DE3234658A1

DE3234658A1 - Verfahren zur bildung einer rissfreien verbindung zwischen thermoplastischen festen koerpern

Info

Publication number: DE3234658A1
Application number: DE19823234658
Authority: DE
Inventors: Gregory Allen 49442 Muskegon Mich. Benedict; Albert Miller 49445 North Muskegon Mich. Rockwood
Original assignee: Howmet Turbine Components Corp
Current assignee: Howmet Turbine Components Corp
Priority date: 1981-10-23
Filing date: 1982-09-18
Publication date: 1983-05-05
Also published as: GB2111359A; FR2515096A1; JPS5884638A

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Bildung einer rißfreien Abdichtung bzw. Verschmelzung zwischen thermoplastischen Körpern. Die Erfindung findet insbesondere Anwendung zum Verschmelzen von Wachsmodellen und Teilen für Eingußkanäle beim Wachsausschmelz-Gießverfahren oder Investment-Gießverfahren, einem Präzisionsgießverfahren mit verlorenen Kern, das im folgenden kurz als Wachsgießverfahren bezeichnet wird.

Das Wachsgießverfahren ist eines der ältesten Verfahren zur Herstellung von Gußstücken aus Metallegierungen. Um Metallgußstücke nach dem Verfahren herzustellen, wird ein Wachsmodell gebildet, das in seiner Gestalt mit dem gewünschten endgültigen Metallgußstück identisch ist. Eine Keramikform wird dann um das Modell gebildet und zu einem Negativ des gewünschten Gußstückes gebrannt. Während des Brennprozesses wird das Originalwachsmodell geschmolzen oder weggebrannt. Geschmolzenes Metall wird in die Keramikform eingeleitet. Nach Abkühlen und Erhärtung des Metalls wird die Keramikform weggeschlagen, wobei das gewünschte Metallgußstück übrigbleibt.

Um das geschmolzene Metall in die Keramikform einzuleiten, muß eine Rinne vorgesehen sein. Um solche Rinnen oder Kanäle in den Keramikformen zu bilden, muß ein Wachseinguß an den Wachsmodellen angebracht v/erden. Da eine Keramikform nur einmal benutzt wird, bevor sie v/eggeschlagen und zerstört wird, werden oft viele Wachsmodelle mit einer Serie von Wachseingußstäben mit einem Eingußtrichter verbunden, so daß eine einzige Wachstraube von vielen Modellen entsteht.

Einer der arbeitsintensivsten Vorgänge im Wachsgießverfahren ist die Verbindung der Wachsmodelle und des Eingusses gewesen, um eine vollständige Wachstraube zu bilden. Die Verbindung zwischen einem Wachsmodell und einem Einguß muß frei von Rissen sein, damit sich die

flüssige Keramikaufschlanunung nicht in den Rissen verfestigt und nach dem Wachsentfernen in den vom geschmolzenen Metall zu folgenden Weg gelangt. Vom Metallfluß weggebrochene Keramikteilchen würden den Endguß verunreinigen und seine Verwendbarkeit infrage stellen. Das Wachs selbst muß auch ziemlich rein sein, so daß nach seinem Abbrennen keine Rückstände übrigbleiben, die den Metallguß verunreinigen könnten. Irgendein Verfahren zum Abdichten dieser Wachstrauben muß daher eine flüssigkeitsdichte Abdichtung vorsehen, ohne dabei weder den Endguß zu verunreinigen noch das Wachsmuster und den Einguß zu verformen.

Das jetzige Verfahren zum Abdichten der Verbindungsstellen in Wachstrauben erfordert hochqualifizierte Arbeit. Jede einzelne Verbindungsstelle muß Sorgfältig abgedichtet werden, indem ein erhitztes Werkzeug, beispielsweise ein heißes Messer, an der Verbindungsstelle benutzt wird. Dieses Verfahren ist zeitaufwendig und dementsprechend teuer. Es besteht daher seit langem ein Bedarf dafür, diesen Schritt automatisch durchzuführen. Versuche in dieser Richtung waren jedoch bisher ohne Erfolg.

Aufgabe der Erfindung ist es daher, ein einfaches, zuverlässiges und relativ billiges Verfahren zur Bildung einer rißfreien Abdichtung zwischen anliegenden, sich ergänzenden thermoplastischen festen Körpern vorzuschlagen.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch ein Verfahren zur Bildung einer rißfreien Abdichtung zwischen sich ergänzenden thermoplastischen festen Körpern gelöst, indem eine elektromagnetisch absorbierende Wafer

bzw. ein elektromagnetisch absorbierendes Plättchen zwischen den thermoplastischen Körpern angeordnet wird; die Körper in unmittelbare Nähe mit der Wafer dazwischen gebracht

werden, um eine Anordnung zu bilden; und die Anordnung mit einer elektromagnetischen Strahlung bei einer Frequenz bestrahlt wird, die die Wafer fast absorbiert, um die anliegenden thermoplastischen Flächen zu schmelzen und eine Abdichtung zwischen den Körpern zu bilden. Die Wafer erstreckt sich bevorzugt über den Außenumfang von wenigstens einem der Körper. Die Wafer verbrennt bevorzugt aschefrei.

Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung enthält die Wafer kristallinen Graphit in einem Polystyrolbindemittel. Es wird auch bevorzugt, daß die elektromagnetische Strahlung in einem Mikrowellenbereich liegt, so daß eine Anordnung, die ein wesentliches Volumen einnimmt, gleichzeitig abgedichtet werden kann.

In einer besonders bevorzugten Ausführungsform sind die thermoplastischen Körper Wachsmuster und ein Einguß, die in dem Verlustwachsverfahren abgedichtet sind. Das Wachsmuster und der Einguß haben bevorzugt sich ergänzende erhabene und aufnehmende Teile, wobei die Wafer bevorzugt eine öffnung hat, die um das erhabene Teil paßt, so daß die Wafer genau in der Anordnung orientiert werden kann. Die Passung zwischen dem erhabenen und dem aufnehmenden Teil sollte fest genug sein, um das Muster am Einguß zu halten, ohne dabei den Kontaktbereich während des Schmelzens und der Verfestigung zu beanspruchen, die während des Abdichtens auftreten.

Weitere Ausgestaltungen der Erfindung ergeben sich aus den weiteren Unteransprüchen.

Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in der Zeichnung dargestellt und werden im folgenden näher erläutert. Es zeigen

Fig. 1 eine Schnittansicht zu verbindender und abzudichtender thermoplastischer Körper in einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung;

Fig. 2 eine Draufsicht auf einen in der Ausführungsform von Fig. 1 verwendeten Eingußstab und

Fig. 3 eine Draufsicht auf eine Wafer, die in der Ausführungsform von Fig. 1 verwendet wird.

Gemäß der Erfindung wird eine rißfreie Abdichtung zwischen angrenzenden, sich ergänzenden thermoplastischen festen Körpern gebildet. Ein großer Bereich thermoplastischer Körper kann mit dem Verfahren nach der Erfindung abgedichtet werden, wie leicht von Fachleuten erkannt werden kann. Die thermoplastischen Körper sollten von der einfallenden elektromagnetischen Strahlung, die gemäß der Erfindung benutzt wird, bevorzugt fast unbeeinflußbar sein, so daß die thermoplastischen Körper von der Strahlung nicht direkt erhitzt werden. Wie gezeigt wird, sind die thermoplastischen Körper Wachsmuster und ein Einguß, die in dem verlorenen Wachsverfahren verwendet werden. So sind beispielsweise in Fig. 1 ein Wachsmuster und ein Eingußstab 2 gezeigt. Irgendein Wachs und Wachsfüller, die im Verlustwachsverfahren in üblicher Weise einsetzbar sind, können in dieser Ausführungsform benutzt werden. Besonders bevorzugte Wachszusammensetzungen, die ständig eine gute Abdichtung liefern, sind paraffinhaltige Wachse.

Entsprechend der Erfindung wird eine elektromagnetisch absorbierende Wafer zwischen den thermoplastischen Körpern gemäß Fig. 1 angeordnet, wobei die thermoplastischen Körper dann in unmittelbare Nähe mit der Wafer dazwischen gebracht werden. Ein Fachmann wird leicht in der Lage sein, elektromagnetisch absorbierende

Stoffe zu wählen, aus denen die Wafer für besondere Ausführungsformen hergestellt werden kann. Das Material sollte von der elektromagnetischen Strahlung schnell erhitzt werden, um die aneinanderstoßenden Flächen der angrenzenden thermoplastischen Körper zu schmelzen und abzudichten. Die Wafer enthält bevorzugt kohlenstoffhaltiges Material, das in einem im wesentlichen elektromagnetisch nichtabsorbierenden Material dispergiert ist. Ein besonders bevorzugtes Material ist kristalliner Graphit in einem Polystyrolbindemittel. Die Zusammensetzung der Wafer ist bevorzugt etwa 20 bis 30 Gew.-% kristalliner Graphit, der in 70 bis 80 Gew.-% Polystyrol dispergiert ist. Die Korngröße des kohlenstoffhaltigen Materials liegt bevorzugt zwischen etwa 0,5 und 0,6 μπι. Die Stärke der Wafer beträgt bevorzugt etwa 0,127 mm (0,005"). Die Wafer erstreckt sich etwa 1,587 mm (etwa 1/16") über den Umfang von mindestens einem der thermoplastischen Körper, die zur Erreichung optimaler Ergebnisse abzudichten sind. Wenn sich die Wafer nicht über den Umfang von mindestens eines der thermoplastischen Körper hinaus erstreckt, können Hinterschneidung und ungleiche Ergebnisse vorkommen.

In der bevorzugten Ausführungsform, bei der die thermoplastischen Körper Wachsmuster und ein Einguß sind, die im Verlustwachsverfahren verwendet werden, ist die Wafer bevorzugt aschefrei bei Verbrennung und zweifellos nichtmetallisch. Obwohl das Material, aus dem die Wafer gefertigt ist, beim Entwachsen wegfließen oder beim Vorerhitzen wegbrennen kann, um eine Verunreinigung der Gußlegierungen zu vermeiden, sollte das elektromagnetisch absorbierende Material in der Wafer im wesentlichen aschefrei verbrennen. So hat beispielsweise der im Handel erhältliche Graphit einen Aschegehalt von nur 0,2 Gew.-%.

Das Bindenittel für das bevorzugt kohlenstoffhaltige elektromagnetisch absorbierende Material ist bevorzugt ein im wesentlichen elektromagnetisch nichtabsorbierendes Material. Zusätzliche Faktoren bei der Wahl des Binder j.ctels sind ein tiefer Schmelzpunkt und ein niedriger Aschegehalt, jedoch mit angemessener Festigkeit für ein leichtes Hantieren. Das Bindemittel sollte auch leicht mit dem kohlenstoffhaltigen, elektromagnetisch absorbierenden Material mischbar und leicht in eine dünne Schicht formbar sein, wenn es mit dem kohlenstoffhaltigen Material gemischt wird. Bevorzugte Bindemittel sind Polymermaterialien, wie beispielsweise Polystyrol und Polyäthylen. Der Fachmann wird in der Lage sein, andere Bindemittel mit solchen Eigenschaften zu bestimmen, aber das gegenwärtig bevorzugteste Bindemittel in der Erfindung ist Polystyrol.

Die Stärke der Wafer ist nicht wichtig, solange es ausreichend elektromagnetisch absorbierendes Material gibt, um das Schmelzen der thermoplastischen Körper hervorzurufen, und die Wafer eine ausreichende Stärke besitzt, um ein ausreichendes Hantieren zu ermöglichen. Wie bereits ausgeführt wurde, wird eine Stärke von etwa 0,127 mm (etwa 0,005") bevorzugt.

In der bevorzugten Ausführungsform, die sich auf das Verlustwachsverfahren bezieht, sollten die Wachsmuster und der Einguß zusammengehalten werden, ohne dabei die Kontaktfläche während des Schmelzens und der Verfestigungsphasen zu beanspruchen, um eine glatte, rißfreie Ausrundung zu entwickeln. Eine Passung mit Spiel kann zum Durchhängen von Teilen oder zum Trennen voneinander führen, und die Schwerkraft kann geschmolzenen Wachs zum Verziehen oder Laufen bringen.

Ein vorteilhaftes Verfahren gemäß der Erfindung zum Erlangen einer erforderlichen Passung zwischen den thermoplastischen Körpern während der Bildung der Dichtung besteht darin, sich ergänzende erhabene und aufnehmende Teile in den thermoplastischen Körpern vorzusehen. Wie in Fig. 1 gezeigt ist, ist ein Bolzen 4 ein nichtrundes, konisch zulaufendes erhabenes Glied und eine dazu passende Ausnehmung 5 ein aufnehmendes Teil. Eine Wafer 3 in Fig. kann mit einer öffnung 6 versehen sein, die um den Bolzen 4 paßt. Die Wafer 3 sollte sich leicht über den Umfang von mindestens eines der thermoplastischen Körper erstrecken, die abzudichten sind, wie beispielsweise das Muster 1 in der Zeichnung. Andere Hilfsmittel zum Aufrechterhalten der Position der thermoplastischen Körper und der Wafer während der Bildung der Abdichtung, ohne dabei Spannung anzuwenden, werden dem Fachmann geläufig sein.

Nachdem die thermoplastischen Körper und die Wafer gemäß der Erfindung in unmittelbare Nähe miteinander gebracht sind, werden die Wafer und die Körper mit elektromagnetischer Strahlung bei einer Frequenz bestrahlt, die die Wafer nur im wesentlichen absorbiert. Die Strahlung führt dazu, daß sich die Molekularstruktur des Absorptionsmaterials mit dem elektrischen Wechselfeld ausrichtet, wobei das Absorptionsmaterial aufgrund der durch die Reibung seiner Moleküle erzeugten Wärme schnell erhitzt wird. Die thermoplastischen Körper werden andererseits von der Strahlung nicht beeinflußt und halten daher ihre Integrität aufrecht. Die sich ergänzenden Kontaktflächen werden jedoch durch Wärmeleitung von der Wafer über ihren Schmelzpunkt erhitzt. Nachdem die Strahlung unterbrochen ist, vermischen sich die geschmolzenen Teile miteinander und verfestigen sich, um eine rißfreie Abdichtung zu bilden.

Elektromagnetische Strahlung kann über einen großen Bereich von Frequenzen zum Erhitzen benutzt werden, und zwar insbesondere Strahlung mit einer Frequenz zwischen

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10 und 10 Hertz. Die bevorzugte elektromagnetische Strahlung liegt im Mikrowellenbereich. Der Gebrauch der Mikrowellenenergie ist wegen ihres selektiven Effekts auf viele Materialien vorteilhaft. Materialien, die nichtpolar sind, beispielsweise Wachs, Aluminiumoxid und die meisten keramischen Werkstoffe, werden von der Mikro-Wellenstrahlung nicht beeinflußt. Polare Materialien, wie z.B. Wasser oder Graphit, werden in Gegenwart von Mikrowellenenergie schnell erhitzt.

Eine Standardmikrowellenausrüstung, die bei einer Frequenz zwischen 915 MHz und 2450 MHz arbeitet, kann für die Lieferung von Mikrowellenenergie benutzt werden. Die Abdichtungszeit kann weit variieren, wobei ein erfolgreiches Abdichten bei Zeiten von 2 Sekunden bis 2 Minuten erreicht worden ist. Je größer der Leistungspegel der Mikrowellenquelle ist, desto kürzer wird die Abdichtungszeit sein. Mit einem speziellen Testmuster, bei dem alle anderen Variablen konstant gehalten wurden, variierte die Zeit zum Abdichten von etwa 45 Sekunden bei etwa 100 Wattbis etwa 4 Sekunden bei etwa 700 Wattstärke. Für die meisten praktischen Anwendungen sollte eine Mikrowelleneinheit zur Lieferung von Energie bis zu 2,5 kW angemessen sein. Andere Variablen, die die Abdichtungszeit beeinflussen, ist das Verhältnis von Graphit in dem mit Verlust behafteten Film, Art und Größe der Graphitteilchen, das benutzte Bindemittel, die Stärke der Wafer, der Grad des Hervortretens der Wafer vom Musterumfang, die Größe des abgedichteten Eingusses, die Anzahl der abzudichtenden Muster und der Aufbau der Mikrowellenresonanz-Ausnehmung.

In der bevorzugten Ausführungsform, die sich auf das Verlustwachsverfahren bezieht, kann das Abdichten und Verbinden von Wachsmustern mit einem Wachseinguß schnell dadurch erreicht werden, indem sie zuerst mechanisch mit einer konischen Bolzenverbindung zusammengefügt werden, so daß eine dünne Polarwafer 3 zwischen den zusammenpassenden Flächen gemäß Fig. 1 gehalten wird. Wenn eine Anordnung in ein Mikrowellenenergxefeld geführt wird, wird das Verbinden und Abdichten bevorzugt in weniger als 15 Sekunden erfolgen. Das Wachs der zusammenpassenden

Flächenfiuster und des Eingusses schmilzt und fließt um die Vorsprungskanten der Wafer, wobei diese eingebettet werden und die Wafer dabei fest und intakt bleibt, um eine glatte, rißfreie Ausrundung zu bilden. Nach etwa 30 Sekunden wird sich das von der heißen Wafer verflüssigte Wachs erneut verfestigen, wobei eine abgedichtete Bindung zwischen Muster und Einguß verbleibt, welcher volle Stärke in mehreren Minuten erreicht, was vom Aufbau des Musters abhängt.

Ein erfolgreiches Verbinden von Mustern nach beiden Seiten eines Eingußstabes ist gemäß den gezeigten Figuren erreicht worden. Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren können daher mehrere thermoplastische Körper mit Vorteil gleichzeitig verbunden werden. Das Verfahren kann auch benutzt werden, um Mehrfach- wie auch Einzeleingußteile zu verbinden. Es wird bevorzugt, daß die Ebenen der abzudichtenden Flächenpaare im wesentlichen parallel und horizontal sind, um ein Laufen des verflüssigten thermoplastischen Materials zu verhindern. Dieses Problem kann jedoch erheblich verringert werden, indem eine genaue Auswahl des thermoplastischen Materials getroffen wird, da einige Stoffe widerstandsfähiger gegenüber Laufen bei Verflüssigung als andere sind. Auf jeden Fall können, nachdem

die gesamte Anordnung der thermoplastischen Körper in geeigneter Weise mechanisch verbunden ist, alle Verbindungsstellen in einem einzigen Vorgang mit einem einzigen elektromagnetischen Bestrahlungsvorgang abgedichtet werden. Da die thermoplastischen Körper von der Strahlung nicht beeinflußbar sind, muß die Quelle der elektromagnetischen Strahlung nicht auf die einzelnen Verbindungsstellen fokussiert werden, sondern kann einfach auf die gesamte Anordnung gerichtet sein.

Mit der im einzelnen beschriebenen Erfindung wird in Vergleich mit bekannten Verfahren eine größere Konsistenz unter Erzielung befriedigender Abdichtungen bei weitaus größeren Geschwindigkeiten mit erheblichen Arbeitseinsparungen erreicht. Wie dargelegt wurde, kann das Verfahren leicht automatisiert werden. Wegen der Geschwindigkeit, mit der Abdichtungen unter Einsatz elektromagnetischer Strahlung durchgeführt werden, kann beispielsweise eine einzige magnetische Strahlungsquelle die gesamte Produktion einer Anlage bewältigen. Ein Fördersystem kann Anordnungen von mehreren ArbeitsStationen liefern. Eine Stanzmaschine kann zum Schneiden geeignet geformter Wafers von Verlustfilmrollen bei gleicher Geschwindigkeit benutzt werden, bei der Anordnungen in das elektromagnetische Strahlungsfeld eintreten. Ein Steuersystem kann benutzt werden, um automatisch die Zykluszeit, die Feldintensität und die Impulsform einzustellen, um eine optimale Leistung für jede Anordnung zu gewährleisten. Arbeiter längs der Förderanlage können die thermoplastischen Körper und Wafers zusammenbauen und sie in Position zum Abdichten auf ein Tablett legen, das im wesentlichen nicht von der elektromagnetischen Strahlung beeinflußt wird. Eine auf dem Tablett kodierte Information

oder sonstwie vorgesehen kann automatisch in das Steuersystem eingespeichert werden, um die elektromagnetischen Strahlungsquellbedingungen für jede Anordnung einzustellen, wenn sie in das elektromagnetische Feld eintritt.

Leerseite

Claims

■ °1''r;"'':v 15. September 1982 Se Hovmet Turbine Components Corporation, Greenwich, Conn. Verfahren zur Bildung einer rißfreien Verbindung zwischen thermoplastischen festen Körpern Patentansprüche

1.'Verfahren zur Bildung einer rißfreien Verbindung zwischen anliegenden, sich-ergänzenden thermoplastischen festen Körpern, dadurch gekennzeichnet, daß a) eine elektromagnetisch absorbierende Wafer zwischen den thermoplastischen Körpern angeordnet wird; b) die thermoplastischen Körper in unmittelbare Nähe mit der Wafer dazwischen gebracht werden, um eine Anordnung zu bilden; und c) die Anordnung mit elektromagnetischer Strahlung bei einer Frequenz bestrahlt wird, die die Wafer im wesentlichen absorbiert, um die anliegenden thermoplastischen Flächen zu schmelzen und die Abdichtung zwischen den Körpern zu bilden.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die thermoplastischen festen Körper jeweils im wesentlichen unbeeinflußt von der einfallenden elektromagnetischen Strahlung sind.

3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß sich die Wafer über den Außenumfang von mindestens einem der Körper erstreckt, wenn sich die Körper in unmittelbarer Nähe mit der Wafer dazwischen befinden.

4. Verfahren nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Wafer verbrennbar ist.

5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Wafer fast aschefrei verbrennt.

6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Wafer ein kohlenstoffhaltiges Material enthält, das in einem im wesentlichen elektromagnetisch nichtabsorbierenden Material dispergiert ist.

7. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die elektromagnetische Strahlung im Mikrowellenbereich liegt.

8. Verfahren nach Anspruch 1 oder 7, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens eines der Körper Wachs enthält.

9. Verfahren nach Anspruch 1 oder 7, dadurch gekennzeichnet, daß beide Körper Wachs enthalten.

10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Körper ein Wachsmodell und ein Wachseinguß sind.

11. Verfahren zur Bildung einer rißfreien Abdichtung zwischen anliegenden, sich ergänzenden Wachsteilen, dadurch gekennzeichnet, daß a) eine Wafer von im wesentlichen elektromagnetisch absorbierendem Material zwischen den Teilen angeordnet wird; b) die Teile in unmittelbare Nähe mit der Wafer dazwischen gebracht werden; und c) die Wafer und die Teile mit elektromagnetischer Strahlung im Mikrowellenbereich des Spektrums bestrahlt werden, um die Abdichtung zwischen den Teilen zu bilden.

12. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß sich der Waferumfang über den Umfang von mindestens einem der Teile erstreckt.

13. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Wafer verbrennbar ist.

14. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß die Wafer im wesentlichen aschefrei verbrennt.

15. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß die Wafer etwa 0,127 mm (0,005") stark ist.

16. Verfahren nach Anspruch 1 oder 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Wafer etwa 20 bis 30 Gew.-% kristallinen Graphit enthält.

17. Verfahren nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß die Wafer etwa 70 bis 80 Gew.-% Polystyrol enthält.

18. Wachsgießverfahren zur Herstellung von Gußstücken aus Metallegierungen durch Vorbereiten eines Wachsmodelles und eines Eingusses; Bilden einer Verbindung zwischen Wachsmodell und dem Einguß; Bilden einer Keramikform um das Wachsmodell und den Einguß; und Entfernen des Wachsmodells und des Eingusses durch Schmelzen oder Ausbrennen des Wachsmodellsund des Eingusses, dadurch gekennzeichnet, daß a) eine Wafer, die fast aschefrei verbrennt, etwa 20 bis 30 Gew.-% kristallinen Graphit und etwa 70 bis 80 Gew.-% Polystyrol enthält, zwischen dem Wachsmodell und dem Einguß angeordnet wird; b) das Wachsmodell und der Einguß in unmittelbare Nähe mit der Wafer dazwischen gebracht werden; und c) die Wafer, das Wachsmodell und der Einguß mit elektromagnetischer Strahlung im Mikrowellenbereich bestrahlt werden, um eine rißfreie Abdichtung zu bilden.

19. Verfahren najh Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet/ daß sich die Kante der Wafer über den Außenumfang von
mindestens einem der WachsmodeXLe und des Eingusses
erstreckt.

20. Verfahren nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, daß das Wachsmodell und der Einguß sich ergänzende
erhabene und aufnehmende Teile aufweisen, und die Wafer eine öffnung hat, die um das erhabene Teil paßt, und
wobei die Schritte (a) und (b) beinhalten, daß die Wafer um das erhabene Teil geführt und dann das erhabene Teil in das aufnehmende Teil eingesetzt wird.

21. Verfahren nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, daß die Wafer etwa 0,127 mm (0,005") stark ist.