DE3431986A1 - Polarisationstrennender reflektor - Google Patents
Polarisationstrennender reflektorInfo
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Description
"1 Polarisationstrennender Reflektor.
Die Erfindung betrifft einen Reflektor zum Einsatz bei Mikrowellen-Sende- und Empfangsantennen, die symmetrisch
oder unsymmetrisch gespeist werden und mit oder ohne Subreflektor ausgerüstet sind und mit einer polarisationsselektiven
reflektierenden Gitterstruktur auf oder innerhalb eines dielektrischen Trägers versehen
sind.
10
Bei Nachrichten- und Fernerkundungssatelliten werden im Mikrowellenbereich fast ausschließlich Reflektorantennen mit Einfach- oder Mehrfachspeisung eingesetzt, wobei
der Entwicklungstrend zu immer höheren Frequenzen verläuft, bedingt durch den Wunsch sowohl nach erhöhter
Bandbreite (z.B. Auf-/Abwärtssignalstrecke bei 30/20 GHz) oder nach Nutzung der Möglichkeiten der Satelliten-
zu Satellitenkommunikation bei z.B. 60GHz mit Übertragungskapazitäten der Größenordnung Gbit/s. Während
nun hierzu bodenseitig meist symmetrisch erregte Reflektorspiegel mit Cassegrain- oder Gregory-Fangreflektor
verwendet werden, haben bordseitig "offset-Reflektorsysteme"
z.B. als Mehrstrahlantennen zur Ausleuchtung spezifizierter Bedeckungskonturen zunehmend
an Bedeutung gewonnen. Allerdings steht hier dem Vorteil eines weniger gestörten Strahlungdiagramms unter
anderem der Nachteil gegenüber, daß im Bereich der Hauptkeule eine kreuzpolare Signalkomponente auftritt,
die mit typisch -2OdB Nebenzipfelniveau erreicht. Dies
ist jedoch dann besonders störend, wenn eine Satellitenstrecke mit orthogonal polarisierten Signalen betrieben
werden soll.
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/ in or fl
MBB
Patentabteilung
30.08.84, 0177A Kremnitz/schö 9610
Nun sind beispielsweise durch die US-PS 4 228 437 polarisationstrennende
Reflektoren bekannt geworden, bei denen Dipolgitter in Verbindung mit dielektrischen Reflektorschalen
selektiv die Komponenten der einfallenden Wellen reflektieren und deren Ε-Vektor jeweils
parallel zur Streifenrifchtung orientiert sind. Durch
die Wahl des Abstandes der beiden orthogonal orientierten Gitter wird eine bestimmte Phasenbeziehung zwischen
den zwei reflektierten Feldkomponenten eingestellt, die
eine Polarisationswandlung bewirken (z.B. orthogonal linear -» zirkulär). Lediglich eine gewisse Breitbandigkeit
kann durch die Anordnung mehrerer jeweils gleichorientierter Gitter hintereinander erreicht
werden.
15
Es sind weiterhin Reflektorstrukturen mit Dipolgitter z.B.
auch als Kreuzdipole - bekannt geworden, wie beispielsweise aus der US-PS 4 160 254 zu entnehmen ist.
Diese Ausführungen werden zur frequenzselektiven Re-
20
flexion gleichpolarisierter Signale eingesetzt. Da aber Kreuzdipole immer beide Polarisationsrichtungen reflektieren,
sind sie ausschließlich zur Frequenztrennung, nicht jedoch zur Polarisationstrennung einsetzbar.
25
Der vorliegenden Erfindung liegt nun die Aufgabe zugrunde, die vorbeschriebenen Nachteile bestehender polarisationstrennender
Reflektoren zu beseitigen bzw. weitgehend zu reduzieren und Auslegungen vorzugschlagen,
bei denen der Reflexionsverlust der kopolaren Komponente den Bereich von 0,02- 0,10 dB nicht überschreitet
und eine Reduzierung der kreuzpolaren Komponente im Bereich von 30-40 dB ermöglicht.
DLese Aufgaben werden durch die im Hauptanspruch niedergelegten
Maßnahmen in überraschender Weise gelöst.
