DE3342748A1

DE3342748A1 - Optischer aufzeichnungstraeger

Info

Publication number: DE3342748A1
Application number: DE19833342748
Authority: DE
Inventors: Mikio Yokohama Kanagawa Sugiki; Kenjiro Tokyo Watanabe
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1982-11-25
Filing date: 1983-11-25
Publication date: 1984-05-30
Anticipated expiration: 2003-11-26
Also published as: KR840006714A; GB2131222A; DE3342748C2; CA1209697A; FR2536895A1; KR910006650B1; JPS5996546A; US4606018A; GB2131222B; GB8331363D0; FR2536895B1

Description

TER MEER -MÖLLER > ST^IW MCfSTE« · *^:* "" SONY Cürp. - S84P15

BESCHREIBUNG

Die Erfindung betrifft einen optischen Aufzeichnungsträger gemäß dem Oberbegriff des Hauptanspruchs.

Ein derartiger Aufzeichnungsträger weist zum Beispiel Antimon-Selen (SbgSe,) oder Telluroxid TeO_x (mit χ = 1) als Aufzeichnungsmaterial auf. Mit solchen Materialien ist eine hohe Schreibgeschwindigkeit möglich. Der Reflexionskoeffizient dieser Art von Aufzeichnungsmaterial wird durch eine Änderung im Absorptionskoeffizienten erhöht, die bei einem Phasenübergang vom amorphen in den kristallinen Zustand bei Einwirken optischer Energie auftritt.

Ein derartiges Aufzeichnungsmaterial weist Jedoch im Vergleich mit Aufzeichnungsmaterialien vom Schmelztyp geringeren Kontrast und damit ein niedriges Signal/Rausch-Verhältnis auf. '. ·

Bei einem optischen Aufzeichnungsträger vom Reflexionstyp vom DRAW-(Direct Read After Write) System können Daten als Vertiefungen (Löcher) durch einen Lichtstrahl, wie zum Bei-, spiel dem Strahl eines Halbleiterlasers eingeschrieben oder gelesen werden. Derartige Aufzeichnungsträger sind zum Beispiel optische Aufzeichnungsplatten für analoge oder digitale Video- oder Audiodaten. Bei einer derartigen optischen Aufzeichnungsplatte ist es sehr wichtig, Spurführungsrillen zur Verfügung zu stellen, um während des Einlesens eine gute Spurführung, gewährleisten zu können. Ansonsten wird der Einschreibvorgang sehr komplex in seiner Ausführung.

Bei einer optischen Aufzeichnungsplatte vom Schmelztyp werden Daten durch das Einbringen von Vertiefungen (Löchern) in einem dünnen Film auf Tellurbasis auf der Oberfläche, auf der auch Führungsrillen vorhanden sind, eingeschrieben. Die Tiefe der Spurführungsrille entspricht 1/8 der Wellen- ·

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- if -

länge des Leseliohts, welcher Wert optimal fürddie Spurführungsregelung nach der Hin- und Herschiebemethode ist. Eine optische Aufzeichnungsplatte D_Q weist zum Beispiel den in Fig. 1 dargestellten Aufbau auf. Auf der Oberfläche la eines Substrates 1 aus Glas oder Acrylharz 1st eine dünne Aufzeichnungsschicht 2 aufgebracht. In das Substrat 1 sind Spurführungsrillen PG₀ eingeformt. Die Aufzeichnungsschicht 2 ist durch eine Harzschicht 5 schützend abgedeckt. Leselicht L₀ fällt durch das Substrat hindurch von dessen einer Oberfläche Ib her auf die Aufzeichnungsschicht 2 an der anderen Oberfläche la. Das Leselicht L_Q durchquert also das Substrat 1, bis es zu den SpurfUhrungsrillen PG_Q gelangt. Die effektive Tiefe der Spurführungsrillen PG_Q ist damit l/n_Q von 1/8 der Wellenlänge des Leselichtes, wobei n_Q der Brechungsindex des Materiales des Substrates 1 ist.

Eine Spurführungsregelung wird auf Grund eines Beugungsslgnales durchgeführt, das von der Tiefe der Spurführungsrille abhängt. Dadurch folgt ein Lichtstrahl der Spur.

Dabei wird der Kontrast der Schreibvertiefung beim Auslesen dadurch geringfügig erniedrigt, daß eine Differenz zwischen der effektiven Tiefe der SpurfUhrungsrillen PG_Q und 1/8 der Wellenlänge des Leseliohtes besteht. Da jedoch der Kontrast des Aufzeichnungsmediums nach dem Ausbilden der Vertiefungen (Löcher) in der dünnen Aufzeichnungsschicht 2 groß 1st, ist eine solche Verringerung des Kontrastes während dem Lesen vernachlässigbar.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Aufzeichnungsträger der eingangs genannten Art anzugeben, mit dem ein besseres Signal/Rausch-Verhältnis für das ausgelesene Signal möglich ist als bisher.

TER MEER -MÜLLER

Corp. - S84P15

Die erfindungsgemäße Lösung ist im Hauptanspruch gekennzeichnet. Einejvorteilhafte Ausgestaltung ist Gegenstand eines Unteranspruohes. . ■

Beim erfindungsgemäßen Aufzeichnungsträger wird ein Aufzeichnungsmaterial verwendet, das in einem Bereich, in dem eine Aufzeichnung stattgefunden hat, einen höheren Reflexionskoeffizienten aufweist, als in einem nioht beschriebenen Bereich. Die Tiefe f6_Q der Spurführungsrillen ist so gewählt, daß sinjzL < 0, wenn ©₂ - Q^ > 0 und die Phase voreilt, und sIujOq > 0, wenn θ« - O₁ < 0 und die Phase nacheilt. Auf Grund der Verwendung eines solchen Aufzeichnungsmaterials kann die Aufzeichnung mit hoher Geschwindigkeit stattfinden. Die Phase von von einer Schreibvertiefung reflektiertem Leselicht liegt nahe derjenigen von Licht, das von anderen Plat- tenbereich als den Spurführungsrillen reflektiert ist. Auf Grund der Beziehung zwischen Änderungen des Reflexionskoeffizienten des Aufzeichnungsmaterials und der Tiefe der Spurführungsrillen 1st der Kontrast einer Schreibvertiefung verbessert und Signale mit einem hohen Signal/Rausch-Verhältnis

20 werden erzielt.

Die Erfindung wird im folgenden an Hand von Figuren näher' veranschaulicht. Es zeigenj

Fig. 1 eine perspektivische Teilansicht einer optischen Aufzeichnungsplatte;

Fig· 2 eine Draufsicht auf ein zweidimensionales Beugungsobjekt als Modell zum Erhalten einer Amplitudenverteilung für reflektiertes Licht von einer Objektivlinsenfläche;

TEKMEER. MÖLLER

PIg. 2Β einen Querschnitt entlang der Linie B-B in Pig. 2A;

Pig. 3 ein Diagramm, in dem die Verteilung reflektierten gebeugten Lichts von der Objektivlinsenfläche dargestellt 1st;

Pig. 4 ein Diagramm der Beziehung zwischen der Tiefe 0_Q von Spurführungsrillen und den Spitze-Spitze-Wert (P-P) eines Lesesignals (H.P.) für vorgegebene Phasendifferenzen θ von reflektierten Strahlen vor dem Einschreiben von Daten in

ein Aufzeichnungsmaterial und danach;

Fig. 5 eine schematische Darstellung geometrischer Verhältnisse zum Erläutern einer Gleichung, die die Tiefe ^₀ der Spurführungsrillen beschreibt;

Pig· 6a und 6B Diagramme, die, abhängig von zwei unterschiedlichen Vorgaben, die Beziehung zwischen der Phasendifferenz θ und der Tiefe j6_Q darstellen, für die der Spitze-Spitze-Wert (P-P) maximal wird;

Pig. 7A und 7B schematische Darstellung vertiefter und

erhabener Spurführungsrillen mit einer Tiefe jzL;

Pig. 8 ' ein Diagramm zum Veranschaulichen von Phasenbeziehungen von Leselicht, das in unterschiedlichen Plattenbereichen reflektiert wird;

Flg. 9 einen Teilschnitt durch eine optische Aufzeichnungsplatte rechtwinklig zu den Spurführungsrillen;

TER MEER ■ MÜLLER

Pig. 10 ein Diagramm, in dem die Beziehung zwischen der Dicke eines dünnen Antimon-Selen-Filmes und Reflexionskoeffizienten Jr^j und |r₂| und die

Beziehung zwischen der Filmdicke und den Phasen 0, vor einem Einschreiben und G₂ nach ein Einschreiben aufgetragen sind; und

Fig. 11. ein Diagramm über den Zusammenhang zwischen der Tiefe ^₀ der Spurführungsrillen und dem Spitze-Spitze-Wert (P-P).

