DE3235482A1 - Transistorschaltung - Google Patents

Description

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Beschreibung

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Transistorschaitung.

Transistorschaltungen mit einem Paar kreuzweise gekoppelter Transistorenwerden in verschiedenen Schaltungen eingesetzt.. Bei dem Paar kreuzweise gekoppelter Transistören handelt es sich um zwei Transistoren, deren Basen an den Kollektor des jeweils anderen Transistors angeschlossen sind. Bei der Transistorschaltung handelt es sich um eine Schaltung, in der die Kollektor-Emitter-Strecken der einzelnen Transistoren des kreuzweise gekoppelten Transistorpaars in Reihe bezüglich zugehöriger Strompfade geschaltet sind. Diese Transistorschaltung weist die Besonderheit auf, daß, wenn die beiden Transistoren gleiche Emitterflächen besitzen, die Kollektor-Emitter-Spannungen der zwei Transistoren unabhängig von den durch die Strompfade fliessenden Strömen gleich sind. Von dieser Besonderheit wird beim Einsatz der Transistorschaltungen in Spannungs-Strom-Wandlern und Stromquellen Gebrauch gemacht. Jedoch besitzt die bekannte Transistorschaltung nur zwei Strompfade, so daß ihr Anwendungsbereich beschränkt ist.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Transistorschaltung anzugeben, die wenigstens drei Strompfade aufweist und bei der an einem vorbestimmten Abschnitt der einzelnen Strompfade eine gleiche Spannung erzeugt wird.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß wenigstens drei Strompfade vorgesehen sind, daß wenigstens drei Transistoren mit ihren Kollektor-Emitter-Strecken in Reihe bezüglich der jeweiligen Strompfade geschaltet sind,

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daß die Basis des i-ten Transistors (i ist eine positive ganze Zahl kleiner oder gleich N-1, N ist die Anzahl der Strompfade) an den Kollektor des (i+1)-ten Transistors
und die Basis des N-ten Transistors an den Kollektor des ersten Transistors angeschlossen ist.

Im folgenden wird die Erfindung anhand von Ausführungsbeispielen unter Bezugnahme auf die Zeichnung näher

erläutert. Es zeigen:
10

Fig. 1 ein Schaltbild einer ersten Ausführungsform
der erfindungsgemäßen Transistorschaltung;

Fig. 2 eine graphische Darstellung des Arbeitsbereichs der in Fig. 1 gezeigten Schaltung;

Fig. 3 ein Schaltbild eines Anwendungsbeispiels dieser Ausführungsform;

Fig. 4 bis 7 jeweils ein Schaltbild einer zweiten bis fünften Ausführungsform der Erfindung;

Fig. 8 ein Schaltbild einer Stromquellenschaltung
gemäß einer sechsten Ausführungsform der Erfindung;
25

Fig. 9 ein Schaltbild einer Schaltung, die zum Untersuchen der Eigenschaften der sechsten Ausführungsform der Erfindung eingesetzt wird;

Fig. 10 bis 13 jeweils Kennlinien der Schaltung gemäß der sechsten Ausführungsform;

Fig. 14 ein Schaltbild einer siebten Ausführungsform dor erfindungsgemäßen Transistorschaltung;
35

• Fig. 15A bis 15E graphische Darstellungen, die die Arbeitsbereiche der siebten Ausführungsform unter verschiedenen Bedingungen darstellen;

^ Fig. 16 ein Schaltbild eines Anwendungsbeispiels der siebten Ausführungsform;

Fig. 17 bis 20 jeweils ein Schaltbild einer achten

bis elften Ausführungsform der Erfindung; 10

Fig. 21 ein Schaltbild einer Stromquellenscheiltung als zwölfte Ausführungsform der Erfindung;

Fig. 22 ein Schaltbild einer Stromquellenschaltung <5 als dreizehnte Ausführungsform der Erfindung;

Fig. 23 und 24 jeweils Kennlinien der Schaltung gemäß der dreizehnten Ausführungsform; und

Fig. 25 bis 28 jeweils ein Schaltbild__einer vierzehnten bis siebzehnten Ausführungsform der Erfindung.

In der nachstehenden Beschreibung wird die in der Transistorschaltung enthaltene Anzahl von Strompfaden als die Ordnung der Schaltung bezeichnet.

Fig. 1 zeigt eine Transistorschaltung dritter Ordnung gemäß der Erfindung. Diese Ausführungsform enthält drei Strompfade und neun Transistoren, wobei in jedem Strompfad drei Transistoren in Serie geschaltet sind. Bei der folgenden Beschreibung soll davon ausgegangen werden, daß es sich bei den Transistoren um NPN-BJ-Transistoren handelt. Transistoren Q11, Q12 und Q13 sind mit ihren Kollektor-Emitter-Strecken in Reihe in einen Strompfad 10 geschaltet, Transistoren Q 21, Q22 und Q23 sind mit ihren

Kollektor-Emitter-Strecken in Reihe in einen Strompfad geschaltet, und Transistoren Q31, Q32 und Q33 sind mit ihren Kollektor-Emitter-Strecken in Serie in einen Strompfad 30 geschaltet. Die Transistoren Q11, Q21 und Q31, die Transistoren Q12, Q22 und Q32 sowie die Transistoren Q13, Q23 und Q33 bilden jeweils sequentiell oder aufeinanderfolgend gekoppelte Gruppen, die ein wesentliches Merkmal der Erfindung darstellen. In der sequentiell gekoppelten Gruppe von Transistoren Qf1, Q21 und Q31 ist die Basis des Transistors Q11 an den Kollektor des Transistors Q21, die Basis des Transistors Q21 an den Kollektor des Transistors Q31 und die Basis des Transistors Q31 an den Kollektor des Transistors Q11 angeschlossen. Die anderen sequentiell gekoppelten Gruppen von Transistören Q12, Q22 und Q32 sowie Q13, Q23 und Q33 sind entsprechend verschaltet.

Die Schaltung arbeitet wie folgt: Die durch die Strompfade 10, 20 und 30 fließenden Ströme sind mit 11, 12 bzw. 13 bezeichnet. Die entgegengesetzten Anschlüsse des Strompfads 10 sind mit Λ und B, die entgegengesetzten Anschlüsse des Strompfads 20 mit C und D und die entgegengesetzten Anschlüsse des Strompfads 30 mit E und F bezeichnet. Wenn der Stromverstärkungsfaktor in Emitterschaltung jedes der Transistoren Q11 bis Q13, Q21 bis Q23 und Q31 bis Q33 ausreichend groß ist, sind die Kollektorströme der Transistoren Q11 bis Q13 sämtlich 11, die Kollektorströme der Transistoren Q21 bis Q23 sämtlich 12 und die Kollektorströme der Transistoren Q31 bis Q33 sämtlich 13. Allgemein gilt für den Kollektorstrom IC eines Transistors und die Basis-Emitter-Spannung VBE dieses Transistors die Beziehung

VBE = VT.ln|| (1)"

4/5

wobei VT das Elektronenvolfc-ftquivalcnt zu der Temperatur

kT
ist und — entspricht, während IS der Sperrnättigungsstrom ist.

Wenn alle Transistoren in Fig. 1 gleiche Fläche haben, ergeben sich die Spannungen zwischen den entgegengesetzten Anschlüssen der einzelnen Strompfade wie folgt:

VAB = VBE(11) + VBE(22) + VBE(33) 10

(2,

VCD = VBE(21) + VBE(32) + VBE(13)

- VT-In ¹¹'¹²'¹³

" ^VflniS.IS-IS ..... (3)

VEF = VBE(31) + VBE(12) + VBE(23)

IS-IS (4)

Aus den Gleichungen (2) bis (4) ist ersichtlich, daß die Spannungen zwischen den entgegengesetzten Anschlüssen der einzelnen Strompfade denselben Wert VT· 1 ^ηγς"7τοΤγ^ unabhängig von dem Stromfluß durch die Strompfade haben. Dies bedeutet, daß die Schaltung nach Fig, 1 in einer Pegelverschiebeschaltung oder einer Spannungsfolgerschaltung eingesetzt werden kann, in der die Pegel an den Punkten A, C und E zu den Punkten B, D bzw. F verschoben werden oder umgekehrt.

Im folgenden soll diskutiert werden, unter welchen Bedingungen diese Ausführungsform normal arbeiten kann. Die Spannung am Punkt A wird als Null angenommen, und dieser Punkt A wird als Bezugspunkt gewählt. Die Spannungen an

den Punkten C und E werden als Δ\71 bzw. AV2 bezeichnet, und die Basis-Emitter-Spannungen VBE an den einzelnen Transistoren werden als gleich angenommen. Die Bedingungen, unter denen diese Transistorschaltung normal arbeiten kann, entsprechen der Bedingung, daß die einzelnen Transistoren normal arbeiten können. Da es sich bei den Transistoren durchwegs um NPN-Transisboren handelt, können sie normal arbeiten, wenn ihre Kollektor-Emitter-Spannung VCE (d. h. VC - VE) positiv ist. Die Kollektor-Emitter-Spannungen VCE an den einzelnen Transistoren betragen:

VCE(11) = AV2 + VBE ..... (5)

VCE (21) = -AV1 + VBE (6)

VCE (31) = &V1 - &V2 + VBE (7)

VCE (12) = AV1 - ÄV2 + VBE . (8)

VCE(22) - AV2 + VBE (9)

VCE (32) = -AV1 + VBE (10)

VCE (13) = -AV1 + VBE ..... (11)

VCE (23) = AV1 - AV2 + VBE (12)

und

VCE (33) = AV2 + VBE . (-13)

Die Gleichungen 05) bis (13) sind sämtlich positiv, wenn folgende Bedingungen erfüllt sind:

AV1 < VBE (14)

AV2 > -VBE (15)

und

- AV2 > - VBE (16)

6/7

·.-,:-: : ..:- 32354^2 11

unter diesen drei Bedingungen kann die Transistorschaltung normal arbeiten. Fig. 2 veranschaulicht die Arbeitsbedingungen gemäß den Gleichungen (14) bis (16). In Fig. 2 ist auf der Ordinate AV2, auf der Abszisse äV1 aufgetragen. Der schraffierte Bereich stellt den Arbeitsbereich der Schaltung dar. Man sieht aus diesen Arbeitsbedingungen, daß die Schaltung nach Fig. 1 als Kleinsignalschaltung betrieben werden kann, die Kleinsignalquellen wie z. B. ΛΥ1 und .1V2 innerhalb des schraffier-•0 ten Bereichs aufweist.

In der bisherigen Beschreibung wurde davon ausgegangen, daß die Transistoren gleiche Emitterfläche haben. Nun soll der Fall betrachtet werden, daß die Transistoren unterschiedliche Emitterflachen besitzen. Die Emitterflachen der Transistoren Q11 bis Q13 werden als A11 bis A13 bezeichnet, die Emitterflächen der Transistoren Q21 bis Q23 als A21 bis A23, und die Emitterflächen der Transistoren Q31 bis Q33 als A31 bis A33. Unter der Annahme, daß das Potential an einem Anschluß A, C und E der drei Stroiapfade 10, 20 und 30 Null sei, lassen sich die Potentialdifferenzen VBD, VDF und VFB zwischen den anderen Anschlüssen B und D, D und F bzw. F und B wie folgt ausdrücken:

VBD = VBE(H) + VBE (22) + VBE (33)

- VBE(21) - VBE{32) - VBE(13)

_β vT· _{l n}A21-A32-Ä13

^{Vi xn}A11-A22-A33 (17)

VDF = VBE(21) + VBE(32) + VBE(13)

- VBE(31) - VBE(12) - VBE(23)

= VT.lnft3TA12.A23
^{VX η}Α21-Α32·Α13 (18)

und

VFB = VBE(31) + VBE(12) + VBE(23)

- VBB(H) - VBE(22) - VBE{33)

^Vi ·*-"Α12·Α23·Α31 ^χι*'

Aus den Gleichungen (17) bis (19) ist ersichtlich, daß die Spannungsdifferenzen zwischen den anderen Anschlüssen der Strompfade unabhängig sind von den Strömen 11 bis 13, aber bestimmt werden durch Emitterflachenverhältnisse der Transistoren. Wenn die Emitterflächen sämtlicher Transistoren als gleich angenommen werden, sind die Spannungsdifferenzen nach den Gleichungen (17) bis (19) sämtlich

Null; dies entspricht der obigen Beschreibung. Diese Schaltung gelangt dementsprechend zum Einsatz in einer Schaltung zum Erzeugen einer zu der Temperatur proportionalen Spannung.

Fig. 3 zeigt ein Schaltbild eines speziellen Anwendungsbeispiels der oben beschriebenen Ausführungsform. Hier sind die Punkte A, C und E der Schaltung nach Fig. 1 an einen Anschluß -V einer negativen Spannungsquelle angeschlossen, die Punkte B, D und F sind über zugehörige

Stromquellen 11 bis 13 an den Anschluß +V einer positiven Spannungsquelle angeschlossen. Wenn die Emitterflächen der Transistoren dieser Schaltung sämtlich gleich sind, sind die Spannungen an den Punkten B, D und F unabhängig von der Spannungsquelle einander gleich. Diese Schaltung kann somit als Konstantspannungsschaltung dienen.

Fig. 4 zeigt ein Schaltbild einer zweiten Ausführungsform der Erfindung. Diese Schaltung ist das einfachste Beispiel für eine Transistorschaltung dritter Ordnung,

9/10

d. h., die Schaltung besteht aus einer einzelnen sequentiell gekoppelten Gruppe von Transistoren Q11, Q21 und Q31.

Fig. 5 zeigt ein Schaltbild einer dritten Ausführungsform der Erfindung. Diese Schaltung erhält man, wenn man aus der Schaltung gemäß der ersten Ausführungsforra nach Fig. 1 die Transistoren Q13, Q23, Q32 und Q33 fortläßt und die Basis des Transistors Q22 an eine Eingangssignalquelle IN anschließt.

Fig. 6 zeigt ein Schaltbild einer vierten Ausführungsform der Erfindung. Diese Schaltung erhält man dadurch, daß man die Transistoren Q13, Q23 und Q33 der ersten Ausführungsform fortläßt. Hier sind die Transistoren Q12, Q22 und Q32 nicht zur Bildung einer sequentiell gekoppelten Gruppe verschaltet, sondern ihre Basen sind jeweils an eine der Eingangssignalquellen IN1 bis IN3 angeschlossen .

Fig. 7 zeigt ein Schaltbild einer fünften Ausführungsform der Erfindung. Wie die erste Ausführungsform enthält diese Schaltung neun Transistoren. Die Schaltung unterscheidet sich von der ersten Ausführungsform dadurch, daß die Transistoren Q13, Q23 und Q33 nicht zur Bildung einer sequentiell gekoppelten Gruppe verschaltet sind, sondern ihre Basen liegen an Eingangssignalquellen IN1 bis IN3.

Bei der vierten und fünften Ausführungsform gelten die oben diskutierten Spannungsverhältnisse zwischen den Anschlüssen A, C und E der Strompfade und den Eingangssignalanschlüssen IN1 bis IN3.

Fig. 8 zeigt ein Schaltbild einer sechsten Ausführungsform der Erfindung. Bei dieser Schaltung handelt es sich

32354§2

um eine Stromquellenschaltung, die zwei Ausgangsströme liefern kann. Die Transistoren Q11, Q21 und Q31 sind mit ihren Basen untereinander verbunden, und die gemeinsame Verbindung ist an den Kollektor des Transistors Q11 ange.-schlossen. Diese Transistoren bilden somit eine Stromspiegelschaltung. Der Emitter des Transistors der Kollek~ tor dieses Transistors liegt über eine Stromquelle IT an +V". Der Emitter des Transistors Q11 ist über eine die Kollektor-Emitter-Strecken der Transistoren Q12 und Q13 sowie einen Widerstand Rl enthaltende Serienschaltung an den Anschluß -V einer negativen Spannungsquelle angeschlossen. Der Transistor Q21 ist mit seinem Kollektor an einen Ausgangsanschluß OUT2 angeschlossen, sein Emitter ist über eine aus den Kollektor-Emitter-Strecken der Transistoren Q22 und Q23 sowie einem Widerstand R2 bestehende Serienschaltung an den Anschluß -V der negativen Spannungsquelle angeschlossen. Der Transistor Q31 ist mit seinem Kollektor an einen Ausgangsanschluß OUT3 angeschlossen., während sein Emitter über eine aus den Kollektor-Emitter-Strecken der Transistoren Q32 und Q33 sowie einem Widerstand R3 gebildete Serienschaltung an den Anschluß -V der negativen Spannungsquelle angeschlossen. Die Transistoren Qt2, Q22 und Q33 bilden eine sequentiell gekoppelte Gruppe. D. h.: die Basis des Transistors Q12 ist an den Kollektor des Transistors Q32, die Basis des Transistors Q32 an den Kollektor des Transistors Q22 und die Basis des Transistors Q22 an den Kollektor des Transistors Q12 angeschlossen. In entsprechender Weise bilden die Transistoren Q13, Q23 und Q33 oine sequentiell gekoppelte Gruppe.

Diese Ausführungsform arbeitet wie folgt: Wie bei der vorhergehenden Ausfuhrungsform soll angenommen werden, daß die Transistoren gleiche Emitterflächen besitzen und daß ihr Stromverstärkungsfaktor in Emitterschaltung ausrei-

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chend groß sei. Der durch die Transistoren Q11 bis Q13
und den Widerstand R1 fließende Strom wird als 11 bezeichnet. Der von dem Äusgangsanschluß 0UT2 durch die
Transistoren Q21 bis Q23 und den Widerstand R2 fließen-

de Strom wird als 12 bezeichnet, und der von dem Äusgangsanschluß OÜT3 durch die Transistoren Q31 bis Q33 sowie
den Widerstand R3 fließende Strom wird als 13 bezeichnet.
Da die Basisspannungen der Transistoren Q11, Q21 und Q31
gleich sind, ergeben sich folgende Beziehungen:
10

I1-R1 + VBE(13) + VBE(12) + VBE(11)

= I2-R2 + VBE(23) + VBE(22) + VBE(21)

= I3-R3 + VBE (33) + VBE (32) + VBE (31) (20)

VBE(11) = VBE (12) =VBE(13) (21)

VBE(21) = VBE(22) =VBE(23) (22)

und

VBE(31) = VBE(32) = VBE(33) (23)

Durch Einsetzen der Gleichungen (21) bis (23) in Gleichung (20) erhält man
25

I1-R1 = I2»R2 = I3-R3 (24)

Hierdurch ergeben sich die Ströme 12 und 13:

τ? = Sin i?R\

und

13 = |ll1 (26)

Man sieht, daß bei dieser Ausführungsform die Ausgangsströme 12 und 13 durch den Eingangsstrom 11 und die Verhältnisse der Widerstandswerte bestimmt werden. Somit können zwei Ausgangsströme unterschiedlicher Stärke einfach dadurch erhalten werden, daß verschiedene Widerstandswerte ausgewählt werden.

Im folgenden sollen die Arbeitskennlinien dieser Stromquelle analysiert werden. Fig. 9 zeigt eine Schaltung, die für Versuchszwecke verwendet wurde. Diese Versuchsschaltung unterscheidet sich von der Schaltung nach Fig. dadurch, daß die Basis des Transistors Q11 nicht direkt an seinem Kollektor angeschlossen ist, sondern über die Emitter-Basis-Strecke eines Stromverstärkungstransistors

101. Der Kollektor des Transistors 101 ist an den Anschluß +V der positiven Spannungsquelle angeschlossen. Fig. 10 zeigt die über dem Eingangsstrom II aufgetragenen Ausgangsströme 11 und 13. Diese Ausgangsströme erhält man dadurch, daß die Widerstände der Schaltung nach Fig. 9 zu R1 = 1kQ, R2 = 500Π und R3 = 5 kü gewählt werden. Fig. 11 zeigt prozentuale Fehlerspannungen E {12) und E(I3) bei 11 und 13 gemäß Fig. 10. Die prozentuale Fehlerspannung (%) ist der Quotient aus dem um den berechneten Wert verminderten empirisch gefundenen Wert und dem berechneten Wert, multipliziert mit 100. Fig. 12 zeigt die über dem Eingangsstrom 11 aufgetragenen Ausgangsströme 12 und 13 für den Fall, daß die Widerstände in der Schaltung gemäß Fig. 9 auf R1 = 1 kü, R2 = 20OiI und R3 = 10 kÜ. eingestellt sind. Fig. 13 zeigt die prozentuale Fehlerspannung E (12) und E(13) bei 12 und 13 gemäß Fig. 12. In dem ersten Versuch betragen die Stromverstärkungsfaktoren der Ausgangsströme 12 und 13 bezüglich der Eingangsspannung 11 2 bzw. 0,2, beim zweiten Versuch betragen sie 5 bzw, 0,1. Man sieht, daß die prozentualen Fehler mit den in dem ersten Versuch einge-

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stellten Bedingungen innerhalb von etwa 10 % und mit den in dem zweiten Versuch eingestellten Bedingungen innerhalb von etwa 20 % gehalten werden können, wenn der Eingangsstrom 11 ausreichend groß eingestellt wird. Der Transistor 11 in der Versuchsschaltung nach Fig. 9 dient zur Minimierung der Fehler. D. h., während in der Schaltung nach Fig. 8 ein Teil des Eingangsstroms 11 an die Basen der Transistoren Q11, Q21 und Q31 gelangt, gelangt der Eingangsstrom 11 in der Schaltung nach Fig, 9 an die Basis des Transistors 110.

Fig. 14 zeigt eine siebte Ausführungsform der Erfindung. Während sich die oben beschriebene erste bis sechste Ausführungsform auf Transistorschaltungen dritter Ordnung

Ί5 bezog, betrifft die siebte Äusführungsform eine Transistorschaltung vierter Ordnung. D. h.,die Schaltung enthält vier Strompfade 10, 20, 30 und 40 und sechzehn Transistoren, von denen vier mit ihrer Kollektor-Emitter-Strecke in Reihe innerhalb jedes Strompfads liegen. Die vier Transistoren in ähnlichen Lagen der jeweiligen Strompfade bilden eine sequentiell gekoppelte Gruppe, d. h., die Transistoren Q11 bis Q41, die Transistoren Q12 bis Q42, die Transistoren Q13 bis Q43 und die Transistoren Q14 bis Q44 bilden jeweils eine sequentiell gekoppelte Gruppe.

Wenn bei dieser Schaltung sämtliche Transistoren gleiche Emitterflächen besitzen, wie es in der oben beschriebenen Schaltung dritter Ordnung der Fall war, so gelten die folgenden Beziehungen:

VBA = VBE(H) + VBE(22) + VBE{33) + VBE(44) (27)

VDC = VBE(21) + VBE(32) + VBE(43) + VBE(14) (28)

VFE = VBE(31) + VBE(42} + VBE(13} + VBE(24) (29)

und
VHG = VBE(41)+ VBE(12) + VBE(23) + VBE(34) (30)

Durch Einsetzen der Gleichung (1) in die Gleichungen
(27) bis (30) erhält man folgende Beziehung;

VBA = VDC = VFE = VHG

₌ VT ι_η Ι1·Ι2·ΐ3·Ι4

vi ^!3.!3.IS-IS ^{{ 1}}

Man sieht, daß bei dieser Transistorschaltung vierter
Ordnung die Spannungen zwischen den entgegengesetzten Anschlüssen der einzelnen Strompfade wiederum gleich eingestellt werden .können, unabhängig von den durch die Strompfade fließenden Strömen.

Die Bedingungen, unter denen die Schaltung normal arbeiten kann, sollen im folgenden ähnlich wie für die Schaltung dritter Ordnung analysiert werden. Durch Einstellen der Spannung am Punkt A auf Null und Kennzeichnen der
Spannungen an den Punkten C, E und G durch £V1, &V2 bzw. 4V3 ergeben sich die Kollektor-Emitter-Spannungen an den einzelnen Transistoren wie folgt:

VCE(H) = ÄV3 + VBE (32)

VCE (21) = - AV1 + VBE (33)

VCE(31) = ÄV1 - AV2 + VBE (34)

VCE(41) = AV2 - AV3 + VBE ..... (35)

VCE (12) = AV2 - ÄV3 + VBE (36)

VCE(22) = AV3 + VBE (37)

VCE.{32) = - ÄV1 + VBE ..... (38)

VCE (42) = AV1 - 4V2 + VBE (39)

15/16

VCE (13) = 4V1 - 4V2 + VBE {40}

VCE (23) = ÄV2 - ÄV3 + VBE (41)

VCE(33) = ών3 + VBE (42)

VCE{43) = -4V1 + VBE (43)

VCE (14) = -AV1 + VBE (44)

VCE(24) = AV1 - £V2 + VBE (45)

VCE(34) = ÄV2 - ÄV3 + VBE ..... (46)

und
10

VCE(44) = 4V3 + VBE ..... (47)