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Patentabteilung
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Die Merkmale der Unteransprüche zeigen vorteilhafte Ausgestaltungen auf, während die Figuren der Zeichnung
zur nachfolgenden Beschreibung eines Ausführungsbeispiels weitere Erläuterungen und Darstellungen geben.
Es zeigen:
Fig. 1 ein Ausführungsbeispiel eines Dipolgitters nach der Erfindung in perspektivischer Darstellung,
Fig. 2a eine schematische Darstellung der Grundstruktur mit Referenzdipol D für laterale und axiale
Kopplung,
Fig. 2b eine schematische Darstellung der Strombelegung
15 "*
I (y) mit Anhebung an den Dipolenden,
Fig. 2c ein schematisches Schaltbild des Dipol-Array
als Netzwerk aus strahlungsgekoppelten Serienresonanzkreisen,
Fig. 3 ein Diagramm für den Frequenzgang der Reflexionskoeffizienten
R.. und R. mit der relativen Streifenbreite w/D als Parameter/
25
Fig. 4 ein Diagramm über Messungen zum Frequenzgang
des Betrages des Reflexionskoeffizienten für
R.. für Dipol- und Streifengitter.
Nachstehend wird die Verwendung eines Dipolgitters beschrieben, um damit die polarisationstrennenden Reflexionseigenschaften
einer "offset-Reflektorantenne"
zu verbessern. Hierzu wird in der Fig. 1 das Ausführungsbeispiel eines zweidimensionalen Dipol-Arrays untersucht, auf das eine TE/TM-polarisierte ebene, homo-35
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gene Welle von rechts einfällt. Als Annahmen gelten, daß das Gitter unendlich ausgedehnt ist, die Dicke der
metallischen Streifendipole vernachlässigt werden und deren Leitfähigkeit unendlich groß ist. Die Gitterparameter
werden so optimiert, daß im Dipol-Resonanzfall (L~\ /2) bei hinreichend breitbandigem Verhalten
die kopolaren Reflexions- und Depolarisationsverluste minimal sind und gleichzeitig eine genügend starke Unterdrückung
des kreuzpolaren Feldes gewährleistet ist (z.B. --40 dB).
Zur Bestimmung der Strombelegung wird von einer Felddarstellung nach Floquet-Moden p,q ausgegangen und mit
der Einführung von Gittervektoren in der x,y-Ebene sowie
,jer Gitterfläche wird das gesamte elektromagnetische
Feld in der Nähe des Dipolgitters mit dem Lösungsansatz der vektoriellen Wellenfunktion in eine
doppelte, zweifach unendliche Fourier-Reihe entwickelt. Zur Unterdrückung von Nebenzipfeln im Streudiagramm des
Dipolarrays sind die Dipolabstände D, d so zu wählen, daß |d I, |d,|<λ gewährleistet ist. Damit
JL Λ O
bleibt für die Beschreibung des Reflexions- und Transmissionsvorgangs im Fernfeld die Strahlenoptik
gültig.
25
Eine Bestimmungsgleichung für die gesuchte Strombelegung I(x,y) auf den Dipolen des Arrays erhält man in
den drei Raumbereichen die Streufelder angesetzt und an den jeweiligen Grenzflächen die Stetigkeitsbedingungen
für die transversalen Komponenten der elektrischen und magnetischen Feldstärke erfüllt werden. Insbesondere
muß in der Gittereben z=0 auf den Streifendipolen die resultierende Transversalkomponente aus einfallendem
(p=q=O) und gestreutem elektrischen Feld verschwinden.
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X ί 30.08.84r 0177A
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Patentabteilung * | 9610
+
Für I (= Sprung des transversalen magnetischen Feldes)
ergibt sich eine Fredholmsche Integralgleichung 1. Art. Diese Integralgleichung ist unabhängig von der geometrischen
Gestalt der Streukörper des planaren Arrays.
Die numerische Lösung for die Reflexionskoeffizienten
erfolgt mit der Momentenmethode bei Gewichtung nach Galerkin. Die zweidimensionale Strombelegung wird durch
den Summenansatz
I(X,y) = I (X) + I (y)
und eine Entwicklung nach orthonormierten Basisfunktionen approximiert. Diese sich ergebenden vereinfachenden
Näherungen dürfen angesichts der hier zugrundeliegenden Annahmen L~\ /2
>D>w als sinnvoll angesehen werden, zumal im vorliegenden Fall mit Reflexions-
und Transmissionskoeffizienten des Arrays allein Fernfeldgrößen von Interesse sind. Ferner muß gel-
ten D > d, damit gewährleistet ist, daß sich im Fernfeld
nur Floquet-Moden mit ρ = q = 0 ausbreiten können. So kann bei der Formulierung für die Basisfunktionen
auch darauf verzichtet werden, zusätzlich einen "edge-mode" mit zu berücksichtigen. Die betrifft in
-+
erster Linie den Querstrom I . Die Integralauswertungen
vereinfachen sich in diesem Fall, die Integralgleichung aber kann damit in eine Matrixdarstellung übergeführt
werden. (Zc = A, wobei Z die NxN-Impedanzmatrix, c die Entwicklungskoeffizienten und A der Erregungsvektor
des einfallenden Feldes sind). Zur Bestimmung der Koeffizienten der Reflexionsmatrix R des Dipolgitters
bezieht man das gesamte rückgestreute elektrische Feld auf das einfallende Feld. Mit den trigonometrischen Basisfunktionen
sind alle bei der numerischen Berechnung auftretenden Integralausdrücke analytisch darstellbar.
X I 30.08.84, 0177Α
MBB * j Kremnitz/schö
-*' ι 9610
Patentabteilung !
Erwartungsgemäß erweist sich für die Fernfeldbestimmung
eines Dipolarrays die Zahl der sin, cos-Basisfunktionen
als unkritisch (als optimale Festlegung gilt U = 3; V = 6), wohingegen die Zahl der Floquet-Moden mit
M > 30 für TE- und M >
40 für TM-Polarisation (Brewster-Winkel) relativ hoch gewählt werden muß.
Geht man von einem einzelnen Dipol D des Gitters nach Fig. 2a aus (TE-Einfall, 0 = 0), so ist in der
1^ Gitterebene mit Strahlungskopplung in erster Linie gegenüber
den vier seitlich versetzten Dipolen 1 bis 4 zu rechnen (Abstand D), während die Strahlungskopplung gegenüber
den beiden axial versetzten Dipolen als gering anzusehen ist. (Knoten der Längskomponente Ϊ der
Strombelegung im Abstand d). Die Strahlungskopplung gegenüber
den seitlich jeweils im Abstand 2D versetzten Dipolen 5,6 ist sicher weniger ausgeprägt, zumal diese
durch die Dipole 2,3 bzw. 1,4 "abgeschirmt" werden. Durch die "auf Lücke" versetzte Strahleranordnung kommt
z.B. der obere Stromknoten von D in die Nähe der
Strombäuche der Dipole 1,2 zu liegen, und zwar gleichphasig in Bezug auf D . Die Superposition dieser
strahlungsgekoppelten Felder führt zu einer Anhebung der Strombelegung I in Richtung auf die beiden Dipolenden
von D , d.h. die Stromknoten werden von den benachbarten Strombäuchen "aufgefüllt". Die für
TE-Polarisation (0 = 0°) und senkrechte Inzidenz berechneten Strombelegungen eines typischen Dipolgitters
(ohne Dielektrikum) bestätigen dies auch quanti-
JU tativ. Hierbei ergibt sich der Querstrom I zu Null,
ferner treten keine unsymmetrischen Belegungsfunktionen auf und die überlagerung der symmetrischen, cos-förmigen
Belegungsfunktionen erfolgt so, daß die resultierende Strombelegung zum Rand hin angehoben wird, wie
a^us Fig. 2b deutlich ersichtlich.
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Patentabteilung
- fi . 9610
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Für eine zumindest qualitative Beurteilung der Strahlungskopplung läßt sich damit das angegebene, in der
Fig. 2c gezeigte Schaltbild ableiten. Der auf λ/2 resonant zu betreibende Dipol ist als Serienresonanzkreis
Z zunächst verknüpft mit den in und normal zur Gitterebene resultierenden', strahlungsbedingten Kopplungsimpendanzen
Z in Verbindung mit dem als Parallelresonanzkreis Z wirkenden Sandwich. Für Z7. „ ist
in Abhängigkeit vom Dipolabstand D eine induktive oder kapazitive Blindkomponente zu erwarten. SchlieBlich
sind infolge Strahlungskopplung die den Dipolen 1 bis 4 entsprechenden Serienresonanzkreise Z und Z jeweils
parallel geschaltet. Allein eine feldtheoretische Betrachtungsweise kann die modenabhängigen Parameter
1 5
eines derartigen Netzwerkes festlegen. Vergleicht man mit einem Streifen- oder Drahtgitter, so ist in dem gezeigten
Schaltbild nach Fig. 2c der Serienresonanzkreis in dualer Zuordnung durch eine Induktivität bzw. Kapazität
zu ersetzen, je nachdem ob das einfallende, elektrische Feld parallel oder senkrecht zum Gitter polarisiert
ist.
Als Trägermaterial wird nun ein symmetrisch geschichtetes, mechanisch steifes und verlustarmes Dielektrikum
25
als Trägermaterial für das Gitter verwendet, um u.a.
minimale Reflexion für die kreuzpolare Signalkomponente zu gewährleisten. Vorzuschlagen ist hierzu die Sandwich-Leichtbauweise.
Die an der vorderen und hinteren Sandwich-Deckhaut (z.B. Kevlar, der gewählte Abstand
~λ/4) jeweils reflektierten Felder überlagern sich gegenphasig und ermöglichen somit - abhängig wiederum
von Polarisation, Frequenz und Einfallswinkel -Reflexionsminima
von -40 bis -50 dB.
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- ifr · 9610
Patentabteilung
Nachfolgend wird auf den Einfluß von Geometrie- und Materialparametern
auf das Reflexionsverhalten des Dipolgitters gemäß Fig. 1 eingegangen und mit dem herkömmlichen
Streifengitter verglichen. Hierbei wird zunächst auf Gitter ohne Dielektrikum bei senkrechter Inzidenz
θ = 0 = ο* eingegangen.' Am Anwendungsfall der polarisationstrennenden
"offset-Reflektorantenne" wird in
einer vereinfachten Vorgehensweise die Optimierung schrittweise durchgeführt und die minimale Reflexions-
und Depolarisationsverluste der kopolaren und maximalen
Unterdrückung der kreuzpolaren Signalkoraponente bestimmt. Die für Nachrichtensatelliten geforderten Spezifikationen
liegen z.B. bei R >-0,2 dB und
cop~~
R . <. -40 dB» Die Signalfrequenz soll 11 GHz und
die gewünschte Bandbreite ca. 10% betragen. Bezüglich der Dipollänge L wird beispielsweise von folgenden
Werten ausgegangen: D= 2d = 6,8 mm ~λ /4; w = lmm.
Der für das Dipolgitter berechnete kopolare Reflexionsfaktor |R I = R.. (TE = elektrisches Feld parallel
zum Gitter polarisiert) hat sein Betragsmaximum bei L*
= 15,6 mm >λ /2, d.h. bei einem Wert, der den ento
sprechenden Freiraumwert der Resonanzlänge um etwa 15% übersteigt. Diese gegenüber einem Einzeldipol (in Serienresonanz)
überhöhte Resonanzlänge wird durch die Effekte ausgeprägter Strahlungskopplung verursacht, wohingegen
die Berücksichtigung der endlichen Streifenbreite "w" im Resonanzfall zu einer Verkürzung führt.
Die Strahlungskopplung gegenüber den in der Gitterebene lateral versetzten Dipolen verursacht eine Anhebung der
elektrisch wirksamen Dipollänge gerade auch im Reso-
q/
in no ο
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Patentabteilung '" 961°
nanzfall. Hierbei wird nun L* = const, angesetzt. Bezüglich
des axialen Dipolabstandes d ist zu sagen, daß Rechnungen zeigen, daß Variationen im Bereich
λ /128 £ά%> /8 keinen wesentlichen Einfluß
ο °
auf die Resonanz Ri.~l haben, alle weiteren Untersuchungen
erfolgen mit fd = λ /16 = 1,7 mm. Bei "d"
handelt es sich um einen unkritischen Parameter, die Strahlungskopplung in Richtung der Dipolachsen ist minimal.
Der laterale Dipolabstand D als Gitterparameter ist jedoch außerordentlich empfindlich gegenüber Effekten
der Strahlungskopplung. Es zeigt sich, daß für kleinere Dipolabstände r'. erwartungsgemäß um etwa 6dB
ansteigt und das Maximum von R., zu höheren Frequenzen hin verschoben wird und zwar ca. um 1 GHz. Die
Bandbreite Af steigt dabei erheblich an.
Wie die Fig. 2a bis 2c zeigen, werden bei größerer Packungsdichte des Gitters die als Serienresonanzkreise
wirkenden, lateral versetzten Dipole zunehmend stärker
20
induktiv strahlungsgekoppelt. Der Dipol DQ verhält
sich zusammen mit den Dipolen 1 bis 4 näherungsweise wie eine zweikreisige, induktiv gekoppelte Bandsperre,
bei der sich die Resonanzfrequenz f sowie Af mit
stärkerer Ankopplung erhöhen. Die hierzu duale Gitter-
25
konfiguration mit Bandpaßverhalten (Transmission) wäre
durch gekoppelte Ganzwellendipol mit Parallelresonanz gegeben.
Das Reflexionsverhalten für den als optimal gewählten
Abstand D/λ =0,2 iet in Fig. 3 gezeigt. Der Phasenverlauf verdeutlicht die Serienresonanzwirkung des
Dipolgitters. Für f ^ f hat man kapazitives bzw.
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vf) τη no R
\MBB
Patentabteilung
Ά·
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induktives Verhalten (vor- bzw. nacheilendes magnetisches Feld; Resonanz bei 180°). Breitere Streifendipole
sind zwar weniger empfindlich gegenüber Fertigungstoleranzen, mechanischen sowie thermischen Spannungen
usw., die führen jedoch zu einem gravierenden Anstieg des senkrecht z;üm Gitter einfallenden elektrischen
Feldes R. sowie R.. zu einer Zunahme von f und Af. Die streifenbreite "w" wird hier mit w =
0,55 mm dimensioniert (w/D = 0,1). Eine technologisch bedingte Grenze liegt bei w.^0,5 mm.
Zusammenfassend ist zur Gitterdimensionierung festzustellen, daß L und D wesentlich die Reflexion parallel
zum Gitter beeinflussen (entsprechend den kopolaren TE-Feldkoraponenten), wohingegen "w" maßgebend für die
dazu orthogonale TM-Polarisation ist (kreuz-polare Feldkoraponenten). Eine wenigstens näherungsweise optimale
Dimensionierung der Gitterparameter wird dadurch erleichtert, daß hinsichtlich des Reflexionsverhaltens
nur eine schwache Kopplung zwischen D,w und d vorliegt. Dies ist u.a. auf die Resonanzwirkung des Gitters zurückzuführen,
die eine weitgehend isolierte Festlegung der Dipollänge L gestattet. Trotzdem kann für R..
eine breitbandige Reflexion durch ein hinreichend eng gewähltes Gitter bei nur wenig erhöhtem R, erreicht
werden. Dieses Breitbandverhalten ist in Übereinstimmung mit der Kopplung zweikreisiger Bandsperren bzw.
- passe. Die für eine hohe Polarisationstrennung erforderlichen dünnen Streifendipole beeinflussen Af kaum,
in allen Fällen steigt R. mit wachsender Frequenz an.
In einer Gegenüberstellung zu Gittern konventioneller Bauart - wie Streifen- oder Drahtgitter - ist zunächst
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ι τ/1 τη η« η
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I Patentabteilung ' /3'
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festzustellen, daß mit dem Dipolgitter kopolare Felder
(entsprechend R..) praktisch ohne jede Degradation breitflächig reflektiert werden können. Wie Rechnungen
gezeigt haben, gilt weiterhin auch, daß - bei gleichen Gitterparametern w,D - das Dipolgitter im interessierenden
Frequenzbereich 'eine durchwegs um ca. 2dB bessere kreuzpolare Unterdrückung hat als Streifengitter.
So kann man beim Dipolgitter mit "w" bis an die technisch realisierbare Grenze gehen und erzielt bei
D/λ = 0,2 eine Unterdrückung von R. = -47 dB, wie in der Fig. 3 verdeutlicht ist.
Wollte man eine derart hohe kreuzpolare Unterdrückung auch mit dem vergleichbaren Streifengitter erreichen,
dann müßte man für R. den unakzeptablen Wert von 1,8 dB in Kauf nehmen. Um beim Streifengitter nicht
mehr als -0,2 dB zuzulassen, muß man den Streifenabstand auf ein Viertel reduzieren (D = 1,4 mm), was wiederum
technologische Probleme mit sich bringt - es sei
20
denn, man wählt breitere Streifen bei empfindlich erhöhtem R. Generell darf gesagt werden, daß man beim Dipolgitter
eine um mindestens 5 dB bessere Polarisationstrennung erzielt.
25
Die Fig. 4 zeigt das Ergebnis von Hohlleiter-Simulationsmessungen
im X-Band, um das Reflexionsverhalten eines Dipolgitters nach experimenteller Untersuchung
graphisch aufzuzeigen, bei gleichzeitigem Vergleich mit zusätzlichen Messungen, welche mit der gleichen Vorgehensweise
auch für Streifengitter durchgeführt wurden, wobei die Parameter "wM, D jeweils für beide Gitter
gleich sind. Man sieht, daß das auf Bandmitte bei HGHz dimensionierte Dipolgitter praktisch ohne Reflexions-
und Depolarisationsverluste reflektiert und
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Vi
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MBB ΛΙ, Kremnitz/schö
9610 Patentabteilung
zwar breitbandig. Wie ersichtlich wird der Pegel -0,2 dB erst bei Frequenzen kleiner als etwa 9,3 GHz
bzw. jenseits von 12,4 GHz unterschritten, was einer relativen Bandbreite von ca. 30% entspricht. Es zeigt
sich, daß die experimentellen Ergebnisse mit den theoretischen Ergebnissen ü/bereinstimmen.
Die vorbeschriebene Lösung erbringt also drei wesentliche Vorteile: Einmal, daß die Resonanzfrequenz durch
die Dipollänge L einstellbar ist, ferner, daß die Bandbreite
durch den Abstand wählbar ist und zwar breitbandig oder selektiv und letzlich daß R . durch die
xpol
Breite "w" bestimmt wird und zwar etwa - 47dB für die
technische Grenze w. ~0,5 mm.
Claims (1)
- ~/ 30.08.8^Patentabteilung
Polarisationstrennender Reflektor.Patentansprüche1. Reflektor zum Einsatz bei Mikrowellen-Sende- und Empfangsantennen, die symmetrisch oder unsymmetrisch gespeist werden und mit oder ohne Subreflektor ausgerüstet sind und mit einer polarisationsselektiven reflektierenden Gitterstruktur auf oder innerhalb eines dielektrischen Trägers versehen sind, dadurch gekennzeichnet , daß diese Struktur resonant aus einzelnen Dipolen aufgebaut ist, wobei die Dipollänge und Abstand so dimensioniert sind, daß optimales Breitbandverhalten erzielt wird.2. Reflektor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß ein lineares Dipolgitter auf einem symmetrisch geschichteten, mechanisch steifen und verlustarmen Dielektrikum als Träger aufgebracht ist, wobei dessen Dipole auf Lücke versetzt, kolinear oder beliebig schräg angeordnet sind.3. Reflektor nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet , daß das Dipolgitter in einer Doppelreflektoranordnung orthogonaler Orientierung verwendet wird.4. Reflektor nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet , daß die linearen Dipole des Dipolgitters in ihrer Ausrichtung in der Apertur der Antenne auf parallelen Linien liegen.MBBPatentabteilung30.08.84, 0177A Kreranitz/schö 96105. Reflektor nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet , daß als dielektrischer Träger für das resonante Gitter eine Sandwichschale mit etwa λ/4 Deckhautabstand verwendet wird.10 1525 30 35
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