DE3337049A1 - Feststoff mit besonderen elektrischen eigenschaften und verfahren zur herstellung eines solchen feststoffes - Google Patents
Feststoff mit besonderen elektrischen eigenschaften und verfahren zur herstellung eines solchen feststoffesInfo
- Publication number
- DE3337049A1 DE3337049A1 DE19833337049 DE3337049A DE3337049A1 DE 3337049 A1 DE3337049 A1 DE 3337049A1 DE 19833337049 DE19833337049 DE 19833337049 DE 3337049 A DE3337049 A DE 3337049A DE 3337049 A1 DE3337049 A1 DE 3337049A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- solid
- glass
- metal
- layer
- solid body
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C14/00—Glass compositions containing a non-glass component, e.g. compositions containing fibres, filaments, whiskers, platelets, or the like, dispersed in a glass matrix
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C23/00—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C23/00—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments
- C03C23/0005—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments by irradiation
- C03C23/0055—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments by irradiation by ion implantation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/14—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material
- H01B1/16—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material the conductive material comprising metals or alloys
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2214/00—Nature of the non-vitreous component
- C03C2214/08—Metals
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/105—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by conversion of non-conductive material on or in the support into conductive material, e.g. by using an energy beam
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/4038—Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections
Description
Gesellschaft für Schwerionenforschung mbH
ANR 1 o78 259
Darmstadt, den ll.lo.83 PLA 83 48 Sdt/jd
Feststoff mit besonderen elektrischen Eigenschaften und Verfahren zur Herstellung
eines solchen Feststoffes
■h-
Die vorliegende Erfindung betrifft einen Feststoff bzw. einen Festkörper aus diesem Feststoff mit endlicher
Dicke mit vorzugsweise ebener oder flacher Geometrie. Die vorliegende Erfindung befaßt sich
allgemein mit der Einwirkung von Schwerionenstrahlung auf Feststoffe bzw. mit den aus solchen Bestrahlungen
hervorgehender. Kernspuren.. Diese Kernspuren sind Störungen des Festkörpergefüges entlang der Bahnen
von energiereichen Ionen in Isolatoren, die zur Einleitung eines Phasenumwandlungsprozeßes eingesetzt
werden können.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es nun, einen neuen Feststoff anzugeben, dessen elektrische Eigenschaften
im Vergleich zu den bekannten erheblich erweitert sind. Mit dem Feststoff bzw. einem daraus
erzeugten Festkörper soll es u.a. möglich sein, elektromagnetische Strahlungen in einem bisher
schwer zugänglichen Bereich zwischen ca. 1 ,um und ca. 1 mm Wellenlänge gezielt zu erzeugen bzw.
gezielt nachzuweisen.
Die Erfindung schlägt nun zur Lösung dieser Aufgabe bei einem Feststoff bzw. Festkörper nach dem Oberbegriff
der Patentansprüche die Merkmale vor, die in den Kennzeichen der Patentansprüche 1 bis 4 angegeben
sind. Zur Lösung der Aufgabe in Bezug auf die
Herstellung eines solchen Festkörpers schlägt die vorliegende Erfindung ein Verfahren vor, dessen
Merkmale im Kennzeichen des Patentanspruches 5 aufgeführt sind.
Bei dem neuen Feststoff ist neben den besonderen Eigenschaften seiner Leitfähigkeit das Vorhandensein
einer Vielzahl von ausgerichteten, metallischen Dipolantennen im Mikromaßstab von Vorteil um die gewünschte
Eigenschaft bzgl. der angegebenen elektromagnetischen Strahlung zu erzielen. Dabei läßt sich
der Abstand der Dipole sehr groß machen im Verhältnis zu atomaren Dipolen. Durch die Ausscheidung von
Metallaggregaten entlang latender Kernspuren entstehen in Isolatoren eine Vielzahl parallel orientierter
Dipolantennen in Form feiner elektrisch leitender Metallnadeln. Entlang durch die Kernspuren festgelegten
Anisotropieachsen hat ein derartiges Kompositmaterial eine ungewöhnlich hohe Dielektrizitätskonstante,
vergleichbar der die Elektrizitätskonstante von Xetallen. Quer zur Anisotropieachse jedoch ist
die Dielektrizitätskonstante praktisch unverändert gegenüber dem ursprünglichen Isolatormaterial. Die
elektromagnetischen Absorptions- und Emissionseigenschaften einer solchen, wohlorientierten Antennenensembles
sind neuartig und können vorteilhaften Anwendungszwecken dienen.
Details des neuen Feststoffes bzw. Festkörpers sind anhand einer schematischen Figur näher erläutert.
Die Figur zeigt im Schnitt einen flachen Festkörper in ebener Schichtform, dessen Grundmaterial 1 z.E.
aus kupferübersättigtem Quarzglas besteht. Dabei ist es wichtig, daß ein metastabiles System vorliegt,
welches zur Entmischung neigt. Das Material darf jedoch kein Kristall sein, denn beim Kristallisieren
würde ein Sntmischvorgang auftreten, der die gewünschten Eigenschaften wieder zerstören würde. Ein
bestimmter 3ereich 2 des Festkörpers wurde nun mit schweren Ionen hoher Energie, z.B. 10 Ionen pro
cm Uran, Blei oder Xenon -bei der gezeigten Darstellung
in 45° Richtung geneigt zu der Oberflächebestrahlt, wodurch die latenten Kernspuren 3 erzeugt
wurden. Mach der Bestrahlung wird der Festkörper einem Temperprozeß unterzogen, bis die Kernspuren
3 bzw. die aus der Bestrahlung hervorgehenden, der Kernspurrichtung folgenden Metallaggregationen
zu metallischen Fäden zerschmolzen sind. Dies geschieht in einem Temperaturbereich von Raumtemperatur
bis ca. 400°C.
Der entstandene Werkstoff besitzt nun besonderen Eigenschaften,
es sind eine Vielzahl von Dipolen 4 in Richtung der Kernspuren 3 entstanden (einer davon ist
dicker gezeichnet). Diese Dipole weisen eine hohe
Polarisierung auf, wobei in der einen Richtung 5 eine sehr hohe praktisch metallische Leitfähigkeit mit sehr
hoher Polarisierbarkeit und in der anderen, dazu senkrechten Richtung 6 eine vernachlässigbare Leitfähigkeit
bzw. eine hohe Isolationswirkung entstanden ist. Die Richtung 5 bzw. die Dipolrichtung kann dabei
senkrecht oder schräg zur Feststoffoberfläche 7 gelegen
sein, d.h. die Bestrahlungsrichtung kann frei gewählt werden. Die Elektronenbeweglichkeit in der
Richtung 5 und 6 in demnach stark unterschiedlich von einander.
Es entsteht ein neues, anisotropes Isolatormaterial mit sehr hoher, praktisch metallischer Dielektrizitätskonstante
in der einen Vorzugsrichtung. Wählbar ist dabei die Art der Metallausscheidung, die Vorzugsrichtung,
die Länge der Metallantennen, wobei auch eingebettete Metallantennen möglich sind.
Das Grundprinzip bei dem vorliegenden neuen Feststoff ist, daß Edelmetalle ausgelöst bei hohen Temperaturen
in einer dielektrischen Matrix, starke Tendenzen aufweisen, sich in Form von metallischen Büscheln anzuhäufen.
Dieser Anhäufungsprozeß wird durch das Passieren eines oder einer Vielzahl von hoch ionisierten
Ionen ausgelöst. Er endet in einer Anordnung von metallischen Anhäufungen entland der Ionenspur.
— 7 —
Die Erfindung schafft nun auf die beschriebene Art metallische Nadeln, z.B. orientierte mikroskopische
Dipolantennen von identischer Länge in dem Festkörper. Entlang einer bevorzugten Achse von Aniosotropie hat
nun solch ein Kompositmaterial eine ungewöhnlich hohe Dielektrizitätskonstante bei niedrigen Frequenzen.
Bei 90° zu der Dipolachse bleibt die Konstante wie bereits beschrieben jedoch ganz niedrig. Bei hohen
Frequenzen zeigen die Resonanzabsorption oder die Emission von elektromagnetischer Strahlung durch ein
solches, gut orientiertes System von Dipolantennen weitere neue wichtige Eigenschaften des Materiales.
1 Grundmaterial
2 bestrahlter Bereich
3 Kernspuren
4 Dipol
5 Richtung mit hoher elektrischer Leitfähigkeit
6 Richtung mit niedriger elektrischer Leitfähigkeit
7 Feststoffoberfläche
- 40-
- Leerseite -
Claims (5)
1. Feststoff, dadurch gekennzeichnet, daß er in einer Richtung elektrisch leitend und in einer zweiten,
dazu senkrechten Richtung elektrisch isolierend ist.
2. Festkörper endlicher Dicke mit vorzugsweise ebener ober flacher Geometrie aus einem Feststoff nach
Anspruch 1, gekennzeichnet, durch eine Matrix aus dielektrischem Material mit einer Vielzahl, im
Festkörper zu einander achsparallel verlaufender Dipole aus elektrisch leitendem Material, dessen
Enden bis in oder in die Nähe des Ober- bzw. Unterfläche des Festkörpers reichen, deren Richtung zu
der Oberfläche senkrecht oder schräg ist und deren jeweiliger Durchmesser gleichförmig im mikroskopischen
Bereich liegt.
3. Festkörper nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Material des Festkörpers ein metallübersättigtes,
metastabiles Glas ist.
4. Festkörper nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Glas ein normales Glas oder ein Quarzglas
mit einem Gehalt von 10 bis 40 % Kupfer ist.
Λ-
5. Verfahren zur Herstellung eines Feststoffes bzw. eines Festkörpers nach den Ansprüchen 1 bis 4,
gekennzeichnet durch die vorliegenden Verfahrensschritte:
a) Elerstellen einer Schicht metastabilen, metallübersättigten
Glases z.B. durch Ionenzerstäubung, durch Abscheidung aus der Gasphase oder durch
gleichzeitiges Aufdampfen einer Schicht von z.E. Kupfer und Siliziumdioxid,
b) Bestrahlen der Schicht senkrecht oder schräg zur ihrer Oberfläche mit schweren Ionen vorbestimir.ter
Energie, Ionenart und Flächendosis,
11 2
z.B. mit 10 /cm Uran, 31ei oder Xenon
z.B. mit 10 /cm Uran, 31ei oder Xenon
c) Tempern der bestrahlten Schicht bzw. Reifen der gebildeten Metallkeime bis zu Metallaggregate
zu metallischen Fäden verschmelzen, z.B. bei Temperaturen von Raumtemperatur bis zu 4OO°C.
^ J ■"
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19833337049 DE3337049A1 (de) | 1983-10-12 | 1983-10-12 | Feststoff mit besonderen elektrischen eigenschaften und verfahren zur herstellung eines solchen feststoffes |
FR8404306A FR2553563B1 (fr) | 1983-10-12 | 1984-03-20 | Matiere solide ayant des proprietes electriques speciales et procede pour la preparation d'une matiere solide de ce type |
GB08425353A GB2150357B (en) | 1983-10-12 | 1984-10-08 | Solid material having anisotropic electrical conductivity and a method for its preparation |
US06/660,203 US4668957A (en) | 1983-10-12 | 1984-10-12 | Amorphous glass matrix containing aligned microscopically thin metal conductors |
US06/748,953 US4613351A (en) | 1983-10-12 | 1985-06-26 | Solid material having special electrical properties and a method for its preparation |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19833337049 DE3337049A1 (de) | 1983-10-12 | 1983-10-12 | Feststoff mit besonderen elektrischen eigenschaften und verfahren zur herstellung eines solchen feststoffes |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3337049A1 true DE3337049A1 (de) | 1985-05-09 |
DE3337049C2 DE3337049C2 (de) | 1988-02-04 |
Family
ID=6211599
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19833337049 Granted DE3337049A1 (de) | 1983-10-12 | 1983-10-12 | Feststoff mit besonderen elektrischen eigenschaften und verfahren zur herstellung eines solchen feststoffes |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US4668957A (de) |
DE (1) | DE3337049A1 (de) |
FR (1) | FR2553563B1 (de) |
GB (1) | GB2150357B (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10234614B3 (de) * | 2002-07-24 | 2004-03-04 | Fractal Ag | Verfahren zur Bearbeitung von Trägermaterial durch Schwerionenbestrahlung und nachfolgenden Ätzprozess |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4883778A (en) * | 1986-10-30 | 1989-11-28 | Olin Corporation | Products formed of a ceramic-glass-metal composite |
US5559389A (en) * | 1993-09-08 | 1996-09-24 | Silicon Video Corporation | Electron-emitting devices having variously constituted electron-emissive elements, including cones or pedestals |
US5564959A (en) | 1993-09-08 | 1996-10-15 | Silicon Video Corporation | Use of charged-particle tracks in fabricating gated electron-emitting devices |
US5462467A (en) * | 1993-09-08 | 1995-10-31 | Silicon Video Corporation | Fabrication of filamentary field-emission device, including self-aligned gate |
US7025892B1 (en) | 1993-09-08 | 2006-04-11 | Candescent Technologies Corporation | Method for creating gated filament structures for field emission displays |
DE19650881C2 (de) * | 1996-12-07 | 1999-04-08 | Schwerionenforsch Gmbh | Verfahren zur Herstellung von in z-Richtung elektrisch leitfähiger und in x/y-Richtung isolierender Folien aus Kunststoff |
JP2002504240A (ja) | 1997-06-12 | 2002-02-05 | ゼットフォリエ ビー.ブイ. | その表面に対し垂直な一方向の導電性をもつ基板を含む装置、及び該装置を製造する方法 |
US6351392B1 (en) * | 1999-10-05 | 2002-02-26 | Ironwood Electronics, Inc, | Offset array adapter |
US6394820B1 (en) | 1999-10-14 | 2002-05-28 | Ironwood Electronics, Inc. | Packaged device adapter assembly and mounting apparatus |
US6533589B1 (en) | 1999-10-14 | 2003-03-18 | Ironwood Electronics, Inc. | Packaged device adapter assembly |
US7535624B2 (en) | 2001-07-09 | 2009-05-19 | E Ink Corporation | Electro-optic display and materials for use therein |
US7110163B2 (en) | 2001-07-09 | 2006-09-19 | E Ink Corporation | Electro-optic display and lamination adhesive for use therein |
US6877993B2 (en) * | 2003-05-30 | 2005-04-12 | Ironwood Electronics, Inc. | Packaged device adapter assembly with alignment structure and methods regarding same |
US7672040B2 (en) | 2003-11-05 | 2010-03-02 | E Ink Corporation | Electro-optic displays, and materials for use therein |
US9048565B2 (en) | 2013-06-12 | 2015-06-02 | Ironwood Electronics, Inc. | Adapter apparatus with deflectable element socket contacts |
US9263817B2 (en) | 2013-06-12 | 2016-02-16 | Ironwood Electronics, Inc. | Adapter apparatus with suspended conductive elastomer interconnect |
US9877404B1 (en) | 2017-01-27 | 2018-01-23 | Ironwood Electronics, Inc. | Adapter apparatus with socket contacts held in openings by holding structures |
US10824042B1 (en) | 2017-10-27 | 2020-11-03 | E Ink Corporation | Electro-optic display and composite materials having low thermal sensitivity for use therein |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4275102A (en) * | 1975-07-22 | 1981-06-23 | Battelle Memorial Institute | Method for manufacturing a panel of anisotropic ceramic glass |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US31220A (en) * | 1861-01-29 | Making fingeb-guabds fob habvestebs | ||
FR937854A (de) * | 1946-01-22 | 1948-09-23 | ||
FR956893A (de) * | 1947-05-16 | 1950-02-09 | ||
US2457158A (en) * | 1947-07-23 | 1948-12-28 | Du Pont | Vitreous bonding compositions |
US2617936A (en) * | 1949-01-11 | 1952-11-11 | Sperry Corp | Delay lens for microwaves |
US2806958A (en) * | 1954-01-21 | 1957-09-17 | Gen Electric | Radiographic diaphragm and method of making the same |
GB1047220A (de) * | 1959-06-16 | |||
US3303085A (en) * | 1962-02-28 | 1967-02-07 | Gen Electric | Molecular sieves and methods for producing same |
US3165750A (en) * | 1962-11-28 | 1965-01-12 | Tellite Corp | Delay type lens consisting of multiple identical foamed blocks variably loaded by interlinking inserted rods |
DE1288651B (de) * | 1963-06-28 | 1969-02-06 | Siemens Ag | Anordnung elektrischer Dipole fuer Wellenlaengen unterhalb 1 mm und Verfahren zur Herstellung einer derartigen Anordnung |
US3434894A (en) * | 1965-10-06 | 1969-03-25 | Ion Physics Corp | Fabricating solid state devices by ion implantation |
FR1509087A (fr) * | 1966-11-29 | 1968-01-12 | Roussel Uclaf | Procédé de préparation de l'équilénine, de ses homologues et dérivés et produits obtenus dans ce procédé |
GB1330175A (en) * | 1970-08-04 | 1973-09-12 | Elliott Brothers London Ltd | Radio aerials |
DE2103282A1 (en) * | 1971-01-25 | 1972-08-24 | Eeck Ph Van | Solid state elements - contg two types of conducting particles aligned in dipoles |
US3898667A (en) * | 1974-02-06 | 1975-08-05 | Rca Corp | Compact frequency reuse antenna |
US4113981A (en) * | 1974-08-14 | 1978-09-12 | Kabushiki Kaisha Seikosha | Electrically conductive adhesive connecting arrays of conductors |
JPS5482699A (en) * | 1977-12-15 | 1979-07-02 | Shinetsu Polymer Co | Pressure sensitive resistance element |
FR2450508A1 (fr) * | 1979-03-02 | 1980-09-26 | Thomson Csf | Reflecteur a lames paralleles pour antennes microondes et procede de fabrication d'un tel reflecteur |
DE2951287A1 (de) * | 1979-12-20 | 1981-07-02 | Gesellschaft für Schwerionenforschung mbH, 6100 Darmstadt | Verfahren zur herstellung von ebenen oberflaechen mit feinsten spitzen im mikrometer-bereich |
DE2951376C2 (de) * | 1979-12-20 | 1983-09-15 | Gesellschaft für Schwerionenforschung mbH, 6100 Darmstadt | Verfahren zur Erzeugung einer Kernspur oder einer Vielzahl von Kernspuren von schweren Ionen und von aus den Kernspuren durch Ätzung gebildeten Mikrolöchern, sowie Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
DE3027094A1 (de) * | 1980-07-17 | 1982-02-04 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Umpolarisiereinrichtung zur erzeugung zirkular polarisierter elektromagnetischer wellen |
US4449774A (en) * | 1981-02-05 | 1984-05-22 | Shin-Etsu Polymer Co., Ltd. | Electroconductive rubbery member and elastic connector therewith |
CA1186406A (en) * | 1982-05-21 | 1985-04-30 | Her Majesty The Queen In Right Of Canada As Represented By The Minister Of National Defence Of Her Majesty's Canadian Government | Dipole array lens antenna |
-
1983
- 1983-10-12 DE DE19833337049 patent/DE3337049A1/de active Granted
-
1984
- 1984-03-20 FR FR8404306A patent/FR2553563B1/fr not_active Expired
- 1984-10-08 GB GB08425353A patent/GB2150357B/en not_active Expired
- 1984-10-12 US US06/660,203 patent/US4668957A/en not_active Expired - Fee Related
-
1985
- 1985-06-26 US US06/748,953 patent/US4613351A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4275102A (en) * | 1975-07-22 | 1981-06-23 | Battelle Memorial Institute | Method for manufacturing a panel of anisotropic ceramic glass |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10234614B3 (de) * | 2002-07-24 | 2004-03-04 | Fractal Ag | Verfahren zur Bearbeitung von Trägermaterial durch Schwerionenbestrahlung und nachfolgenden Ätzprozess |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3337049C2 (de) | 1988-02-04 |
US4668957A (en) | 1987-05-26 |
FR2553563A1 (fr) | 1985-04-19 |
GB2150357A (en) | 1985-06-26 |
US4613351A (en) | 1986-09-23 |
GB8425353D0 (en) | 1984-11-14 |
FR2553563B1 (fr) | 1987-09-18 |
GB2150357B (en) | 1988-01-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3337049C2 (de) | ||
DE2824564C2 (de) | Verfahren zum Herstellen von Halbleiterelementen wie Photodioden | |
DE2851388C2 (de) | ||
DE2837628A1 (de) | Vorrichtung und verfahren zum formen expandierter kunststoffe durch ultrahochfrequenzstrahlung | |
DE3703498A1 (de) | Verfahren zum beschichten nicht-metallischer elemente | |
DE2951287A1 (de) | Verfahren zur herstellung von ebenen oberflaechen mit feinsten spitzen im mikrometer-bereich | |
DE2366049A1 (de) | Schichtwerkstoff hoher permeabilitaet fuer magnetische aufzeichnungs- und wiedergabekoepfe | |
EP3489969B1 (de) | Faser aus kunststoff mit elektrischer leitfähigkeit | |
DE10341239B4 (de) | ECR-Plasmaquelle mit linearer Plasmaaustrittsöffnung | |
DE2931725A1 (de) | Selbsttragende laeuferspule fuer gleichstrommaschinen | |
DE2358583A1 (de) | Gitterelektrode fuer elektronenroehre und verfahren zu deren herstellung | |
DE3030453C2 (de) | ||
EP1045627B1 (de) | Herstellen von Leiterbahnen auf Kunststoffen durch Laserenergie | |
DE102018219153A1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Batteriegehäuses zur elektromagnetischen Abschirmung | |
DE4340984C2 (de) | Leitungsgekühlter Bremsfeld-Kollektor mit hoher thermischer Kapazität | |
DE102010011192B4 (de) | Verfahren zur Oberflächenbehandlung von Substraten | |
DE2855134A1 (de) | Flexible uebertragungsleitung | |
DE69915282T2 (de) | Vorrichtung zur erzeugung eines magnetischen feldes innerhalb eines gefässes | |
DE2319754A1 (de) | Gasentladungs-anzeigetafel | |
DE102022205495A1 (de) | Heizeinrichtung und Verfahren zur Herstellung einer solchen Heizeinrichtung | |
EP3471507B1 (de) | Verfahren zur erzeugung einer strahlung im infrarot-bereich | |
DE2648846A1 (de) | Gitterelektrode | |
EP0280644A2 (de) | Anordnung zum Ermitteln und/oder Beeinflussen von elektromagnetischen Wellen, Verfahren zur Herstellung der Anordnung sowie Antenne zum Ausführen des Verfahrens und zum Aufbau der Anordnung | |
DE4030170A1 (de) | Elektromagnetische Wellen absorbierendes Material sowie ein solches Material verwendende Struktur | |
DE1059065B (de) | Schaumstoffisoliertes elektrisches Kabel, insbesondere Fernmeldekabel, mit einem Kunststoffmantel mit niedriger Wasserdampfdurchlaessigkeit |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |