DE3241687C2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- DE3241687C2 DE3241687C2 DE19823241687 DE3241687A DE3241687C2 DE 3241687 C2 DE3241687 C2 DE 3241687C2 DE 19823241687 DE19823241687 DE 19823241687 DE 3241687 A DE3241687 A DE 3241687A DE 3241687 C2 DE3241687 C2 DE 3241687C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- rod
- dielectric
- waveguide
- arrangement according
- frequency
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 108090000623 proteins and genes Proteins 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B9/00—Generation of oscillations using transit-time effects
- H03B9/12—Generation of oscillations using transit-time effects using solid state devices, e.g. Gunn-effect devices
- H03B9/14—Generation of oscillations using transit-time effects using solid state devices, e.g. Gunn-effect devices and elements comprising distributed inductance and capacitance
- H03B9/145—Generation of oscillations using transit-time effects using solid state devices, e.g. Gunn-effect devices and elements comprising distributed inductance and capacitance the frequency being determined by a cavity resonator, e.g. a hollow waveguide cavity or a coaxial cavity
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03L—AUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
- H03L1/00—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply
- H03L1/02—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply against variations of temperature only
- H03L1/021—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply against variations of temperature only of generators comprising distributed capacitance and inductance
Landscapes
- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft eine Anordnung zur Temperaturkompensation der
Schwingfrequenz von Oszillatoren in Hohlleitertechnik, insbesondere
von Mikrowellen- und Millimeterwellen-Oszillatoren, gemäß dem Ober
begriff des Patentanspruchs 1. Eine solche Anordnung ist beispiels
weise aus der DE 25 38 779 A1 bekannt.
In der DE 25 38 779 A1 ist ein Mikrowellen-Hohlraumresonator be
schrieben, mit einer Temperaturstabilisation durch einen keramischen
Körper mit negativen Temperaturkoeffizienten zur Kompensation des
positiven Temperaturkoeffizienten des Hohlraumresonators, wobei der
keramische Körper an einer Innenfläche des Hohlraumresonators und
getrennt von der Diode des Resonators angeordnet ist.
Aus der Hochfrequenztechnik, beispielsweise aus der US-PS 21 56 056,
ist es bekannt, die Schwingfrequenz von Oszillatoren durch die Ver
wendung von Kondensatoren mit einstellbaren Temperatur-Koeffizienten
bezüglich Temperaturschwankungen zu kompensieren. Steigt z. B. die
Frequenz des Oszillators mit steigender Temperatur der Schaltung,
wird in dem frequenzbestimmenden Schwingkreis des Oszillators eine
Kapazität mit positivem Temperatur-Koeffizienten (im folgenden abge
kürzt mit TK) benötigt. Umgekehrt wird eine Kapazität mit negativem
Temperatur-Koeffizienten benötigt, wenn die Frequenz des Oszillators
mit steigender Temperatur abfällt.
Zur Einstellung des richtigen Temperatur-Koeffizienten
werden vorzugsweise Trimmer verwendet, deren Aufbau und
Funktion aus Fig. 1A) ersichtlich ist. Ein Differential-
Drehkondensator mit den beiden Statorplatten 1 und 2 und
dem Rotor 3 ist in Reihe geschaltet mit zwei Fest-Konden
satoren 4 und 5. Je nach Winkelstellung ϕ des Rotors 3
wird entweder der Kondensator 4 mit einem positiven TK
stärker angekoppelt oder der Kondensator 5 mit einem
negativen TK. Der Verlauf der resultierenden Kapazität
Cres und des resultierenden Temperatur-Koeffizienten TKres
der Schaltung ist in Fig. 1B) über dem Drehwinkel ϕ des
Rotors 3 aufgetragen. Es ist interessant, daß hier die
resultierende Kapazität (bei einer bestimmten Temperatur)
praktisch konstant über den ganzen Einstellbereich bleibt,
während der resultierende TK variiert werden kann. Auf
diese Weise ist es möglich, eine Temperaturkompensation an
einem Oszillator vorzunehmen ohne die Arbeitsfrequenz des
Oszillators wesentlich zu verstimmen.
Für Oszillatoren in Hohlleiter-Technik existiert eine
solche Möglichkeit bisher nicht. Alle bekannten Methoden
der Temperaturkompensation von Hohlleiter-Oszillatoren
sind entweder nicht durchstimmbar, d. h. beruhen auf dem
Austauschen von Schaltungselementen, oder verursachen eine
erhebliche Verstimmung des Oszillators.
Aufgabe der Erfindung ist es, eine Schaltung vorzuschla
gen, die die kontinuierliche Temperaturkompensation von
Hohlleiter-Oszillatoren erlaubt ohne eine wesentliche
Verstimmung der Schwingfrequenz der Oszillatoren zu be
wirken.
Die Erfindung ist im Patentanspruch 1 gekennzeichnet. Die
weiteren Ansprüche beinhalten vorteilhafte Weiterbildungen
bzw. Ausführungen der Erfindung.
Die Erfindung wird im folgenden anhand der Figuren näher
erläutert. Fig. 2A) zeigt ein Ausführungsbeispiel der
Erfindung. In einem Hohlleiter 6 ist ein aus zwei Teilen 7
und 8 zusammengesetzter Stab 9 aus dielektrischem Material
eingelassen. Die beiden Teile des Stabes besitzen
möglichst gleiche Dielektrizitätszahlen ε, während Teil 7
einen positiven und Teil 8 einen negativen Temperatur-
Koeffizienten aufweist. Durch Verschieben des Stabes 9
wird daher nur auf den resultierenden Temperatur-Koeffi
zienten TKres Einfluß genommen, nicht jedoch auf die im
Hohlleiter 6 wirksame Dielektrizitätszahl εres des Stabes
(bei einer bestimmten Temperatur betrachtet). Dazu ist
natürlich nötig, daß keine Wellenausbreitung in den Stab
teilen außerhalb des Hohlleiters 6 stattfindet, d. h., daß
der Durchmesser des Stabes so gewählt werden muß, daß die
Grenzfrequenz für die H11-Welle in den Stabteilen außer
halb des Hohlleiters 6 höher liegt als die Arbeitsfrequenz
der Oszillator-Schaltung.
Die resultierende Dielektrizitätszahl εres und der im
Hohlleiter 6 wirksam werdende Temperatur-Koeffizient TKres
ist in Fig. 2B) als Funktion der Eintauchtiefe d/h der
Trennstelle der Stabhälften gezeichnet, wobei h die Höhe
des Hohlleiters ist.
In einer anderen Ausführungsform besteht der dielektrische
Stab aus mehr als zwei Teilen mit jeweils unterschied
lichen Temperatur-Koeffizienten.
In einer weiteren Ausführungsform besteht der Stab aus
einem Teil, wobei das Material jedoch örtlich unter
schiedliche TK aufweist.
Weiter ist es vorteilhaft, den Stab als Rohr (bzw. Stab
mit Bohrung) auszuführen.
In einer Oszillator-Schaltung wird der dielektrische Stab
vorzugsweise an einem Ort hoher elektrischer Feldstärke in
einem frequenzbestimmenden Leitungsstück angebracht, wo er
wie eine Kapazität in einem Resonanzschwingkreis wirkt und
durch seine Kapazitätsänderung aufgrund von Temperatur
schwankungen die Frequenzänderung des Oszillators kompen
sieren kann. In Fig. 3 ist eine solche Schaltung gezeich
net. Der dielektrische Stab 9 ist zwischen einer Blende 10
und dem aktiven Element 11 (z. B. Gunn-Element) mit seiner
Gleichstrom-Zuführung 12 angebracht. Der Leitungsbereich
zwischen der Blende 10 und dem aktiven Element 11 ist ein
frequenzbestimmender Teil der Schaltung und wird durch den
dielektrischen Stab 9 kapazitiv belastet. Durch Ver
schieben des Stabes im Hohlleiter ist kontinuierlich die
für den entsprechenden Oszillator notwendige Temperatur
kompensation einstellbar.
Claims (6)
1. Anordnung zur Temperaturkompensation der Schwingfrequenz von Os
zillatoren in Hohlleitertechnik, insbesondere von Mikrowellen-und
Millimeterwellen-Oszillatoren, mit einem dielektrischen Körper an
einer frequenzbestimmenden Stelle, dadurch gekennzeichnet, daß der
dielektrische Körper ein zylinderförmiger dielektrischer Stab (9)
ist, der an der frequenzbestimmenden Stelle den Hohlleiter (6)
kreuzt, daß der Stab (9) aus Teilen (7, 8) mit etwa gleicher Dielek
trizitätszahl ε, jedoch mit unterschiedlichen Temperatur-Koeffizien
ten besteht, und daß der Stab (9) in seiner Achsenrichtung ver
schiebbar ist (Fig. 2A, Fig. 3).
2. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
ein Teil (8) des Stabes einen negativen und ein anderer
Teil (7) einen positiven Temperatur-Koeffizienten auf
weist.
3. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
der dielektrische Stab (9) aus mehr als zwei Teilen mit
jeweils unterschiedlichen Temperatur-Koeffizienten be
steht.
4. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
der dielektrische Stab (9) aus einem Teil besteht und das
Material örtlich unterschiedliche Temperatur-Koeffizienten
aufweist.
5. Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß der Stab (9) als Rohr ausge
führt ist.
6. Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß der Stab (9) den Hohlleiter
(6) an einem Ort hoher Feldstärke kreuzt.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19823241687 DE3241687A1 (de) | 1982-11-11 | 1982-11-11 | Anordnung zur temperaturkompensation von hohlleiter-oszillator-schaltungen |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19823241687 DE3241687A1 (de) | 1982-11-11 | 1982-11-11 | Anordnung zur temperaturkompensation von hohlleiter-oszillator-schaltungen |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3241687A1 DE3241687A1 (de) | 1984-05-17 |
DE3241687C2 true DE3241687C2 (de) | 1991-06-20 |
Family
ID=6177840
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19823241687 Granted DE3241687A1 (de) | 1982-11-11 | 1982-11-11 | Anordnung zur temperaturkompensation von hohlleiter-oszillator-schaltungen |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE3241687A1 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19543179A1 (de) * | 1995-11-20 | 1997-05-22 | Forschungszentrum Juelich Gmbh | Mikrowellenresonator, Verfahren zur Herstellung eines solchen Resonators sowie Verfahren zur Kompensation des Temperaturkoeffizienten der Resonanzfrequenz eines Mikrowellenresonators |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2156056A (en) * | 1935-07-17 | 1939-04-25 | Lorenz C Ag | Method of producing carrier frequencies |
DE2538779A1 (de) * | 1975-09-01 | 1977-03-10 | Philips Patentverwaltung | Mikrowellen-hohlraumresonator mit einer temperaturstabilisation |
-
1982
- 1982-11-11 DE DE19823241687 patent/DE3241687A1/de active Granted
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19543179A1 (de) * | 1995-11-20 | 1997-05-22 | Forschungszentrum Juelich Gmbh | Mikrowellenresonator, Verfahren zur Herstellung eines solchen Resonators sowie Verfahren zur Kompensation des Temperaturkoeffizienten der Resonanzfrequenz eines Mikrowellenresonators |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3241687A1 (de) | 1984-05-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE4090507C2 (de) | Oszillatorschaltung | |
DE69114216T2 (de) | Abstimmbares Bandpass Filter. | |
DE69209223T2 (de) | Resonator mit Temperaturkompensierung | |
DE69222585T2 (de) | Resonator für transversale elektromagnetische Schwingungsmode | |
DE4236769C2 (de) | Dielektrisches Resonatorbauelement | |
DE69816324T2 (de) | Verbundfilter | |
DE2510854A1 (de) | Bandpassfilter fuer mikrowellen | |
DE3888456T2 (de) | Dielektrischer Resonator. | |
DE69938626T2 (de) | Koaxialer hohlraumresonator | |
DE3007580A1 (de) | Oszillator mit einem dielektrischen resonator | |
DE3241687C2 (de) | ||
DE2824655C2 (de) | Oszillator mit einem Resonator aus einem keramischen oder einkristallförmigen, von Quarz verschiedenen piezoelektrischen Material | |
DE2653856C2 (de) | Filter für sehr kurze elektromagnetische Wellen | |
DE2811080A1 (de) | Durch spannungsaenderung abstimmbarer hochfrequenz-oszillator | |
DE2247803C3 (de) | Koppelanordnung | |
DE69321152T2 (de) | Dielektrischer Resonator und Verfahren zum Justieren seiner Charakteristik | |
DE2325401C3 (de) | Koppelanordnung zwischen Hochfrequenzkreisen | |
DE1212602B (de) | Hohlraumresonator fuer hochfrequente elektrische Schwingungen | |
DE2616121C3 (de) | Wanderfeldröhre | |
DE2540074A1 (de) | Mikrowellenoszillator | |
EP1045470B1 (de) | Mehrkreisiges Bandfilter aus Topfkreisen | |
DE3145386C2 (de) | ||
DE3204863C2 (de) | Abstimmbares oder umstimmbares Filter | |
DE1264636B (de) | Filter fuer sehr kurze elektromagnetische Wellen | |
DE1491504C (de) | Reflexklystron |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
8125 | Change of the main classification |
Ipc: H03B 5/04 |
|
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: TELEFUNKEN SYSTEMTECHNIK GMBH, 7900 ULM, DE |
|
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8320 | Willingness to grant licenses declared (paragraph 23) | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |