DE3206869C2 - Metalloxid-Varistor und Verfahren zu seiner Herstellung - Google Patents

Metalloxid-Varistor und Verfahren zu seiner Herstellung

Info

Publication number
DE3206869C2
DE3206869C2 DE3206869A DE3206869A DE3206869C2 DE 3206869 C2 DE3206869 C2 DE 3206869C2 DE 3206869 A DE3206869 A DE 3206869A DE 3206869 A DE3206869 A DE 3206869A DE 3206869 C2 DE3206869 C2 DE 3206869C2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
noble metal
varistor
pattern
metal oxide
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DE3206869A
Other languages
English (en)
Other versions
DE3206869A1 (de
Inventor
Lionel Monty 12309 Schenectady N.Y. Levinson
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
General Electric Co
Original Assignee
General Electric Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by General Electric Co filed Critical General Electric Co
Publication of DE3206869A1 publication Critical patent/DE3206869A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE3206869C2 publication Critical patent/DE3206869C2/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C17/00Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
    • H01C17/28Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for applying terminals
    • H01C17/281Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for applying terminals by thick film techniques
    • H01C17/283Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits
    • H01C17/285Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits applied to zinc or cadmium oxide resistors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C7/00Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H01C7/10Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material voltage responsive, i.e. varistors
    • H01C7/102Varistor boundary, e.g. surface layers
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002Electrical device making
    • Y10T29/49082Resistor making
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002Electrical device making
    • Y10T29/49082Resistor making
    • Y10T29/49099Coating resistive material on a base

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Thermistors And Varistors (AREA)
  • Details Of Resistors (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)

Abstract

Lötbare Elektroden weitgehend aus Nicht-Edelmetall für Metalloxid-Varistoren werden durch Siebdrucken einer elektrisch leitfähigen, in Luft brennbaren Nicht-Edelmetallmasse auf ein Varistormaterialsubstrat hergestellt. Eine verteilte, feine Edelmetallanordnung wird über das aufgedruckte Nicht-Edelmetall siebgedruckt und der Varistor in Luft auf eine Temperatur zwischen etwa 500 und 800 ° C erhitzt. Die Varistorzuleitungen sind an die Edelmetallanordnung leicht lötbar.

Description

a) Siebdrucken einer Nicht-Edelmetallelektrode (3) auf ein Metalloxid-Varistorsubstrat,
b) Trocknen der aufgedruckten Nicht-Edelmetallelektrode (3),
c) Siebdrucken eines verteilten Edelmetallmusters (2; 4) auf die gedruckte Nicht-Edelmetallelektrode (3), wobei das Muster (2; 4) ausgewählte Bereiche der Nicht-Edelmetallelektrode bedeckt, und
d) Erhitzen des Metalloxid-Varistorsubstrats.
7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Nicht-Edelmetallelektrode (3) wenigstens ein Material aus der Gruppe Nickel, Aluminium und Chrom umfaßt.
8. Verfahren nach den Ansprüchen 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, daß das Edelmetall ein Material aus der Gruppe Silber, Platin, Palladium und Gold umfaßt.
9. Verfahren nach den Ansprüchen 6, 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, daß zum Trocknen das Metalloxid-Varistorsubstrat in Luft bei einer Temperatur zwischen etwa IQO und 1500C für eine Zeit zwischen etwa 2 und 10 min. erwärmt wird.
I O.Verfahren nach Ansprüchen 6, 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, daß zum Erhitzen das Metalioxid-Varistorsubstrat in Luft auf eine Temperatur zwischen etwa 500 und 800°C für eine Zeit bis zu 1 h erhitzt wird.
Die Erfindung bezieht sich auf einen Metalloxid-Varistor mit an wenigstens einer Hauptoberfläche angebrachten Elektroden umfassend wenigstens eine Nicht-Edelmetallelektrode, die an den Metalloxid-Varistor gebunden ist und damit einen elektrisch leitfähigen Kontakt bildet
Ein derartiger Metalloxid-Varistor ist aus der DE-OS 18 02 452 bekannt
Ein Zinkoxid (ZnO)-Varistor umfaßt typischerweise eine Scheibe aus Varistormaterial mit an wenigstens einer ihrer Hauptoberflächen befestigten Elektroden. Wenngleich es eine Reihe von Methoden zur Befestigung von Elektroden am Varistormaterial gibt, werden die Leitungen zum Verbinden des Varistors mit einem elektrischen Schaltkreis gewöhnlich durch Löten an den Elektroden befestigt Lötfähige Elektroden für Varistoren, die kommerziell angewandt werden, sind entweder siebgedrucktes Silber oder flammgespritztes Messing. Andere Verfahren zum Befestigen von Elektroden umfassen z. B. das Verdampfen und die stromlose Metallabscheidung. Diese Methoden sind technisch möglich, aber mit Ausnahme der größeren sind kostspieligere Varistoren unwirtschaftlich, zum Teil aufgrund der Tatsache, daß sie nicht leicht zu automatisieren sind.
Ein Verfahren zum Befestigen von Varistorelektroden, das wirtschaftlich und leicht automatisierbar ist, ist das Siebdrucken. In ufer Tat werden ZnO-Varistoren für elektronischen Anlagenschutz derzeit unter Verwendung von siebgedruckten Silberelektroden hergestellt. Aus Silber oder Edelmetall bestehende Elektroden sind teuer. Daher ist es wünschenswert, einen Ersatz für Silber zu finden. An Luft brennbare, siebdruckfähige Nicht-Edelmetall-Leiterpasten solcher Metalle wie Nikkei (Ni), Aluminium (Al) und Chrom (Cr) stehen zur Verfügung und sind prinzipiell für Varistorelektroden brauchbar. Diese Materialien jedoch sind nicht leicht lösbar und haben einen hohen Widerstand im Vergleich mit dem von Materialien auf Silber-Basis. Beispielsweise haben Nickel-, Aluminium- imd Ck-r-melektroden Widerstände von 40 bis 80, 20 bis 50 bzw. 500 bis 900 ΓηΩ/α. Elektroden auf Silber-Basis mit Widerständen von 2 bis 4 ιηΩ/ D sind üblich.
Der Erfindung lag die Aufgabe zugrunde, einen Metalloxid-Varistor gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1 durch Verringern des spezifischen Widerstandes mindestens einer Elektrode zu verbessern.
Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe gelöst durch ein Muster verteilten Edelmetall, das einen elektrisch leitfähigen Kontakt mit der Nicht-Edelmetallelektrode bildet, wobei das Edelmetall-Muster einen ausgewählten, zur Erzielung eines hinreichend niedrigen Kontaktwiderstandes ausreichenden Teil der Gesamtfläche der Nicht-Edelmetallelektrode bedeckt.
Das Edelmetallmuster kann von jeder geeigneten Konfiguration sein und kann z. B. ein durch sich schneidende Streifen gebildetes Gitter oder eine Reihe von Punkten sein. Die Elektroden werden durch Siebdrukken eines Nicht-Edelmetalls, wie von Nickel, Aluminium oder Chrom, auf ein Metalloxid-Varistorsubstrat hergestellt. Nach einer Trocknungsstufe wird das Edelmetallmuster auf die Nicht-Edelmetallelektrode durch Siebdruck aufgebracht. Das Varistorsubstrat wird etwa eine Minute bis eine Stunde bei einer Temperatur von etwa 500 bis 800°C erhitzt, wodurch elektrisch leitfähige Bindungen vom Nicht-Edelmetall zum Varistorsubstrat bzw. zum Edelmetallmuster ausgebildet werden. Die Varistorzuleitungen werden an das Edelmetallmuster gelötet.
Die Erfindung ist sowohl im Hinblick auf Anordnung als auch Betriebsweise am besten unter Bezugnahme auf die folgende Beschreibung in Verbindung mit den Figuren zu verstehen; von diesen veranschaulicht
F i g. 1 eine Draufsicht auf einen erfindungsgemäßen Metalloxid-Varistor, wobei das auf der Nicht-Edelmetallelektrode angeordnete lötfähige Edelmetallmuster ein durch rechtwinklige, sich schneidende Edelmetallstreifen gebildetes Gitter ist;
Fig. 2 eine Draufsicht auf einen Metalloxid-Varistor ähnlich dem der Fig. 1, worin das Muster eine Reihe von Edelmetallpunkten, auf der Nicht-Edelmetallelektrode durch Siebdruck aufgebracht ist, und
F i g. 3 ist eine Seitenansicht des in F i g. 2 dargestellten Varistors, die an gegenüberliegenden Seiten des Varistors angebrachte Elektroden veranschaulicht
F i g. 1 veranschaulicht eine kreisförmige Nicht-Edelmetallelektrode 3, an jeder Seite an eine herkömmliche Varistorscheibe t bzw. ein verteiltes Edelmetallmuster 2 gebunden und damit elektrische Kontakte bildend. Das Muster 2 besteht aus einer Reihe rechtwinklig sich schneidender Streifen der Breite t, wobei paralitle Streifen durch einen Abstand L getrennt sind. Der Durchmesser der Elektrode 3 ist mit D bezeichnet. Eine praktisch identische Nicht-Edelmetallelektrode 3 und ein Gitter 2 können auf der gegenüberliegenden Seite (nicht dargestellt) der Varistorscheibe 1 gebildet sein. Bei manchen Varistoranwendungen jedoch kann es wünschenswert sein, die Elektroden auf der selben Seite eines einzigen Varistorsubstrats herzustellen, das nichtkreisförmig gestaltet sein kann. Dies ist eine besonders kostenwirksame Methode zum Anbringen von Elektroden auf einem Varistormaterial, da die Elektroden in einem einzigen Vorgang siebgedruckt werden können.
F i g. 2 veranschaulicht ein alternatives Edelmetallmuster 4 aus einer Reihe von kleinen kreisförmigen Edelmetallflächen. Eine Seitenansicht der in Fig.2 dargestellten Ausführungsform ist in F i g. 3 wiedergegeben und veranschaulicht eine Nicht-Edelmetallelektrode 3' und ein Muster 4' aus Edelmetallflächen auf der in F i g. 2 nicht sichtbaren Seite der Varistorscheibe 1. Bemerkt sei, daß das Gittermuster 2 der F i g. 2 und die in Fig.2 veranschaulichte »Punkte«-Reihe lediglich beispielhaft sind. Die Erfindung funktioniert auch mit anderen Mustern, vorausgesetzt, die nachfolgend ausgeführten Kriterien finden Anwendung.
Die Varistorscheibe 1 kann irgendeine einer großen Anzahl herkömmlicher Zinkoxid-Varistormassen umfassen. Nicht-Edelmetallelektroden 3 können z. B. Nikkei oder Chrom sein, aber bei der bevorzugten Ausführungsform sind sie aus Aluminium. Nicht-Edelmetall-Dickfilmpasten, die sich zur Verwendung beim Siebdrucken der Elektrode 3 eignen, stehen auf der Basis von Nickel, Aluminum bzw. Chrom zur Verfügung. Bei der bevorzugten Ausführungsform wird eine Dickfilm-Silberpaste zum Siebdrucken des Gittermusters 2 der F i g. 1 und der Punktereihe der F i g. 2 und 3 verwendet. Alternativ können Metalle, wie Platin, Palladium und Gold, zur Ausbildung des Edelmetallmusters auf der Elektrode 3 verwendet werden.
