DE3428564C2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- DE3428564C2 DE3428564C2 DE3428564A DE3428564A DE3428564C2 DE 3428564 C2 DE3428564 C2 DE 3428564C2 DE 3428564 A DE3428564 A DE 3428564A DE 3428564 A DE3428564 A DE 3428564A DE 3428564 C2 DE3428564 C2 DE 3428564C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- layer
- molybdenum
- molybdenum nitride
- nitride
- reflections
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/091—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement
-
- H10P76/2043—
-
- H10P14/6316—
-
- H10P14/6939—
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Architecture (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US52509083A | 1983-08-22 | 1983-08-22 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE3428564A1 DE3428564A1 (de) | 1985-03-14 |
| DE3428564C2 true DE3428564C2 (enExample) | 1987-08-13 |
Family
ID=24091876
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19843428564 Granted DE3428564A1 (de) | 1983-08-22 | 1984-08-02 | Antireflexionsueberzug fuer molybdaen |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6076736A (enExample) |
| DE (1) | DE3428564A1 (enExample) |
| GB (1) | GB2145539B (enExample) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3534600A1 (de) * | 1985-09-27 | 1987-04-02 | Siemens Ag | Integrierte schaltung mit elektrischen leiterbahnen und verfahren zu ihrer herstellung |
| ES2063032T3 (es) * | 1987-04-24 | 1995-01-01 | Advanced Micro Devices Inc | Revestimientos antirreflexivos para utilizacion en fotolitografia. |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5593225A (en) * | 1979-01-10 | 1980-07-15 | Hitachi Ltd | Forming method of minute pattern |
| GB2061615A (en) * | 1979-10-25 | 1981-05-13 | Gen Electric | Composite conductors for integrated circuits |
-
1984
- 1984-07-04 GB GB08416974A patent/GB2145539B/en not_active Expired
- 1984-08-02 DE DE19843428564 patent/DE3428564A1/de active Granted
- 1984-08-10 JP JP59166624A patent/JPS6076736A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2145539A (en) | 1985-03-27 |
| GB8416974D0 (en) | 1984-08-08 |
| JPS6076736A (ja) | 1985-05-01 |
| GB2145539B (en) | 1986-08-28 |
| DE3428564A1 (de) | 1985-03-14 |
| JPH0367260B2 (enExample) | 1991-10-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE60104765T2 (de) | Photomaskenrohling und Photomaske | |
| DE69326651T2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Mustern | |
| DE10165081B4 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbton-Phasenverschiebungsmaske | |
| DE69621750T2 (de) | Verfahren und Gerät zur Abscheidung einer Antireflexbeschichtung | |
| DE60104766T2 (de) | Halbton-Phasenschiebermaske sowie Maskenrohling | |
| DE69423686T2 (de) | Halbtonphasenverschiebungsphotomaske, Blankohalbtonphasenverschiebungsmaske und Verfahren zur Herstellung der Blankomaske | |
| DE69512833T2 (de) | Bedämpfte Phasenschiebemaske und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
| DE1597803B2 (de) | Photomaske zum belichten ausgewaehlter teile einer licht empfindlichen schicht | |
| DE19944039B4 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Rohlings für eine Phasenverschiebungs-Photomaske und Verfahren zum Herstellen einer Phasenverschiebungs-Photomaske | |
| DE2754396A1 (de) | Verfahren zum herstellen von duennfilmmustern | |
| DE2419030A1 (de) | Integrierte optische vorrichtung mit lichtwellenleiter und photodetektor, sowie verfahren zu ihrer herstellung | |
| DE19525745A1 (de) | Verfahren zur Bildung eines Abdeckungsmusters | |
| DE4138999A1 (de) | Verfahren zum herstellen einer halbleitervorrichtung | |
| DE69723829T2 (de) | Rohlinge für gedämpfte eingebettete halbton-phasenschiebermasken | |
| DE69606979T2 (de) | Phasenverschiebungsmaske, Rohteil für eine solche Maske und Verfahren zur Herstellung einer solchen Maske | |
| DE3428565A1 (de) | Antireflexionsueberzug fuer optische lithographie | |
| DE1622333A1 (de) | Herstellungsverfahren fuer eine Maske zum Herstellen einer Maskierung | |
| DE102022110190A1 (de) | Leere maske und fotomaske mit dieser maske | |
| DE3783239T2 (de) | Roentgenstrahlmaske. | |
| DE69328140T2 (de) | Blankophotomaske und Phasenverschiebungsmaske | |
| DE102022114292A1 (de) | Rohmaske und fotomaske unter verwendung dieser rohmaske | |
| DE2614871C3 (de) | Verfahren zur Herstellung von Dünnschicht-Lichtleiterstrukturen | |
| DE10062660B4 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Siliciumoxynitrid-ARC-Schicht über einer Halbleiterstruktur | |
| DE10349087A1 (de) | Verfahren zur Herstellung von Halbton-Phasenverschiebungsmasken-Rohlingen | |
| DE3428564C2 (enExample) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
| D2 | Grant after examination | ||
| 8364 | No opposition during term of opposition | ||
| 8328 | Change in the person/name/address of the agent |
Free format text: SIEB, R., DIPL.-CHEM. DR.RER.NAT., PAT.-ANW., 6947 LAUDENBACH |
|
| 8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |