DE3206322A1 - Reaktor zur herstellung von mit siliciumcarbid oder bor oder borcarbid ueberzogenen einzelfilamenten durch chemische dampfphasenabscheidung - Google Patents
Reaktor zur herstellung von mit siliciumcarbid oder bor oder borcarbid ueberzogenen einzelfilamenten durch chemische dampfphasenabscheidungInfo
- Publication number
- DE3206322A1 DE3206322A1 DE19823206322 DE3206322A DE3206322A1 DE 3206322 A1 DE3206322 A1 DE 3206322A1 DE 19823206322 DE19823206322 DE 19823206322 DE 3206322 A DE3206322 A DE 3206322A DE 3206322 A1 DE3206322 A1 DE 3206322A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- cleaning
- zone
- reactor
- fluid inlet
- reactor according
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
- C23C16/545—Apparatus specially adapted for continuous coating for coating elongated substrates
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Description
- Reaktor zur Herstellung von mit Siliciumcarbid oder Bor oder
- Borcarbid überzogenen Einzelfilamenten durch chemische Dampfphasenabscheidung Die US-PS 3 367 304 beschreibt einen Reaktor zur Herstellung von mit Siliciumcarbid oder Bor überzogenen Einzelfilamenten durch Dampfphasenabscheidung mit horizontalem Durchlauf der Einzelfilamente durch den Reaktor mit: (in Produktionsrichtung) einer Ätzkammer als erster Reinigungszone, die einen Reinigungsfluideinlaß und einen Re in igungsfluidauslaß aufweist, einer Trennkammer als zweiter Reinigungszone und einer Abscheidungszone, wobei die Einzelfilamente in die Ätzkammer durch eine Queoks ilberd ichtung eintreten, wobei sich die Ätzkammer zur Trennkammer öffnet, wobei sich die Trennkammer zur Abscheidungszone öffnet, wobei die Abscheidungszone mit mehreren Reaktionsfluideinlässen und mehreren Reaktionsfluidauslässen versehen ist, wobei die Querschnittsfläche der Abscheidungszone (in Produktionsrichtung)zuoimmt und wobei die überzogenen Einzelfilamente aus der Absoheidungezone durch eine Quecksilberdichtung austreten.
- Bekanntllch ist es für das Überziehen von Einzelfilamenten mit Siliciumcarbid oder Bor vorteilhaft, daß das Einzelfilament vom Eintritt in die Reaktionszone bis zu seinem Austritt eine praktisch konstante Temperatur aufweist. Dafür wird nach dem angeführten Stand der Technik ein sich erweiternder Reaktor vorgesehen, so daß die Strömungsgeschwindigkeit des Reaktioosfluid8an der Eintrittsstelle des Einselfilaments in die Reaktionszone am größten ist und danach abnimmt. Aus konstruktiven Gründen läßt sich Jedoch bei dem bekannten Reaktor nur mit einem begrenzten Druckgefälle in der Reaktionszone arbeiten, da anderenfalls Quecksilber aus den beiden den Reaktor abdichtenden Quecksilberd ichtungen herausgepreßt wird.
- Bei dem bekannten Reaktor ist auch die Ausbildung der Ätzkammer und der Trennkammer unbefriedigend. Den Einzelfilamenten anhaftende oder auf den Einzelfilamenten in der Ätzkammer gebildete feste Verunreinigungen werden nicht abgestreift, sondern durch die Trennkammer in die Abscheidungs zone eingeführt.
- Ä2sdenUS-PSen 3 409 469 und 3 556 836 ist es bekannt, daB Einzelfilament in seiner heißesten Zone, beim Eintreten in die Abscheidungszone, durch ein Kühlfluid abzukühlen. Naoh der US-PS 5 556 836 tritt zu diesem Zweck das Einzelfilament durch den Kühlfluideinlaß in die Abscheidungszone ein. Die zuführbare Kühlfluidmenge ist Jedoch begrenzt, da anderenfalls das Reaktionsfluid in nachteiliger Weise verdünnt würde.
- Aufgabe der Erfindung ist es, einen Reaktor vorzusehe4 bei dem dem Einzelfilament anhaftende feste Verunreinigungen nicht in die Abscheidungszone eingetragen werden.
- Ferner ist es Aufgabe der Erfindung, einen Reaktor vorsusehen, bei dem ein verbesserter Kühleffekt dadurch erreicht werden kann daß in der Absoheidungszone ein praktisch unbegrenzt großes Druckgefälle eingestellt werden kann.
- Dazu wird erfindungsgemäß ein Reaktor zur Herstellung von mit Siliciumcarbid oder Bor überzogenen Einzelfilamenten durch Dampfphasenabscheidung mit senkrechtem Durchlauf der Einzelfilamente durch den Reaktor vorgesehen mit: (in Produktionsrichtung) einer ersten ReLoigungszone, die mindestens einen Re in igungsfluideinlaß und mindestens einen Reinigungsfluidauslaß aufweist, einer zweiten Reinigungszone und einer Abscheidungszone, wobei Jedes Einzelfilament nd1a erste Reinigungszone durch eine Quecks ilberd ichtung eintritt, wobei sich die zweite Re in igungszone zur Abscheidungszone öffnet, wobei die Abscheidungszone mit mindestens einem Reaktionsfluideinlaß und mindestens einem Reaktionsfluidauslaß versehen ist, wobei gegebenenfalls die Querschnittsfläche der Abscheidungszone (in Produktionsrichtung) zunimmt und wobei ferner Jedes überzogene Einzelfilament aus der Abscheidungszone durch eine Quecksilberdichtung austritt; dieser Reaktor ist dadurch gekennzeichnet, daß die erste und die zweite Re in igungszone durch eine Quecksilberdiohtung voneinander getrennt sind.
- Die Quecksilberdichtung zwischen der ersten und der zweiten Reinigungszone sorgt dafür, daß an den Einzelfilamenten anhaftende feste Verunreinigungen vor dem Eintreten der Einzelfilamente in die Abscheidungszone abgestreift werden können.
- Vorteilhafterweise ist auch die zweite Reinigungszone mit mindestens einem Reinigungsfluideinlaß versehen.
- Die erste Re in igungszone kann mehrere in Produktionsrichtung aufeinanderfolgende Re in igungskammern umfassen, die Jeweils voneinander durch Quecksilberdichtungen getrennt sind. Zweckmäßigerweise weist Jede Reinigungskammer mindestens einen Heinigungsfluideinlaß und mindestens einen Re in igungsfluidauslaß auf.
- Es ist vorteilhaft, im Bereich Jedes Einzelfilamenteintritts in die Abscheidungszone einen Kühlfluideinlaß vorzusehen, wobei Jedes Einzelfilament durch den Kühlfluideinlaß in die Abscheidungszone eintreten kann.
- Der Reaktor kann zum Durchlauf ein oder aehrewr Einzelfilamente ausgebildet sein.
- Die maximale Höhe der Quecksilbersäule einer Qecksilberdich -tung und damit ihr statischer Druck sind durch folgende Rahmenbedingungen vorgegeben. Der Sitz einer Quecksilberdichtung muß eine Öffnung aufweisen, die mindestens so groß ist, daß sm Reaktoreinlaß ein unbeschichtetes Einzelfilament und am Reaktorauslaß ein beschichtetes Einzelfilament durchtreten können.
- Eine obere Grenze der Höhe der Quecksilbersäule wird durch die Oberflächenspannung des Quecksilbers, das Verhältnis des Durchmessers des unbeschichteten zum Durchmesser des beschichteten Einzelfilaments und die Öffnung der Dichtung gesetzt. In der Praxis beträgt die Höhe der Quecksilbersäule etwa 10 bis 20, insbesondere 12 bis 15 mm.
- Als Kühlmedium wählt man Gase oder Gasgemische mit einem hohen Wärmeleitfähigkeitskoeffizienten, insbesondere Waaserstoff.
- Der Fachmann ist mit den für die lampfphasenabscheidung zu verwendenden Substraten (unbeschichteten Einzelfilamenten) und Reaktionsfluids vertraut. Für die Einzelfilamente werden flexible hochtemperaturbeständige Materialien verwendet, wie beispielsweise Bor oder Wolframeinzelfilamente.
- Als Reaktionsfluid werden flüchtige Bor- bzw. Siliciumverbinunten verwendet (bei denen die Boratome und Siliciumatome Wasserstoffatome, lIslogenstome oder Alkylgruppen oder deren Gemaische tragen), gegebenenfalls in Kombination mit organischen Verbindungen, wie Azetylen. Diese flüchtigen Bor und Siliciumverbindungen können im Gemisch mit inerten Verdünnungsgasen verwendet werden, wie beispielsweise Wasserstoff.
- Mit dem erfindungsgemäßen Reaktor kann man bei einem Druckgefälle (in Produktionsrichtung) in der Abscheidungs zone arbeiten, das mindestens dem statischen Druck der Quecksilberdichtung am Abscheidungazonenende entspricht.
- Vorzugsweise beträgt das Druckgefülle das 1,0- bis 5-fache oder das 1,5- bis 5-fache des statischen Drucks oberhalb der Quecksilberdichtung am Abscheidungazonenende.
- Der erfindungsgemäße Reaktor wird üblicherweise wie die bekannten Reaktoren gegen Atmospärendruck betrieben.
- Nachstehend wird die Erfindung durch Figuren und ein Beispiel näher erläutert. Es zeigen: Figur 1 die Ansicht eines erfindungsgemäßen Reaktors, bei dem der mittlere Bereich der Abscheidungszone weggebrochen ist; und Figur 2 eine weitere Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Reaktors, bei dem der untere Bereich der Abscheidungszone weggebrochen ist.
- Der in Figur 1 dargestellte Reaktor 1 ist mit einer ersten Re in igungs zone 3, einer zweiten Reinigungszone 4 und einer Abscheidungazone 5 versehen, wobei die erste Re in igungszone 3 lediglich eine Reinigungskammer umfaßt. Diese Reinigungskammer der ersten Reinigungszone 3 ist mit einem Re in igungsfluideinlaß 11 und einem Reinigungsfluidauslaß 12 versehen.
- Die zweite Reinigungszone 4 weist einen Reinigungsfluideinlaß 13 und einen Kühlfluideinlaß 14 auf. Die Abscheidungszone 5 ist mit einem Reaktionsfluideinlaß 15 5 und mit einem Fluidauslaß 16 versehen. Die zweite Reinigungszone 4 ist in ihrem unteren Bereich mit einer Öffnung 6 versehen, die sich in die Abscheidungszone 5 öffnet. Das Kühlfluid, das durch den Einlaß 14 eintritt, kann danach beispielsweise in die Abscheidungszone 5 strömen, vorzugsweise durch die Offnung 6.
- Die beiden Reinigungszonen 3, 4 und der obere Bereich der Abscheidungszone 5 sind rohrförmig ausgebildet, wobei sich bei der Abscheidungszone 5 unterhalb der Öffnung 6 ein sich konisch erweiternder rohrförmiger Bereich anschließt.
- Die dargestellte Ausführungsform einer Abscheidungszone mit nur einem Reaktionsfluideinlaß ist bevorzugt.
- Die Kammer der ersten Reinigungszone 3 ist oben durch eine Quecksilberdichtung 17, die Reinigungszone 5 ist unten durch eine Quecksilberdichtung 19 und die beiden Reinigungszonen 3, 4 sind gegeneinander durch eine Quecksilberdichtung 18 verschlossen. Diese Quecksilberdichtungen 17, 18, 19 sind analog ausgebildet, wobei sich der Sitz für das Quecksilber Jeweils nach unten und nach oben öffnet und nach oben konisch erweitert.
- Sämtliche dargestellten Teile des Reaktors 1 können aus Glas bestehen, um den Verfahrensablauf leicht verfolgen zu können. Ale Re in igungs- und Kühlfluid wird in die Einlässe 11, 13 und 14 Wasserstoff eingeleitet. Will man z.B.
- auf einem Einzelfilament Siliciumcarbid abscheiden, kann als Reaktionsfluid ein Gemisch aus Wasserstoff und Methyltrichlor.
- silan verwendet werden. Das zu beschichtende Substrat tritt in Form eines endlosen Einzelfilaments durch die Queoksilberdichtung 17 in die Kammer der ersten Reinigungszone 3 ein, durchläuft die Quecksilberdichtung 18, die die beiden Ueinigungszonen voneinander trennt, und tritt dann durch die Öffnung 6 in die Abscheidungszone 5 ein. Durch das Einleiten von Wasserstoff in den Einlaß 14 wird dafür gesorgt, daß das Einzelfilament (beispielsweise ein Wolframdraht) beim Eintreten in die Absoheidungazone 5 von Wasserstoff umhüllt wird und erst allmählich mit dem Reaktionsfluid in Berührung kommt.
- In Figur 1 wurden die Stromversorgung und die Einrichtungen zum i?ördern und Abziehen de3 endlosen Einzelfilaments weg gelassen, da der Fachmann mit ihneo vertraut ist und da sie nichts zum Verständnis der Erfindung beitragen.
- In Figur 2 ist ein Reaktor dargestellt, der sich von dem Reaktor gemäß Figur 1 dadurch unterscheidet, daß die erste Reinigungszone 3' zwei Reinigungskammern 3a, 3b umfaßt, die mit Jeweils einem Reinigungsfluideinlaß 11a, 11b und Jeweils einem Auslaß 12a, 12b versehen sind. Die zweite Reinigungszone 4' ist analog wie beim Reaktor der Figur 1 mit einem Re in igungsfluideinlaß 13' und einem Kühlfluideinlaß 14' versehen und öffnet sich in die Abscheidungszone mit einer Öffnung 6'. Wieder sind die erste Reinigungszone 3' von der Atmosphäre durch eine Quecksilberdichtung 17 a und die beiden Reinigungszonen 3' und 4' untereinander durch eine Quecksilberdichtung 18' getrennt, wobei zusätzlich die beiden Kammern 3a, 3b der ersten Reinigungszone 3' durch eine Quecksilberdichtung 17b voneinander getrennt sind, die entsprechend den anderen Quecksilberdichtungen ausgebildet sein kann.
- Leerseite
Claims (16)
- Patentansprtche: Reaktor zur Herstellung von mit Siliciumcarbid oder Bor oder Borcarbid überzogenen Einzelfilamenten durch Dempfphasenabscheidung mit senkrechtem Durchlauf der Einzelfilamente durch den Reaktor mit: (in Produktionsrichtung) einer ersten Reinigungszone, die mindestens einen Reinigungsfluideinlaß und mindestens einen Reinigungsfluidauslaß aufweist, einer zweiten Reinigungszone und einer Abscheidungszone, wobei jedes Einzelfilament in die erste Re in igungs Zone durch eine Quecksilberdichtung eintritt, wobei sich die zweite Reinigungszone zur Abscheidungszone öffnet, wobei die Abscheidungszone mit mindestens einem Reaktionsfluideinlaß und mindestens einem Reaktionsfluidauslaß versehen ist und wobei Jedes überzogene Einzelfilament aus der Abscheidungszone durch eine Quecksilberdichtung austritt, dadurch g e k e n n z e i c h u e t, daß die erste und die zweite Re in igungszone durch eine Quecksilberdichtung voneinander getrennt sind.
- 2. Reaktor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Reinigungszooe mindestens einen Re in igungsfluideinlaß aufweist.
- 3. Reaktor nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekenozeichnet, daß die erste Reinigungszone mehrere in Produktionsrichtung aufeinanderfolgende Reinigungskammern umfaßt, die Jeweils voneinander durch Quecksilberdichtungen getrennt sind.
