DE3414099A1

DE3414099A1 - Fotoleitfaehiges aufzeichnungselement und substrat fuer das fotoleitfaehige aufzeichnungselement

Info

Publication number: DE3414099A1
Application number: DE19843414099
Authority: DE
Inventors: Tadaji Yokohama Kanagawa Fukuda; Naoko Tokio/Tokyo Kamata
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1983-04-14
Filing date: 1984-04-13
Publication date: 1984-10-18
Also published as: JPS59191065A; US4814248A; GB2176624B; GB2141552A; GB2176624A; GB2141552B; FR2544515B1; JPH0614189B2; GB8409527D0; FR2544515A1; DE3414099C2; GB8613614D0

Description

Fotoleitfähiges Aufzeichnungselement und Substrat
das fotoleitfähige Aufzeichnungselement

für

20 Die Erfindung betrifft, ein fotoleitfähiges Aufzeichnungselement, das gegenüber elektromagnetischen Wellen wie Licht, worunter im weitesten Sinne UV-Strahlen, sichtbares Licht, IR-Strahlen, Röntgenstrahlen und V-Strahlen zu verstehen sind, empfindlich ist.

Fotoleitfähige Materialien, aus denen Bilderzeugungselemente für elektrofotografische Zwecke in Festkörper-Bildabtastvorrichtungen oder auf dem Gebiet der Bilderzeugung -oder fotoleitfähige Schichten in Manuskript-

30 Lesevorrichtungen gebildet werden, müssen eine hohe Empfindlichkeit, ein hohes S/N-Verhältnis £Fotostrom(I )/ Dunkelstrom (I .)] , Spektraleigenschaften, die an die elektromagnetischen Wellen, mit denen bestrahlt werden soll, angepaßt sind, ein schnelles Ansprechen auf Licht

35 und einen gewünschten Dunkelwiderstandswert haben und dürfen während der Anwendung nicht gesundheitsschädlich

B/13

Dresdner Bank iMiinrhnn) KtO 3939

Bayer. Vareinsbank (München) Kto. S08

Posischeck (München) KIo fi?0 <iri 80'

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sein. Außerdem ist es bei einer Festkörper-Bildabtastvorrichtung auch notwendig, daß das Restbild innerhalb einer festgelegten Zeit leicht behandelt bzw. beseitigt werden kann. Im Fall eines Bilderzeugungselements für

g elektrofotografische Zwecke, das in eine für die Anwendung in einem Büro als Büromaschine vorgesehene elektrofotografische Vorrichtung eingebaut werden soll, ist es besonders wichtig, daß das Bilderzeugungselement nicht gesundheitsschädlich 1st.

Das fotoleitfähige Material, das von dem vorstehend erwähnten Gesichtspunkt aus in den letzten Jahren Beachtung findet, ist ein amorphes Silicium (nachstehend als a-Si bezeichnet), in dem freie Bindungen mit einwertigen' Elementen wie z. B. Wasserstoff- oder Halogenatomen modifiziert sind. Aus den DE-AA 27 46 967 und 28 55 718 sind beispielsweise Anwendungen von a-Si für den Einsatz in Bilderzeugungselementen für elektrofotografische Zwecke bekannt, und aus der DE-A 29 33 411

2Q ist eine Anwendung von a-Si für den Einsatz in einer als optisch-elektrischer Wandler wirkenden Lesevorrichtung bekannt. "Es wird erwartet, daß ein solches amorphes Silicium infolge seiner hervorragenden Fotoleitfähigkeit, Abriebbeständigkeit und Hitzebeständigkeit und der rela-

2f- tiven Leichtigkeit seiner Herstellung mit einer vergrößerten Fläche für ein Bilderzeugungselement für
elektrofotografische Zwecke eingesetzt wird.

Um gute Fotoleitfähigkeitseigenschaften zu erhalten,

QQ wird im allgemeinen bei der Herstellung einer, zylinderförmigen lichtempfindlichen Auf zei ohnungüelementi? für elektrofotografische Zwecke mit einem a-Si enthaltenden fotoleitfähigen Material auf einem zylinderförmigen Substrat unter Erhitzen des Substrats auf eine Temperatur von 200 C oder eine höhere Temperatur in einer Abscheidungsvorrichtung für einen a-Si-Film ein a-Si-Abscheidungsfilm gebildet.

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Wegen des Unterschiedes im Wärmeausdehnun^skoeiTi ζ i enten zwischen dem zylinderförmigen Substrat und dem a-Si-FiIm und auch wegen der großen inneren Spannung in dem a-Si-Film wird jedoch häufig nicht nur während der Abscheidung des a-Si-Films, wenn das zylinderförmige Substrat erhitzt wird, wie es vorstehend beschrieben wurde, sondern auch während des Abkühlens nach der Abscheidung beobachtet, daß sich der a-Si-Film von dem zylinderförmigen Substrat ablöst.

Bei einer Vielzahl von Versuchen, die von den Erfindern durchgeführt wurden, wurde festgestellt, daß eine solche Ablösung des a-Si-Films leichter eintritt, wenn der Film dicker ist. Ferner kann im Fall eines zylinderförmigen lichtempfindlichen. Aufzeichnungselements mit einem a-Si-Film aus den vorstehend erwähnten Gründen, nämlich wegen des Unterschiedes im Wärmeausdehnungskoeffizienten und wegen der Größe der inneren Spannung in dem a-Si-Film selbst dann, wenn das zylinderförmige Substrat in einem Ausmaß verformt wird, das bei einem bekannten zylinderförmigen lichtempfindlichen Aufzeichnungselement für elektrofotografische Zwecke des Se-Typs keine Ablösung verursacht, eine Ablösung des a-Si-Films hervorgerufen werden. Die innere Spannung in dem a-Si-Film kann bis zu einem gewissen Grade durch geeignete Wahl der Herstellungsbedingungen des a-Si-Films '(beispielsweise der gasförmigen Ausgangsmaterialien, der Entladungsleistung und der Temperatur, auf die. das Substrat erhitzt wird) gemildert werden, jedoch ist eine solche Ablösung des Films ein entscheidender Nachteil, der zu Bildfehlern führt, wenn das zylinderförmige lichtempfindliche Aufzeichnungselement für elektrofotografische Zwecke für die Bilderzeugung angewandt wird.

Das Erhitzen des zylinderförmigen Substrats während der Herstellung des a-Si-Films ist auch nicht nur eine

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Ursache für die vorstehend erwähnte Ablösung des Films, sondern führt auch leicht zu einer thermischen Verformung des zylinderförmigen Substrats. Die thermische Verformung ruft während der Herstellung eines a-Si-Abscheidungsfilms Unregelmäßigkeiten bei der Entladung hervor, wodurch die Dicke des a-Si-Abscheidungsfilms ungleichmäßig wird und Bildfehler hervorgerufen werden können.

Im Hinblick auf die Lösung der vorstehend erwähnten Probleme wurden erfindungsgemäß ausgedehnte Untersuchungen hinsichtlich der Anwendbarkeit und Brauchbarkeit von a-Si als fotoleitfähiges Material für elektrofotografische Bilderzeugungselemente, Festkörper-Bildabtastvorrichtungen, Lesevorrichtungen usw. durchgeführt. Als Ergebnis dieser Untersuchungen wurde nun gefunden,· daß die vorstehend erwähnten Probleme wie z. R. die Ablösung des Films durch Verwendung eines zylinderförmigen Substrats mit einer in besonderer Weise festgelegten Dicke als Träger bzw. Substrat für den a-Si-Abscheidungsfilm überwunden werden können.

Es ist Aufgabe der Erfindung, ein fotoleitfähiges Aufzeichnungselement für elektrofotografische Zwecke zur Verfugung zu stellen, mit dem Bilder hoher Qualität erzeugt werden können, die kaum Bildfehler wie z. B. Weiß-Ausfall infolge einer Ablösung des a-Si-Abscheidungsfilms aufweisen.

Ferner soll durch die Erfindung ein f ο to le i I- CMh i can

Aufzeichnungselernent zur Verfügung. {.',este; 11 I. worden, 30

das beständig stabile elektrische, optische und Kul.ol oi. t-

f ähigkeitneigenschaf ten und auch eine :\\\r^',e::o i iMmo 1: ο Haltbarkeit hat, wobei auch im Fall der wiederholten Verwendung keine Verschlechterungserscheinung hervorgerufen wird.

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Die Aufgabe der Erfindung wird durch ein fotolei t Phhi p,es Aufzeichnungselement mit den im kennzeichnenden Teil des Patentanspruchs 1 angegebenen Merkmalen gelöst.

Die Erfindung wird nachstehend unter Bezugnahme auf die beigefügte Zeichnung näher erläutert.

Fig. 1 zeigt eine Vorrichtung für die Herstellung eines fotoleitfähigen Aufzeichnungselements durch das .0 Glimmentladungs-Zersetzungsverfahren.

Das erfindungsgemäße fotoleitfähige Aufzeichnungselement besteht gemäß seiner bevorzugten Ausführungsform aus einem zylinderförmigen (trommeiförmigen) Substrat als

L5 Träger für eine fotoleitfähige Schicht und einer auf· dem zylinderförmigen Substrat vorgesehenen fotoleitfähigen Schicht, die ein amorphes Material mit Siliciumatomen als Matrix enthält, wobei das amorphe Material als am Aufbau beteiligte Atome vorzugsweise Wasserstoffatome und/oder Halogenatome enthält. Die fotoleitfähige Schicht kann eine Sperrschicht, die das zylinderförmige Substrat berührt, und des weiteren eine auf der Oberfläche der fotoleitfähigen Schicht befindliche Oberflächen-Sperrschicht aufweisen.

Das erfindungsgemäße zylinderförmige Substrat hat eine Dicke von 2,5 mm oder eine größere Dicke. Durch die Verwendung eines zylinderförmigen Substrats mit einer Dicke von 2,5 mm oder einer größeren Dicke kann das Ausmaß der Verformung des Substrats selbst dann unterdrückt und ausreichend klein gehalten werden, wenn das zylinderförmige Substrat während der Herstellung des fotoleitfähigen Aufzeichnungselements in einer Abscheidungsvorrichtung für einen a-Si-Filrn oder während der Anwendung als zylinderförmiges lichtempfindliches Auf-

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Zeichnungselement für elektrofotografische Zwecke erwärmt wird, und infolgedessen kann die Ablösung des a-Si-Abscheidungsfilms auf ein Ausmaß herabgesetzt werden, das in einem für die praktische Anwendung geeigneten Bereich liegt, oder vollständig verhindert werden. Das zylinderförmige Substrat sollte vorzugsweise eine Dicke von 3,5 mm oder eine größere Dicke haben.

Das Grundmaterial für das zylinderförmige Substrat kann entweder elektrisch leitend oder isolierend sein. Als elektrisch leitendes Grundmaterial können Metalle wie z. B. NiCr, nichtrostender Stahl, Al, Cr, Mo, Au, Nb, Ta, V, Ti, Pt oder Pd oder Legierungen davon erwähnt werden.

Als isolierendes Grundmaterial können üblicherweise Folien oder Platten aus Kunstharzen, wozu beispielsweise Polyester, Polyethylen, Polycarbonat, Celluloseacetat, Polypropylen, Polyvinylchlorid, Polyvinyliden-Chlorid, Polystyrol und Polyamid gehören, Gläser, keramische Stoffe, Papier und andere Materialien verwendet werden. Diese" isolierenden Träger sollten vorzugsweise mindestens eine Oberfläche haben, die einer Behandlung unterzogen wurde, durch die sie elektrisch leitend gemacht worden ist, und fotoleitfähige Schichten werden geeigneterweise auf der Seite vorgesehen, die durch eine solche Behandlung elektrisch leitend gemacht worden ist.

Ein Glas kann beispielsweise durch eine Behandlung
elektrisch leitend gemacht werden, bei der auf dem Glas ein dünner Film aus NiCr, Al, Cr, Mo, Au, Ir, Nb, Ta, V, Ti, Pt, In₂O₃, SnO₂ oder ITO (In₂O₃ + SnO₅) gebildet wird. Alternativ kann die Oberfläche einer Kunstharzfolie wie z. B. einer Polyesterfolie durch eine Behandlung wie die Vakuumaufdampfung, die Elektronenstrahl-

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Abscheidung oder die Zerstäubung eines Metalls wie ζ. Β. NiCr, Al, Ag, Pb, Zn, Ni, Au, Cr, Mo, Ir, Nb, Ta, V, Ti oder Pt oder das Laminieren mit einem solchen Metall elektrisch leitend gemacht werden.

Als Grundmaterial für das zylinderförmige Substrat wird vorzugsweise Aluminium verwendet, weil daraus relativ einfach ein Zylinder bzw. eine Walze mit einer guten Genauigkeit beispielsweise hinsichtlich der wahren Kreis-

.0 förmigkeit und der Oberflächenglätte usw. gebildet werden kann, weil die Temperatur am Oberfiächenteil des während der Herstellung des Aufzeichnungselements abgeschiedenen a-Si leicht reguliert werden kann und auch weil es in wirtschaftlicher Hinsicht vorteilhaft ist.

Als Beispiele für die Halogenatome, die in der fotoleitfähigen Schicht des erfindungsgemäßen fotoleitfähigen Aufzeichnungselements enthalten sein können, können Fluor, Chlor, Brom und Jod erwähnt werden, wobei Chlor und Fluor und vor allem Fluor besonders bevorzugt werden. Als andere Bestandteile, die außer Siliciumatomen, Wasserstoffatomen und Halogenatomen in der fotoleitfähigen Schicht enthalten sind, können als Bestandteil für die Regulierung des Fermi-Niveaus oder des verbotenen Bandes Atome der Gruppe III des Periodensystems wie ζ. Β Bor oder Gallium, Atome der Gruppe V des Periodensystems wie z. B. Stickstoff, Phosphor oder Arsen, Sauerstoffatome, Kohlenstoffatome oder Germaniumatome entweder einzeln oder in einer geeigneten Kombination enthalten sein.

Eine Sperrschicht wird vorgesehen, um beispielsweise die Haftung zwischen der fotoleitfähigen Schicht und dem zylinderförmigen Substrat zu verbessern oder um die Fähigkeit zur Aufnahme von Ladungen zu regulieren, und in Abhängigkeit von dem Zweck wird eine a-Si-Schioht

oder eine Schicht aus mikrokristallinem Si, die

Atome der Gruppe III des Periodensystems, Atome der Gruppe V des Periodensystems , Sauerstoffatome, Kohlenstoffatome oder Germaniumatοme enthält, in einer Schicht oder in Form einer Mehrfachschicht gebildet.

Ferner kann als Schicht für eine Verhinderung der Injektion von Oberflächenladungen oder als Schutzschicht eine obere Schicht bzw. Deckschicht, die aus a-Si besteht, das Kohlenstoffatome, Stickstoffatome und/oder Sauerstoffatome, vorzugsweise in großen Mengen, enthält, oder eine Oberflächen-Sperrschicht, die aus einem organischen Material mit hohem Widerstand besteht, vorgesehen werden.

Im Rahmen der Erfindung können für die Bildung der aus a-Si bestehenden fotoleitfähigen Schicht bekannte Vakuurnbedampfungsverfahren, bei denen eine Entladungserscheinung ausgenutzt wird, beispielsweise das Glimmentladungsverfahren, das Zerst.äubungsverfahren oder das Ionenplattierverfahren, angewandt werden.

Als nächstes wird ein Beispiel für die Herstellung eines durch das Glimmentladungs-Zersetzungsverfahren gebildeten fotoleitfähigen Aufzeichnungselements beschrieben.

Fig. 1 zeigt eine Vorrichtung fur die Herstellung eines fotoleitfähigen Aufzeichnungselements durch das Glimmentladungs-Zersetzungsverfahren. Ein Absoheidungsbehälter 1 besteht aus einer Grundplatte 2, einer Behälterwand 3 und einer oberen Platte 4. Innerhalb des Abseheidungsbehälters 1 ist eine Kathode 5 vorgesehen, und ein zylinderförmiges Substrat 6, das auch als Anode wirkt, ist im mittleren Teil der Kathode 5 angeordnet.

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Für die Bildung eines a-Si-Absehei dungsf j Lm;; auf dein zylinderförmigen Substrat mit dieser Herste llungs vorrichtung wird zuerst ein Gasauslnßventi1 9 geöffnet, um den Abscheidungsbehälter 1 zu evakuieren, wobei ein Einströmventil 7 für Beschickungsgas und ein Belüftungsventil 8 geschlossen sind. Wenn der an einer Vakuummeßvorrichtung 10 abgelesene Druck etwa 6,7 nbar erreicht hat, wird das Beschickungsgas-Einströmventi1 7 geülTnot, um eine Mischung aus gasförmigen Ausgangsmaterj alien wie ζ. B. SiH₄-GaS₁ Si H_fi-Gas und SiF₄-GaS, deren Mischungsverhältnis in einer Durchflußreguliervorrichtung 11 auf einen gewünschten V/ert eingestellt worden ist, in den Abscheidungsbehälter 1 hineinströmen zu lassen. Während der an der Vakuumrneßvorrichtung 10 abgelesene Druck beobachtet wird, wird die Öffnung des Gasauslaß-' ventils 9 so reguliert, daß der Druck in dem Abscheidungsbehälter 1 einen gewünschten Wert erreicht. Nachdem bestätigt wurde, daß die Oberflächentemperatur auf dem zylinderförmigen Substrat 6 durch eine Heizvorrichtung 12 auf einen gewünschten Wert eingestellt wurde, wird eine Hochfrequenz-Stromquelle 13 auf eine gewünschte

Leistung eingestellt, um in dem Abscheidungsbehälter 1 eine Glimmentladung anzuregen.

Während der Schichtbildung wird das zylinderförmige Substrat 6 durch einen Motor 14 mit einer konstanten Geschwindigkeit gedreht, um die Schichtbildung gleichmäßig zu machen. Auf diese Weise kann auf dem zylinderförmigen· Substrat 6 ein a-Si-Abscheidungsfilm gebildet werden.

Die Erfindung wird durch die folgenden Beispiele näher erläutert.

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1 Beispiel 1

Mit der in Fig. 1 gezeigten Herstellungsvorrichtung wurden durch das vorstehend näher erläuterte Glimmentladungs-Zersetzungsverfahren auf 6 Arten von zylinderförmigen Substraten aus Aluminium mit einem Außendurchmesser von 80 mm, die jeweils eine verschiedene Dicke hatten, unter den folgenden Bedingungen a-Si-Abscheidungsfilme gebildet.

Reihenfolge der abge- Verwendete gasförmige Schichtdicke (μπι)
schiedenen Schichten Ausgangsmaterialien

0	,6
20
0	,1

Erste Schicht SiH₄, B₂H₅ 15 Zweite Schicht SiH₄ Dritte Schicht SiH₄, C₂H₄

Temperatur des zylinderförmigen Substrats: 25O⁰C
Druck in dem Abseheidungsbehälter während
der Bildung der Abscheidungsschicht: 0,04 mbar
Entladungsfrequenz: 13,56 MHz

Bildungsgeschwindigkeit der Abscheidungsschicht: 2,0 nm/s Entladungsleistung: 0,18 W/cm²

Nachdem der Ablösungszustand der Filme auf den auf diese Weise hergestellten zylinderförmigen lichtempfindlichen Aufzeichnungselementen für elektrofotografische Zwecke beobachtet worden war, wurde jedes dieser zylinderfürrnigen lichtempfindlichen Aufzeichnungselemente ;mf cine Kopiervorrichtung (400 RE; hergestellt von C-mori, inc.) aufgesetzt, um eine Bilderzeugung durchzuführen, und die Qualität der erzeugten Bilder wurde bewertet. Die Ergebnisse sind in Tabelle 1 gezeigt.

Als bei den vor::te-

hend erwähnten zylinderförni gen 1 loh l.ompf Lrull i chon Aufzeichnungselementen mit einer Subs trat dicke von 1,0 turn und 2,0 mm die wahre Kre isförini gkei t gemessen wurde,

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betrug der Unterschied zwischem dem am meisten zurückspringenden TeiL und dem am meisten vorspringenden TeiL etwa 100 μη. Im Gegensatz dazu betrug dieser Unterschied bei. den zylinderförrnigen lichtempfindlichen AufZeichnungselementen mit einer Substratdicke von P, 5 mm und 3,0 mm etwa 30 pm und bei den zylinderförrnigen lichtempfindlichen Aufzeichnungselementen mit einer Substratdicke von 3,5 mm und 5,0 mm 10 bis 20 μπ\.

Beispiel 2

Ein zylinderförmiges lichtempfindliches Aufzeichnungselement für elektrofotografische Zwecke wurde durch das gleiche Verfahren wie in Beispiel 1 hergestellt, jedoch wurde während der Bildung der zweiten Schicht des a-Si-Abscheidungsfilms auf einem zylinderförmigen-Substrat aus Aluminium, das einen Außendurchmesser von 80 mm und eine Dicke von 3,0 mm hatte, anstelle des SiH₄-GaSeS Si H_R-Gas verwendet. Bei dem zylinderförmigen lichtempfindlichen Aufzeichnungselement für elektrofotografische Zwecke wurden die Bewertung der Ablösung des Films und die Bewertung der Bildqualität ähnlich wie in Beispiel 1 durchgeführt. Als Ergebnis wurden bei beiden Bewertungen ähnlich wie im Fall des zylinderförmigen lichtempfindlichen Aufzeichnungselements mit einer Substratdicke von 3,0 mm von Beispiel 1 gute Ergebnisse erhalten.

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Tabelle

Dicke (mm)	A*¹	Bewertung der Bildqualität	1,5	2,0	2,5	3,0	3,5	5,0
Anzahl der abgelösten Stellen des Films		22	16	5	2	1	1
7	4	1	O	O	O
X	X	Δ	O		©

Symbole für die Bewertung der Bildqualität:

O Δ X

k : *2

sehr gut gut kein Problem bei der praktischen Anwendung

bei der praktischen Anwendung mit Problemen ν e r b mi d e η Abmessung des abgelösten Teils °» ^3mm ~ Φ £ 0,6mni Abmessung des abgelösten Teils 0,6mm ^ φ

Claims

Patentansprüche

1. Fotoleitfähiges Aufzeichnungselement mit einem' zylinderförmigen Substrat und einer auf dem zylinderförmigen Substrat vorgesehenen fοtoleitfähigen Schicht, die ein amorphes Material mit Siliciumatomen als Matrix enthält, dadurch gekennzeichnet, daß das zylinderförmige Substrat eine Dicke von 2,5 mm oder eine größere Dicke hat.

2. Fotoleitfähiges Aufzeichnungselement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß in der fotoleitfähigen Schicht Wasserstoffatome enthalten sind.

3. Fotoleitfähiges Aufzeichnungselement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß in der fotoleitfähigen Schicht Halogenatome enthalten sind.

4. Fotoleitfähiges Aufzeichnungselement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß in der fotoleitfähigen Schicht Atome enthalten sind, die zu der Gruppe III des Periodensystems gehören.

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5. Fotoleitfähiges Aufzeichnungselement nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die zu der Gruppe III des Periodensystems gehörenden Atome, die in der fotoleitfähigen Schicht enthalten sind, Bor- oder

Galliumatome sind.

6. Fotoleitfähiges Aufzeichnungselement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß in der fotoleitfähigen Schicht Atome enthalten sind, die zu der Gruppe V des Periodensystems gehören.

7. Fotoleitfähiges Aufzeichnungselement nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die zu der Gruppe V des Periodensystems gehörenden Atome, die in der fotoleitfähigen Schicht enthalten sind, Stickstoff-, Phosphor- oder Arsenatome sind.

8. Fotoleitfähiges Aufzeichnungselement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß in der fotoleitfähigen Schicht Sauerstoffatome enthalten sind.

9. Fotoleitfähiges Aufzeichnungselement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß in der fotoleitfähigen Schicht Kohlenstoffatome enthalten sind.

10. Fotoleitfähiges Aufzeichnungselement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß in der fotoleitfähigen Schicht Germaniumatome enthalten sind.

11. Fotoleitfähiges Aufzeichnungselement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ferner zwischen dem Substrat und der fotoleitfähigen Schicht eine Sperrschicht vorgesehen ist.

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12. Fotoleitfähiges Aufzeichnungselement nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß in der Sperr- · schicht Atome enthalten sind, die zu der Gruppe III des Periodensystems gehören.

13. Fotoleitfähiges Aufzeichnungselement nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß in der Sperrschicht Atome enthalten sind, die zu der Gruppe V des Periodensystems gehören.

14. Fotoleitfähiges Aufzeichnungselement nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß in der Sperrschicht Sauerstoffatome enthalten sind.

15. Fotoleitfähiges Aufzeichnungselement nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß in der Sperrschicht Kohlenstoffatome enthalten sind.

16. Fotoleitfähiges Aufzeichnungselement nach An-Spruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß in der Sperrschicht Germaniumatome enthalten sind.

17. Fotoleitfähiges Aufzeichnungselement nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Sperrschicht amorphes Silicium enthält.

18. Fotoleitfähiges Aufzeichnungselement nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Sperrschicht mikrokristallines Silicium enthält.

19. Fotoleitfähiges Aufzeichnungselement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ferner auf der fotoleitfähigen Schicht eine obere Schicht bzw. Deckschicht, die Kohlenstoffatome, Stickstoffatome und/oder Sauerstoffatome enthält, vorgesehen ist.

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20. Fotoleitfähiges Aufzeichnungselement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ferner auf der fotoleitfähigen Schicht eine Oberflächen-Sperrschicht vorgesehen ist.