DE3346239A1 - Beschaltungsmaterial fuer eine halbleitervorrichtung und verfahren zur bildung eines beschaltungsmusters - Google Patents
Beschaltungsmaterial fuer eine halbleitervorrichtung und verfahren zur bildung eines beschaltungsmustersInfo
- Publication number
- DE3346239A1 DE3346239A1 DE19833346239 DE3346239A DE3346239A1 DE 3346239 A1 DE3346239 A1 DE 3346239A1 DE 19833346239 DE19833346239 DE 19833346239 DE 3346239 A DE3346239 A DE 3346239A DE 3346239 A1 DE3346239 A1 DE 3346239A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- wiring
- boron
- aluminum
- semiconductor device
- silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W20/00—Interconnections in chips, wafers or substrates
- H10W20/40—Interconnections external to wafers or substrates, e.g. back-end-of-line [BEOL] metallisations or vias connecting to gate electrodes
- H10W20/41—Interconnections external to wafers or substrates, e.g. back-end-of-line [BEOL] metallisations or vias connecting to gate electrodes characterised by their conductive parts
- H10W20/44—Conductive materials thereof
- H10W20/4403—Conductive materials thereof based on metals, e.g. alloys, metal silicides
- H10W20/4405—Conductive materials thereof based on metals, e.g. alloys, metal silicides the principal metal being aluminium
- H10W20/4407—Aluminium alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P32/00—Diffusion of dopants within, into or out of wafers, substrates or parts of devices
- H10P32/30—Diffusion for doping of conductive or resistive layers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12528—Semiconductor component
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57224168A JPS59114841A (ja) | 1982-12-21 | 1982-12-21 | 半導体装置の製造方法 |
| JP58068370A JPS59194467A (ja) | 1983-04-20 | 1983-04-20 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE3346239A1 true DE3346239A1 (de) | 1984-07-05 |
| DE3346239C2 DE3346239C2 (enExample) | 1989-10-12 |
Family
ID=26409595
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19833346239 Granted DE3346239A1 (de) | 1982-12-21 | 1983-12-21 | Beschaltungsmaterial fuer eine halbleitervorrichtung und verfahren zur bildung eines beschaltungsmusters |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4502207A (enExample) |
| DE (1) | DE3346239A1 (enExample) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2569494A1 (fr) * | 1984-08-25 | 1986-02-28 | Ricoh Kk | Procede de fabrication de dessins d'interconnexion pour dispositif a semi-conducteur, et dispositifs formes par sa mise en oeuvre |
| DE3830131A1 (de) * | 1987-10-02 | 1989-04-20 | Mitsubishi Electric Corp | Flip-chip-halbleitereinrichtung |
| DE3911657A1 (de) * | 1989-04-10 | 1990-10-11 | Telefunken Electronic Gmbh | Halbleiter-bauelement |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4663825A (en) * | 1984-09-27 | 1987-05-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing semiconductor device |
| JPS62102559A (ja) * | 1985-10-29 | 1987-05-13 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置及び製造方法 |
| EP0261846B1 (en) * | 1986-09-17 | 1992-12-02 | Fujitsu Limited | Method of forming a metallization film containing copper on the surface of a semiconductor device |
| JP2582776B2 (ja) * | 1987-05-12 | 1997-02-19 | 株式会社東芝 | 半導体装置及びその製造方法 |
| US5260604A (en) * | 1988-09-27 | 1993-11-09 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device with improved immunity to contact and conductor defects |
| US4975389A (en) * | 1989-10-25 | 1990-12-04 | At&T Bell Laboratories | Aluminum metallization for semiconductor devices |
| DE4023495A1 (de) * | 1990-07-24 | 1992-01-30 | Nukem Gmbh | Elektronisches bauelement |
| JPH0521385A (ja) * | 1991-07-10 | 1993-01-29 | Nippon Steel Corp | アルミニウム合金薄膜の製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3033513A1 (de) * | 1979-10-09 | 1981-04-30 | Mitsubishi Denki K.K., Tokyo | Verfahren zur herstellung einer mehrheitschichtverbindung |
| DE3217026A1 (de) * | 1981-05-06 | 1982-12-30 | Mitsubishi Denki K.K., Tokyo | Halbleitervorrichtung |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1452150A (en) * | 1974-01-28 | 1976-10-13 | Bicc Ltd | Aluminium alloy conductor wire |
| SU650365A1 (ru) * | 1977-02-23 | 1981-02-28 | Предприятие П/Я Р-6585 | Сплав на основе алюмини |
| JPS5428714A (en) * | 1977-08-09 | 1979-03-03 | Daido Metal Co Ltd | Aluminum base bearing alloy and composite bearing thereof |
| US4213799A (en) * | 1978-06-05 | 1980-07-22 | Swiss Aluminium Ltd. | Improving the electrical conductivity of aluminum alloys through the addition of mischmetal |
| US4213800A (en) * | 1978-06-12 | 1980-07-22 | Swiss Aluminium Ltd. | Electrical conductivity of aluminum alloys through the addition of yttrium |
| GB2057499B (en) * | 1979-08-30 | 1983-02-09 | Alcan Res & Dev | Aluminium sheet alloy |
-
1983
- 1983-12-16 US US06/562,212 patent/US4502207A/en not_active Expired - Lifetime
- 1983-12-21 DE DE19833346239 patent/DE3346239A1/de active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3033513A1 (de) * | 1979-10-09 | 1981-04-30 | Mitsubishi Denki K.K., Tokyo | Verfahren zur herstellung einer mehrheitschichtverbindung |
| DE3217026A1 (de) * | 1981-05-06 | 1982-12-30 | Mitsubishi Denki K.K., Tokyo | Halbleitervorrichtung |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2569494A1 (fr) * | 1984-08-25 | 1986-02-28 | Ricoh Kk | Procede de fabrication de dessins d'interconnexion pour dispositif a semi-conducteur, et dispositifs formes par sa mise en oeuvre |
| DE3530419A1 (de) * | 1984-08-25 | 1986-03-06 | Ricoh Co., Ltd., Tokio/Tokyo | Verfahren zur herstellung eines verbindungsmusters auf einer unterlagenstruktur, insbesondere halbleiterstruktur |
| DE3830131A1 (de) * | 1987-10-02 | 1989-04-20 | Mitsubishi Electric Corp | Flip-chip-halbleitereinrichtung |
| DE3911657A1 (de) * | 1989-04-10 | 1990-10-11 | Telefunken Electronic Gmbh | Halbleiter-bauelement |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3346239C2 (enExample) | 1989-10-12 |
| US4502207A (en) | 1985-03-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE69226411T2 (de) | Herstellung eines leitenden Gebietes in elektronischen Vorrichtungen | |
| DE69625265T2 (de) | Halbleiterstrukturen | |
| EP0024572B1 (de) | Elektrisch leitender Kontakt- oder Metallisierungsaufbau für Halbleitersubstrate | |
| DE69016626T2 (de) | Direktverbundene Struktur. | |
| DE3785946T2 (de) | Halbleiterbauelement aus positiver keramik. | |
| DE3326142A1 (de) | Integrierte halbleiterschaltung mit einer aus aluminium oder aus einer aluminiumlegierung bestehenden aeusseren kontaktleiterbahnebene | |
| DE3346239A1 (de) | Beschaltungsmaterial fuer eine halbleitervorrichtung und verfahren zur bildung eines beschaltungsmusters | |
| EP0171467A1 (de) | Elektrischer Widerstand | |
| DE2730566C3 (de) | Halbleitervorrichtung mit einem pn-übergang und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
| DE2734982A1 (de) | Verfahren zum herstellen von silicium enthaltenden leiterzuegen | |
| EP0199078A1 (de) | Integrierte Halbleiterschaltung mit einer aus Aluminium oder einer Aluminiumlegierung bestehenden Kontaktleiterbahnebene und einer als Diffusionsbarriere wirkenden Tantalsilizidzwischenschicht | |
| DE3217026A1 (de) | Halbleitervorrichtung | |
| DE69219529T2 (de) | Verfahren zum Aufbringen einer Metall- oder Passivierenschicht mit hoher Haftung über einem isolierten Halbleitersubstrat | |
| DE2739762C2 (de) | Verfahren zur Passivierung von Halbleiterkörpern | |
| EP0185787B1 (de) | Plastikumhülltes Halbleiterbauelement | |
| DE19521985A1 (de) | Halbleitervorrichtung und diesbezügliches Herstellungsverfahren | |
| DE1946673A1 (de) | Verbesserte Aluminiummetallisierung auf einem Monolithen | |
| DE3636366C2 (enExample) | ||
| DE69127347T2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Kontakts für integrierte Schaltungen | |
| DE1915294A1 (de) | Verfahren zum Zerteilen einer Halbleiterscheibe | |
| DE2450341A1 (de) | Halbleiterbauteile mit hitzebestaendigen metallschichten | |
| DE2235749C3 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Leitbahnenmusters | |
| DE3218974C2 (enExample) | ||
| DE10259292B4 (de) | Verfahren zum Herstellen eines gleichmäßigen Kontaktes und damit hergestellter gleichmäßiger Kontakt | |
| DE1929084A1 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Halbleiter-Bauelementes |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
| 8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA, KAWASAKI, KANAGAWA, JP |
|
| D2 | Grant after examination | ||
| 8364 | No opposition during term of opposition | ||
| 8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |