DE3243499C2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- DE3243499C2 DE3243499C2 DE3243499A DE3243499A DE3243499C2 DE 3243499 C2 DE3243499 C2 DE 3243499C2 DE 3243499 A DE3243499 A DE 3243499A DE 3243499 A DE3243499 A DE 3243499A DE 3243499 C2 DE3243499 C2 DE 3243499C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- air
- carriage
- movement
- projection exposure
- fluid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 claims description 17
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 15
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 3
- 238000012634 optical imaging Methods 0.000 claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 13
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 5
- 101100269850 Caenorhabditis elegans mask-1 gene Proteins 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 2
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 230000001235 sensitizing effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70258—Projection system adjustments, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of projection system
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
- G03F7/70875—Temperature, e.g. temperature control of masks or workpieces via control of stage temperature
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein Projektionsbelichtungs
gerät gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.
Ein Projektionsbelichtungsgerät dieser Art ist in der US-
PS 42 15 934 beschrieben. Dieses bekannte Projektionsbe
lichtungsgerät besitzt einen beweglichen Schlitten, der
eine Negativhalterung mit einer Fotomaterialhalterung ver
bindet, sowie eine Führungsvorrichtung in der der
Schlitten in vorgegebener Richtung geführt wird. Es ist
üblich, zum Tragen des Schlittens und zur besseren Führung
Strömungsmittel-Lagerungen zu wählen. Trotz solcher Vor
kehrungen kann es bei einem solchen
Projektionsbelichtungsgerät zu Abbildungsverzerrungen kom
men, die unter anderem auf Führungsungenauigkeiten der
Führungsvorrichtung zurückzuführen sind.
Ein Projektionsbelichtungsgerät der genannten Art zeigt
auch die nicht vorveröffentlichte DE 32 02 887 A1. Bei
diesem Gerät sind mehrere Luftkissen vorgesehen, deren
Druck jeweils zum Ausgleich von Vergrößerungsfehlern
infolge von Unebenheiten der Führungsvorrichtung in zur
Führungsebene vertikaler Richtung individuell steuerbar
ist. Auch hierbei sind Abbildungsfehler wegen ungenauer
Führung nicht völlig ausgeschlossen.
Zur genaueren Erläuterung der Problematik der Abbildungsverzerrungen
sei auf die Fig. 8 und 9 Bezug genommen.
In Fig. 9 bezeichnet 31 ein Maskenbeleuchtungssystem,
das in der Richtung der optischen Achse einen
Sammelspiegel 33, eine Quecksilberlampe 34, eine erste
Sammellinse 35, ein Filter 32, einen Spiegel 36, eine
zweite Sammellinse 37 und eine Lichtabschirmplatte 38
mit einem bogenförmigen Schlitz aufweist. Der Filter 32
wird während des Ausrichtens eingesetzt, um Licht in einem
Sensibilisierungs-Wellenlängenbereich zu sperren. 39 ist
eine Fotomaske mit einem Integrationsschaltungsmuster,
während 21 ein fotoempfindliches bzw. ein mit einer fotoempfindlichen
Schicht versehenes Halbleiterplättchen ist.
Spiegel 41 und 42 dienen zum Umlenken des optischen
Wegs. Ein Konkavspiegel 44 und ein Konvexspiegel
43 bilden zusammen ein optisches
Reflexionssystem mit der Vergrößerung 1 : 1. Durch ein
Ausrichtungs-Mikroskop 46 hindurch werden beim Ausrichten
die Fotomaske 39 und das Halbleiterplättchen 21
betrachtet. Das Mikroskop 46 wird während des Ausrichtens
in den Beleuchtungslichtweg eingeführt.
Bei diesem Gerät werden während der Belichtung die Fotomaske
39 und das Halbleiterplättchen 21 gemeinsam in
der Pfeilrichtung bewegt, wobei häufig bei dem auf das
Halbleiterplättchen 21 übertragenen Musterbild eine Verzeichnung
hervorgerufen wird. Diese beruht in manchen
Fällen auf einer in dem Halbleiterplättchen selbst hervorgerufenen
Verzerrung, wenn es bei dem vorhergehenden
Schritt chemisch behandelt wurde, während in anderen
Fällen die Verzeichnung während der Übertragung hervorgerufen
wird. In Fig. 8 ist gezeigt,
in welchen Richtungen ein Übertragungsfehler
auftreten kann.
