DE3216776C2 - Hochfrequenzmischstufe - Google Patents

Hochfrequenzmischstufe

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Reiner Dipl.-Ing. 5100 Aachen Stahlmann
Christos Dr.-Ing. Montgeron Tsironis
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Telefunken Electronic GmbH
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Abstract

Die Erfindung betrifft eine Hochfrequenzmischstufe mit einer Feldeffekttransistor-Tetrode, die zwei Gate-Elektroden aufweist, wobei einer Gate-Elektrode das Hochfrequenz-Eingangssignal zugeführt wird. Nach der Erfindung ist vorgesehen, daß durch induktive Belastung an der zweiten Gate-Elektrode der Tetrode die Mischstufe selbstschwingend wird.

Description

GaAs-M ESFET-Tetrode mit 200 μπι Kanalbreite und 1 um (Gate 1) bzw. 2 μπι (Gate 2) langen Gate-Elektroden;
ίο Sättigungsstrom loss = 25 mA,
max. Schwingungfrequenz fmjt = 20 GHz,
Steilheit an Gate Igv., ι = 15HiS(Ut2
Steilheit an Gate 2gm2 = l0mS(ugi
Zur Erzeugung der Oszillatorfrequenz fm2 wurde die Gateelektrode Gj mit einer induktiven Last Zl im Wert von 56 Ω belastet. Die Oszillatorfrequenz betrug dann 9,0GHz. Bei einer Signalfrequenz fsip. von 10,08GHz ergibt sich eine am Schwingkreis Ci, L1 ausgesiebte Zwischenfrequenz ZFim Wert von 1,08 GHz.
Die Erfindung betrifft eine Hochfrequenzmischstufe mit einer Feldeffekttransistor-Tetrode, die zwei Gate-Elektroden aufweist, wobei einer Gate-Elektrode das Hochfrequenz-Eingangssignal zugeführt ist und an der zweiten Gate-Elektrode der Arbeitspunkt der Tetrode derart eingestellt ist, daß die Mischstufe durch die auftretende Selbsterregung selbstschwingend ist. Eine derartige Mischstufe ist aus der US-PS 41 12 373 bekannt. Bei dieser bekannten Mischstufe wird die Drain-Elektrode der Tetrode über ein reaktiv ^s Netzwerk mit der Gate-Elektrode verbunden. Dieses Netzwerk bildet mit anderen Bauelementen ein aufwer iiges Huth-Kühn-Oszillatorsystem.
Die bekannte Schaltung ist relativ aufwendig, da außer der Tetrode praktisch ein gesonderter Lokaloszillator vorhanden sein muß. Der vorliegenden Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine Hochfrequenzmischstufe anzugeben, die sich durch einen besonders einfachen und leicht integrierbaren Aufbau auszeichnet Diese Aufgabe wird bei einer Hochfrequenzmischstufe der eingangs beschriebenen Art erfindiingsgemäß dadurch gelöst, daß die Selbsterregung allein mit Hilfe einer induktiven Belastung an der zweiten Gate-Elektrode hervorgerufen ist. Als Tetrode eignet sich beispielsweise ein GaAs-Sperrschicht-Feldeffekttransistor.
Die erfindungsgemäße Hochfrequenzmischstufe ist extrem einfach aufgebaut, da mit dem einzigen durch die Tetrode vorgegebenen aktiven Element der Vorbzw. Hochfrequenzverstärker, der Lokaloszillator und der Mischer ersetzt wird. Die Tetrode läßt sich in an sich bekannter Weise sehr einfach in integrierter Halbleitertechnik herstellen.
Die Erfindung wird an Hand eines Ausführungsbeispiels noch näher erläutert:
In der Figur ist eine Tetrode Tmit den beiden Gate-Elektroden Gi und G2 dargestellt. Diese Tetrode ist beispielsweise ein GaAs-MESFET, der im Bereich von 10GHz eingesetzt werden kann. Das Hochfrequenz-Eingangssignal wird über den Überträger Ü auf die Gate-Elektrode G\ gegeben, während davon entkoppelt auf die Gate-Elektrode Gi die Oszillatorfrequenz fou gegeben wird. Diese Lokaloszillatorfrequenz wird mittels einer induktiven Belastung Zi. erzeugt. Zwischen der Drain- und der Source-Elektrode der Tetrode liegt ein auf die Differenzfrequenz zwischen der Oszillatorfrequenz und der Eingangssignalfrequenz abgeglichener Parallelschwingkreis aus dem Kondensator Q und Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (2)

Patentansprüche:
1. Hochfrequenzmischstufe mit einer Feldeffekttransistor-Tetrode, die zwei Gate-Elektroden aufweist, wobei einer Gate-Elektrode das Hochfrequenz-Eingangssignal zugeführt ist und an der zweiten Gate-Elektrode (Gi) der Arbeitspunkt der Tetrode derart eingestellt ist, daß die Mischstufe durch die auftretende Selbsterregung selbstschwingend ist, dadurch gekennzeichnet, daß die Selbsterregung allein mit Hilfe einer induktiven Belastung (Zi) an der zweiten Gate-Elektrode (Gi) hervorgerufen ist
2. Hochfrequenzmischstufe nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Tetrode ein GaAs-Sperrschichtfeldeffekttransistorist.
der Induktivität L\. Die Zwischenfrequenz ZF wird aus diesem Parallelschwingkreis induktiv ausgekoppelt.
Bei einem Ausführungsbeispiel wurde eine Tetrode mit folgenden Transistoreigenschaften verwendet:
DE3216776A 1982-05-05 1982-05-05 Hochfrequenzmischstufe Expired DE3216776C2 (de)

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FR8307504A FR2526606A1 (fr) 1982-05-05 1983-05-05 Etage melangeur haute frequence
US06/491,940 US4563772A (en) 1982-05-05 1983-05-05 High frequency mixer stage
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2498843A1 (fr) * 1981-01-28 1982-07-30 Labo Electronique Physique Dispositif oscillateur-melangeur stabilise par un resonateur dielectrique
US4662000A (en) * 1985-04-15 1987-04-28 Raytheon Company Frequency conversion circuits
EP0219366A1 (de) * 1985-09-06 1987-04-22 Schlumberger Industries Generator für Oberwellen hoher Ordnung
DE3836143C2 (de) * 1988-08-19 1996-04-11 Kabelmetal Electro Gmbh Mischer für Hochfrequenz- Sende- und Empfangsanordnungen
JPH0738337A (ja) * 1993-07-20 1995-02-07 Hitachi Ltd 低歪カスケード回路
GB2351193A (en) * 1999-06-17 2000-12-20 Marconi Electronic Syst Ltd AM receiver

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1146671A (en) * 1965-06-09 1969-03-26 Mullard Ltd Self-oscillating mixer circuits with automatic gain control
US3348155A (en) * 1966-02-10 1967-10-17 Scott Inc H H Oscillator-converter apparatus employing field effect transistor with neutralizationand square law operation
DE2159592C3 (de) * 1971-12-01 1981-12-17 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Integrierte Halbleiteranordnung
GB1543363A (en) * 1975-02-26 1979-04-04 Nippon Electric Co Dual-gate schottky barrier gate field effect transistors
JPS5926745B2 (ja) * 1975-09-11 1984-06-30 アキヤマ モリオ コンクリ−トの解体方法
JPS5234532A (en) * 1975-09-11 1977-03-16 Takenaka Komuten Co Method of and apparatus for assembling caged reinforcing steel
US4112373A (en) * 1976-01-19 1978-09-05 Hitachi, Ltd. Self-excited mixer circuit using field effect transistor
FR2498843A1 (fr) * 1981-01-28 1982-07-30 Labo Electronique Physique Dispositif oscillateur-melangeur stabilise par un resonateur dielectrique

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Publication number Publication date
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GB8312381D0 (en) 1983-06-08
DE3216776A1 (de) 1983-11-17
GB2120035A (en) 1983-11-23
GB2120035B (en) 1986-04-09

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