Damit die Schaltung nach Fig. 14 normal arbeiten kann, müssen die Kollektor-Emitter-Spannungen VCE der sechzehn Transistoren gemäß den obigen Gleichungen (32) bis (47) sämtlich positiv sein. Die Arbeitsbedingungen dieser
Schaltung lassen sich somit durch folgende Ungleichungen ausdrückenϊ

AV1 < VBE (48)

&V3 > -VBE (49)

Δν1 - AV2 + VBE > 0 ..... (50)

und
25

ÄV2 - ÄV3 + VBE > 0 (51)

Um das Verständnis der obigen vier Bedingungen zu erleichtern, sollen diese Bedingungen unter Verwendung der Spannung AV1 am Punkt B als ein Parameter wie
folgt umgeordnet werden:

(i) Wenn AV1 = VBE

ÄV2 < 2VBE (52)

ÄV3 > -VBE (53)

4V2 - ÄV3 + VBE > 0 (54)

(ii) Wenn £V1 = 0

AV2 C VBE (55)

AV3 > -VBE ..... (56)

t±V2 - £V3 + VBE > 0 (57)

(iii) Wenn Δνΐ = -VBE

AV2 < 0 (58)

AV3 > -VBE (59)

AV2 - AV3 + VBE > 0 (60)

(iv) wenn AV1 = -2VBE

AV2 < -VBE (61)

AV3 > -VBE ..... (62)

4V2 - 4V3 + VBE > 0 (63)

(ν) Wenn aV1 = -3VBE

4V2 L -2VBE (64)

nV3 > -VBE (65)

AV2 - AV3 + VBE > 0 (66)

Die Fig. 15A bis 15E zeigen den Arbeitsbereich für die obigen fünf Fälle als schraffierte Fläche. In den graphischen Darstellungen der Fig. 15A bis 15E entspricht £V3 der Ordinate, AV2 der Abszisse. Eine Teilung sowohl der Ordinate als auch der Abszisse entspricht VBE. Im Fall (v) ist der Arbeitsbereich Null, d. h. dieser Bereich markiert die Grenze für den Betrieb. Aus den graphischen Darstellungen ist ersichtlich, daß, wenn die Sapnnung am Punkt A auf,Null eingestellt wird, die untere Grenze der Spannung an den Punkten C, E und G jeweils -3VBE, -2VBE bzw. -VBE beträgt.
30

Fig. 16 zeigt ein Anwendungsbeispiel dieser siebten Ausführungsform. Hier sind die Punkte A, C, E und G an den Anschluß -V einer negativen Spannungsquelle, die Punkte B, D, F und H über jeweils eine Stromquelle 11, 12, 13 und 14 an den Anschluß +V einer positiven Spannungsquelle

18/19

angeschlossen. Wenn man die Emitterflächen der Transistoren Q11 bis Q14, Q 21 bis Q24, Q31 bis Q34 und Q41 bis Q44 mit Λ11 bis A14, A21 bis A24, A31 bis A34 bzw. A41 bis A44 bezeichnet, ergeben sich die Spannungen VBD, VDP, VFH und VHB zwischen den Punkten B und D, D und F, F und II und
H und B zu

.__ .__ ■, „A21 -A32-A43-A14

VBD = VT-I n_Al1._A22._A33._A44 (67)

VDF = VT-I _n ft31-A42-A13»A24 (68

VUi ν. ^ηΑ21·Α32·Α43·Α14

VFH - VT-I A41-A12-A23-A34 ..... (69)

VFH - VT i "SJJTAI₂-AI3-Ä24

und

- vT· 1 _nA1TA22-A33*A44 (70)

VHB -VT-L n_Tj

Man sieht, daß die Spannungen VBD, VDF, VFH und VHB unabhängig sind von den Strömen 11 bis 14, aber von den Emitterflächen bestimmt werden. Wenn die Emitterflächen der

sechzehn Transistoren gleich sind, erhält man folgendes

Ergebnis:

VBD = VDF = VFII = VHB =0 . (71)

in diesem Fall sind die Spannungen VB, VD, VF und VH an
den Punkten B, D, F und H gleich 4VBE.

Wie die Transistorschaltung dritter Ordnung gestattet die Transistorschaltung vierter Ordnung verschiedene Abwandlungen, die im folgenden beschrieben werden.

Fig. 17 zeigt eine achte Ausführungsform der Erfindung.
Diese Ausführungsform entspricht der in Fig. 4 gezeigten Ausführungsform dritter Ordnung. Diese Äusf ührungsform ist die einfachste Form einer Transistorschaltung

vierter Ordnung, sie besteht aus einer einzelnen sequentiell gekoppelten Gruppe.

Fig. 18 zeigt eine neunte Äusführungsform der Erfindung. Diese Äusführungsform entspricht der Ausführungsform dritter Ordnung gemäß Fig. 5. Diese Ausführungsform unterscheidet sich von der siebten Äusführungsform nach Fig. dadurch, daß die Transistoren Q 13, Q14, Q23, Q24, Q32 bis Q 34 und Q42 bis Q44 fortgelassen sind und die Basis des Transistors Q 22 an eine Eingangssignalquelle IN angeschlossen ist.

Fig. 19 zeigt eine zehnte Ausführungsform der Erfindung. Sie entspricht der vierten Ausführungsform der Schaltung dritter Ordnung gemäß Fig. 6. Diese Ausführungsform unterscheidet sich von der siebten Ausführungsform nach Fig. dadurch, daß die Transistoren Q 13, Q14, Q23, Q24, Q33, Q34, Q43 und Q44 fortgelassen sind und die Basen der Transistoren Q12, Q22, Q32 und Q42 an Eingangssignalquellen IN1 bis IN4 angeschlossen sind.

Fig. 20 zeigt eine elfte Ausführungsform der Erfindung. Sie entspricht der fünften Ausführungsform der in Fig. 7 gezeigten Transistorschaltung dritter Ordnung. Diese Ausführungsform unterscheidet sich von der siebten Ausführungsform nach Fig. 17 dadurch, daß'die Transistoren Q14, Q24, Q34 und Q44 nicht eine sequentiell gekoppelte Gruppe bilden, sondern ihre Basen an entsprechende Eingangssignalquellen IN1, IN2, IN3 und IN4 angeschlossen sind.

Fig. 21 zeigt eine zwölfte Ausführungsform der Erfindung. Diese Ausführungsform ist eine Stromquellenschaltung, die eine Transistorschaltung vierter Ordnung verwendet und drei Ausgangsströme liefern kann. Die Schaltung entspricht der in Fig. 9 gezeigten Transistorschaltung dritter Ordnung.

20/21

In dieser zwölften Ausführungsform sind die Basisspannungen an den Transistoren Q11, Q21, Q31 und Q41 gleich, so daß folgende Beziehung gilt:

I1-R1 + VBE(14) + VBE(43) + VBE(32) + VBE(21)

= I2-R2 + VBE(24) + VBE(13) + VBE(42) + VBE{31)

= I3-R3 + VBE(34) + VBE{23) + VBE(12) +-VBE(41)

= I4-R4 + VBE(44) + VBE(33) + VBE(22) + VBE(11)

. (72)

Auch hier wieder ist der Stromverstärkungsfaktor in Emitterschaltung sämtlicher Transistoren ausreichend groß angenommen, um den Basisstrom in die einzelnen Transistoren vernachlässigen zu können und die Kollektorströme in den Transistoren in sämtlichen Strompfaden als gleich annehmen su können, so daß folgende Beziehungen gelten:

VBE(H) = VBE(12) = VBE(13) = VBE{14) . (73)

VBE(21) = VBE(22) = VBE(23) = VBE(24) ..... (74) VBE(31) = VBE(32) =VBE(33) =VBE(34) (75)

und
VBE(41) = VBE(42) = VBE(43) = VBE(44) (76)

Durch Einsetzen der Gleichungen (73) bis (76) in Gleichung (72) erhält man

I1*R1 = I1-R2 = I3-R3 = I4-R4 (77)

Somit ergeben sich die drei Ausgangsströme 12 bis 14 zu

12 = ||l1 ..... (78)

13 = —11 ..... (79)

und
14 = |ll1 ..... (80)

Man sieht, daß es bei der zwölften Ausführungsform möglich ist, drei Ausgangsströme zu erhalten, die bestimmt werden durch den Eingangsstrom und die Verhältnisse des Werts des Widerstands R1 zu den Werten derjenigen Widerstände, die in die Strompfade der entsprechenden Ausgangsanschlüsse eingeschalteb sind. Diese Ausgangsströme können leicht durch Verändern der Widerstände variiert werden.

Fig. 22 zeigt eine dreizehnte Ausführungsform der Erfindung, die in einer Stromquellenschaltung eingesetzt wird. Diese.Schaltung ist eine Transistorschaltung fünfter Ordnung, die aus einem Eingangsstrom 11 vier Ausgangsströme 12, 13, 14 und 15 mit den Gewichten "1", "2", "4" und "8" erzeugen kann. Speziell enthält diese Ausführungsform fünf Strompfade und fünfundzwanzig Transistoren, von denen fünf mit ihrer Kollektor-Emitter-Strecke zusammen mit einem Reihenwiderstand in jeden der Strompfade geschaltet sind. Bei dieser Ausführungsform bilden von den fünf Transistoren in jedem Strompfad vier Transistoren in entsprechenden Positionen der verschiedenen Strompfade jeweils eine sequentiell gekoppelte Gruppe. Die Basen der verbleibenden Transistoren sind auf Masse gelegt. Ein Anschluß des ersten Strompfads (der dem mit dem Widerstand beschalteten Anschluß gegenüberliegende Anschluß) ist über eine Stromquelle 11 an den Anschluß +V einer positiven Spannungsquelle angeschlossen. Entsprechende Anschlüsse des zweiten bis fünften Strompfads sind an Ausgangsanschlüsse OUT2 bis OUT5 angeschlossen. Der andere Anschluß des ersten Strompfads ist

22/23

an den anderen Anschluß des zweiten Strompfads angeschlossen. Die anderen Anschlüsse des zweiten bis vierten Strompfads sind über entsprechende Widerstände R23, R34 und R45 an die anderen Anschlüsse des dritten bis fünften Strompfads angeschlossen. Der andere Anschluß des fünften Strompfads ist über eine Stromquelle IO an den Anschluß -V einer negativen Spannungsquelle angeschlossen.

Die dreizehnte Ausführungsform arbeitet wie folgt: Der Widerstandswert der Widerstände R1 bis R5 möge 2R betragen, und die Widerstandswerte der Widerstände R23, R34 und R35 mögen R sein. Mit der Spannung an den auf Masse gelegten Basen der Transistoren Q11, Q21, Q31, Q41 und Q51 als Bezugsgröße ergeben sich die Emitterspannungen --VE(IS), -VE(25), -VEC35), -VE(45) und -VE(55) der Transistoren Q15, Q25, Q35, Q45 und Q55 wie folgt:

-VE(15) = "(VBE(15) + VBE(24) + VBE(33)

.+VBE(42) +VBE(51)) (81)

-VEU5) = -CVBE(25) + VBE(34) + VBE(43) (82)

+ VBE(52) + VBE(11))

-VE(35) = -(VBE(35) + VBE(44) + VBE(53) + VBE(12) + VBE(21)) ..... (83)

-VE(45) = -(VBE(45)+ VBE(54) + VBE(13)

+ VBE(22) + VBE(31)) (84)

und

-VE (55) = -(VBE(SS) + VBE (14) + VBE (23)

+ VBE (32) +VBE(41)) . (85)

Wenn auch bei dieser Ausführungsform der Stromverstärkungsfaktor in Emitterschaltung der einzelnen Transistoren ausreichend groß ist, gelten die Beziehungen:

VBE(H) = VBE{12) = VBE(13) = VBE(14) = VBE{15)

(86)

VBE(21) = VBE(22) = VBE(23) = VBE (24) = VBE(25)

(87)

VBE(31) = VBE(32) = VBE(33) = VBE(34) = VBE(35)

•··». (oo)

VBE(41) = VBE(42) = VBE(43) = VBE(44) = VBE(45)

(89)

und

VBE(51) = VBE(52) = VBE(53) = VBE(54) = VBE(55)

(90)

Durch Einsetzen der Gleichungen (86) bis (90) in die Gleichungen (81) bis (85) erhält man

-VE(15) = -VE(25) = -VE(35) = -VE(45) = -VE(55)

Man sieht, daß in der Schaltung nach Fig. 22 die Emitterspannungen an den Transistoren Q15 bis Q55 gleich sind. Die Emitterspannungcn der Transistoren Q15 bis Q55 ergeben sich wie folgt:

11 *R1 = I2«R2 (92)

13.R3 = 12.R2 + (11+12) · R23 (93)

14-R4 = I3-R3 + (I1+I2+I3) · R34 (94)

I5-R5 = I4-R4 + (11+12+13+14) · R45 (95)

IO = 11 + 12 + 13 + 14 + 15 ..... (96)

25/26

Durch Einsetzen von R1 = R2 = R3 -· R4 = R5 - 2R und R23 = R34 = R45 = R in die Gleichungen (92) bis (96) ergeben sich die Ausgangsströme 12 bis 15 wie folgt:

12 = IgIO (97)

13 = llO ..... (98)

14 = -J-IQ (99)

15 = |l0 (100)

Man sieht, daß mit den in obiger Weise eingestellten Widerstandswerten die Ausgangsströme 12 bis 15 mit den entsprechenden Gewichten "1", "2", "4" und "8" an den vier Ausgangsanschlüssen OUT2 bis 0UT5 zur Verfügung stehen.

Im folgenden sollen die Ergebnisse von Untersuchungen geschildert werden, die durchgeführt wurden, indem die Werte der Widerstände R1 bis R5 in der in Fig. 22 gezeigten Schaltung auf 4 kü. und der Wert der Widerstände R23, R34 und R45 auf 2 kCL eingestellt wurden- Fig. 23 zeigt die über dem Strom der Stromquelle IO aufgetragenen Ausgangsströme 11 bis 15, und Fig. 24 zeigt die prozentualen Fehlerspannungen für diesen Fall. Aus Fig. 24 ist ersichtlich, daß die prozentualen Fehler innerhalb von 5 % gehalten werden können, wenn der Strom IO ausreichend groß ist. Diese Größenordnung der Fehler reicht für eine 4-Bit-Stromquelle aus. Unter Verwendung der in Fig. 22 gezeigten Schaltung kann also ein Wandler mit hoher Genauigkeit aufgebaut werden.

Die erfindungsgemäße Transistorschaltung kann nicht nur eine Schaltung dritter, vierter oder fünfter Ordnung sein,

sondern kann eine Schaltung irgendeiner höheren Ordnung sein. Im Folgenden soll eine allgemeine Schaltung N-ter Ordnung (N ist eine positive ganze Zahl) beschrieben werden.

Fig. 25 zeigt eine vierzehnte Ausführungsform der Erfindung, welche die einfachste Transistorschaltung N-ter Ordnung darstellt. Die Schaltung enthält N Transistoren QI1 bis QN1, die eine sequentiell gekoppelte Gruppe bilden. Die Basen der Transistoren Q11 bis QMI (M = N-1) sind an den Kollektor der Transistoren Q21 bis QN1 angeschlossen, und die Basis des Transistors QN1 ist an den Kollektor des Transistors Q11 angeschlossen.

Fig. 26 zeigt eine fünfzehnte Ausführungsform, die der dritten Ausführungsform dritter Ordnung.gemäß Fig. 5 und außerdem der neunten Ausführungsform vierter Ordnung gemäß Fig. entspricht. Diese Ausführungsform enthält darüber hinaus Transistoren Q12 und Q 22, die in Reihe bezüglich der Transistoren Q11 und Q21 der in Fig. 25 gezeigten vierzehnten Ausführungsform geschaltet sind. Die Basen der Transistoren Q12 und Q22 sind an den Kollektor des Transistors Q22 bzw. an eine Eingangssignalquelle. IN angeschlossen.

Fig. 27 zeigt eine sechzehnte Ausführungsform, die der vierten Ausführungsform der dritten Ordnung gemäß Fig. 6 und auch der zehnten Ausführungsform vierter Ordnung gemäß Fig. 19 entspricht. Bei dieser Ausführungsform sind Transistoren Q12 bis QN2 an entsprechende Transistoren Q11 bis QN1 angeschlossen, die eine sequentiell gekoppelte Gruppe bilden. Die Basen der Transistoren Q12 bis QN2 sind an Eingangssignalquellen IN1 bis INN angeschlossen.

27/28

Fig, 28 zeigt eine siebzehnte Ausführungsform, die der fünften Ausführungsform dritter Ordnung gemäß Fig. 7 und auch der elften Ausführungsform vierter Ordnung gemäß Fig. 20 entspricht. Hier sind die Kollektor-Emitter-Strecken von N Transistoren entsprechend der Ordnungszahl in jeden Strompfad in Reihe geschaltet. M Transistoren in jedem Strompfad, die eine ähnliche Position haben wie Transistoren in den anderen Strompfaden, bilden eine sequentiell gekoppelte Gruppe. Die übrigen Transistoren in den einzelnen Strompfaden sind mit ihren Basen an Eingangssignalquellen IN1 bis INN angeschlossen.

Wenngleich dies in der Zeichnung nicht gezeigt ist, kann die Transistorschaltung N-ter Ordnung zum Aufbau entsprechender Stromquellenschaltungen verwendet werden·.

Weiterhin handelt es sich bei den Transistoren gemäß obiger Beschreibung um NPN-Transistoren. Es ist möglich, PNP-Transistoren zu verwenden, indem die Polaritäten der Spannungsquelle und die Richtungen der Ströme umgekehrt werden. D. h., während die oben beschriebenen Stromquellenschaltungen Stromsenken betrafen, ist es möglich, Stromabgabequellen zu erhalten, wenn man PNP-Transistoren benutzt.

Wie aus der obigen Beschreibung hervorgeht, ist es durch die Erfindung möglich, eine Transistorschaltung zu schaffen, die eine gewünschte Anzahl von Strompfaden enthält und in der die Spannungen zwischen den gegenüberliegenden Anschlüssen der einzelnen Strompfade auf einen gewünschten Viert eingestellt werden können, und zwar unabhängig von den durch die Strompfade fließenden Strömen, so daß die Erfindung anwendbar ist auf Spannungsfolgerschaltungen, Pegelverschiebeschaltungen, Kleinsignalschaltungen, Stromquellenschaltungen und verschiedene andere Schaltungen.

