DE3322484C2 - - Google Patents
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/18—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material comprising a plurality of layers stacked between terminals
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01C10/30—Adjustable resistors the contact sliding along resistive element
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- H—ELECTRICITY
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- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/06—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
- H01C17/065—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thick film techniques, e.g. serigraphy
- H01C17/06506—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits
- H01C17/06513—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits characterised by the resistive component
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- H01C17/06—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
- H01C17/075—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thin film techniques
- H01C17/14—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thin film techniques by chemical deposition
- H01C17/16—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thin film techniques by chemical deposition using electric current
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Description
Die Erfindung betrifft ein Widerstandsteil eines
Schiebewiderstandes, bei welchem eine Filmwiderstands
schicht eine Hauptwiderstandsschicht aufweist, die mit
einem Isolierstoffträger verbunden ist und von einer
Schutzwiderstandsschicht vollständig überdeckt ist,
wobei die Schutzwiderstandsschicht einen größeren
Schichtwiderstandswert als die Hauptwiderstandsschicht
hat.
Ein derartiges Widerstandsteil eines Schiebewider
standes ist aus der DE-AS 14 65 205 und aus der CH-PS
3 19 742 bekannt.
Das Widerstandsteil gemäß der DE-AS 14 65 205 besteht
aus einem isolierenden Träger mit einer Widerstands
schicht aus einer Nickel und Chrom enthaltenden Legie
rung und einer auf dieser liegenden Metalldeckschicht.
Das wesentliche dieses bekannten Widerstandsteils be
steht darin, daß die Widerstandsschicht aus einer
Nickel-Chrom-Eisen-Legierung und die Metalldeckschicht
aus Platin, Rhodium oder Iridium besteht.
Die Widerstandsschicht hat einen Widerstand von 500 bis
20 000 Ohm (einen Schichtwiderstand von 21,7 bis 870 Ohm
pro Flächeneinheit) und eine Dicke von 100 bis 2000 Å.
Die Metalldeckschicht besitzt einen Schichtwiderstand
von 8000 bis 13 000 Ohm pro Flächeneinheit und eine
Dicke von 100 Å oder weniger und wird auf der Grundlage
eines Vakuumniederschlagverfahrens auf einem Isolier
stoffträger aufgebracht. Dieses bekannte Widerstands
teil mit der genannten Schichtzusammensetzung ist je
doch relativ empfindlich gegenüber Feuchtigkeitsschwan
kungen und der Widerstandswert kann beispielsweise bei
hoher Feuchtigkeit um +10,0% schwanken.
Bei dem Widerstandsteil nach der CH-PS 3 19 742 ist ein
Schichtwiderstand zusätzlich mit einer elektrisch lei
tenden Schutzschicht überzogen, um den Schichtwider
stand, der von einem Schleifer beaufschlagt wird, gegen
Abrieb zu schützen. Das Material für die Schutzschicht
muß dabei einen höheren spezifischen elektrischen Wi
derstand besitzen als das für die Widerstandsschicht
verwendete Material. Die Schutzschicht kann hierbei aus
einem Halbleiter oder aus Stoffen geringer elektrischer
Leitfähigkeit bestehen. Der Schutzwiderstand ist bei
dieser bekannten Konstruktion ferner auch vollständig
mit der Schutzwiderstandsschicht überdeckt.
Aus der US-PS 41 23 741 ist ein Widerstandsteil eines
Schiebewiderstandes bekannt, dessen Schutzwiderstands
schicht aus einem abriebfesten Material aus Carbonharz
besteht.
Aus der DE-OS 26 51 571 ist ein Verfahren zur Herstel
lung einer abriebfesten Widerstandsbahn für regelbare
niederohmige Widerstände bekannt. Gemäß diesem bekann
ten Verfahren wird auf einer niederohmigen Widerstands
schicht mit geringem Glasanteil eine hochohmige Wider
standsschicht mit Metalloxiden und großem Glasanteil
gedruckt und eingebrannt, wobei der Schleifer des Wi
derstandes auf der hochohmigen Widerstandsschicht glei
tet. Durch diese Schichtstruktur wird zwar eine sehr
große Abriebfestigkeit gegenüber dem Schleifer er
reicht, jedoch ergibt sich dabei ein vergleichsweise
hoher Temperaturkoeffizient des Widerstandswertes.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, das Wider
standsteil eines Schiebewiderstandes der eingangs
genannten Art derart zu verbessern, daß es eine hohe
Widerstandsfähigkeit gegenüber einem Abrieb aufweist.
Ausgehend von dem Widerstandsteil der eingangs defi
nierten Art wird diese Aufgabe gemäß einem ersten
Lösungsvorschlag erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß
die Schutzwiderstandsschicht aus Silberpulver oder
Nickelpulver sowie einem thermisch aushärtbaren Harz
besteht.
Gemäß einem zweiten Lösungsvorschlag wird die genannte
Aufgabe erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die Schutz
widerstandsschicht aus einem Pulver eines der Edelme
talle Gold, Paladium oder Silber und einem Pulver der
Metalle Kupfer oder Nickel sowie einer Glasschmelzmasse
besteht.
Besonders vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbil
dungen der Erfindung ergeben sich aus den Ansprüchen 3
bis 5.
Im folgenden wird die Erfindung anhand von Ausführungs
beispielen unter Hinweis auf die Zeichnung näher erläu
tert. Es zeigt
Fig. 1 eine Draufsicht eines bevorzugten Ausführungs
beispiels mit Merkmalen nach der Erfindung,
Fig. 2 einen Schnitt nach der Linie a-a′ in Fig. 1,
Fig. 3 eine Draufsicht auf ein zweites Ausführungsbei
spiel mit Merkmalen nach der Erfindung,
Fig. 4 und 5 Schnitte nach den Linien b-b′ und c-c′ in
Fig. 3.
Das Widerstandsteil mit Merkmalen nach der Erfindung ist zweischichtig
aufgebaut, und der Gesamtwiderstand der filmartigen
Widerstandsschichtstruktur ist die Summe der Film
widerstände der Hauptwiderstandsschicht und der Schutz
widerstandsschicht. Da der Widerstandswert der Haupt
widerstandsschicht kleiner als der Widerstandswert der
Schutzwiderstandsschicht ist, dominiert ersterer im
Gesamtwiderstandswert der Widerstandsschichtstruktur. Die
Hauptwiderstandsschicht ist zudem durch die Schutzwi
derstandsschicht abgedeckt, so daß sie gegenüber von außen
wirkenden Kräften geschützt ist.
Eine Metalldünnfilmwiderstandsschicht, die ja bekanntlich
sehr gute Eigenschaften hinsichtlich des Widerstandstempe
raturkoeffizienten hat, ist
als Hauptwiderstandsschicht eingesetzt.
Fig. 1 in Draufsicht und Fig. 2 als Querschnitt entlang
der Linie a-a′ in Fig. 1 zeigen einen Isolierstoffträ
ger 1 , Kupferelektroden 2 und eine Filmwiderstandsschicht
3, die aus Hauptwiderstandsschicht 31 und Schutzwider
standsschicht 32 besteht. Im Gebrauch gleitet ein (nicht
gezeigter) Abgriffgleiter über die Oberfläche der Schutz
widerstandsschicht 32. Damit kommt über die Schutzwider
standsschicht 32 eine elektrisch leitende Verbindung zwi
schen Abgriffgleiter und Hauptwiderstandsschicht 31 zu
stande, und da die Schutzwiderstandsschicht 32 äußerst
dünn ist, ist ihr Widerstand senkrecht zur Schichtebene
vernachlässigbar.
Die Fig. 3, 4 und 5 zeigen in Draufsicht bzw. in Schnit
ten nach den Linien b-b′ und c-c′ ein weiteres Ausfüh
rungsbeispiel mit Merkmalen nach der Erfindung mit einem Isolierstoffträger
1, einer Elektrode 2, einer Widerstandsschicht 3,
einer Gleiterabgriff-Schiene 4 und Befestigungslöchern 5.
Aus Fig. 4 sind die Hauptwiderstandsschicht 31 und
eine Schutzwiderstandsschicht 32 und ferner ein durch
Plattierung auf der Oberfläche der Abgriffgleiter-
Schiene angebrachter Goldfilm 41, eine Kupferfolie 42
und eine Hauptwiderstandsschicht 43 erkennbar. Fig. 5
zeigt einen durch Plattierung auf der Oberfläche der
Elektrode 2 aufgebrachten Goldfilm 21, eine Kupferfolie
22 und die Hauptwiderstandsschicht 23. Der Isolierstoff
träger 1 kann ein Plättchen aus Keramik, Glas, einem
Glas-Epoxidharzlaminat, einem Papier-Epoxidharzlaminat
oder einem Papier-Phenolharzlaminat sein.
Die Hauptwiderstandsschicht besteht aus einem elektri
schen Widerstandsmaterial mit einer Dicke von 0,01 bis
7 µm und einem Schichtwiderstand von 5 Ohm je Flächen
einheit bis 30 Kiloohm je Flächeneinheit. Die Hauptwi
derstandsschicht ist als Metalldünnfilmwiderstand ausgeführt,
der durch Elektroplattierung nicht-elektrolytisches
Plattieren, im Kathodenzerstäubungsverfahren, durch Vakuum
aufdampfen oder einem chemischen Aufdampfverfahren aufge
bracht ist. Die Schutzwiderstandsschicht besteht aus einem
elektrischen Widerstandsmaterial mit einer Dicke von
10 bis 30 µm und einem Schichtwiderstand von 100 Ohm je
Flächeneinheit bis 300 Kiloohm je Flächeneinheit.
Die Schutzwiderstandsschicht besteht aus einem
abriebfesten Material und wird aus einer Paste hergestellt, die
Silberpulver oder Nickelpulver und ein thermisch
aushärtendes Harz, wie Epoxidharz oder Polyimidharz, ent
hält, oder aus einer Paste, in der eines der Metalle
Gold, Silber oder Palladium, sowie ein Grundmetall, wie Nickel oder Kupfer
und Glasstaub enthalten sind. Das Material
wird durch Aufdrucken und Aushärten aufgebracht.
Es ist nötig, daß der Flächenwiderstand der Schutzwi
derstandsschicht größer als der der Hauptwiderstands
schicht ist. Vorzugsweise ist der erstere Widerstands
wert das 5- bis 300fache des letzteren.
Der Widerstandswert des Schiebewiderstandes gemäß der Er
findung bildet sich aus der Summe der Widerstandswerte
der Hauptwiderstandsschicht 31 und der Schutzwiderstands
schicht 32. In einer Schichtenkombination, in der der
Schichtwiderstandswert der Schutzwiderstandsschicht das
100fache desjenigen der Hauptwiderstandsschicht beträgt,
ist der Unterschied zwischen dem Gesamtwiderstandswert
und dem Widerstandswert der Hauptwiderstandsschicht etwa
1%. Der Widerstandswert der Hauptwiderstandsschicht be
stimmt also praktisch den Widerstandswert des Schiebe
widerstandes.
Die Eigenschaften der Schutzwiderstandsschicht, wie ihr
Widerstandstemperaturkoeffizient, die Lebensdauer, die
Feuchtigkeitssicherheit, ihre Festigkeit bezüglich Wärme
schocks, beeinflussen die Eigenschaften des Schiebewider
standes vernachlässigbar, so daß die äußeren Eigenschaf
ten des Schiebewiderstandes praktisch durch die Eigen
schaften der Hauptwiderstandsschicht bestimmt sind. Damit
können Teile
für Schiebewiderstände hergestellt werden, die die gewünsch
ten elektrischen Widerstandseigenschaften haben und dem
Abgriffgleiter sehr gute mechanische Widerstandsfähigkeit
entgegensetzen.
Claims (5)
1. Widerstandsteil eines Schiebewiderstandes, bei wel
chem eine Filmwiderstandsschicht eine Hauptwider
standsschicht aufweist, die mit einem Isolierstoff
träger verbunden ist und von einer Schutzwider
standsschicht vollständig überdeckt ist, wobei die
Schutzwiderstandsschicht einen größeren Schichtwi
derstandswert als die Hauptwiderstandsschicht hat,
dadurch gekennzeichnet, daß die
Schutzwiderstandsschicht (32) aus Silberpulver oder
Nickelpulver sowie einem thermisch aushärtbaren
Harz besteht.
2. Widerstandsteil eines Schiebewiderstandes, bei wel
chem eine Filmwiderstandsschicht eine Hauptwider
standsschicht aufweist, die mit einem Isolierstoff
träger verbunden ist und von einer Schutzwider
standsschicht vollständig überdeckt ist, wobei die
Schutzwiderstandsschicht einen größeren Schichtwi
derstandswert als die Hauptwiderstandsschicht hat,
dadurch gekennzeichnet, daß die
Schutzwiderstandsschicht (32) aus einem Pulver
eines der Edelmetalle Gold, Paladium oder Silber
und einem Pulver der Metalle Kupfer oder Nickel
sowie einer Glasschmelzmasse besteht.
3. Widerstandsteil nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet, daß die
Hauptwiderstandsschicht eine Dicke von 0,01 bis 7
µm und einen Schichtwiderstandswert von 5 Ohm je
Flächeneinheit bis 30 Kilo-Ohm je Flächeneinheit
aufweist.
4. Widerstandsteil nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet, daß die
Schutzwiderstandsschicht (32) eine Dicke von 10 bis
30 µm und einen Schichtwiderstand von 100 Ohm/Flä
cheneinheit bis 300 Kilo-Ohm/Flächeneinheit auf
weist.
5. Widerstandsteil nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet, daß der
Schichtwiderstandswert der Schutzwiderstandsschicht
(32) 5 bis 300mal so groß wie derjenige der
Hauptwiderstandsschicht (31) ist.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19833322484 DE3322484A1 (de) | 1983-06-22 | 1983-06-22 | Widerstandsteil eines schiebewiderstandes |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19833322484 DE3322484A1 (de) | 1983-06-22 | 1983-06-22 | Widerstandsteil eines schiebewiderstandes |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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DE3322484A1 DE3322484A1 (de) | 1985-01-10 |
DE3322484C2 true DE3322484C2 (de) | 1988-04-28 |
Family
ID=6202094
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19833322484 Granted DE3322484A1 (de) | 1983-06-22 | 1983-06-22 | Widerstandsteil eines schiebewiderstandes |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE3322484A1 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10037014B4 (de) * | 2000-07-29 | 2004-12-23 | Ab Elektronik Sachsen Gmbh | Tankgeberplatine |
Families Citing this family (1)
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EP1217635A3 (de) * | 2000-12-22 | 2004-09-15 | Heraeus Electro-Nite International N.V. | Elektrischer Widerstand mit Platinmetall oder einer Platinmetallverbindung sowie Sensoranordnung |
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US3353134A (en) * | 1964-08-17 | 1967-11-14 | Amphenol Corp | Resistive element and variable resistor |
JPS5517443Y2 (de) * | 1976-07-01 | 1980-04-23 | ||
DE2651571A1 (de) * | 1976-11-12 | 1978-05-18 | Licentia Gmbh | Verfahren zur herstellung einer abriebfesten widerstandsbahn fuer regelbare niederohmige widerstaende |
-
1983
- 1983-06-22 DE DE19833322484 patent/DE3322484A1/de active Granted
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10037014B4 (de) * | 2000-07-29 | 2004-12-23 | Ab Elektronik Sachsen Gmbh | Tankgeberplatine |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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DE3322484A1 (de) | 1985-01-10 |
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