DE3211229C2 - - Google Patents
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Description
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung nach dem Oberbe
griff des Anspruchs 1, bei welcher ein Target ferromagne
tischen Materials verwendet wird, beispielsweise Fe,
Co, Fe-Ni, Co-Cr, Cr-R, Fe3O4, BaO-Fe2O3 und dgl.
Eine Vorrichtung dieser Art ist in der JP-DS Sho 55-1 48 769
beschrieben und dargestellt. Bei dieser bekannten
Vorrichtung ist in einer evakuierten Kammer ein Target
aus ferromagnetischem Material wie Fe oder dgl. vorge
sehen, und es ist hinter dem Target eine Magnetfeld-Er
zeugungseinrichtung angeordnet, wodurch an der Oberfläche
des Targets ein magnetisches Streufeld erzeugt wird,
so daß die Plasmadichte erhöht werden kann.
Diese bekannte Vorrichtung neigt zu dem Nachteil,
daß es für eine Schnell- oder Hochgeschwindigkeitszer
stäubung der Erzeugung eines parallelen Magnetfeldes
einer Stärke von etwa 2 × 10-2 T an der Oberfläche
des Targets bedarf und deshalb erforderlich ist, das
Target dünn auszugestalten, und außerdem dem Target
mit der Magnetfeld-Erzeugungseinrichtung ein Magnetfeld
zu erteilen, dessen Stärke oberhalb des magnetischen
Sättigungswertes des Targets liegt. Infolgedessen
wird der Verschleiß und der Verbrauch des Targets
beschleunigt und seine Lebensdauer gemindert. Wenn
beispielsweise ein Bariumferrit-Magnet als Magnetfeld-
Erzeugungseinrichtung verwendet wird sowie ein Fe-Target
in Gestalt einer Platte als ferromagnetisches Target
verwendet wird und diese beiden in gegenseitige Berührung
miteinander gebracht werden, muß die Dicke des Fe-Targets
geringer als 1,4 mm sein, um ein magnetisches Streufeld
von etwa 2 × 10-2 T an der Oberfläche des Targets zu
erhalten.
Wenn in diesem Fall eine Stützplatte aus Kupfer an
der Rückseite des Fe-Targets zu dessen Verstärkung
vorgesehen ist, muß die Dicke des Fe-Targets kleiner
als 0,7 mm bemessen sein. Dies führt zu einem noch
ungünstigeren Ergebnis, nämlich zu einer sehr kurzen
Nutzungsdauer des Targets.
Es ist aus der DE-PS 23 50 322 an sich bekannt,
Spalten in einem Target vorzusehen, jedoch erfolgt
bei dieser bekannten Ausgestaltung die Zerstäubung
ohne magnetische Verstärkung, und es sind in den Spalten
Erdungsstege mit dem Zweck angeordnet, Entladungen
zwischen den Targetteilen zu verhindern.
Es ist außerdem aus der DE-OS 30 12 935 bekannt, die
Target in der Form eines Ringes vorzusehen (Fig. 11A
und 11B), jedoch ergibt sich hierdurch keine Ausgestaltung
des Targets in Form von wenigstens zwei Segmenten.
Es ist der Zweck dieser bekannten Ausgestaltung, das
Target durch den ringförmigen Freiraum zwischen vorhan
denen Magnetringen führen zu können.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Vorrichtung
der eingangs bezeichneten Art so auszugestalten, daß
sich eine längere Lebensdauer für das Target erreichen
läßt.
Diese Aufgabe wird durch die kennzeichnenden Merkmale
des Anspruchs 1 gelöst.
Aufgrund der erfindungsgemäßen Ausgestaltung wird
an der Vorderseite des Targets ein magnetisches Streufeld
erzeugt, wodurch die Plasmadichte und die Leistungsfähig
keit der Vorrichtung vergrößert wird. Außerdem ermöglicht
die erfindungsgemäße Ausgestaltung eine dickere Bemessung
des Targets, wodurch die Lebensdauer des Targets ver
längert wird.
Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in
den Unteransprüchen beschrieben.
Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend anhand
der Zeichnungen beschrieben. Es zeigt
Fig. 1 eine vereinfachte Darstellung einer Vorrichtung zur
ferromagnetischen Schnellzerstäubung im Schnitt;
Fig. 2 eine vergrößerte Schnittansicht eines wesentlichen Teils
der Vorrichtung;
Fig. 3 eine perspektivische Teilansicht der Vorrich
tung;
Fig. 4 ein Diagramm der Kennlinien eines magnetischen
Streufeldes;
Fig. 5 ein Diagramm, das die Beziehungen zwischen ei
nem schmalen Spalt zwischen zwei Targetsegmenten und einem eindringenden
Plasma zeigt;
Fig. 6 ein Diagramm der Kennlinien eines elektrischen
Entladestromes;
Fig. 7 und 8 abgewandelte Ausführungsformen für ein Target in
der Draufsicht;
Fig. 9 ein weitere Abwandlung im Schnitt;
Fig. 10 eine weitere Abwandlung in perspektivischer Darstellung;
Fig. 11 ein Diagramm der Kennlinien eines magnetischen
Streufeldes der Vorrichtung gemäß Fig. 10;
Fig. 12 ein Diagramm der Kennlinien eines Entladestro
mes der Vorrichtung gemäß Fig. 10;
Fig. 13 ein Diagramm, das die Eintrittsbedingungen für
Plasma in einen kleinen Spalt zeigt.
In den Fig. 1 und 3 bezeichnet das Bezugszeichen 1 ein
Target aus ferromagnetischem Material wie Fe oder dgl.,
welches so in einer evakuierbaren Kammer 17 angeordnet ist,
daß es mit seiner Vorderseite zu einem Substrat 18 hinweist. Das Bezugszeichen 2
bezeichnet eine Stützplatte aus nichtferromagnetischem Ma
terial, die an der Rückseite des Targets 1 angeordnet ist.
Mit 3 ist eine Magnetfeld-Erzeugungsein
richtung bezeichnet, die aus einem Bariumferrit-Magnet oder dgl. be
steht und an der Rückseite der Stützplatte 2 vorgesehen ist.
Bezugszeichen 4 bezeichnet einen Kühlwasserbehälter aus
nichtferromagnetischem Material, der Kühlwasser enthält,
und Bezugszeichen 3 a bezeichnet ein Joch. Wenn an das
Target 1 in diesem Zustand ein Kathodenpotential angelegt wird, wird es
zerstäubt, wobei feine Partikel desselben
auf dem Substrat 18 niedergeschlagen werden. Das Bezugszeichen 19
bezeichnet eine Anode, und das Bezugszeichen 20 eine Gleichspannungs
quelle. Soweit unterscheidet sich der Aufbau nicht besonders von
einer herkömmlichen Zerstäubungsvorrichtung.
Das Target 1 ist aus einer
Vielzahl von Segmenten 1 a aus ferromagnetischem Material
aufgebaut, welche so angeordnet sind, daß die einander be
nachbarten Segmente 1 a durch einen kleinen Spalt 5 voneinander
beabstandet sind.
Bei dem in den Fig. 1 und 3 gezeigten Ausführungsbeispiel ist jedes Seg
ment 1 a aus ferromagnetischem Material zu einem ringförmi
gen Körper geformt, welcher einen rechteckigen Querschnitt
und eine Breite b von 5 mm aufweist. Die Segmente 1 a sind an
der Stützplatte 2 derart angeordnet, daß ein kleiner Spalt
5 von 1 mm zwischen jeweils benachbarten Segmenten 1 a bleibt.
Hinter dem Fe-Target 1 dieser Größe und Gestalt ist eine
Magnetfeld-Erzeugungseinrichtung 3 vorgesehen, die einen
Bariumferrit-Magneten 3 umfaßt. Als Ergebnis von Intensi
tätsmessungen des Magnetfeldes in der Horizontalrichtung
an einem Punkt c, welcher in der Mitte zwischen den Magnet
polen und in einem Abstand von 3 mm von der Vorderseite des
Targets 1 liegt, wobei die Dicke t des Targets 1 verändert
wird, wird die in Fig. 4 gezeigte Kurve A erhalten. Da
gegen ist das Ergebnis der Intensitätsmessung des Magnet
feldes im Fall eines herkömmlichen Targets, das aus Fe
besteht und die Gestalt einer Platte mit durchgehender
Oberfläche besitzt, wobei deren Dicke verändert wird, durch
die Kurve B in Fig. 4 gezeigt. Hinsichtlich der Intensi
tät G des Magnetfeldes ist die Kurve B niedriger als die
Kurve A, ausgenommen der Fall, in dem die Dicke des Targets
0 mm beträgt, das heißt, in welchen nur die Stützplatte
allein vorhanden ist. Um ein magnetisches Streufeld einer
Intensität von mehr als 2 × 10-2 T zu erzeugen, das für eine
Schnell- oder Hochgeschwindigkeitszerstäubung
erforderlich ist, muß die Dicke eines Targets 0,7 mm oder
weniger betragen, und wenn das Target 1 stärker als 2 mm ist,
kann seine magnetische Sättigung nicht erreicht werden, so
daß kein magnetisches Streufeld erzeugt werden kann, das
an der Oberfläche des Targets streut. Hier
kann jedoch, selbst wenn die Dicke des Targets 1 etwas we
niger als 5 mm beträgt, ein magnetisches Streufeld von etwa
2 × 10-2 T erhalten werden.
Ein entsprechend dickes Target 1 ist für eine vergleichsweise lange Zer
stäubungszeit haltbar, und es kann auch eine Magnetfeld-
Erzeugungseinrichtung 3 verwendet werden, deren Magnetfeld
stärke niedriger ist als ihr magnetischer Sättigungswert.
Wenn der zwischen den Segmenten 1 a gebildete kleine
Spalt 5 zu groß ist, tritt Plasma in ihn ein, mit dem Er
gebnis, daß die Stützplatte 2 durch das Plasma zerstäubt
wird und die zerstäubten Partikel auf dem Substrat 18 als
Fremdmaterial niedergeschlagen werden, was ungünstig ist.
Wenn jedoch, wie durch den Bereich C in Fig. 5 gezeigt,
der kleine Spalt 5 kleiner als etwa 3 mm aus
gelegt wird, kann das Plasma ohne Rücksicht auf die Argon-
Druckwerte nicht in den kleinen Spalt 5 eintreten, und folg
lich kann die Stützplatte 2 nicht durch das Plasma zer
stäubt werden. Ein in der gleichen Figur gezeigter Bereich
D bezeichnet den Bereich, innerhalb welchem ein Eintreten
von Plasma stattfindet.
Elektrische Entladungs-Kennlinien für den Fall eines ferro
magnetischen Segments 1 a von quadratischer Gestalt, welches
5 mm dick und 5 mm breit ist, werden durch die Kurven E-J
in Fig. 6 dargestellt. Daraus ist erkennbar, daß eine einer
Schnellzerstäubung eigene hohe Entladung mit einem solchen
Target erhältlich ist.
In Fig. 6 wird die Kurve E im Fall eines Argon-Gasdrucks
von etwa 1,3 × 10-2 mbar erhalten, die Kurve G bei etwa 6,5 × 10-3 mbar,
die Kurve H bei etwa 3,9 × 10-3 mbar, die Kurve I bei etwa 1,3 × 10-3 mbar
und die Kurve J bei etwa 6,5 × 10-4 mbar. Im Fall der Kurve G
wird mit 630 V und 8 A eine Niederschlagsgeschwindigkeit
von 6100 Å/min erhalten.
Als andere Maßnahme zur Bildung des kleinen Spaltes 5 kann
in Betracht gezogen werden, nach dem Verbinden des flachen
plattenförmigen Targets aus ferromagnetischem Material mit
der Stützplatte das Target 1 an seiner Vorderseite auf
zuschneiden, so daß eine große Zahl kleiner Spalte in einer
Gitterformation gebildet wird, wie in Fig. 7 und Fig. 8
gezeigt. Das Target 1 ist dann so aufgebaut, daß es eine
große Zahl kleiner quadratischer Segmente 1 a aus ferromagneti
schem Material aufweist. Im Fall der Anordnung gemäß Fig.
8 befinden sich die schmalen Spalte 5 nicht unter rechtem
Winkel zu dem Magnetfeld in der Richtung X-X und der Rich
tung Y-Y, sondern es wird ein Magnetfeld erzeugt in den
Richtungen, die einer Zusammensetzung von Linienvektoren
des magnetischen Streufeldes entsprechen, das von den
kleinen Spalten 5 gestreut wird, die das von dem Target 1 ent
wickelte Magnetfeld kreuzen, und daher treten mit einem solchen
Target 1 in der praktischen Anwendung als Ganzes
keine Schwierigkeiten auf.
Ferner kann die Vorrichtung so abgewandelt werden, daß
mehrere Magnete, welche die Magnetfeld-Erzeugungseinrich
tung 3 bilden, in axialer vertikaler Richtung angeordnet
sind und mehrere ringförmige Segmente 1 a aus ferromagneti
schem Material so angeordnet sind, daß zwischen ihnen
kleine Spalte 5 verbleiben und daß sie die Erzeugungseinrich
tung 3 derart umgeben, daß ein Target 1 mit einem rohr
förmigen Körper gebildet wird, welches sich zur Verwendung
in einer koaxialen Zerstäubungsvorrichtung eignet.
Außerdem kann die Vorrichtung so ausgebildet sein, daß ein Vorsprung
bzw. bergförmiger Abschnitt 7 mit Schrägflächen 6 an der Vorderseite
jedes der kleinen Segmente 1 a aus ferromagnetischem
Material vorgesehen wird, so daß die Schrägflächen 6 als
Zerstäubungsflächen zum allmählichen Zerstäuben und Ver
brauch dienen.
Eine Ausführung dieser Art ist in Fig. 10 gezeigt. Bei diesem
Ausführungsbeispiel besteht die Magnetfeld-Erzeugungseinrichtung 3 aus Barium
ferrit-Magneten. Jedes der kleinen Segmente 1 a aus ferromag
netischem Material ist so bemessen, daß die Höhe L seines
Basisabschnitts 8 5 mm und die Höhe M des bergför
migen Abschnitts 7 20 mm beträgt. Ferner sind die jeweiligen
ferromagnetischen Segmente 1 a so an der Stützplatte 2 ange
ordnet, daß der Abstand N zwischen den benachbarten bergför
migen Abschnitten 7 20 mm beträgt.
Wenn bei dieser Vorrichtung unter Veränderung des Spaltes 5
zwischen den benachbarten Basisabschnitten 8 die Intensität
des Magnetfeldes oberhalb des Spaltes 5 an
Punkten O, P, Q und R ermittelt wird, die im jeweiligen Abstand
von 5 mm voneinander im Zwischenraum
zwischen den Schrägflächen 6 einander benachbarter bergförmiger
Abschnitte 7 liegen werden die Kurven
9, 10, 11, 12 erhalten, die in Fig. 11 gezeigt sind.
Die Kurve 9 zeigt die Magnetfeldstärke an dem Meßpunkt O,
und die Kurven 10, 11, 12 zeigen die Magnetfeldstärken an
den jeweiligen Meßpunkten P, Q, R. Daraus geht hervor:
Wenn der Abstand des schmalen Spaltes 5 Null ist, das heißt, wenn die Basisabschnitte 8 in Kontakt miteinander gebracht werden und ineinander übergehen, werden die Magnetfeld stärken an sämtlichen Meßpunkten kleiner als 2 × 10-4 T, die jenseits der Meßbarkeit liegen, und in diesem Kontaktzustand erreicht das Segment 1 a aus ferromagnetischem Material seine magnetische Sättigung nicht. Aus Fig. 11 geht auch hervor, daß bei allmählicher Verbreiterung des kleinen Spaltes 5 die Magnetfeldstärken an sämtlichen Meßpunkten abrupt an steigen und danach allmählich weiter steigen, und selbst in dem Fall, in dem der Spalt 5 sehr klein ist und nur etwa 0,5 mm beträgt, können solche starke magnetische Streufeldkräfte wie 1,7 × 10-2 T am Punkt O und 6 × 10-2 T am Punkt R erhalten werden. Also ist selbst bei einem Magnetfeld, welches unterhalb des magnetischen Sättigungs wertes liegt, ein ausreichend starkes magnetisches Streufeld zu erhalten.
Wenn der Abstand des schmalen Spaltes 5 Null ist, das heißt, wenn die Basisabschnitte 8 in Kontakt miteinander gebracht werden und ineinander übergehen, werden die Magnetfeld stärken an sämtlichen Meßpunkten kleiner als 2 × 10-4 T, die jenseits der Meßbarkeit liegen, und in diesem Kontaktzustand erreicht das Segment 1 a aus ferromagnetischem Material seine magnetische Sättigung nicht. Aus Fig. 11 geht auch hervor, daß bei allmählicher Verbreiterung des kleinen Spaltes 5 die Magnetfeldstärken an sämtlichen Meßpunkten abrupt an steigen und danach allmählich weiter steigen, und selbst in dem Fall, in dem der Spalt 5 sehr klein ist und nur etwa 0,5 mm beträgt, können solche starke magnetische Streufeldkräfte wie 1,7 × 10-2 T am Punkt O und 6 × 10-2 T am Punkt R erhalten werden. Also ist selbst bei einem Magnetfeld, welches unterhalb des magnetischen Sättigungs wertes liegt, ein ausreichend starkes magnetisches Streufeld zu erhalten.
Ferner ist bei der Breite des Spaltes 5 von 1 mm
die elektrische Entladungskennlinie ermittelt worden, und die
Ergebnisse sind in Fig. 12 gezeigt. In diesem Fall wird die
Messung unter der Bedingung durchgeführt, daß die Größe des
Targets 1 5 × 8 Zoll beträgt und eine Gleichstromzerstäubung
durchgeführt wird.
Gemäß Fig. 12 wird die Kurve 13 im Fall eines Argon-Gasdrucks
von etwa 1,3 × 10-2 mbar erhalten, und die Kurven 14, 15 und 16
werden in den entsprechenden Fällen der gleichen Gasdrucke
von etwa 9,1 × 10-2, 6,5 × 10-3 und 1,3 × 10-3 mbar erhalten. Daraus
ist erkennbar, daß in den entsprechenden Fällen hohe elektri
sche Entladeströme erhalten werden können, die für die
Schnellzerstäubung eigentümlich sind. Auch im Fall der Kurve
14 wird bei 500 V und 9 A die Niederschlagsgeschwindigkeit
auf dem Substrat 4500 Å/min, was mehr ist als das Zehnfache
der Niederschlagsgeschwindigkeit bei einer gewöhnlichen RF-
Zerstäubung.
Mit Zunahme der Breite des Spaltes 5 wird das mag
netische Streufeld an der Oberfläche des Targets 1 vergrö
ßert. Aber wenn die Breite zu groß wird, tritt das Plasma
in den Spalt 5 ein und zerstäubt die Stützplatte 2, was zur
Ursache des Einschlusses von Verunreinigungen in einem
Niederschlagsprodukt wird. Wenn aber der Spalt 5 so
eingestellt wird, daß er kleiner als etwa 3 mm ist, kann
das Plasma nicht in den Spalt 5 eintreten, so daß die Stütz
platte 2 nicht zerstäubt wird, wie durch einen Bereich V ge
zeigt. Das Symbol U in der gleichen Fig. 13 markiert einen
Bereich, innerhalb welchem das Eintreten von Plasma
möglich ist.
Die Vorrichtung arbeitet folgendermaßen:
Das Magnetfeld, das von der Magnetfeld-Erzeugungseinrichtung
3 erzeugt wird, welche auf das Target 1 aus ferromagneti
schem Material von hinten wirkt, stellt sich an der Vorderseite des
Targets 1 als verhältnismäßig starkes magnetisches Streufeld dar,
da das Target 1 aus einer Vielzahl voneinander
beabstandeter Segmente 1 a aufgebaut ist, und wenn das Target 1
durch Anlegen des Kathodenpotentials zerstäubt wird, wird
durch das magnetische Streufeld die Plasmadichte vergrößert,
so daß eine Hochgeschwindigkeits- oder Schnell
zerstäubung des ferromagnetischen Segments 1 a des Targets 1
erfolgt.
Bei der Ausgestaltung eines Targets
mit Segmenten 1 a in Form von bergförmigen Abschnitten 7 mit
Schrägfläche 6 wird
ferner die Zerstäubungsfläche vergrößert, und gleichzeitig
wird das Volumen jedes Segments 1 a durch den bergförmigen
Abschnitt 7 vergrößert. Es wird somit ein Target 1 längerer Lebensdauer geschaffen.
Bei der erfindungsgemäßen Ausgestaltung
kann selbst dann, wenn die
Magnetfeldstärke einer Magnetfeld-Erzeugungseinrichtung,
die hinter dem Target angeordnet ist, unterhalb eines magne
tischen Sättigungswertes liegt, ein vergleichsweise starkes
magnetisches Streufeld an der Oberfläche des Targets 1 erzeugt
werden, und dementsprechend kann eine Magnetfeld-Erzeugungs
einrichtung verwendet werden, welche ein vergleichsweise
schwaches Magnetfeld entwickelt und nicht teuer ist, und
außerdem kann die Dicke des Targets auf das 5-7fache der
Dicke eines herkömmlichen Targets in einer durchgehenden
Plattengestalt vergrößert werden, so daß die Haltbarkeit des
Targets 1 verbessert wird und das Zerstäuben des Targets 1 aus
ferromagnetischem Material kontinuierlich und mit gutem
Wirkungsgrad durchgeführt werden kann. Ferner wird durch
die Anordnung eines bergförmigen Abschnitts 7 an der Vorderseite
jedes ferromagnetischen Segments 1 a eine lange
Lebensdauer erzielt.
Claims (5)
1. Vorrichtung zur ferromagnetischen Schnellzerstäubung,
bei welcher in einer evakuierbaren Kammer ein Target
aus ferromagnetischem Material, das als Kathode
dient, sowie ein Substrat angeordnet sind und rücksei
tig vom Target eine Magnetfeld-Erzeugungseinrichtung
vorgesehen ist,
dadurch gekennzeichnet, daß das Target (1) aus
wenigstens zwei Segmenten (1 a) aus ferromagnetischem
Material besteht, die durch einen kleinen Spalt (5)
voneinander getrennt angeordnet sind.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß jedes Segment (1 a) an seiner Vorderseite mit
einem bergförmigen Abschnitt (7) versehen ist,
der wenigstens eine Schrägfläche (6) aufweist.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die Segmente (1 a) ringförmig ausgebildet und
koaxial zueinander angeordnet sind.
4. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch
gekennzeichnet, daß die Segmente (1 a) mit ihrer
Rückseite an einer Stützplatte (2) abgestützt sind.
5. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch
gekennzeichnet, daß der bzw. die Spalte (5) kleiner
als etwa 3 mm ist bzw. sind.
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JP4413381A JPS57160114A (en) | 1981-03-27 | 1981-03-27 | High speed sputtering apparatus for ferromagnetic body |
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ID=26383984
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DE19823211229 Granted DE3211229A1 (de) | 1981-03-27 | 1982-03-26 | Vorrichtung zur ferromagnetischen schnellzerstaeubung |
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Country | Link |
---|---|
US (1) | US4401546A (de) |
CH (1) | CH649578A5 (de) |
DE (1) | DE3211229A1 (de) |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
D2 | Grant after examination | ||
8363 | Opposition against the patent | ||
8366 | Restricted maintained after opposition proceedings | ||
8305 | Restricted maintenance of patent after opposition | ||
D4 | Patent maintained restricted |