Claims (11)

1. BLUMBACH · WESER -BEflG&N ν KRATER ZWiRNER - HOFFMANN

   PATENTANWÄLTE SN MÜNCHCN UND WIcSBADEN

   or.s^; isofekesiroSe 43 3GO0 Mtm Jien 60 Tsielon (089) 3β3·'.03/β9ί604 Telex 05-212 313" Telogrammo Patcntconsult .:; Sar>.v.c:i:uny?r Strafe 4ί 4ϊ·5Ο Wiesbaden Tete.'on (0612t) 56 29 Ή/VS19 98 Teiex Q4-IS6257 Tolrnji-iinmo PüienäconsuS!

   TOKYO SHIBAURA DENKI KABUSHIKI KAISlIA 82/87112 Horikawa-cho, Saiwai-ku, DR /sch

   Kawasaki-shi, Japan

   Transistorschalhung

   Patentansprüche

   Transistorschaltung, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens drei Strompfade (10, 20, 30) vorgesehen sind, daß sequentiell gekoppelte Transistorancrdnungen mit N {N ist die Anzahl der Strompfade) Transistoren (13, 23, 33) mit ihren Kollektor-Emitter-Strecken in Reihe bezüglich der jeweiligen Strompfade geschaltot sind, und daß die Basis des i-ten Transistors (i ist eine positive ganze Zahl zwischen 1 und N-1) an den Kollektor des (i+1)-ten Transistors und die Basis des N-ten Transistors ein den Kollektor des ersten Transistors angeschlossen ist.
2. 2. Transistcrschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß die sequentiell gekoppelte Tranistoranordnung MxN Transistoren (M ist eine positive ganze Zahl nicht kleiner als 2) enthält, wobei

   Mür.dien: R. Kramtsr Dipl.-Ing. . W. V/ostn Pipl.-F'hys. Di tor. n.jl. . E. Hollm.ifin D.pl Ing. 'jn: P.G. B'urrbach Dipl.-!ng. - P. Bprpen Pro! Or. jur.Oipl -mg,, Pat.-Ass., Pa! -Anw.br» 1979 · G..Z*iirnor Oipl.-Ing. Oipi,-W.-Ing.

   3235492

   die Kollektor-Emitter-Strecken von M Transistoren in jedem der Strompfade in Reihe geschaltet sind, daß die Transistoren in allen Strompfaden derart verschaltet sind, daß die Basis eines Transistors in dem i-ten Strompfad an den Kollektor des in entsprechender Position befindlichen Transistors in dem (i+1)-ten Strompfad angeschlossen ist, und daß die Basis eines Transistors des N-ten Strompfads an den Kollektor des in entsprechender Stellung in dem ersten Strompfad befindlichen Transistors angeschlossen ist.
3. 3. Transistorschaltung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet , daß ein erster Transistor vorgesehen ist, dessen Kollektor-Emitter-Strecke in Reihe in einem der Strompfade geschaltet ist, daß ein zweiter Transistor mit seiner Kollektor-Emitter-Strecke in Reihe in einem der anderen Strompfade liegt und sein Kollektor an die Basis des ersten Tranistors angeschlossen ist, und daß eine Eingangssignalquelle an die Basis des zweiten Transistors angeschlossen ist.
4. 4. Transistorschaltung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet , daß N Eingangstransistoren mit ihren Kollektor-Emitter-Strecken in Reihe bezüglich entsprechender Strompfade geschaltet sind, und daß N Eingangssignalquellen an die Basen der N Eingangstransistoron angeschlossen sind.
5. 5. Transistorschaltung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die die Transistoranordnung bildenden Transistoren vom gleichen Leitfähigkeitstyp sind und gleiche Emitterflächen besitzen.
6. 6. Stromquellenschaltung, gekennzeichnet durch eine Eingangestromquelle { 11 ) , wenigstens zwei

   30/31

   Ausgangsanschlüsse (0UT2, 0UT3 ), wenigstens drei Strompfade, die über eine Stromspiegelschaltung (Q 11, Q 21, Q 31) an die Eingangsstromquelle bzw. die Ausgangsanschlüsse angeschlossen sind, eine sequentiell gekoppelte Transistoranordnung (Q 12, Q 22, Q 32; Q 13, Q 23, Q 33} mit NxM Transistoren (N ist die Anzahl der Strompfade, M ist eine positive ganze Zahl nicht kleiner als 2), wobei M Transistoren in jedem der Strompfade in Reihe geschaltet sind, die Basis eines Transistors in dem i-ten Strompfad (i ist eine positive ganze Zahl zwischen 1 und N-1) an den in entsprechender Position liegenden Transistor in dem (i+1)-ten Strompfad angeschlossen ist, während die Basis eines Transistors in dem N-ten Strompfad an den in entsprechender Position befindlichen Transistor in dem ersten Strompfad angeschlossen ist, und N Widerständen, die zwischen den anderen Anschlüssen der Strompfade und einem Bezugsspannungsanschluß liegen.
7. 7. Stromquellenschaltung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet , daß ein erster Transistor mit seiner Kollektor-Emitter-Strecke mit einem der Strompfade in Reihe geschaltet ist, daß ein zweiter Tranistor mit seiner Koliektor-Emitter-Strecke mit einem anderen der Strompfade in Reihe geschaltet ist, daß sein Kollektor an die Basis des ersten Transistors angeschlossen ist, und daß eine Eingangssignalquelle an die Basis des zweiten Transistors angeschlossen ist.
8. 8. Stromquellenschaltung'nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß N Eingangstransistoren mit ihren Kollektor-Emitter-Strecken in Reihe in die jeweiligen Strompfade geschaltet sind, und daß N Eingangssignalquellen an die Basen der N Eingangstransistoren angeschlossen sind.
9. 9. Stromquelle nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet , daß die die Transistoranordnung bildenden Transistoren vom gleichen Leitfähigkeitstyp sind und gleiche Emitterflächen aufweisen.
10. 10. Stromquellenschaltung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet , daß die Stromspiegelschaltung N Transistoren aufweist, deren Kollektor-' Emitter-Strecken zwischen der Eingangsstromquelle und den Ausgangsanschlüssen liegen, daß die Basen der N Transistoren zusammengeschaltet sind, und daß die gemeinsame Verbindung an die Eingangsstromquelle angeschlossen ist.
11. 11. Stromquellenschaltung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet , daß die gemeinsame Verbindung der Basen der N Transistoren über die Basis-Emitter-Strecke eines dritten Transistors (101) an die Eingangsstromquelle ( 11 ) angeschlossen ist.

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