Zur Herstellung der Elektroden wird ein herkömmliches Siebdruckverfahren angewandt. Die Nicht-Edelmetallelektrode 3 wird zuerst unter Verwendung eines feinmaschigen Siebes mit z. B. einem kreisförmigen, durchlässigen, darauf gebildeten Muster gedruckt. Die <>5 Nicht-Edelmetall-Dickfilmpaste dringt durch die durchlässigen Teile des Siebes auf das Varistorsubstrat 1. wo sie zurückbleibt, wenn das Sieb abgenommen wird. Vor dem Siebdrucken eines Silbermusters z. B. wird die frisch gedruckte Nicht-Edelmetallelektroiie 3 getrocknet, was sie ihre Form während der Verarbeitung beibehalten läßt Das Trocknen geschieht durch Erwärmen des Varistorsubstrats in Luft auf eine Temperatur zwischen etwa 100 und 150° C für eine Zeit zwischen 2 und 10 min. Sodann wird das Silbermuster über die getrocknete Nicht-Edelmetallelektrode siebgedruckt. Nach dem Abschluß des Siebdruckvorgangs wird der Varistor in Luft bei einer Temperatur zwischen 500 und 800° C für bis zu 1 h gebrannt Wenngleich Silberelektroden bei einer Temperatur bis hinauf zu 800° C gebrannt werden können, ist es wünschenswert, die Nicht-Edelmetall/Silberelektrode bei einer Temperatur zwischen 500 und 6000C zu brennen, um die Bildung unerwünschter Nicht-Edelmetalloxide minimal zu halten.
Das Sintern des Varistors führt zur Bildung elektrisch leitender Haftbindungen von der Nicht-Edelmetallelektrode 3 zum Varistorsubstrat 1 bzw. zum Edelmetallelektrodenmuster. Von Bedeutung 'v. die Feststellung, daß, obgleich es schwierig ist, das Nici.i-Edclrncta!! zur Ausbildung einer elektrisch leitfähigen Bindung zu löten, während der Sinterstufe das Edelmetall leicht eine elektrisch leitfähige Bindung zum Nicht-Edelmetali ausbildet. Danach werden Varistorzuleitungen durch Löten an den Edelmetallmustern befestigt.
Im allgemeinen ist es wünschenswert, die Menge des in der Elektrode verwendeten Edelmetalls soweit wie möglich herabzusetzen. Wenn jedoch d:e in F i g. 1 gezeigten Gitterstreifen zu schmal gemacht werden, zuweit auseinander angeordnet werden oder nicht genügend Silber aufgedruckt wird, kann es schwierig sein, die Varistorzuleitungen zu löten. Es wurde gefunden, daß für die in F i g. 1 dargestellte Ausführungsform t = 0,01 cm, L = 0,1 cm und für eine Dicke des Musters 2 zwischen 12,7 und 25,4 μηι (0,5 und 1 mil) ein zufriedenstellend lötfähiges Muster entsteht. Die Dicke der Nicht-Edelmetallelektrode 3 kann zwischen 6,35 und 76,2 Jim (0,25 und 3 mils) sein.
Nicht-Edelmetallelektroden alleine sind nicht brauchbar als Varistorelektroden, da Nicht-Edelmetalle nicht nur schwer zu löten sind, sondern sie auch viel höhere Widerstände als z. B. Silber haben, das bei der bevorzugten Ausführungsform verwendet wird. Der Flächenwiderstand von Aluminiumelektroden z. B. ist 20 bis 5OmQ/D. Der Einfluß eines hohen Flächenwiderstandes kann so veranschaulicht werden, daß man Varistoren betrachtet, die einen Leitungsquerschnitt von 1 cm2 haben und Ströme bis zu 5 · 103A leiten können. Eine Vorrichtung mit einer Nicht-Edelmetallelektrode mit einem Flächenwiderstand von 20 · 10--Ώ/Π könnten so einen Spannungsabfall von etwa 100 V (5 · If" · 20 · ΙΟ-3) in der Elektrode haben, wenn Strom vom Zuleitungsanschlußpunkt zum Elektrodenumfang fließt. Ein Spannungsabfall dieser Größenordnung ist unannehmbar hoch.
Die Art und Weise, in der der Einfluß eines hohen spezifischen Nicht-Edelmetall-Widerstandes erfindungsgemäß überw unden wird, mag besser verständlich werden, wenn man berücksichtigt, daß für das Gittermuster 2 der Fig. 1 der effektive Maximalwiderstand bis zu einem Punkt in der Elektrode 3 annähernd wider-
/LV
gegeben wird durch den Ausdruck ρ 1—J , wobei ρ der
Nicht-Edelmetall-Widerstand/a, L der Gitterabsiand und D der Durchmesser der Elektrode 3 ist. Der Widerstand des Edelmetall-Gittermusters 2 kann vernachlä-
ßigbar sein, da er vergleichsweise niedrig ist. Das Muster wäre in jedem Falle nach der Zuleitungsbefestigiing von einer dicken Lotschicht innig überzogen. So kann für einen typischen Gitterabstand L von etwa 0,1 cm und einen Durchmesser Z?der Elektrode 3 von 1 cm der tatsächliche Widerstand/O der Elektrode 3 zu 0,01 ρ angegeben werden. Wenn Aluminium mit einem Flächenwiderstand von 20 bis 50 ιτιΩ/cm2 für die Elektrode 3 verwendet wird, wird ein effektiver Elektrodenwider· stand/D von 0,2 bis 0,5 γπΩ/G erhalten. So lägen Span- ι ο nungsabfälle in Gegenwart eines Strompulses von 5 · 103 A in der Größenordnung von 1 V in der Nicht-Edelmetallelektrode. Dies ist beim Betrieb der Vorrichtung ohne Bedeutung.
Die Menge des zur Bildung des Musters 2 in Fig. I erforderlichen Edelmetalls ist proportional dem Verhältnis t/L, multipliziert mit der Fläche der Elektrode 3. Wenn t = 0.01 cm. L = 0.1 cm und die Fläche der Elektrode = 1 cm2, ist die erforderliche Menge an Edelmetall etwa 0,1 cm2. Dies stellt eine Verringerung des Edelmetallbedarfs um einen Faktor 10 dar, verglichen mit einer vollständig aus Edelmetall bestehenden Elektrode mit einer Fläche von 1 cm2 (unter der Annahme, daß das Silbermuster 2 und die vollständig aus Edelmetall bestehende Elektrode die gleiche Dicke haben).
Der Grund dafür, daß die Menge an zur Bildung einer Varistorelektrode verwendetem Edelmetall nicht durch einfaches Siebdrucken eines Edelmetallmusters ähnlich dem Muster 2 in Fig. 1 oder der Punkteanordnung der F i g. 2 direkt auf das Varistorsubstrat herabgesetzt werden kann, ist der, daß Strom durch das Varistormaterial nur zwischen mit Elektroden versehenen Flächen auf gegenüberliegenden Seiten des Varistors fließen würde. Dies würde zu unerwünschten Strom-»Kanälen« führen, die die Leistung des Varistors herabsetzen würden und für hinlänglich starke Ströme zu einem katastrophalen Varistorversagen führen könnten. Erfindungsgemäß wird ein solches Kanalisieren des Stroms durch die Verwendung der Nicht-Edelmetallelektrode vermieden, deren gesamte Oberfläche in innigem elektrischen Kontakt mit dem Varistormaterial steht. Es muß sorgfältig darauf geachtet werden, sicherzustellen, daß das Edelmetallmuster dicht genug ist (engen Abstand aufweist). um Spannungsgradienten in der Nicht-Edelmetallelektrode zu vermeiden. Wenn z. B. nur eine kleine Anzahl von Punkten 4 in der Mitte der Elektrode 3 in Fig. 2 aufgedruckt wäre, würde Strom vom Mittelbereich der Nicht-Edelmetallelektrode 3 zum Rand des Varistors fließen. Da die Nicht-Edelmetallelektrode 3 zum Rand des Varistors fließen. Da die Nicht-Edelmetallelektrode 3 einen nicht-vernachlässigbaren spezifischen Widerstand hat, würde ein Spannungsgradient entstehen, was dazu führen würde, daß ein Varistorstrom zu Kanalbildung zwischen den Bereichen höherer Spannung der jeweiligen Varistorelektroden neigen würde. Wie angegeben, kann dies zum Versagen des Varistors führen.
Aus den vorstehenden Betrachtungen ist zu entnehmen, daß die Erfindung einen Metalloxid-Varistor mit preiswerten Elektroden weitgehend aus Nicht-Edelmetall mit durch Siebdruck darauf aufgebrachtem, fein verteiltem, lötfähigem Edelmetallmuster bietet Aus der Verringerung der erforderlichen Edelmetallmenge und aus der Anwendung des leicht automatisierbaren Siebdruck-Herstellungsverfahrens ergeben sich beträchtliche Kostenersparnisse.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (6)

Patentansprüche:
1. Metalloxid-Varistor (1) mit an wenigstens einer Hauptoberfläche angebrachten Elektroden umfassend
wenigstens eine Nicht-Edelmetallelektrode (3), die an den Metalloxid-Varisator gebunden ist und damit einen elektrisch leitfähigen Kontakt bildet,
gekennzeichnetdurch to
ein Muster (2; 4) verteilten Edelmetalls, das einen elektrisch leitfähigen Kontakt mit der Nicht-Edelmetallelektrode (3) bildet, wobei das Edelmetall-Muster (2; 4) einen ausgewählten, zur Erzielung eines hinreichend niedrigen Kontaktwiderstandes ausreichenden Teil der Gesamtfläche der Nicht-Edelmetallelektrode (3) bedeckt
2. Metalloxid-Varistor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Nicht-Edelmetall wenigstens ein Material aus der Gruppe Nickel, Aluminium und Chrom umfaßt
3. Metalloxid-Varistor nach den Ansprüchen 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Edelmetall-Muster (2; 4) wenigstens ein Material aus der Gruppe Silber, Platin, Palladium und Gold umfaßt
4. Metalloxid-Varistor nach den Ansprüchen 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Edelmetallmuster (2) ein durch sich schneidende Streifen des Edelmetalls gebildetes Gitter aufweist
5. Metalloxid-Varistor nach den Ansprüchen 1, 2 oder 3, dadu/.h gekennzeichnet, daß das Edelmetallmuster (4) eine Reihe diskreter Edelmetallbereiche aufweist.
6. Verfahren zur Herstellung rines Metalloxid-Varistors nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch die folgenden Verfahrensschritte:
DE3206869A 1981-03-02 1982-02-26 Metalloxid-Varistor und Verfahren zu seiner Herstellung Expired DE3206869C2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US06/239,246 US4441094A (en) 1981-03-02 1981-03-02 Solderable largely base metal electrodes for metal oxide varistors

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE3206869A1 DE3206869A1 (de) 1982-09-16
DE3206869C2 true DE3206869C2 (de) 1984-05-17

Family

ID=22901283

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE3206869A Expired DE3206869C2 (de) 1981-03-02 1982-02-26 Metalloxid-Varistor und Verfahren zu seiner Herstellung

Country Status (6)

Country Link
US (1) US4441094A (de)
JP (1) JPS57159002A (de)
DE (1) DE3206869C2 (de)
FR (1) FR2500951A1 (de)
IE (1) IE53097B1 (de)
MX (1) MX150551A (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3638342A1 (de) * 1986-11-10 1988-05-19 Siemens Ag Elektrisches bauelement aus keramik mit mehrlagenmetallisierung und verfahren zu seiner herstellung
DE3900787A1 (de) * 1989-01-12 1990-07-19 Siemens Ag Verfahren zur herstellung eines keramischen elektrischen bauelementes

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4538347A (en) * 1984-06-18 1985-09-03 Gte Laboratories Incorporated Method for making a varistor package
US4866505A (en) * 1986-03-19 1989-09-12 Analog Devices, Inc. Aluminum-backed wafer and chip
JPH0834138B2 (ja) * 1987-05-28 1996-03-29 松下電器産業株式会社 サ−ジ吸収器
JPH0793203B2 (ja) * 1991-08-06 1995-10-09 日本碍子株式会社 電圧非直線抵抗体およびその製造方法
DE10227563B4 (de) * 2002-06-20 2004-08-12 Epcos Ag Elektrisches Bauelement mit Isolationszone
CN107359032A (zh) * 2017-08-09 2017-11-17 合肥圣达电子科技实业有限公司 一种铝‑银复合电极压敏电阻及其制备方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2278072A (en) * 1939-06-03 1942-03-31 Bell Telephone Labor Inc Electrical resistance device and method of manufacture thereof
NL6516296A (de) * 1965-12-15 1967-06-16
US3547835A (en) * 1969-06-09 1970-12-15 Du Pont Processes of producing and applying silver compositions,and products therefrom
JPS5816602B2 (ja) * 1979-02-09 1983-04-01 ティーディーケイ株式会社 電圧非直線性抵抗素子

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3638342A1 (de) * 1986-11-10 1988-05-19 Siemens Ag Elektrisches bauelement aus keramik mit mehrlagenmetallisierung und verfahren zu seiner herstellung
DE3900787A1 (de) * 1989-01-12 1990-07-19 Siemens Ag Verfahren zur herstellung eines keramischen elektrischen bauelementes

Also Published As

Publication number Publication date
FR2500951A1 (fr) 1982-09-03
IE53097B1 (en) 1988-06-22
MX150551A (es) 1984-05-25
JPS57159002A (en) 1982-10-01
FR2500951B1 (de) 1985-02-15
JPS643323B2 (de) 1989-01-20
US4441094A (en) 1984-04-03
DE3206869A1 (de) 1982-09-16
IE820150L (en) 1982-09-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69224965T2 (de) Verbesserte solarzelle und verfahren zu ihrer herstellung
DE2905905C2 (de)
EP0297316B1 (de) Einrichtung zur Stromzuführung in die poröse Anode einer bipolaren Platte eines Zellenstapels in Filterpressenanordnung
DE19811870B4 (de) Thermistorelement
DE3140348A1 (de) Verfahren zur gleichzeitigen herstellung mehrfacher elektrischer verbindungen, insbesondere zum elektrischen anschluss eines halbleiterbauelementes
DE3628495A1 (de) Auf einem keramischen substrat aufgebrachter heizer
DE1815759A1 (de) Gedruckte Heissleiter-Anordnung
DE69433156T2 (de) Varistor und Verfahren zu seiner Herstellung
DE3206869C2 (de) Metalloxid-Varistor und Verfahren zu seiner Herstellung
DE112020001997T5 (de) Stromerfassungswiderstand
DE2614368A1 (de) Gluehkathode
DE1281601B (de) Verfahren zum Herstellen einer Magnetelementmatrix
DE3322674A1 (de) Kondensator
DE2321478A1 (de) Thermistor und verfahren zu seiner herstellung
DE69733806T2 (de) Verfahren zum befestigen eines elektrischen kontakts auf einer keramikschicht und ein auf diese weise gefertigtes widerstandselement
DE2853134C2 (de) Keramikvaristor
DE10011009B4 (de) Thermistor mit negativem Temperaturkoeffizient
DE3050770C2 (de) Verfahren zur Herstellung eines Varistors
DE3509014A1 (de) Elektrisches bauelement mit einem keramisch hergestellten koerper und gegenpoligen kontaktbelegungen
DE1465736A1 (de) Verfahren zur Herstellung von Funktionsblocks,insbesondere fuer datenverarbeitende Anlagen
DE1765097B2 (de) Spannungsabhaengiger widerstand aus einer gesinterten scheibe aus zinkoxid
DE3104419C2 (de) Verfahren zur Herstellung von Chipwiderständen
DE1282188B (de) Elektrische Halbleiteranordnung mit mehreren voneinander isolierten streifenfoermigen Zuleitungen
DE635491C (de) Aus leitfaehigen Stoffen und Bindemitteln zusammengesetzter Widerstand fuer UEberspannungsableiter
DE112015006051T5 (de) Chip-Widerstand

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee