DE3346239A1 - Beschaltungsmaterial fuer eine halbleitervorrichtung und verfahren zur bildung eines beschaltungsmusters - Google Patents

Beschaltungsmaterial fuer eine halbleitervorrichtung und verfahren zur bildung eines beschaltungsmusters

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2569494A1 (fr) * 1984-08-25 1986-02-28 Ricoh Kk Procede de fabrication de dessins d'interconnexion pour dispositif a semi-conducteur, et dispositifs formes par sa mise en oeuvre
DE3830131A1 (de) * 1987-10-02 1989-04-20 Mitsubishi Electric Corp Flip-chip-halbleitereinrichtung
DE3911657A1 (de) * 1989-04-10 1990-10-11 Telefunken Electronic Gmbh Halbleiter-bauelement

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4663825A (en) * 1984-09-27 1987-05-12 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of manufacturing semiconductor device
JPS62102559A (ja) * 1985-10-29 1987-05-13 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置及び製造方法
EP0261846B1 (en) * 1986-09-17 1992-12-02 Fujitsu Limited Method of forming a metallization film containing copper on the surface of a semiconductor device
JP2582776B2 (ja) * 1987-05-12 1997-02-19 株式会社東芝 半導体装置及びその製造方法
US5260604A (en) * 1988-09-27 1993-11-09 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device with improved immunity to contact and conductor defects
US4975389A (en) * 1989-10-25 1990-12-04 At&T Bell Laboratories Aluminum metallization for semiconductor devices
DE4023495A1 (de) * 1990-07-24 1992-01-30 Nukem Gmbh Elektronisches bauelement
JPH0521385A (ja) * 1991-07-10 1993-01-29 Nippon Steel Corp アルミニウム合金薄膜の製造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3033513A1 (de) * 1979-10-09 1981-04-30 Mitsubishi Denki K.K., Tokyo Verfahren zur herstellung einer mehrheitschichtverbindung
DE3217026A1 (de) * 1981-05-06 1982-12-30 Mitsubishi Denki K.K., Tokyo Halbleitervorrichtung

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1452150A (en) * 1974-01-28 1976-10-13 Bicc Ltd Aluminium alloy conductor wire
SU650365A1 (ru) * 1977-02-23 1981-02-28 Предприятие П/Я Р-6585 Сплав на основе алюмини
JPS5428714A (en) * 1977-08-09 1979-03-03 Daido Metal Co Ltd Aluminum base bearing alloy and composite bearing thereof
US4213799A (en) * 1978-06-05 1980-07-22 Swiss Aluminium Ltd. Improving the electrical conductivity of aluminum alloys through the addition of mischmetal
US4213800A (en) * 1978-06-12 1980-07-22 Swiss Aluminium Ltd. Electrical conductivity of aluminum alloys through the addition of yttrium
GB2057499B (en) * 1979-08-30 1983-02-09 Alcan Res & Dev Aluminium sheet alloy

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3033513A1 (de) * 1979-10-09 1981-04-30 Mitsubishi Denki K.K., Tokyo Verfahren zur herstellung einer mehrheitschichtverbindung
DE3217026A1 (de) * 1981-05-06 1982-12-30 Mitsubishi Denki K.K., Tokyo Halbleitervorrichtung

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2569494A1 (fr) * 1984-08-25 1986-02-28 Ricoh Kk Procede de fabrication de dessins d'interconnexion pour dispositif a semi-conducteur, et dispositifs formes par sa mise en oeuvre
DE3530419A1 (de) * 1984-08-25 1986-03-06 Ricoh Co., Ltd., Tokio/Tokyo Verfahren zur herstellung eines verbindungsmusters auf einer unterlagenstruktur, insbesondere halbleiterstruktur
DE3830131A1 (de) * 1987-10-02 1989-04-20 Mitsubishi Electric Corp Flip-chip-halbleitereinrichtung
DE3911657A1 (de) * 1989-04-10 1990-10-11 Telefunken Electronic Gmbh Halbleiter-bauelement

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DE3346239C2 (enExample) 1989-10-12
US4502207A (en) 1985-03-05

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