- 4. Reaktor nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß Jede Reinigungskammer mindestens einen Reinigungsfluideinlaß und mindestens einen Reinigungsfluidauslaß aufweist.
- 5. Reaktor nach einem der Ansprüche 1 bis 4, gekennzeLohnet durch einen Kühlfiuideinlaß im Bereich Jedes Einzelfilamenteintritts in die Abscheidungszone.
- 6. Reaktor nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß Jedes Einzelfilament durch den Kühlfluideinlaß in die Abscheidungszone eintritt.
- 7. Reaktor nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Reaktor zum Durchlauf eines einzigen Einzelfilaments ausgebildet ist.
- 8. Reaktor zur Herstellung von mit Siliciumcarbid oder Bor Uberzogenen Einzelfilamenten durch Dampfphasenabscheidung mit senkrechtem Durchlauf der Einzelfilamente durch den Reaktor mit (in Produktionsrichtung) einer ersten Reinigungszonge, die mindestens einen Reinigungsfluideinlaß und mindestens einen Reinigungsfluidauslaß aufweist, einer zweiten Reinigungszone und einer Abscheidungszone, wobei Jedes Einzelfilament in die erste Reinigungszone durch eine Quecksilberdichtung eintritt, wobei sich die zweite Reinigungszone zur Abscheidungszone öffnet, wobei die Abscheidungszone mit mindestens einem Reaktionsfluideinlaß und mindestens einem Reaktionsfluidauslaß versehen ist, wobei die Querschnittsfläche der Abscheidungszone (in Produktionsrichtung) zunimmt und wobei Jedes überzogene Einzelfilament aus der Abscheidungezone durch eine Quecksilberdichtung austritt, dadurch g e k e n n z e i c h n e t , daß die erste und die zweite Reinigungszone durch eine Quecksilberdichtung voneinander getrennt sind.
- 9. Reaktor nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Re in igungszone mindestens einen Re in igungsfluid einlaß aufweist.
- 10. Reaktor nach Anspruch 8 oder 9, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Reinigungszone mehrere in Produktionsrichtung aufeinanderfolgende Reinigungskammern umfaßt, die Jeweils voneinander durch Quecksilberdichtungen getrennt sind.
- 11. Reaktor nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß Jede Reinigungskammer mindestens einen Reinigungsfluideinlaß und mindestens einen Re in igungsfiuidausla ß aufweist.
- 12. Reaktor nach einem der Ansprüche 8 bis 11, gekennzeichnet durch einen Kühlfluideinlaß im Bereich Jedes Einzelfilamenteintritts in die Abscheidungszone.
- 13, Reaktor nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß Jedes Einzelfilament durch den Ktlhlfluideinlaß in die Absche id ungs zone eintritt.
- 14. Reaktor nach einem der Ansprüche 8 bis 13, daduroh gekennzeichnet, daß der Reaktor zum Durchlauf eines einzigen Einzelfilaments ausgebildet ist.
- 15. Verfahren unter Verwendung eine5 Reaktors gemäß einem der Ansprüche 1 bis 14, dadurch g e k e n n z e 1 e hn e t, daß man bei einem Druckgefälle (in Produktionsriohtung) in der Abscheidungszone arbeitet, das mindestens dem statischen Druck oberhalb der Quecksilberdichtung am Abscheidungszonenende entspricht.
- 16. Verfahren nach Anspruch 15, gekennzeichnet durch ein Druckgefälle, das dem 1,0- bis 5-fachen Druck, vorzugsweise den 1,5- bis 5-fachen Druck oberhalb der Quecksilberdichtung am Abscheidungszonenende entspricht.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US23700081A | 1981-02-23 | 1981-02-23 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3206322A1 true DE3206322A1 (de) | 1982-12-09 |
Family
ID=22891916
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19823206322 Withdrawn DE3206322A1 (de) | 1981-02-23 | 1982-02-22 | Reaktor zur herstellung von mit siliciumcarbid oder bor oder borcarbid ueberzogenen einzelfilamenten durch chemische dampfphasenabscheidung |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE3206322A1 (de) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4590031A (en) * | 1983-09-23 | 1986-05-20 | Energy Conversion Devices, Inc. | Molding tool and method |
US4594294A (en) * | 1983-09-23 | 1986-06-10 | Energy Conversion Devices, Inc. | Multilayer coating including disordered, wear resistant boron carbon external coating |
US4716083A (en) * | 1983-09-23 | 1987-12-29 | Ovonic Synthetic Materials Company | Disordered coating |
-
1982
- 1982-02-22 DE DE19823206322 patent/DE3206322A1/de not_active Withdrawn
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4590031A (en) * | 1983-09-23 | 1986-05-20 | Energy Conversion Devices, Inc. | Molding tool and method |
US4594294A (en) * | 1983-09-23 | 1986-06-10 | Energy Conversion Devices, Inc. | Multilayer coating including disordered, wear resistant boron carbon external coating |
US4716083A (en) * | 1983-09-23 | 1987-12-29 | Ovonic Synthetic Materials Company | Disordered coating |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE69727536T2 (de) | Reaktionskammer mit eingebauter Gasverteilerplatte | |
DE60037213T2 (de) | Verwendung von Reinigungsgas | |
DE60123813T2 (de) | Sperrschicht für glasartige werkstoffe | |
DE60038412T2 (de) | Inert-Barriere für Hochreinheit-Epitaxialabscheidungssysteme | |
DE112007000933T5 (de) | Katalytische, chemische Gasphasenabscheidungsvorrichtung | |
DE102008010041A1 (de) | Schichtabscheidevorrichtung und Verfahren zu deren Betrieb | |
DE69819760T2 (de) | Cvd-kammer mit innerer verkleidung | |
EP1440180A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zum abscheiden insbesondere kristalliner schichten auf insbesondere kristallinen substraten | |
DE60112372T2 (de) | Vorrichtung und Verfahren zur chemischen Gasphasenabscheidung | |
DE60002173T2 (de) | Verfaren und reaktor zur züchtung von silizium-karbid einkristallung durch chemische dampfabscheidung | |
DE3315971C2 (de) | ||
DE3141567A1 (de) | Verfahren zum herstellen von schichten aus hochschmelzenden metallen bei niedrigen substrattemperaturen | |
DE102013101706A1 (de) | CVD-Vorrichtung sowie Verfahren zum Reinigen einer Prozesskammer einer CVD-Vorrichtung | |
DE3206322A1 (de) | Reaktor zur herstellung von mit siliciumcarbid oder bor oder borcarbid ueberzogenen einzelfilamenten durch chemische dampfphasenabscheidung | |
DE1521605A1 (de) | Verfahren zum Herstellen von Oxidfilmen auf Unterlagen | |
DD271776A1 (de) | Vorrichtung zur gaszufuehrung und -ableitung fuer die gasphasenbearbeitung von werkstuecken | |
DE60318545T2 (de) | Verfahren zum Freisetzen von mikrohergestellten Oberflächenstrukturen in einem Epitaxiereaktor | |
EP0860021A1 (de) | Anlage zur behandlung von gegenständen in einem prozesstank | |
WO2012059203A1 (de) | Vorrichtung zum behandeln von substraten | |
DE2652449C2 (de) | Verfahren zum Ablagern von Siliziumnitrid auf einer Vielzahl von Substraten | |
DE1667771C3 (de) | Verfahren zur kontinuierlichen Herstellung von Bordrähten und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens | |
DE2723501C2 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden von Siliziumnitridschichten auf Halbleiteranordnungen | |
EP3700861B1 (de) | Verfahren und vorrichtung zur entfernung von verunreinigungen aus chlorsilanen | |
WO2022033805A1 (de) | Vorrichtung und verfahren zum abscheiden einer schicht aus halbleitermaterial auf einer substratscheibe | |
DE3441056A1 (de) | Verfahren zur verminderung des verschleisses von bei der gasphasenabscheidung von silizium verwendeten quarzteilen |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8140 | Disposal/non-payment of the annual fee for main application |