahme der Isolation die schon be
ginnende Zerstörung des Schichtpakets an.
Fünfziglagige Kondensatoren mit glimmpolymeren Dielek
trikumsschichten wurden für 5 s in ein umgewälztes
Lötbad mit einer Temperatur von 260°C eingetaucht. Un
getemperte Kondensatoren wurden durch diese Behandlung
vollständig zerstört; d. h. es waren keine elektrischen
Werte mehr meßbar. Die erfindungsgemäß getemperten Kon
densatoren wurden dagegen nicht beschädigt und wiesen
eine Kapazitätsaufnahme von 0,5% und einen Anstieg des
Verlustfaktors um 0,3 · 10 -3 auf (gemessen bei 1 kHz).
Fünfundzwanziglagige Kondensatoren wurden 500 Stunden
spannungslos bei Raumtemperatur und 85% relativer Feuchte
gelagert. Die ungetemperten Kondensatoren hatten eine Kapa
zitätszunahme von 1,4%, eine Verlustfaktorzunahme von
5,4 · 10-3 und eine Isolation von 3 · 104 MΩ. Die ge
temperten Kondensatoren wiesen eine Kapazitätszunahme von
0,56%, eine Verlustfaktorzunahme von 5,08 · 103 und eine
Isolation von 6 · 103 MΩ auf. Der Vergleich zeigt, daß
durch die Temperung keine prinzipielle Änderung der Lang
zeitstabilität in feuchter Umgebung eingetreten ist. Die
verringerte Zunahme der Kapazität und des Verlustfaktors
ist ein Beweis dafür, daß die Zahl der Radikale im Di
elektrikum durch die Temperung verringert wird. Bei ein
dringender Feuchte können sich die Wassermoleküle nicht
mehr an diesen polaren Gruppen anlagern, was eine ver
ringerte Zunahme der Dielektrizitätszahl und des di
elektrischen Verlustfaktors bei diesen Versuchsbedingungen
zur Folge hat.
Fünfundzwanziglagige Kondensatoren wurden 500 Stunden
spannungslos bei erhöhter Temperatur (100°C) gelagert.
Hierbei hatten die ungetemperten Kondensatoren eine Kapa
zitätszunahme von 1,1%, eine Verlustfaktor-Zunahme von
4,6 · 10-3 und eine Isolation von 2 · 105 MΩ. Die Werte
für die getemperten Kondensatoren betrugen 1,3% Kapa
zitätszunahme, 4,3 · 10-3 Verlustfaktor-Zunahme und
2 · 105 MΩ Isolation. Die gleichartigen Ergebnisse ge
temperter und ungetemperter Kondensatoren bei Lagerung
unter hohen Temperaturen zeigen, daß der erfindungsgemäße
Tempervorgang weder auf das Dielektrikum noch auf den
Metallbelag eine schädigende Wirkung ausübt.
Neben den in den Ausführungsbeispielen beschriebenen Glimm
polymeren Kunststoffschichten als Dielektrikumsschichten in
Schichtkondensatoren eignet sich das Verfahren auch zur
Herstellung temperaturbeständiger glimmpolymerer Kunststoff
schichten für andere Anwendungen, wie z. B. temperaturfeste
und korrosionsfeste Deck- und Schutzschichten.
Claims (4)
1. Verfahren zum Herstellen temperaturbeständiger glimm
polymerer Kunststoffschichten aus perfluorierten und reinen
Kohlenwasserstoffen durch HF-Entladung, indem die Schichten
nach ihrer Fertigstellung einer Temperung unterzogen
werden, dadurch gekennzeichnet,
daß die Schichten zunächst auf ca. 80°C erwärmt werden und
anschließend die Temperatur sukzessiv in Schritten bis
10°C im Abstand von mindestens einer Stunde auf höchstens
260°C erhöht wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch ge
kennzeichnet, daß die Temperung in Schutzgas
oder im Vakuum durchgeführt wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch
gekennzeichnet, daß die Temperung in durch
strömender Stickstoffatmosphäre durchgeführt wird.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, da
durch gekennzeichnet, daß die
Schichten nach Erreichen der Schlußtemperatur mehrere
Stunden bei dieser Temperatur getempert werden.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19843432117 DE3432117A1 (de) | 1984-08-31 | 1984-08-31 | Verfahren zum herstellen temperaturbestaendiger glimmpolymerer kunststoffschichten |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19843432117 DE3432117A1 (de) | 1984-08-31 | 1984-08-31 | Verfahren zum herstellen temperaturbestaendiger glimmpolymerer kunststoffschichten |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3432117A1 DE3432117A1 (de) | 1986-03-13 |
DE3432117C2 true DE3432117C2 (de) | 1987-08-13 |
Family
ID=6244410
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19843432117 Granted DE3432117A1 (de) | 1984-08-31 | 1984-08-31 | Verfahren zum herstellen temperaturbestaendiger glimmpolymerer kunststoffschichten |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE3432117A1 (de) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2792003B1 (fr) * | 1999-04-09 | 2001-06-01 | Saint Gobain Vitrage | Substrat transparent comportant un revetement hydrophobe/ oleophobe forme par cvd plasma |
-
1984
- 1984-08-31 DE DE19843432117 patent/DE3432117A1/de active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3432117A1 (de) | 1986-03-13 |
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