DE3427833C2 - Amorphe Silicium Solar-Batterie - Google Patents
Amorphe Silicium Solar-BatterieInfo
- Publication number
- DE3427833C2 DE3427833C2 DE3427833A DE3427833A DE3427833C2 DE 3427833 C2 DE3427833 C2 DE 3427833C2 DE 3427833 A DE3427833 A DE 3427833A DE 3427833 A DE3427833 A DE 3427833A DE 3427833 C2 DE3427833 C2 DE 3427833C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- amorphous silicon
- transparent conductive
- solar battery
- conductive film
- silicon solar
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 title claims description 21
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 15
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021627 Tin(IV) chloride Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J tin(iv) chloride Chemical compound Cl[Sn](Cl)(Cl)Cl HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FAPDDOBMIUGHIN-UHFFFAOYSA-K antimony trichloride Chemical compound Cl[Sb](Cl)Cl FAPDDOBMIUGHIN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1884—Manufacture of transparent electrodes, e.g. TCO, ITO
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
- H01L31/022475—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers composed of indium tin oxide [ITO]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/054—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
- H01L31/056—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means the light-reflecting means being of the back surface reflector [BSR] type
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/52—PV systems with concentrators
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
Diese Erfindung betrifft eine amorphe Silicium-Solar-Batterie nach dem Oberbegriff des
Anspruchs 1. Eine derartige Solar-Batterie ist aus dem Artikel "Efficiency of the a-
Si:H Solar Cell and Grain Size of SnO₂ Transparent Conductive Film" in IEEE
ELECTRON DEVICE LETTERS, Band EDL-4, Nr. 5, S. 157 ff. bekannt. Die bekannte
Solar-Batterie aus amorphem Si:H ist auf SnO₂/Glas-Substraten gefertigt und die
rückseitige Elektrode besteht aus einer Aluminiumschicht, die zugleich als Reflektor
wirkt. Bei einer Korngröße von bis zu 8 µm beträgt der Kurzschlußstrom dieser
bekannten Solar-Batterien 12 bis 14 mA/cm². Die effektive Zellenfläche beträgt 4 · 10-2 cm².
In der prioritätsälteren EP 01 02 204 A1 wird eine weitere Solarbatterie
vorgeschlagen, bei der auf ein glattes Substrat aus Glas eine texturierte transparente
Elektrode gebildet wird, darauf eine amorphe Silicium-Halbleiter-Schicht mit
halbleitenden p-i-n-Schichten aufgebracht und auf dieser amorphen Silicium-Halbleiter-
Schicht zur Verbesserung der Adhäsion zwischen Halbleiterschicht und rückwärtiger
Elektrode ein Indium-Zinnoxidfilm gebildet wird. Schließlich wird noch ein
Reflektionsfilm aus Silber als rückwärtige Elektrode aufgedampft. Diese Bauart ist
jedoch insofern nachteilig, als die Kurzschluß-Stromdichte JSC so niedrig wie 15
mA/cm² ist trotz Verwendung von Silber, welches einen hohen Reflektions-Index
besitzt.
Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine amorphe Silicium-Solar-Batterie zu
schaffen mit einer großen Kurzschluß-Stromdichte und somit mit einem großen
Wirkungsgrad.
Die Aufgabe wird durch die Merkmale des Anspruchs 1 gelöst.
Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den Ansprüchen 2 bis 4 angegeben.
Die Erfindung wird anhand der Zeichnungen nachfolgend näher erläutert. Die Figuren
zeigen folgendes:
Fig. 1 ist eine Schnittzeichnung eines Teils der amorphen Silicium-Solar-Batterie.
Fig. 2 ist ein Diagramm, das die Charakteristik der Kurzschlußstromdichte in
Abhängigkeit vom durchschnittlichen Korndurchmesser für den ersten transparenten
leitenden Film bei einer Solar-Batterie gemäß der Erfindung und einem
Vergleichsbeispiel zeigt.
Fig. 3 stellt ein Diagramm der Stromspannungscharakteristik
von Solar-Batterien gemäß der Erfindung und des Vergleichsbeispiels dar.
Fig. 4 beinhaltet ein Diagramm mit den Charakteristiken
des Kurzschlußstromes in Abhängigkeit von dem mittleren
Korndurchmesser des ersten leitenden transparenten Filmes
bei Solar-Batterien gemäß der Erfindung und einem
Vergleichsbeispiel.
In der Fig. 1 bedeutet die Zahl 1 ein transparentes
Substrat auf der Einfallseite der Strahlen; das Substrat
besteht zum Beispiel aus Glas. Die Zahl 2 stellt einen
ersten transparenten leitenden Film dar, der auf der Oberfläche
des Substrates 1 gebildet wurde; die Oberfläche
des Films ist uneben innerhalb des durchschnittlichen
Korndurchmessers von 0,1 bis 0,9 µm. Der Film ist hergestellt
aus Zinnoxid (SnO₂), Indium-Zinnoxid (nachfolgend
abgekürzt mit ITO) oder dergleichen. Die Ziffer 3 bedeutet
einen amorphen Silicium-Halbleiter mit p-i-n-
Schichten. Die Zahl 4 stellt einen zweiten transparenten
leitenden Film aus zum Beispiel Indium-Zinnoxid, der
als rückwärtige Elektrode dient, dar. Die Ziffer 5 ist
ein metallischer Film aus Silber, Aluminium, Kupfer,
Chrom oder dergleichen, der bei Bedarf als rückwärtige
Elektrode sowie als Reflektionsschicht dient.
Auf Grund des Aufbaus wird ein Strahl,
der in die amorphe Silicium-Schicht 3 durch das transpararente
Substrat 1 und die erste leitende transparente
Schicht 2 eintritt, an der unebenen Oberfläche des ersten
transparenten leitenden Films 2 ungeordnet gebrochen,
so daß dessen optische Weglänge in der amorphen
Silicium-Halbleiterschicht 3 lang wird und dessen optische
Energie voll durch die Halbleiterschicht 3 absorbiert
werden kann. Über diese Brechung des Strahls an
der unebenen Oberfläche des ersten transparenten leitenden
Films 2 nach Passieren des transparenten Substrats 1
hinaus wird der Einfallwinkel hinter der Halbleiterschicht
3 auf die rückwärtige Elektrode 5 groß.
Da aber der Brechungsindex der zweiten
transparenten leitenden Schicht 4, die als rückwärtige
Elektrode dient, verhältnismäßig klein
und der Brechungsindex der Halbleiterschicht verhältnismäßig groß
ist, werden alle
Strahlen, deren Einfallswinkel größer ist als der kritische
Winkel, reflektiert mit der Folge, daß ein hoher
Reflektionswert am zweiten transparenten leitenden Film
4 erreicht werden kann. Dadurch erhält man einen Kurzschlußstrom,
der größer ist als bei den gebräuchlichen
Solarbatterien, die nur eine rückwärtige Elektrode aus
einem Metall wie Silber oder dergleichen haben.
Die Erfindung wird nun an Hand der nachstehenden Ausführungsbeispiele
sowie Vergleichsbeispiele erläutert.
SnCl₄ · 5 H₂O und SbCl₃ werden so gemischt, daß das Gewicht
von Zinn 3 Gewichts-% im Verhältnis zu Antimon ist, und
alsdann so in einer 1%igen HCl-Lösung in Wasser gelöst,
daß die Konzentration 10% beträgt. Die erhaltene Lösung
wird auf ein auf 430°C erhitztes Glassubstrat aufgesprüht.
Es bildet sich ein Film aus Zinnoxid (SnO₂) mit einer
Stärke von 0,8 µm, der als erste transparente leitende
Schicht dient.
Die gefundene Unebenheit der Oberfläche war 0,4
µm in bezug auf durchschnittlichen Korndurchmesser; der
Flächenwiderstand beträgt etwa 15 Ohm. Durch ein Glimmentladungsverfahren
wird auf dem Zinnoxidfilm eine amorphe Silicium-Halbleiterschicht
gebildet, die eine p-Schicht, eine i-Schicht
und eine n-Schicht in Reihenfolge umfaßt. Die p-Schicht
wird aufgebracht in einer Schichtstärke von 10 nm
mittels eines Entladungsstroms von 0,1 W/cm² von einem
Mischgasstrom aus SiH₄ und B₂H₆, der gemischt ist in einem
Verhältnis von 0,5 Volumen-% in bezug auf SiH₄. Die
i-Schicht wird mittels eines Gasstroms von SiH₄ in einer
Stärke von 500 nm aufgebracht. Die n-Schicht
in einer Stärke von 30 nm wird aus einem Mischgasstrom
von SiH₄ und PH₄, gemischt in einem Verhältnis
von 0,8 Volumen-% in bezug auf SiH₄, niedergeschlagen.
Auf diese amorphe Silicium-Halbleiterschicht wird dann
ein Film aus Indium-Zinnoxid (ITO) in einer Stärke von
70 nm aufgebracht durch Elektronenstrahl-Aufdampfen
in einer Sauerstoff-Atmosphäre von 67 · 10-3 Pa.
Es wird so eine Solar-Batterie hergestellt in der Größe
2×2 mm², wobei deren rückwärtige Elektrode durch eine
zweite transparente leitende Schicht aus Indium-Zinnoxid
gebildet ist. Darüber hinaus werden in der entsprechenden
Weise, jedoch durch Abänderung der Zeit zur Bildung des
Zinnoxid-Films, Filme mit einer Schichtstärke von 0,25,
0,5, 0,7, 1,2 und 1,9 µm hergestellt, wobei die Solar-Batterien
durchschnittliche Korngrößen in der ersten
transparenten leitenden Schicht aus Zinnoxid von 0,1,
0,2, 0,3, 0,5 und 0,9 µm haben und die Flächenwiderstände
60, 30, 20, 13 und 8 Ohm/ betragen, wenn die rückwärtige
Elektrode allein aus der zweiten transparenten
leitenden Schicht aus Indium-Zinnoxid gebildet ist.
Die entsprechenden Kurzschluß-Stromdichten JSC von diesen
Solar-Batterien sind - wenn ein Strahl aus einem
Solar-Simulator AM-1 darauf gerichtet wird - 16,9 bis
21 mA/cm², wie aus der Kurve A in Fig. 2 ersichtlich
ist.
Von den vorhergehenden Proben mit 0,1 bis 0,9 µm im mittleren
Korndurchmesser hat das Muster mit 0,4 µm eine
Stromspannungscharakteristik, wie aus der Kurve A in Fig.
3 ersichtlich ist; 20,5 mA/cm² beträgt die Kurzschluß-
Stromdichte Jsc, 0,84 V ist die Leerlaufspannung Voc
und 11,3% ist der Wirkungsgrad η der Umformung.
Erste transparente leitende Filme mit einer unebenen Oberfläche
bei durchschnittlichen Korngrößen von 0,1, 0,2, 0,3, 0,4,
0,5 und 0,9 µm und amorphe Silicium-Halbleiterschichten
werden wie in Beispiel 1 beschrieben auf entsprechende
transparente Glassubstrate nacheinander aufgebracht. Alsdann
wird jedes dieser Muster - anstelle des zweiten transparenten
leitenden Films aus ITO - mit einem Aluminiumfilm
einer Stärke von 1 µm durch Elektronenstrahl-Aufdampfung
als rückwärtige Elektrode versehen; es wurden
so Solar-Batterien in der Größe 2×2 mm² hergestellt.
Die Kurzschluß-Stromdichten Jsc dieser Batterien waren
- ausweislich der Kurve D in Fig. 2 - 15,6 bis 17,5
mA/cm². Die Kurve D in der Fig. 3 gibt die Stromspannungs-
Charakteristik der Probe mit 0,4 µm für den mittleren
Korndurchmesser der Oberfläche vom ersten transparenten
leitenden Film wieder; die Kurzschlußstromdichte
beträgt 17,1 mA/cm², die Leerlaufspannung ist 0,84 V
und der Wirkungsgrad η für die Umformung beträgt 9,45%.
InCl₄ · 4 H₂O und SnCl₄ · 4 H₂O werden so gemischt, daß das
Gewicht von Zinn 2 Gewichts-% in bezug auf Indium ist. Die
Substanzen werden in wässeriger 1%iger Salzsäurelösung
gelöst, und zwar zu einer Konzentration von 10 Gewichts-%
zur Herstellung eines flüssigen ITO-Materials.
Diese ITO-Flüssigkeit wurde auf ein auf 470°C erhitztes
Glassubstrat aufgesprüht und auf diese Weise verschiedene
Proben mit einer ersten transparenten leitenden Schicht
aus ITO in der Stärke von 0,2, 0,4, 0,6, 0,8, 1,0 und 1,6
µm hergestellt. Diese ersten transparenten leitenden Filme
hatten Oberflächen mit einem durchschnittlichen Korndurchmesser
von 0,1, 0,2, 0,3, 0,4, 0,5 und 0,9 µm sowie
einen Flächenwiderstand von 18, 11, 7, 5, 4 und 3 Ohm/.
In entsprechender Weise wie im Beispiel 1 wurden auf diese
ersten transparenten leitenden Schichten amorphe Silicium-
Halbleiterschichten und dann als rückwärtige Elektroden
zweite transparente leitende Filme allein aus ITO in einer
Stärke von 70 nm zur Herstellung der Solar-
Batterien aufgebracht. Diese Solar-Batterien hatten eine
Kurzschlußstromdichte von 14,9 bis 18,9 mA/cm², wie aus
der Kurve H in Fig. 4 ersichtlich ist.
Nach der in Beispiel 2 beschriebenen Weise werden amorphe
Silicium-Halbleiterschichten auf entsprechende erste leitende
transparente Filme mit den dort angeführten variierenden
Korndurchmessern aufgebracht und alsdann wie im
Vergleichsbeispiel I rückwärtige Elektroden aus Aluminium
auf den Halbleiterschichten gebildet. Die erhaltenen
Solar-Batterien von 2×2 mm² wiesen eine Kurzschlußstromdichte
Jsc von 13,9 bis 15,7 mA/cm² auf, wie dies
die Kurve K in der Fig. 4 erkennen läßt.
Ausweislich dem Ausführungsbeispiel 1 und dem Vergleichsbeispiel
I steigt - wie aus der Fig. 3 ersichtlich ist -
bei den Solar-Batterien mit einem mittleren Korndurchmesser
von 0,4 µm auf der Oberfläche der ersten transparenten
leitenden Schicht für den Fall, daß die rückwärtige
Elektrode allein aus dem zweiten transparenten leitenden
Film besteht, die Kurzschlußstromdichte um etwa 20%
gegenüber einer rückwärtigen Elektrode allein aus Aluminium.
Ausweislich der Fig. 2 ergibt sich, daß bei Solar-Batterien
mit einem größeren durchschnittlichen Korndurchmesser
als 0,1 µm und einer rückwärtigen Elektrode allein
aus dem zweiten transparenten leitenden Film der Reflektionswert
größer ist als bei einer rückwärtigen Elektrode
aus Aluminium; dementsprechend ist die Kurzschlußstromdichte
der ersteren Batterie im Bereich von 7 bis 34%
größer als bei der letzteren.
Claims (4)
1. Amorphe Silicium-Solar-Batterie, bei der ein auf der Lichteinfallsseite angeordnetes
transparentes Substrat (1) nacheinander überzogen ist mit einer transparenten
Elektrode aus einem ersten transparenten leitenden Film (2) mit einer unebenen
Oberfläche bei einem durchschnittlichen Korndurchmesser von 0,1 bis 0,9 µm,
einer amorphen Silicium-Halbleiterschicht (3) und einer rückwärtigen Elektrode,
dadurch gekennzeichnet,
daß die rückwärtige Elektrode ausschließlich aus einem zweiten transparenten
leitenden Film (4) besteht.
2. Amorphe Silicium-Solar-Batterie nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß der erste transparente leitende Film (2) eine Zinnoxidschicht ist.
3. Amorphe Silicium-Solar-Batterie nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß der erste transparente leitende Film (2) eine Indium-Zinnoxidschicht ist.
4. Amorphe Silicium-Solar-Batterie nach einem der Ansprüche 1 bis 3,
dadurch gekennzeichnet,
daß der zweite transparente leitende Film (4) ein Indium-Zinnoxidfilm ist.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58142556A JPS6034076A (ja) | 1983-08-05 | 1983-08-05 | 非晶質シリコン太陽電池 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE3427833A1 DE3427833A1 (de) | 1985-02-21 |
| DE3427833C2 true DE3427833C2 (de) | 1994-02-24 |
Family
ID=15318081
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE3427833A Expired - Lifetime DE3427833C2 (de) | 1983-08-05 | 1984-07-27 | Amorphe Silicium Solar-Batterie |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4675469A (de) |
| JP (1) | JPS6034076A (de) |
| AU (1) | AU548553B2 (de) |
| DE (1) | DE3427833C2 (de) |
| FR (1) | FR2550386B1 (de) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6068663A (ja) * | 1983-09-26 | 1985-04-19 | Komatsu Denshi Kinzoku Kk | アモルフアスシリコン太陽電池 |
| US4956685A (en) * | 1984-12-21 | 1990-09-11 | Licentia Patent-Verwaltungs Gmbh | Thin film solar cell having a concave n-i-p structure |
| JPH0784651B2 (ja) * | 1986-06-20 | 1995-09-13 | ティーディーケイ株式会社 | 透明導電膜およびその製造方法 |
| US4769086A (en) * | 1987-01-13 | 1988-09-06 | Atlantic Richfield Company | Thin film solar cell with nickel back |
| DE69218102T2 (de) * | 1991-10-22 | 1997-10-09 | Canon Kk | Photovoltaisches Bauelement |
| WO2000002119A1 (fr) * | 1998-07-06 | 2000-01-13 | Nissha Printing Co., Ltd. | Film conducteur transparent pour ecran tactile transparent, ecran tactile transparent utilisant un film conducteur transparent, et procede de fabrication d'un film conducteur transparent |
| JP2001060702A (ja) * | 1999-06-18 | 2001-03-06 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 光電変換装置用基板およびこれを用いた光電変換装置 |
| KR101322646B1 (ko) * | 2005-10-20 | 2013-10-25 | 더 리전츠 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아 | 용액으로부터 형성된 나노결정 태양 전지 |
| CN101552299B (zh) * | 2008-04-02 | 2011-06-29 | 富士迈半导体精密工业（上海）有限公司 | 太阳能面板 |
| WO2010063590A1 (en) * | 2008-12-05 | 2010-06-10 | Applied Materials Inc. | Semiconductor device and method of producing a semiconductor device |
| EP2194583A1 (de) * | 2008-12-05 | 2010-06-09 | Applied Materials, Inc. | Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements |
| US20100139753A1 (en) * | 2008-12-05 | 2010-06-10 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor device and method of producing a semiconductor device |
| CN103280466B (zh) * | 2013-05-09 | 2015-07-29 | 南开大学 | 基于AlOx/Ag/ZnO结构的高反射高绒度背电极 |
| CN103887351A (zh) * | 2014-04-09 | 2014-06-25 | 南开大学 | 一种多孔氧化铝/氧化锌复合陷光背电极及其应用 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4147564A (en) * | 1977-11-18 | 1979-04-03 | Sri International | Method of controlled surface texturization of crystalline semiconductor material |
| JP60041878B2 (en) * | 1979-02-14 | 1985-09-19 | Sharp Kk | Thin film solar cell |
| JPS5853869A (ja) * | 1981-09-26 | 1983-03-30 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光電変換装置作製方法 |
| JPS5857756A (ja) * | 1981-10-01 | 1983-04-06 | Agency Of Ind Science & Technol | 非晶質太陽電池 |
| IL67926A (en) * | 1982-03-18 | 1986-04-29 | Energy Conversion Devices Inc | Photo-voltaic device with radiation reflector means |
| US4442310A (en) * | 1982-07-15 | 1984-04-10 | Rca Corporation | Photodetector having enhanced back reflection |
| CA1209681A (en) * | 1982-08-04 | 1986-08-12 | Exxon Research And Engineering Company | Optically enhanced thin film photovoltaic device using lithography defined random surfaces |
-
1983
- 1983-08-05 JP JP58142556A patent/JPS6034076A/ja active Granted
-
1984
- 1984-07-23 AU AU30951/84A patent/AU548553B2/en not_active Expired
- 1984-07-27 DE DE3427833A patent/DE3427833C2/de not_active Expired - Lifetime
- 1984-08-03 FR FR848412295A patent/FR2550386B1/fr not_active Expired - Lifetime
-
1986
- 1986-01-29 US US06/823,589 patent/US4675469A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3427833A1 (de) | 1985-02-21 |
| US4675469A (en) | 1987-06-23 |
| JPH0455351B2 (de) | 1992-09-03 |
| FR2550386A1 (fr) | 1985-02-08 |
| FR2550386B1 (fr) | 1990-01-05 |
| AU548553B2 (en) | 1985-12-19 |
| AU3095184A (en) | 1985-02-07 |
| JPS6034076A (ja) | 1985-02-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE3318852C2 (de) | Photodetektor und Verfahren zu seiner Herstellung | |
| DE3427833C2 (de) | Amorphe Silicium Solar-Batterie | |
| DE69532430T2 (de) | Ein Herstellungsverfahren einer Rückreflektorschicht für ein photovoltaisches Bauelement | |
| DE69814751T2 (de) | Herstellung einer dünnen Zinkoxidschicht | |
| DE3431603C2 (de) | Photoelektrischer Wandler | |
| DE2854652C2 (de) | ||
| DE19958878B4 (de) | Dünnschicht-Solarzelle | |
| US5512107A (en) | Environmentally stable thin-film solar module | |
| EP0715358B2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle mit Chalkopyrit-Absorberschicht und so hergestellte Solarzelle | |
| DE2858777C2 (de) | ||
| DE69737924T2 (de) | Photoelektrischer Wandler | |
| KR100273726B1 (ko) | 전해 침적법 또는 비전해 침적법에 의한 산화인듐 막의 형성 방법, 상기 산화인듐 막이 구비된 반도체 소자용 기판, 및 상기기판이 구비된 반도체 소자 | |
| DE3334316A1 (de) | Solarbatterie mit amorphem silicium | |
| DE2047175A1 (de) | Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Halbleitervorrichtung und ein Verfahren zu deren Herstellung | |
| DE102007008217A1 (de) | Kaskaden-Solarzelle mit auf amorphem Silizium basierender Solarzelle | |
| DE3709153A1 (de) | Mehrlagige duennfilmsolarzelle | |
| DE102008017312A1 (de) | Photovoltaik-Solarzelle und Verfahren zu deren Herstellung | |
| DE112012001058T5 (de) | Tandem-Solarzelle mit verbessertem Absorptionsmaterial | |
| DE3023165C2 (de) | ||
| DE202023101152U1 (de) | Solarzelle, Elektrodenstruktur, Batteriemodul und Stromerzeugungssystem | |
| DE212009000047U1 (de) | Photovoltaische Vorrichtung | |
| DE102018114247A1 (de) | Solarenergie-Schiebedach mit geringem Reflexionsgrad, und Herstellungsverfahren für dieses | |
| DE3713957C2 (de) | ||
| JPS5818973A (ja) | 光電変換装置作製方法 | |
| EP1116281A1 (de) | Verfahren zur strukturierung von transparenten elektrodenschichten |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
| D2 | Grant after examination | ||
| 8364 | No opposition during term of opposition |