DE3314655A1 - Cmos-pufferverstaerker - Google Patents
Cmos-pufferverstaerkerInfo
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- H03K19/02—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components
- H03K19/08—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices
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- H03K19/0944—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using field-effect transistors using MOSFET or insulated gate field-effect transistors, i.e. IGFET
- H03K19/0948—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using field-effect transistors using MOSFET or insulated gate field-effect transistors, i.e. IGFET using CMOS or complementary insulated gate field-effect transistors
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Description
Bei dem beschriebenen Aufbau wird also der Kurzschlußstrom zwischen den Elektroden bzw. den genannten Anschlüssen
des Puf'ferverstärkers verhindert oder zumindest reduziert. Hierfür ist jedoch eine große Anzahl von Elementen
erforderlich. Um darüberhinaus ein binäres Ausgangssignal Y mit exakter Impulsbreite zu erhalten, muß die Periode
des Taktsignals φ-, welches das D-Flipflop 1 taktet, weniger
als ein Zehntel der Impulsbreite des Ausgangssignals Y betragen. Diese Tatsache, daß heißt die relativ hohe
erforderliche Frequenz des Taktsignals steht einer Verringerung des Stromverbrauchs entgegen. Darüberhinaus gibt es
Fälle, wo ein Aufbau gemäß der beschriebenen Schaltung nicht möglich ist.
■5 Aufgabe der Erfindung ist es, einen
Pufferverstärker zu schaffen, bei dem der KurζSchlußstrom
zwischen zwei Elektroden des Pufferverstärkers verringert
ist, ohne daß ein komplexer Aufbau erforderlich wäre oder der praktischen Anwendung dieses Pufferverstärkers Grenzen
gesetzt wären.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die Merkmale im
Patentanspruch gelöst.
Die Erfindung wird nachfolgend anhand der Zeichnungen an einem Ausführungsbeispiel näher erläutert. Es zeigen:·
Fig. 1a das Schaltbild eines herkömmlichen CMOS-
Pufferverstärkers,
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Fig. 1b den Zeitverlauf von Signalen in der Schaltung von Fig. 1a,.
Fig. 2a ein Schaltbild des Pufferverstärkers gemäß einem Ausführungsbeispiel der
Erfindung und
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Beschreibung
Die Erfindung betrifft einen CMOS-Pufferverstärker nach
dem Oberbegriff des Patentanspruchs. Es handelt sich insbesondere um einen CMOS-Pufferverstärker mit einer relativ
großen Verstärkung seiner Ausgangsstufe."
Bei der Auslegung eines CMOS-Pufferverstärkers kommt es
wesentlich'darauf an, einen unerwünschten Kurzschlußstrom
durch die Reihenschaltung aus P-Kanal-Transistor und N-Kanal-Transistor
zwischen den beiden freien Elektroden dieser Reihenschaltung zu verhindern. Fig. 1 zeigt ein
Schaltbild eines herkömmlichen CMOS-Pufferverstärkers. Bei
dieser Schaltung werden ein P-Kanal-Transistor 4 und ein N-Kanal-Transistor 5, die die Ausgangsstufe eines CMOS-Puf
ferverstärkers bilden, von verschiedenen Treiberschaltungen,
nämlich den Treiberschaltungen 2 bzw. 3 angesteuert. Das heißt, die Treiberschaltungen 2 und 3 führen dem P-Kanal-Transistor
4 und dem N-Kanal-Transistor 5 verschiedene Signale zu, so daß die beiden Transistoren 4 und 5
vorübergehend in einen Sperrzustand kommen. Ein Verzögerungsflipflop
1 wird von einem Taktsignal <j>Q getaktet und
verzögert ein Eingangssignal X um eine Periode des Taktsignals, so daß ein Ausgangssignal W erzeugt wird. Das
Eingangssignal X und das Ausgangssignal W werden an die Treiberschaltungen 2 und 3 angelegt, welche Treibersignale
A und B für den Transistor 4 bzw. den Transistor 5 erzeugen. Aufgrund dieser beiden Treibersignale A und B kommen
die beiden Transistoren 4 und 5 während der Zeiten T1 und
χ in den Sperrzustand. Dieser gleichzeitige Sperrzustand
der beiden Transistoren 4 und 5 verhindert einen Kurzschlußstrom zwischen den beiden Anschlüssen V„. und V
L)U üb
des Pufferverstärkers bei einem Pegelwechsel des Ausgangssignals
Y.
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•I 4 Ο"
Fig. 2b den Zeitverlauf von Signalen in der Schaltung von Fig. 2a.
Die Fig. 2a und 2b zeigen ein Schaltbild bzw. den Zeitverlauf von Signalen für ein Ausführungsbeispiel der Erfindung.
Wie aus Fig. 2a ersichtlich/ sind anstelle der bei Fig. 1a erforderlichen komplizierten Schaltungen lediglich
zwei CMOS-Inverter als Treiberschaltungen 6 und 7 vorgesehen. Bei der Treiberschaltung 6 ist der Verstärkungsfaktor
eines P-Kanal-Transistors größer als der eines N-Kanal-Transistors.
Wenn ein Eingangssignal U an die Treiberschaltung 6 angelegt wird, gibt diese ein Ausgangssignal
C mit einer verhältnismäßig flachen Abfallflanke und einer steilen Anstiegsflanke ab, wie dies in Fig. 2b gezeigt
ist. Im Gegensatz dazu ist bei der Treiberschaltung 7 der Verstärkungsfaktor eines N-Kanal-Transistors größer
als der eines P-Kanal-Transistors. Wenn das Eingangssignal U an die Treiberschaltung 7 angelegt wird, ergibt sich ein
Ausgangssignal D mit einer steilen Abfallflanke und einer relativ flachen Anstiegsflanke. Wie aus Fig. 2b ersichtlich,
haben die von den Treiberschaltungen 6 und 7 gelieferten Ausgangssignale C und D außerdem eine Verzögerung. Das
heißt ein P-Kanal-Transistor 8 der Ausgangsstufe, an den das Treibersignal C angelegt wird, befindet sich während
der Zeiten von TO bis T2 sowie von T3 bis T5 im Sperrzustand und während der Zeit von T2 bis T3 im leitenden Zustand.
In ähnlicher Weise befindet sich der N-Kanal-Transistor 9 der Ausgangsstufe, an den das Treibersignal D
angelegt wird, während der Zeit von TO bis T1 und während der Zeit von T4 bis T5 im leitenden Zustand und während
der Zeit von T1 bis T4 im Sperrzustand. Beide Transistoren
8 und 9 sind daher während der Zeiten von T1 bis T2 sowie von T3 bis T4 im Sperrzustand. Die Dauer, während derer
beide Transistoren 8 und 9 im Sperrzustand sind sowie die Verzögerungszeit der Transistoren der Treiberschaltungen
6 und 7 sind kleiner als in μs-Größenordnung an-
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zunehmen. Durch Vorsehen solcher Zeiten, zu denen beide Transistoren 8 und 9 gleichzeitig gesperrt sind/ wird
vermieden, daß die beiden Anschlüsse VDD und V55 kurzge-
schlossen werden. Dadurch wird ein Kurzschlußstrom zwischen
V und Vcc bei einem CMOS-Pufferverstärker während der
Übergangszeit des Spannungspegels im Verstärker verhindert.
Beim Stand der Technik ist eine große Anzahl von Transistoren zur Erzeugung unterschiedlicher Treibersignale für
die beiden komplementären Transistoren der Ausgangsstufe erforderlich. Erfindungsgemäß kann der genannte Kurzschlußstrom
so lange verhindert werden, solange die beiden den Transistoren 8 und 9 gelieferten Treibersignale, wie erwähnt,
unterschiedliche Verzögerungszeiten besitzen. Auf diese Weise kann man bei einem CMOS-Pufferverstärker auf
eine große Anzahl von Transistoren und auf besondere Bedingungen hinsichtlich der Treiberimpulsbreite verzichten.
Die erfindungsgemäße Schaltung ist auch auf andere Treiberschaltungen,
nicht nur auf einen Pufferverstärker anwendbar, zur Verhinderung eines unerwünschten Stroms zwischen
irgendwelchen Elektroden. Ein weiterer Vorteil der Verwendung dieser Schaltung liegt in einer Verminderung
des Stromverbrauchs, insbesondere bei Einsatz in einer integrierten Schaltung für eine Uhr.
Leerseite
Claims (1)
- PatentanspruchCMOS-Pufferverstärker■umfassend eine Ausgangsstufe mit einer Reihenschaltung aus einem ersten P-Kanal-Transistor (8) und einem ersten N-Kanal-Transistor (9), einen ersten Treiber (6) für den ersten P-Kanal-Transistor und einen zweiten Treiber (7) für den ersten N-Kanal-Transistor, von denen der erste Treiber einen zweiten P-Kanal-Transistor und einen zweiten N-Kanal-Transistor und der zweite Treiber einen dritten P-Kanal-Transistor und einen dritten N-Kanal-Transistor aufweist/ wobei die Transistoren (8, 9) der Ausgangsstufe so ansteuerbar sind, daß ein gleichzeitiger leitender Zustand beider Transistoren (8, 9) vermieden wird, dadurch gekennzeichnet ,daß der Verstärkungsfaktor des zweiten P-Kanal-Transistors größer als der des zweiten N-Kanal-Transistors und der Verstärkungsfaktor des dritten P-Kanal-Transistors kleiner als der des dritten N-Kanal-Transistors ist.
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP57072072A JPS58188931A (ja) | 1982-04-28 | 1982-04-28 | Cmosバツファアンプ駆動回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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Family
ID=13478830
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (3)
Country | Link |
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DE (1) | DE3314655A1 (de) |
GB (1) | GB2119193A (de) |
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JP2776818B2 (ja) * | 1987-12-09 | 1998-07-16 | ソニー 株式会社 | 出力回路 |
US4810903A (en) * | 1987-12-14 | 1989-03-07 | Motorola, Inc. | BICMOS driver circuit including submicron on chip voltage source |
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-
1982
- 1982-04-28 JP JP57072072A patent/JPS58188931A/ja active Pending
-
1983
- 1983-04-19 GB GB08310597A patent/GB2119193A/en not_active Withdrawn
- 1983-04-22 DE DE19833314655 patent/DE3314655A1/de not_active Ceased
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---|---|
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GB2119193A (en) | 1983-11-09 |
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