DE3330032A1 - Behandlungsverfahren zum herbeifuehren plastischen fliessens einer glasschicht auf einem halbleiterplaettchen - Google Patents
Behandlungsverfahren zum herbeifuehren plastischen fliessens einer glasschicht auf einem halbleiterplaettchenInfo
- Publication number
- DE3330032A1 DE3330032A1 DE19833330032 DE3330032A DE3330032A1 DE 3330032 A1 DE3330032 A1 DE 3330032A1 DE 19833330032 DE19833330032 DE 19833330032 DE 3330032 A DE3330032 A DE 3330032A DE 3330032 A1 DE3330032 A1 DE 3330032A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- glass layer
- processing chamber
- heated
- black body
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/412,455 US4474831A (en) | 1982-08-27 | 1982-08-27 | Method for reflow of phosphosilicate glass |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE3330032A1 true DE3330032A1 (de) | 1984-03-01 |
Family
ID=23633050
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19833330032 Withdrawn DE3330032A1 (de) | 1982-08-27 | 1983-08-19 | Behandlungsverfahren zum herbeifuehren plastischen fliessens einer glasschicht auf einem halbleiterplaettchen |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4474831A (enExample) |
| JP (1) | JPS5939031A (enExample) |
| DE (1) | DE3330032A1 (enExample) |
| FR (1) | FR2532297B1 (enExample) |
| GB (1) | GB2126418B (enExample) |
Families Citing this family (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58219748A (ja) * | 1982-06-15 | 1983-12-21 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| US4472456A (en) * | 1982-11-18 | 1984-09-18 | Texas Instruments Incorporated | Absorption optimized laser annealing |
| US4717588A (en) * | 1985-12-23 | 1988-01-05 | Motorola Inc. | Metal redistribution by rapid thermal processing |
| US4732658A (en) * | 1986-12-03 | 1988-03-22 | Honeywell Inc. | Planarization of silicon semiconductor devices |
| US5047369A (en) * | 1989-05-01 | 1991-09-10 | At&T Bell Laboratories | Fabrication of semiconductor devices using phosphosilicate glasses |
| KR960010334B1 (en) * | 1990-09-25 | 1996-07-30 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Fabricating method of semiconductor device |
| JP2538722B2 (ja) * | 1991-06-20 | 1996-10-02 | 株式会社半導体プロセス研究所 | 半導体装置の製造方法 |
| KR950002948B1 (ko) * | 1991-10-10 | 1995-03-28 | 삼성전자 주식회사 | 반도체 장치의 금속층간 절연막 형성방법 |
| GB2266064B (en) * | 1992-03-20 | 1995-07-12 | Marconi Gec Ltd | Annealing process and apparatus |
| JP2699845B2 (ja) * | 1993-12-22 | 1998-01-19 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US6040020A (en) * | 1995-08-07 | 2000-03-21 | Micron Technology, Inc. | Method of forming a film having enhanced reflow characteristics at low thermal budget |
| US5773361A (en) * | 1996-11-06 | 1998-06-30 | International Business Machines Corporation | Process of making a microcavity structure and applications thereof |
| US6734564B1 (en) | 1999-01-04 | 2004-05-11 | International Business Machines Corporation | Specially shaped contact via and integrated circuit therewith |
| US6210371B1 (en) | 1999-03-30 | 2001-04-03 | Retractable Technologies, Inc. | Winged I.V. set |
| US6303496B1 (en) * | 1999-04-27 | 2001-10-16 | Cypress Semiconductor Corporation | Methods of filling constrained spaces with insulating materials and/or of forming contact holes and/or contacts in an integrated circuit |
| JP2001234356A (ja) * | 2000-02-24 | 2001-08-31 | Seiko Epson Corp | 膜の製造方法及びこれにより得られる膜 |
| US6348706B1 (en) * | 2000-03-20 | 2002-02-19 | Micron Technology, Inc. | Method to form etch and/or CMP stop layers |
| US6461362B1 (en) | 2001-04-30 | 2002-10-08 | Mdc Investment Holdings, Inc. | Catheter insertion device with retractable needle |
| US6983104B2 (en) * | 2002-03-20 | 2006-01-03 | Guardian Industries Corp. | Apparatus and method for bending and/or tempering glass |
| US7231787B2 (en) * | 2002-03-20 | 2007-06-19 | Guardian Industries Corp. | Apparatus and method for bending and/or tempering glass |
| US7140204B2 (en) * | 2002-06-28 | 2006-11-28 | Guardian Industries Corp. | Apparatus and method for bending glass using microwaves |
| US7223706B2 (en) * | 2004-06-30 | 2007-05-29 | Intersil Americas, Inc. | Method for forming plasma enhanced deposited, fully oxidized PSG film |
| KR102304724B1 (ko) * | 2014-12-19 | 2021-09-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막트랜지스터 기판, 이를 포함하는 디스플레이 장치, 박막트랜지스터 기판 제조방법 및 이를 이용한 디스플레이 장치 제조방법 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3901183A (en) * | 1973-06-12 | 1975-08-26 | Extrion Corp | Wafer treatment apparatus |
| US3954191A (en) * | 1974-11-18 | 1976-05-04 | Extrion Corporation | Isolation lock for workpieces |
| CA1174285A (en) * | 1980-04-28 | 1984-09-11 | Michelangelo Delfino | Laser induced flow of integrated circuit structure materials |
| US4417914A (en) * | 1981-03-16 | 1983-11-29 | Fairchild Camera And Instrument Corporation | Method for forming a low temperature binary glass |
| US4417347A (en) * | 1981-05-12 | 1983-11-22 | Varian Associates, Inc. | Semiconductor processor incorporating blackbody radiation source with constant planar energy flux |
| US4420503A (en) * | 1982-05-17 | 1983-12-13 | Rca Corporation | Low temperature elevated pressure glass flow/re-flow process |
-
1982
- 1982-08-27 US US06/412,455 patent/US4474831A/en not_active Expired - Lifetime
-
1983
- 1983-07-08 JP JP58123578A patent/JPS5939031A/ja active Granted
- 1983-07-26 GB GB08320090A patent/GB2126418B/en not_active Expired
- 1983-08-19 DE DE19833330032 patent/DE3330032A1/de not_active Withdrawn
- 1983-08-26 FR FR8313802A patent/FR2532297B1/fr not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0263293B2 (enExample) | 1990-12-27 |
| FR2532297B1 (fr) | 1987-02-20 |
| GB8320090D0 (en) | 1983-08-24 |
| FR2532297A1 (fr) | 1984-03-02 |
| GB2126418B (en) | 1986-05-21 |
| GB2126418A (en) | 1984-03-21 |
| JPS5939031A (ja) | 1984-03-03 |
| US4474831A (en) | 1984-10-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE3330032A1 (de) | Behandlungsverfahren zum herbeifuehren plastischen fliessens einer glasschicht auf einem halbleiterplaettchen | |
| DE69020802T2 (de) | Verfahren zum Ausheilen von Halbleitern. | |
| DE69320412T2 (de) | Dotierung von Diamant | |
| DE19544525C2 (de) | Verfahren zur Wärmebehandlung eines Halbleiterkörpers | |
| DE3855765T2 (de) | Dünnschicht-Siliciumhalbleiteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
| DE2412102A1 (de) | Verfahren zur ionenimplantierung | |
| DE2050497A1 (de) | Verfahren zur Steigerung der Diffu sion von Atomen in eine erhitzte Unter lage durch Bombardierung | |
| DE2354523C3 (de) | Verfahren zur Erzeugung von elektrisch isolierenden Sperrbereichen in Halbleitermaterial | |
| DE3047297A1 (de) | Verfahren zur herstellung von halbleiterbauelementen | |
| DE1966237B2 (de) | Verfahren zur Erhöhung des Gradienten von elektrisch aktiven Störstellenkonzentrationen | |
| DE2917455A1 (de) | Verfahren zur vollstaendigen ausheilung von gitterdefekten in durch ionenimplantation von phosphor erzeugten n-leitenden zonen einer siliciumhalbleitervorrichtung und zugehoerige siliciumhalbleitervorrichtung | |
| EP0852062B1 (de) | Dotierverfahren zur herstellung von homoübergängen in halbleitersubstraten | |
| DE4438398C2 (de) | Wärmebehandlungsverfahren für Verbindungshalbleiter und Verwendung eines Suszeptors in der Wärmebehandlung | |
| DE3216850C2 (enExample) | ||
| DE2262024A1 (de) | Verfahren zur herstellung von halbleiterbauelementen bzw. halbleiterschaltungen | |
| DE2804147C2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-Bauelementen | |
| DE19808246B4 (de) | Verfahren zur Herstellung eines mikroelektronischen Halbleiterbauelements mittels Ionenimplatation | |
| DE60208258T2 (de) | Frequenzselektive Platte und Verfahren zu dessen Herstellung | |
| DE69535661T2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Films für eine Halbleiteranordnung bei niedriger Temperatur | |
| EP0370186A1 (de) | Verfahren zum axialen Einstellen der Trägerlebensdauer | |
| WO1980000510A1 (fr) | Procede pour la fabrication de dispositifs semi-conducteurs | |
| DE19808245C1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines mikroelektronischen Halbleiterbauelements | |
| DE2621418C2 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Dotieren von Halbleiterplättchen | |
| DE102012203229B4 (de) | Verfahren zum Mischen von Verdampfungsmaterialien bei der Abscheidung auf einem Substrat im Vakuum | |
| DE3100670C2 (de) | Metall-Oxid-Halbleiter-Vorrichtung |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 8128 | New person/name/address of the agent |
Representative=s name: BERNHARDT, K., DIPL.-ING., PAT.-ANW., 8000 MUENCHE |
|
| 8128 | New person/name/address of the agent |
Representative=s name: BLUMBACH, P., DIPL.-ING., 6200 WIESBADEN WESER, W. |
|
| 8141 | Disposal/no request for examination |