Es wird zunächst das dem Anmeldegegenstand zugrundeliegende Prinzip erläutert und dann wird derselbe an Hand eines Ausführungsbeispieles näher dargestellt.

■ Wenn komplexe Reflexionskoeffizienten für ein Material vor und nach dem Einschreiben von Daten, die Form einer Spurführungsrille und die Form einer Schreibvertiefung gegeben sind, kann die Amplitude des von einer Objektivlinsenfläche reflektierten Leselichtes gemäß der Theorie von H.H. Hopkins berechnet werden (Journal of Optical Society of America, Bd. 69, Nr. 1, Jan. 1979, Diffraction theory of laser readout systems for optical video discs).

Als Modell wurde ein zweidimensionales Beugungsobjekt 0, wie in den Fig. 2A.und 2B dargestellt, verwendet. Es weist eine Länge P_ auf, die einer Lesewellenlänge entspricht (Schreibperiode auf einer Spur). Die Breite des Beugungs-Objektes entspricht einer Spurbreite q_Q. In Längsrichtung liegt eine Spurführungsrille PG mit einer Breite <f- und einer Tiefe expi^_Q vor. In der Mitte der Spurführungsrille PG ist eine Schreibvertiefung PT der Länge /# und der Breite Y" ^ vorhanden. Werte für P_Q, q_Q, /3_Q, V^ und d_Q wurden durch Messung erhalten, ,ö^ ist die Tiefe der Spurführungsrille PG in Bezug auf die Wellenlänge des Leselichtes.

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Es sei angenommen, daß das Leselicht von einem Halbleiterlaser mitjder Wellenlänge A punktförmig durch eine (nicht dargestellte) Objektivlinse auf das zweidimensional Beugungsobjekt 0 rechtwinklig zur Papierebene der Zeichnung von pig. 2A fokussiert ist. Es wird dann ein x-y-Koordinatensystem gewählt, das rechtwinklig zur optischen Achse des reflektierten und gebeugten, auf die Objektivlinsenfläche fallenden Lichtes ist, wobei die x-Achse in Spurrichtung liegt. Es wird dann eine (m, n)te Verteilung gebeugten Lichtes normal zur Linsenpupille gebildet, wie sie in Pig. 3 dargestellt ist.

Die Amplitudenverteilung a(x, y) reflektierten Lichtes auf der Objektivlinsenfläche, d. h. der x-y-Ebene, ist durch folgende Gleichung 1 gegeben:

. a(x, y) » 2Eexp£-2ttJ f(m/p)u+(n/q)vj

mn

χ R(in, η) χ f (x-m/p, y-n/q)

a(x, y) =s (Phasenverschiebungsgröße) χ (Fourier-Spektrumsgröße gebeugten Lichts, das von der Form der Schreibvertiefung PT abhängt) χ (Pupillenfunktlonsgröße)

. Wenn angenommen wird, daß die Schreibvertiefung PT Rechteckform aufweist, wie dies in den Fig. 2A und 2B dargestellt ist, und daß auch die Spurführungsrille PG Rechteckform aufweist, gilt:

R(in, n) * rySINC(m). SINC (n)

+ r^· (expi^₀-l)· J7q*SINC(m) · SINC(n.cf/q) χ (i^-rj ) -expi^ S INC (m yS/P ) * S INC (n · f/<f)

TER MEER -MÜLLER · STEINMEISTEIT *"'" "^w30NY Corp. - S84Pl5

für ρ = ΝΑ/Λ-Pq,^= NA/A-^j, q = NA/X-q₀, /= NA//V_Q, und /5 = ΝΑ/Λ -^₀
wobei:

r^ und r₂: komplexe Reflexionskoeffizienten· eines Aufzeichnungsmaterials vor bzw. nach dem Einschreiben • von Information ;

NA: numerische Appertur der Objektivlinse;

u und v: Koordinaten, die die Abweichung eines Leselichtstrahls von einer Sahreibvertiefung PT angeben; · · und

SINC χ « SINC 7rx/x ist eine Synchronisierfunktion.

In die Gleichung (1) wurden vorgegebene Werte eingesetzt. Dadurch wurde ein Betrag des Lesesignals H.P. als Spitze-Spitze-Wert P-P erhalten. In Fig. 4 ist die Beziehung zwisehen der Größe H.P. (P - P) und der Tiefe ^zL der Spurführungsrille PG dargestellt. Es ist zu beachten, daß.die Lesesignalgröße H.P. (P - P) dadurch erhalten wurde, daß die Spurführungsrille entlang der Spurrichtung mit einem Leselichtfleck über einen Weg abgetastet wurde, der einer Schreibwellenlänge p_Q entspricht. Die Kurven gemäß Pig. 4 werden nun näher erläutert.

Pur die Kurven a - h in Fig. 4 gilt folgaides:

T₁ und r₂: komplexe Reflexionskoeffizienten des Aufzeichnungsmaterials vor bzw. nach dem Einschreiben von Daten, wobei

' ^rl ⁼ R₁

Rj und R₂: absolute Werte der komplexen Reflexionskoeffizienten des Aufzeichnungsmaterials vor bzw. nach dem Einschreiben von Daten,

MEeR-MuLLER-STOiMWtEiSTeR" ·"" St)NY"Corp. - S84pi5

θ, und G₂: Phasen reflektierten Leselichtes vor und nach dem

Einschreiben von Daten in das Aufzeichnungsmaterial,

0.1
Jr₂'* =0.3 .

, 2 ι i2 ,

*ί Iv» ι iinil Ir» / — Pp¹Pl P>vi nnslrnpffi "7i ρτυΊ-ργι F.hpv^ip ι

ι 1· /2·

Für.die Phasendifferenz θ gilt:

mit 0° (Kurve a), 45° (Kurve b), 90° (Kurve o), 135° (Kurve d), l80° (Kurve e), 225 (-135)° (Kurve f), 270 (-90)° (Kurve g) und 315 (-45)° (Kurve h).

In jedem dieser Fälle wurde die Tiefe

• 2 TT

der Spurführungsrille PQ kontinuierlich zwischen + I8o° und - 18O° (+X/2 bis -Λ/2) verändert. Dabei ist angenommen, daß Leselicht L mit der Wellenlänge durch ein Medium mit dem Brechungsindex η tritt, das die Spurführungsrille PG^- abdeckt. Weiter ist angenommen, daß der Lichtfleck auf eine Spurführungsrille PG mit einer Stufenhöhe d fällt, wie dies in Fig. 5 dargestellt ist.

Für weitere angenommene Daten gilt das folgende:

/p « 0.6
f - 0.4
//q « ,0.4

Aus diesen Kurven a bis h folgt, daß der Lesesignalwert H.F. (P - P) maximale Werte bei besonderen Werten der Tiefe ^₀

der Spurführungsrillen PG in Übereinstimmung mit Werten der . Phasendifferenz Q einnimmt.

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Das Diagramm gemäß Pig. 6A folgt aus den Kurven des Diagramms gemäß Fig. 4„ Es sind diejenigen Punkte, zu denen die Lesesignalgröße H.P. (P - P) maximal wird, aufgetragen, um die Beziehung zwischen der Tiefe ^₀ der Spurführungsrille. PG und der Phasendifferenz θ darzustellen, für die der Lesesignalwert H.P. (P - P) maximal wird.

Das Diagramm gemäß Fig. 6B zeigt einen entsprechenden Zusammenhang, wobei jedoch gilt:

Kl² -.0.1·

|r₂j² = 0.2

Aus den Diagrammen der Fig. 6A und 6B ist ersichtlich, daß mit den Änderungen in den komplexen Reflexionskoeffizienten r, und r₂ vor bzw. nach dem Einschreiben von Daten in das Aufzeichnungsmaterial folgendes gilt:

wenn R₁ < R«, d.. h., wenn der Schreibbereich oder die Schreibvertiefung des Aufzeichnungsmaterials einen erhöhten absoluten Wert (Energiereflexionskoeffizient) des komplexen Reflexionskoeffizienten aufweist und wenn θ = θ« - θ, ϊ 0 (wenn die Phasendifferenz positiv ist und die Phase voreilt), dann gilt für die optimale Tiefe fa_Q der Spurführungsrille PG fi_Q <

Wenn R₁ < R_g und θ = ©₂ - θ_χ < 0 (wenn die Phasendifferenz negativ ist und die Phase nacheilt), gilt für die optimale Tiefe s6_Q der Spurführungsrille PG fa_Q > 0.

Das Vorzeichen der Tiefe ^₀ der Spurführungsrille PG ist so bestimmt, daß sie negativ ist, wenn die Spurführungsrille PG von der Seite des einfallenden Lichtes L eingeschnitten 1st, wie dies inFig. 7A dargestellt ist und daß die Tiefe jzL positiv ist, wenn die Spurführungsrille PG aus derselben Blickrichtung gesehen erhaben ist, wie dies in Pig. 7B dargestellt

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ist. Dies gilt jedoch nur innerhalb der folgenden" Bereiche für die Phasendifferenz θ und die Tiefe L

-18O° < Q « Θ₂ - G₁ < 180°

L:

-l80° <

Θ₂ £180°

5 .. Wenn )j6_Ql >lQ0°,

und sin^₀ >0, '< 1-80°..

M₀/

dann ist wenn 0 = O

.rfg < 0, wenn θ = G₂ - θ_χ > 0 Q₁ < 0. Dies gilt auch, wenn

Pig; 8 zeigt die Phasenbeziehungen für Leselicht, das in unterschiedlichen Bereichen einer optischen Aufzeichnungsplatte reflektiert wird. Wenn für die Phasendifferenz θ und die Tiefe ^₀ der Spurführungsrille PG die oben angegebene Beziehung gilt, liegt die Phase (©₂ + ^_Q) von Leselicht, das von einer Schreibvertiefung PT reflektiert wird, nahe der Phase O₁ von Licht, das von einem anderen Plattenbereich als einer Spurführungsrille PG erflektiert wird. Dadurch ist der Kontrast der Schreibvertiefung PT erhöht.

Die Erfindung wird nun an Hand eines Ausführungsbeispieles näher erläutert. ' .

In Fig. 9 ist eine optische Aufzeichnungsplatte D als BeI-spiel eines optischen Aufzeichnungsträgers vom Reflexionstyp dargestellt, der Antimon-Selen SbgSe, verwendet.

Auf einer Oberfläche 11a eines Substrates 11 aus Acrylharz, auf der Spurführungsrilien PG ausgebildet sind, 1st eine dünne Aufzeichnungsschicht 12 aus Antimon-Selen SbgSe, aufgebracht. Eine Wismut-Tellur-Schicht 13 ist als Schutzschicht aufgebracht, um die Aufzeichnungsschicht 12 abzudecken. Leselicht L fällt auf die Aufzeichnungsschicht durch das Substrat 11 hindurch. Das Substrat 11 deckt also die Spurführungsrillen PG ab. Es weist ein Material mit einem Brechungsindex η auf, durch das das Licht einfällt und wieder austritt.

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Die Dicke der Aufzeichnungsschicht 12 aus Antimon-Selen SbgSe-, der optischen Aufzeichnungsplatte D dieses Aufbaus wurde variiert und der Brechungsindex und dergleichen wurde vor und nach dem Einschreiben von Daten gemessen. Es wurden also die Brechungsindizes für einen Datenschreibbereich oder eine Schreibvertiefung und für andere Teile der Platte gemessen. Auf Grund der Meßwerte wurden die Energiereflexions-

ρ ρ

koeffizienten | rJ und /r₂/ und die Phasen O₁ und ©₂ berechnet und im Diagramm gemäß Fig. 10 aufgetragen. Abhängig von der Dickenänderung der Aufzeichnungsschicht 12 aus Antimon-Selen Sb₀Se_x ändern sich die Energiereflexionskoeffizienten (Kurve I = Energiereflexionskoeffizient Ir₁J . vor dem Einschreiben von Daten; Kurve II = Energiereflexionskoeffizient I ΓρJ nach dem Einschreiben von Daten) und die Phasen (Kurve III = Phase Q^ vor dem Einschreiben von Daten; Kurve IV = Phase O₂ nach dem Einschreiben von Daten), wie dies in Fig. 10 dargestellt ist. Aus Fig. 10 ist ersichtlich, daß die optimale Dicke für die Aufzeichnungsschicht 12 aus Antimon-Selen Sb₂Se, vorzugsweise im Bereich zwischen

40 nm (400 S) und 50 nm liegt.

Wenn die Dicke der Aufzeichnungsschicht 12 in diesem Bereich liegt, gilt für die Energiereflexionskoeffizienten des Aufzeichnungsmaterials vor und nach dem Einschreiben von Daten:

, Jr₁I²= 0.1 ·

und für die Phasendifferenz θ vor und nach dem Einschreiben der Daten gilt:

Q = O₂ - Q₁ = 80°
θ ist positiv und die Phase eilt vor.

Die Lesesignalgröße H.F. (P - P) wurde für verschiedene Werte der Tiefe ^₀ der Spurführungsrille PG gemessen, wobei

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die Dicke der Aufzeichnungsschicht 12 aus Antimon-Selen SbgSe., 40 nm (Kurve A), 45 nm (Kurve B) und 50 nm (Kurve C) war. Die Ergebnisse sind in Fig. 11 dargestellt.

Aus dem Diagramm gemäß Fig. 11 ist ersichtlich, daß für die optimale Tiefe j6_Q gilt:

wenn Antimon-Selen SbgSe, als Aufzeichnungsmaterial verwendet wird. Die Tiefe ^₀ ist dabei die Tiefe der Spurführungsrille PG, bei der eine maximale Lesesignalgröße H.F. (P - P) erhalten, wird.

Statt einer optischen Aufzeichnungsplatte kann als optischer Aufzeichnungsträger vom Reflexionstyp auch, eine optische Aufzeichnungsplatte oder eine optische Aufzeichnungsfolie oder dergleichen verwendet werden. Darüberhinaus muß das Aufzeichnungsmaterial nicht notwendigerweise auf der gesamten Oberfläche einer Platte aufgebracht sein, in der Spurführungsrillen ausgeformt sind. Das Aufzeichnungsmaterial muß nur in dem Bereich der Oberfläche vorhanden sein, auf den Leselicht auffällt. Leselicht kann auf das Aufzeichnungsmaterial direkt von der Luft oder dergleichen aus auffallen, ohne zunächst durch ein Substrat treten zu müssen.

Der Begriff "vor dem Einschreiben von Daten in das Aufzeichnungsmaterial" bezieht sich auf einen Bereich des Aufzeichnungsmaterials, in dem keine Daten eingeschrieben sind. Der Begriff "nach dem Einschreiben von Daten in das Aufzeichnungsmaterial" bezieht sioh auf Bereich, in die Daten eingeschrieben sind, d. h. auf Schreibvertiefungen.

Claims

PATENTANSPRÜCHE

Optischer Aufzeichnungsträger vom Reflexionstyp, der beschreibbar ist, auf dessen einer Oberfläche Spurführungsrillen (PG) ausgebildet sind, mit einer Schicht (12) eines Aufzeichnungsmaterials, das in Bereichen (PT) mit eingeschriebener Information einen höheren Reflexionskoeffizienten aufweist als in einem nicht mit einer Aufzeichnung versehenen Bereich,

dadurch gekennzeichnet, daß die · SpurfUhrungsrillen (PG) mit einer solchen Tiefe JzL ausgebildet sind, daß gilt:

l6₀ =

n-d/A -2ΤΓ

BAD

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-Z-

n: Brechungsindex des Materials (11) des Aufzeichnungsträgers, in dem die SpurfUhrungsrllleh (PG) ausgebildet sind, und durch das Leselicht (L) ein- und austritt,
d: Tiefe oder Erhöhung einer Spurführungsrille (PG) und

\: Wellenlänge des Leselichts (L), wobei gilt

(i) SlUiO₀ < 0 für Q₂ - Q₁ > 0 und

(ii) sinjrf₀ > 0 für O₂ - Q₁ < 0, mit

Θ, und Q₂: Phasen reflektierten Leselichts (L) ' bevor Daten in das Aufzeichnungsmaterial

(12) eingeschrieben sind und danach, wobei gilt: ■ . ■ ·

^r2 ^{= R}2
· R₁ < R₂ mit

T₁ und r₂: komplexe Reflexionskoeffizienten des Aufzeichnungsmaterials (12) vor dem Einschreiben von Daten und danach,

R, und Rp absolute Werte der komplexen Reflexions-. koeffizienten vor dem Einschreiben von Daten in das Aufzeichnungsmaterial (12) und danach.
2. Aufzeichnungsträger nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Aufzeichnungsmaterial aus Antimon-Selen (Sb₂Se,) und/oder Telluroxid (TeO ; mit χ = 1) besteht.