Die Fig. 8 zeigt ein Halbleiterplättchen 21 und einen
Vergrößerungsfehler bzw. eine Vergrößerungsabweichung
22 in einer X-Richtung. 23 ist ein Vergrößerungsfehler
in einer Y-Richtung, während 24 eine Abweichung
von einem rechten Winkel ist.
Die Y-Richtung ist dabei diejenige Richtung, in der die
Fotomaske und das Halbleiterplättchen 21 bewegt werden,
während die X-Richtung die hierzu senkrechte Richtung ist.
S ist ein bogenförmiger Schlitz, durch den ein Maskenbeleuchtungsbereich
gebildet wird.
Der Übertragungsfehler bei einem Projektionsbelichtungsgerät
ist bezüglich der X-Richtung auf einen Fehler bei
der Herstellung des optischen Projektionssystems wie
beispielsweise auf die Bearbeitungsgenauigkeit des sphärischen
Spiegels zurückzuführen, während hinsichtlich der
Y-Richtung der Übertragungsfehler durch die Führungsgenau
igkeit eines Fluid- bzw. Strömungsmittel-Lagers für das
gemeinsame Bewegen der Fotomaske und des Halbleiterplätt
chens in bezug auf das optische Abbildungssystem bestimmt
ist. Die Abweichung vom rechten Winkel wird durch Unter
schiede in der Parallelität zwischen der optischen Achse
des optischen Abbildungssystems und der Bewegungsachse
des Strömungsmittel-Lagers verursacht. Gemäß den vorste
henden Ausführungen ist bei dem Stand der Technik der
Übertragungsfehler hauptsächlich durch die Bearbeitungs
genauigkeit und die Zusammenbaugenauigkeit bestimmt.
Daher müssen die Bearbeitungsgenauigkeit und die Zusammen
baugenauigkeit sehr hoch sein, wobei es ziemlich schwierig
ist, mit der Zeit auftretende Abweichungen zu korrigie
ren.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Projektions
belichtungsgerät gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs
1 derart weiterzubilden, daß Verzeichnungen infolge von
Führungsungenauigkeiten ausgeschlossen sind.
Diese Aufgabe wird mit den in dem Patentanspruch 1 ange
gebenen Merkmalen gelöst.
Hierdurch werden insbesondere auch solche Abbildungsfehler
unterdrückt, die aufgrund einer Neigung der Führungs
richtung der Führungsvorrichtung gegenüber der Richtung
der optischen Achse des Abbildungsspiegelsystems auftreten
würden. Es wird eine wesentliche Verbesserung der
Abbildungsgenauigkeit beispielsweise auch gegenüber einem
Stand der Technik erreicht, wie ihn die nicht vorver
öffentlichte DE 32 02 887 A1 zeigt.
Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind Gegenstand
der Unteransprüche.
Die Erfindung wird nachstehend anhand eines Ausführungs
beispiels unter Bezugnahme auf die Zeichnung näher er
läutert. Es zeigt:
Fig. 1 eine Vorderansicht des Projektionsbelichtungsgeräts
gemäß einem Ausführungsbeispiel,
Fig. 2 eine Draufsicht auf das Gerät gemäß dem
in Fig. 1 gezeigten Ausführungsbeispiel,
Fig. 3 eine Ansicht, welche die einer Führungsvorrichtung
nach dem Stand der Technik eigenen
Probleme veranschaulicht,
Fig. 4 und 5 Darstellungen, die die Wirkungsweise
bei dem Ausführungsbeispiel veranschaulichen,
Fig. 6 und 7 Darstellungen, die die Wirkungsweise
bei einer Entzerrung bezüglich eines rechten
Winkels veranschaulichen,
Fig. 8 die Bildverzeichnungen auf einem Halbleiterplättchen,
Fig. 9 ein optisches Projektionssystem.
Die Fig. 1 zeigt u. a. einen Tubus M, in dem ein
optisches Reflexionssystem enthalten ist,
eine Fotomaske 1 und eine Maskenbühne 2.
Die Maskenbühne 2 weist ein Spannfutter zum Festhalten
der Maske 1 und einen Träger für das Bewegen des Spannfutters
in einer Ebene und in Drehrichtung auf. Ferner zeigt Fig. 1 ein
Halbleiterplättchen 3, ein Halbleiterplättchen-Spannungsfutter
4 und einen Träger 5 zum Bewegen des Spannfutters
4 in einer Ebene und in Drehrichtung.
Verbindungsstreben 6a verbinden die Maskenbühne
2 und den Träger 5 miteinander zu einer Einheit.
Tragarme 6b sind fest an die jeweiligen
Streben 6a angeschlossen. In der zur Zeichnungsebene senkrechten
Richtung erstrecken sich Führungsschienen 7 und 8. Ein Gleitlager 9
steht mit der Führungsschiene 7 in Eingriff. Das
Gleitlager 9 stützt den bewegbaren Körper aus den Elementen
1 bis 6b und steuert die Horizontallage und die Vertikallage
desselben. Ein weiteres Gleitlager 10
steht mit der Führungsschiene 8 in Eingriff
und stützt gleichfalls den bewegbaren Körper ab.
Die Gleitlager 9 und 10 sind fest mit dem jeweiligen
Tragarm 6b verbunden.
14a, 14b, 20a und 20b sind Strömungsmittel- bzw. Luftkissen,
deren Einzelheiten in der US-PS 42 26 483 beschrieben
sind. Die Sätze aus den Luftkissen 14a und 14b bzw. 20a
und 20b sind an eine (nicht gezeigte) Luftpumpe angeschlossen,
wobei ihre jeweiligen Luftdrücke unabhängig
voneinander gesteuert werden.
Strömungsmittel- bzw. Luftkissen 16 und 18 sind gleichfalls an die
Luftpumpe angeschlossen.
Bei dem vorstehend beschriebenen Aufbau wird der bewegbare
Körper 1 bis 6b von Druckluft getragen, so daß er
sehr leicht bewegt werden kann, wenn mittels einer (nicht
gezeigten) Stellvorrichtung eine Kraft in der zur Zeichnungsebene
senkrechten Richtung ausgeübt wird.
Der Vergrößerungsfehler in der Y-Richtung
und die Abweichung vom rechten Winkel können dadurch korrigiert
werden, daß der Luftdruck gesteuert wird, mit der
ein vollständig festgelegtes (nämlich hinsichtlich einer
Bewegung in der Horizontalrichtung und der Vertikalrich
tung festgelegtes ) Luftlager während der Bewegung des
selben beaufschlagt wird.
Die Fig. 2 zeigt das Gerät nach Fig. 1 in der Ansicht
von oben. In der Fig. 2 sind 15 und 17 Strömungsmittel-Lagerungen in Form
von Strömungsmittel- bzw. Luftkissen zum horizontalen Abstützen. Das Luftkissen
15 steht zusammen mit dem Luftkissen 16 in engem Abstand
von der rechten Seitenfläche der Führungsschiene 7, wäh
rend das Luftkissen 17 zusammen mit dem Luftkissen 18
in Abstand von der linken Seitenfläche der Führungsschiene
7 steht. Mit 19a und 19b sind Strömungsmittel- bzw. Luft
kissen für das vertikale Abstützen bezeichnet. Die Luft
kissen 19a und 19b stehen zusammen mit den Luftkissen
20a und 20b in Abstand von der oberen Fläche der Führungs
schiene 7.
Mit 15′, 16′, 17′, 18′, 19′ und 20′ sind biegsame Rohre
für die Zufuhr von Druckluft bezeichnet. Diese Rohre
stehen mit Luftzuführvorrichtungen in Verbindung, deren
Druck jeweils unabhängig einstellbar ist, so daß der
Luftdruck eines jeden Luftkissens selbständig steuerbar
ist.
Dem Stand der Technik anhaftende Probleme werden nun
anhand der Fig. 3 beschrieben. In der Fig. 3 ist 13 die
obere Fläche einer Führungsschiene, die mit übersteigter
Unebenheit dargestellt ist. Nimmt man bei
spielsweise an, daß die obere Fläche der Führungsschiene
eine nach oben konvexe Form hat und die Luftkissen
19 und 20 mit konstantem Luftdruck beaufschlagt werden,
so stehen die Luftkissen 19 und 20 in einem Abstand d
von der oberen Fläche der Führungsschiene. Infolge dessen
schwankt bei der Bewegung des Luftlagers in der Y-Richtung
die obere Fläche des Luftlagers mit der Bewegung des
Luftlagers um einen Absenkungs- oder Anhebungswinkel
R.
Die optische Achse des optischen Reflexionssystems ist
festgelegt, während andererseits die Maske und das Halb
leiterplättchen miteinander mit einem Zwischenabstand
1 zu einer Einheit zusammengefaßt sind und quer zur opti
schen Achse des optischen Reflexionssystems bewegt werden.
Wenn dabei der die Maske und das Halbleiterplättchen
tragende bewegbare Körper um den Winkel R geneigt ist, tritt insge
samt ein Vergrößerungsfehler von 1 tan R auf.
Bei dem Ausführungsbeispiel wird gemäß der Darstellung
in der Fig. 4 am Anfangspunkt der Bewegung das vordere
Luftkissen 19 mit normalem Druck beaufschlagt, während
das hintere Luftkissen 20 mit hohem Druck beaufschlagt
wird. Mit der Bewegung des Luftlagers wird der Druck
für das vordere Luftkissen 19 gesteigert, während der
Druck für das hintere Luftkissen 20 abgesenkt wird. Die
Aufwölbung bzw. Unebenheit der oberen Fläche 13 der Füh
rungsschiene kann vorausgemessen werden, so daß daher
dann, wenn die Lage des Luftlagers mittels einer Strecken
meßvorrichtung S genau gemessen wird, die an der Meßstelle
an die Luftkissen 19 und 20 anzulegenden Drücke bestimmt
sind. Dementsprechend wird durch Regeln der von einer
Luftpumpe A den Luftzuführungs-Rohren 19′ und 20′ zuzufüh
renden Luftmengen mittels einer jeweiligen Drucksteuervor
richtung C1 bzw. C2 die Luft dem jeweiligen Luftkissen
19 oder 20 an allen Stellen während der Bewegung unter
einem vorbestimmten Druck zugeführt. Gleichermaßen wird
jedem der anderen Luftkissen ein gesteuerter Druck zuge
führt.
Falls gemäß der Darstellung in der Fig. 5 die Führung
konkav gekrümmt ist, kann am Anfangspunkt der Bewegung
der an das hintere Kissen angelegte Druck verringert
und der an das vordere Kissen angelegte Druck gesteigert
werden und im Ablauf der Bewegung der an das hintere
Kissen angelegte Druck gesteigert und der an das vordere
Kissen angelegte Druck vermindert werden. Im Falle einer
konkav-konvexen Form der Führung können die Steuerungen
gemäß den Fig. 4 und 5 abwechselnd vorgenommen werden.
Es wird nun der Fehler bezüglich des rechten Winkels
bzw. die Abweichung vom rechten Winkel beschrieben.
In der Fig. 6 ist X eine bei dem Entwurf festgelegte
Abtastlinie. Wenn die Maske und das Halbleiterplättchen
parallel zu dieser Linie bewegt werden, erfolgt die Über
tragung ordnungsgemäß. Wenn jedoch infolge eines kleinen
Montagefehlers oder einer Alterung der Führungsschiene
7 eine Führungslinie G der Führungsschiene 7 um einen
Winkel α schräg steht, erfolgt eine Versetzung um L
tan α, wobei L die Bewegungsstrecke des Luftlagers ist.
Wenn das Projektionssystem das in Fig. 9 gezeigte optische
Reflexionssystem ist, wird bei der Übertragung des Bilds
der Fotomaske zu dem Halbleiterplättchen das Bild umge
kehrt, so daß daher die Fotomaske und das Halbleiterplätt
chen in bezug aufeinander um 2 L tan α abweichen, wenn
sich das Luftlager um L tan α in der X-Richtung bewegt.
Falls gemäß der Darstellung in der Fig. 6 die Luftkissen
15 bis 18 jeweils von der Seitenfläche der Führungsschiene
7 einen gleichmäßigen Abstand d haben, wird das Luftlager
unter einer Schräglage mit einem Winkel α in bezug auf
die Abtastlinie X bewegt, so daß daher das Projektions
bild an dem Halbleiterplättchen vom rech
ten Winkel abweicht.
Da die Schräglage der Führungslinie G in bezug auf die
Abtastlinie X im voraus gemessen werden kann, ist das
sich aus dem Ausmaß der Bewegung des Luftlagers in der
X-Richtung ergebende Ausmaß der Korrektur in der X-Rich
tung festgelegt. Demgemäß können zugleich mit der Bewegung
des Luftlagers die den Luftkissen 15 und 16 erteilten
Luftdrücke linear angehoben und die den Luftkissen 17
und 18 erteilten Luftdrücke linear abgesenkt werden.
Hierdurch wird als Ergebnis eine Bewegungslinie G′ zu
der Abtastlinie X parallel.
Falls ferner die Führungsschiene in bezug auf die Abtast
linie entgegengesetzt zu der in Fig. 7 gezeigten Schräg
lage schräg steht, können mit der Bewegung des Luftlagers
die an die Luftkissen 15 und 16 angelegten Luftdrücke
linear abgesenkt und die an die Luftkissen 17 und 18
angelegten Luftdrücke linear angehoben werden. Durch
diese Steuerung können die optische Achse und die Bewe
gungsachse parallel gemacht werden, so daß die Abweichung
vom rechten Winkel korrigiert werden kann.
Claims (3)
1. Projektionsbelichtungsgerät mit einer Negativhalterung,
einer Photomaterialhalterung, einem optischen Abbildungs
spiegelsystem zum Projizieren eines Negativbilds auf das
Photomaterial, einem beweglichen Schlitten, der die Nega
tivhalterung mit der Photomaterialhalterung verbindet,
einer Führungsvorrichtung zum geradlinigen Führen des
Schlittens in vorgegebener Richtung und Strömungsmittel-
Lagerungen zum Tragen des Schlittens in der Führungsvor
richtung, dadurch gekennzeichnet, daß zur Kompensation
einer Verzeichnung des projizierten Bildes infolge einer
Neigung der Führungsrichtung der Führungsvorrichtung (7
bis 10) gegenüber der Richtung der optischen Achse des
Abbildungsspiegelsystems (41 bis 44) mittels einer Meßvor
richtung (S) der Neigungswinkel gemessen wird und mittels
einer Kompensationsvorrichtung (C1, C2) der Druck in den
Strömungsmittel-Lagerungen (9, 10, 14 bis 20) gesteuert
wird.
2. Projektionsbelichtungsgerät nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß eine zusätzliche Kompensationsvor
richtung (C1, C2, 19, 20) vorgesehen ist, die eine durch
eine Unregelmäßigkeit der Führungsvorrichtung (7 bis 10)
hervorgerufene Verzerrung des projizierten Bildes kompen
siert.
3. Projektionsbelichtungsgerät nach Anspruch 1 oder 2, da
durch gekennzeichnet, daß eine jeder einzelnen Strömungs
mittel-Lagerung zuzuführende Strömungsmittelmenge entspre
chend der Bewegungsstrecke des Schlittens auf der Grund
lage des gemessenen Neigungswinkels berechnet wird, und
daß die Strömungsmittelzufuhr während der Bewegung des
Schlittens entsprechend gesteuert wird.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56215336A JPS58116735A (ja) | 1981-12-29 | 1981-12-29 | 投影焼付方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3243499A1 DE3243499A1 (de) | 1983-07-14 |
DE3243499C2 true DE3243499C2 (de) | 1992-12-24 |
Family
ID=16670604
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19823243499 Granted DE3243499A1 (de) | 1981-12-29 | 1982-11-24 | Projektionsbelichtungsgeraet |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4496239A (de) |
JP (1) | JPS58116735A (de) |
DE (1) | DE3243499A1 (de) |
GB (1) | GB2115167B (de) |
Families Citing this family (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5978533A (ja) * | 1982-10-27 | 1984-05-07 | Canon Inc | 露光装置 |
JPS5999722A (ja) * | 1982-11-29 | 1984-06-08 | Canon Inc | 半導体焼付露光制御方法 |
JPS59144127A (ja) * | 1983-02-07 | 1984-08-18 | Canon Inc | 像調整された光学装置 |
US4588288A (en) * | 1983-07-01 | 1986-05-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Static pressure bearing and transport device utilizing the same |
US4564284A (en) * | 1983-09-12 | 1986-01-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor exposure apparatus |
US4624551A (en) * | 1983-09-17 | 1986-11-25 | Nippon Kogaku K.K. | Light irradiation control method for projection exposure apparatus |
DE3447488A1 (de) * | 1984-10-19 | 1986-05-07 | Canon K.K., Tokio/Tokyo | Projektionseinrichtung |
JPS61160934A (ja) * | 1985-01-10 | 1986-07-21 | Canon Inc | 投影光学装置 |
US4748477A (en) * | 1985-04-30 | 1988-05-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus |
JPS61278141A (ja) * | 1985-05-31 | 1986-12-09 | Canon Inc | 投影倍率調整方法 |
US4719705A (en) * | 1986-06-24 | 1988-01-19 | The Perkin-Elmer Corporation | Reticle transporter |
KR920002820B1 (ko) * | 1987-05-27 | 1992-04-04 | 마쯔시다덴기산교 가부시기가이샤 | 주사형 투영 노광장치 |
JPS6449227A (en) * | 1987-08-19 | 1989-02-23 | Hitachi Ltd | Stepper |
US4989031A (en) * | 1990-01-29 | 1991-01-29 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
JPH04122013A (ja) * | 1990-09-13 | 1992-04-22 | Canon Inc | 露光装置 |
US5206515A (en) * | 1991-08-29 | 1993-04-27 | Elliott David J | Deep ultraviolet photolithography and microfabrication |
JP2864060B2 (ja) * | 1991-09-04 | 1999-03-03 | キヤノン株式会社 | 縮小投影型露光装置及び方法 |
JPH06183561A (ja) * | 1992-12-18 | 1994-07-05 | Canon Inc | 移動ステージ装置 |
US6753948B2 (en) | 1993-04-27 | 2004-06-22 | Nikon Corporation | Scanning exposure method and apparatus |
JP3210145B2 (ja) | 1993-07-14 | 2001-09-17 | キヤノン株式会社 | 走査型露光装置及び該装置を用いてデバイスを製造する方法 |
JP3101473B2 (ja) * | 1993-11-05 | 2000-10-23 | キヤノン株式会社 | 露光方法及び該露光方法を用いるデバイス製造方法 |
JP3506158B2 (ja) | 1995-04-14 | 2004-03-15 | 株式会社ニコン | 露光装置及び走査型露光装置、並びに走査露光方法 |
DE69601763T2 (de) * | 1995-09-04 | 1999-09-09 | Canon Kk | Einrichtung zur Antriebsregelung |
US6455821B1 (en) | 2000-08-17 | 2002-09-24 | Nikon Corporation | System and method to control temperature of an article |
JP3652329B2 (ja) * | 2002-06-28 | 2005-05-25 | キヤノン株式会社 | 走査露光装置、走査露光方法、デバイス製造方法およびデバイス |
JP4315420B2 (ja) * | 2003-04-18 | 2009-08-19 | キヤノン株式会社 | 露光装置及び露光方法 |
KR20050080376A (ko) * | 2004-02-09 | 2005-08-12 | 삼성전자주식회사 | 투사광학계 및 그것을 갖는 화상 투사 장치 |
US7649611B2 (en) | 2005-12-30 | 2010-01-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP2593841A2 (de) * | 2010-07-15 | 2013-05-22 | Centre de Recherche Public - Gabriel Lippmann | Verfahren und systeme zur erkennung, einstellung, überwachung, festlegung, speicherung und kompensation der räumlichen situation einer mobilen einheit |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3648470A (en) * | 1970-05-28 | 1972-03-14 | Gary E Schultz | Materials composition arrangement for thermoelectric heating and cooling |
GB1578259A (en) * | 1977-05-11 | 1980-11-05 | Philips Electronic Associated | Methods of manufacturing solid-state devices apparatus for use therein and devices manufactured thereby |
JPS5453867A (en) * | 1977-10-06 | 1979-04-27 | Canon Inc | Printing device |
JPS5459545A (en) * | 1977-10-21 | 1979-05-14 | Canon Kk | Fluid bearing |
US4202623A (en) * | 1979-01-08 | 1980-05-13 | The Perkin-Elmer Corporation | Temperature compensated alignment system |
US4370054A (en) * | 1981-04-02 | 1983-01-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Projection exposure apparatus |
JPS5825637A (ja) * | 1981-08-08 | 1983-02-15 | Canon Inc | 投影焼付装置 |
-
1981
- 1981-12-29 JP JP56215336A patent/JPS58116735A/ja active Granted
-
1982
- 1982-11-09 US US06/440,429 patent/US4496239A/en not_active Expired - Lifetime
- 1982-11-16 GB GB08232724A patent/GB2115167B/en not_active Expired
- 1982-11-24 DE DE19823243499 patent/DE3243499A1/de active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS58116735A (ja) | 1983-07-12 |
JPH0119252B2 (de) | 1989-04-11 |
US4496239A (en) | 1985-01-29 |
GB2115167B (en) | 1986-05-08 |
DE3243499A1 (de) | 1983-07-14 |
GB2115167A (en) | 1983-09-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3243499C2 (de) | ||
DE69816589T2 (de) | Lithographische gasstützvorrichtung mit gaszufuhrregelung | |
DE69922132T2 (de) | Spiegelprojektionssystem für einen lithographischen abtast-projektionsapparat sowie lithographischer apparat mit einen solchen system | |
DE3246022C2 (de) | Scharfeinstelleinrichtung für ein optisches Projektionssystem | |
DE69921944T2 (de) | Lithographische vorrichtung mit hierfür geeignetem spiegelprojektionssystem | |
DE69531153T2 (de) | Optisches Projektionssystem mit Belichtungsgerät | |
DE3110341C2 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Ausrichten eines dünnen Substrats in der Bildebene eines Kopiergerätes | |
DE69728948T2 (de) | Projektionsbelichtungsvorrichtung und Verfahren | |
DE2854856A1 (de) | Hochleistungspraezisionsjustiergeraet | |
DE69629277T2 (de) | Optisches Projektionssystem und damit ausgerüstetes Belichtungsgerät | |
DE2910280A1 (de) | Optisches abbildungssystem | |
DE3114682A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zum ausrichten von einander beabstandeter masken- und waferelementen | |
DE3118632C2 (de) | ||
DE3872705T2 (de) | Vorrichtung und verfahren zum feststellen/regulieren des freiraums bei einer lithographiemaschine. | |
DE2843541A1 (de) | Druckvorrichtung | |
DE2817401A1 (de) | Optische vorrichtung zum projizieren von motiven | |
DE102004014766A1 (de) | Verfahren zur Verzeichnungskorrektur in einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage | |
DE3404063C2 (de) | ||
DE102016204535A1 (de) | Messmikroskop zur Vermessung von Masken für lithographische Verfahren sowie Messverfahren und Kalibrierverfahren hierfür | |
DE3202887A1 (de) | Projektionsdruckgeraet | |
DE4007069C2 (de) | Vorrichtung zur optischen Abbildung | |
WO2024061599A1 (de) | Führung von komponenten einer optischen einrichtung | |
DE102020211700A1 (de) | Messverfahren und Messanordnung zur Ermittlung der Position und/oder Orientierung eines optischen Elements, sowie Projektionsbelichtungsanlage | |
DE3338727C2 (de) | ||
DE3017582C2 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur schrittweisen Belichtung von Halbleiterscheiben |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
8125 | Change of the main classification |
Ipc: G03F 7/20 |
|
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition |