DE3124810A1 - Verfahren zum herstellen amorpher selenschichten mit und ohne dotierende zusaetze, sowie eine durch das verfahren hergestellte oberflaechenschicht einer fotoleitertrommel - Google Patents
Verfahren zum herstellen amorpher selenschichten mit und ohne dotierende zusaetze, sowie eine durch das verfahren hergestellte oberflaechenschicht einer fotoleitertrommelInfo
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Description
-
- Verfahren zum Herstellen amorpher Selenschichten mit und
- ohne dotierende Zusätze, sowie eine durch das Verfahren hergestellte Oberflächenschicht einer Fotoleitertrommel.
- Die vorliegende Patentanmeldung betrifft ein Verfahren zum Herstellen amorpher Selenschichten mit und ohne dotierende Zusätze zur Weiterverwendung als Fotoleiterschichten für elektroradiographische Kopierverfahren oder als Ausgangsmaterial für Halbleiter-Bauelemente.
- Aus dem Stand der Technik ist es bekannt, für elektroradiographische Fotokopierverfahren Drucktrommeln zu verwenden, die eine Oberflächenschicht aus lichtempfindlichen, elektrisch aufladbarem Material wie Selen oder Chalkogenid-Giäsem (Arsen-Selen-Legierungen und Verbindungen) haben. Das Selen oder die Arsen-Selen-Verbindung wird dabei durch Aufdampfen auf die Tro=eloberfläche aufgebracht, wobei als Ausgangsmaterialien granulatförmiges Selen oder eine Selen-Arsen-Legierung verwendet werden.
- Die Verdampfungstechnologie hat den Nachteil, daß bei Verwendung von Selen als Ausgangsmaterial keine gleichmäßige und homogene Beschichtung für große Oberflächen gewährleistet ist. Bei den Selenverbindungen kommt noch dazu, daß die reproduzierbare Einstellung der gewünschten Materialeigenschaften, z. B. der elektrischen Leitfähigkeit, wegen der unterschiedlichen Verdampfungsrate der Komponenten äußerst schwierig ist.
- Die Aufgabe, die der Erfindung zugrundeliegt, besteht in der Herstellung einer homogenen, insbesondere groß- flächigen, amorphen Selenschicht, bei der Materialeigenschaften von ihrer Erzeugung her reproduzierbar einZ gestellt werden können.
- Die Erfindung macht sich dabei die aus dem Solid State Communications9 Vol. 33, auf den Seiten 735 bis 738, Pergamon Press Ltd. 80, printed in Great Britain, bekannte Herstellung und Untersuchung der amorphen Halbleitermaterialien As2-y Se2-y und As2-y Sz@@ durch Plasmazersetzung von AsH3, H2Se oder H2S und Abscheidung der amorphen Materialien zunutze und löst die gestellte Aufgabe dadurch, daß als Ausgangsstoffe gasförmige Verbindungen des Selens verwendet werden, daß die Ausgangsstoffe in einem evakuierten Gefäß- in einer Niederdruck gliinmentladung zwischen Elektroden zersetzt werden und daß Selen als amorphes Material auf dem als Elektrode gekoppelten Substrat niedergeschlagen wird Dabei liegt es im Rahmen des Erfindungsgedankens, daß als gasförmige Selenverbindungen Selenwasserstoff (H2Se) und/oder Selenhexafluorid (SeF6) und als Zusätze gasförmige Arsenverbindungen, insbesondere Arsenwasserstoff (AsE3) verwendet werden. Das Verfahren nach der Lehre der Erfindung hat gegenüber den bekannten Aufdampfverfahren folgende Vorteile: 1. Als Ausgangsmaterialien können Gase verwendet werden, die technologisch leicht handhabbar sind und mit einem hohen Reinheitsgrad zur Verfügung stehen.
- 2. Die Ausgangsmaterialien können in leicht herstellbaren Mischungen verwendet werden und erlauben damit eine kontrollierte Einstellung der Materialeigen schaften, z. B. der elektrische Leitfähigkeit. Bei Verwendung von Selenhexafluorid können Fluoratome gezielt eingebaut werden, was sich besonders günstig auf die Absättigung der freien Valenzen (dangling bonds) auswirkt und eine zusätzliche Möglichkeit einer Beeinflussung der elektrischen teitfähigkeit darstellt.
- Bei der zusätzlichen Verwendung von Arsenwasserstoff wird Arsen als Inhibitor für die Kristallisation wirksam.
- 3. Das Beschichten der Substrate kann ohne Erhitzen des Substrats und der Ausgangsmaterialien erfolgen, da beim Plasma-Niederdruckabscheideverfahren die Energie für die Abscheidung von der eingekoppelten Frequenz genommen werden kann.
- 4. Die Beschichtung erfolgt in vertikaler und horizontaler Richtung völlig homogen. Eine Bewegung des Substrates ist nicht erforderlich.
- Weitere Einzelheiten werden anhand eines Ausfunrungsbeispiels im Zusammenhang mit der Figur noch näher beschrieben. Dabei dient als Ausführungsbeispiel die Beschichtung einer elektrophotographischen Drucktrommel mit einer amorphen Selenschicht.
- Mit 1 ist ein Gefäß bezeichnet, das sich mit Hilfe einer Pumpe (siehe Pfeil 4) evakuieren läßt, das heißt, die darin enthaltene Luftatmosphäre kann damit entfernt werden. Das Gefäß 1 kann mit einem Deckel 3 verschlossen werden. Durch die mit dem Deckel 3 zu verschließende Öffnung wird eine Drucktrommel 2 in das Gefäß 1 eingebracht. Mit dem Pfeil 5 ist ein System aus Zuführungsleitungen bezeichnet, durch das hindurch die Elemente Selen, Fluor, Wasserstoff, Arsen, Argon etc. enthaltende gasförmige Stoffe wie z. B. Selenwasserstoff (H2Se), Selenhexafluorid (Sef.). Arsenwasserstoff (AsH.). H.
- Ar usw. in das Innere des Gefäßes 1 eingebracht werden können.
- Im Raum um die Oberfläche der Trommel 2 herum wird im Innern des Gefäßes 1 eine Niederdruckglimmentladung (7) aufrechterhalten. Die Drucktrommel 2 dient dabei mit ihrer Oberfläche als die eine Elektrode, die über eine Hochfrequenzzuleitung 6 mit einem Hochfrequenzgenerator 60 verbunden ist Als dazugehörige Gegenelektrode dient der Gefäßmantel 1, der aus elektrisch gut leitfähigem Material besteht. Es kann jedoch auch die Drucktrommel 2 auf Erdpotential und der Gefäßmantel 1 mit der Hochfrequenzzuleitung 6 verbunden werden. Die Glimmentladung 7 brennt dann im Innern des Gefäßes 1 zwischen der Oberfläche der Trommel 2 und der mantelförmigen Innenwand des Gefäßes 1 Der Druck des Reaktionsgases, in erster Linie der des Selenwasserstofis, wird für die Glimmentladung zwischen 0,1 bis 1 mbar (10 Pa bis 100 Pa) gehalten Die elektrische Leistung (1 bis 50 Watt) der Glimmentladung wird derart bemessen, daß einerseits noch keine störende Zerstäubung an den Elektroden und/oder den Gefäßwänden auftritt9 andererseits aber eine Zersetzung des Selen und wasserstoffhaltigen zugegebenen Gases erfolgt.
- Mit Hilfe einer mit 8 bezeichneten, schematisch angedeuteten Heizung läßt sich die Oberfläche der Drucktrommel 2 auf eine Temperatur im Bereich von 20 bis 3000C aufheizen. Durch die Substrattemperatur läßt sich der Einbau von Wasserstoff in die amorphe Selenschicht gezielt einstellen. Die Verdünnung der gasförmigen Ausgangsverbindungen mit Wasserstoff und/oder Inertgas (Argon) bietet eine weitere Möglichkeit Materialeigenschaften, z. B. den Wasserstoffgehalt günstig zu beeinflusses Dies kann so erfolgen, daß die amorphe Selenschicht einen Wasserstoffgehalt von 1 bis 20 Atom Ojo', vorzugsweise 10 Atom %, enthält.
- Es ist aber auch möglich, gasförmige Arsenverbindungen, wie z. B. Arsenwasserstoff, dem aus Selemwasserstoff und Wasserstoff bestehenden Gasgemisch zuzusetzen und durch Einstellung der jeweiligen Strömungsgeschwindigkeiten die Abscheidung einer Arsenselenidschicht auf der Trommeloberfläche in einer bestimmten Zusammensetzung zu bewirkefr. -Anstelle von Selenwasserstoff kann auch Selenhexafluorid, anstelle von Wasserstoff Argon oder ein Wasserstoff/Argon-Gemisch verwendet werden.
- Das Verfahren nach der Lehre der Erfindung ist auch anwendbar bei der Herstellung von aus amorphen undotierten bzw. dotierten Selenschichten oder Selenverbindungsschichten bestehenden Halbleiterbauelementen, wie Selengleichrichter und -sensoren.
- 12 Patentansprüche 1 Figur
Claims (12)
1. Verfahren zum Herstellen amorpher Selenschichten mit und ohne dotierende
Zusätze zur Weiterverwendung als Fotoleiterschichten für elektroradiographische
Kopierverfahren oder als Ausgangsmaterial fur Halbleiter-3auelemente, d a d u r
c h g e k e n n z e i c h n e t daß als Ausgangsstoe gasförmige Verbindungen des
Selens verwendet werden, daß die Ausgangsstoffe (5) in einem evakuierten Gefäß (1)
in einer Niederdruckglimmentladung (7) zwischen Elektroden (2, ,) zersetzt werden
und daß Seien als amorphes Material auf dem als Elektrode gekoppelten Substrat (2)
niedergeschlagen wird (siehe Figur)
2. Verfahren nach Anspruch 1, d a d u r c h
g e -k e n n z e i c h n e t , daß als gasförmige Selenverbindungen Selenwasserstoff
(H,Se) und/oder Selenhexafluorid (Se6) verwendet werden
3. Verwahren nach Anspruch
1 und/oder 2, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t 2 daß als Zusatz gasförmige
Arsenverbindungen, insbesondere Arsenwasserstoff (AsH3) zugesetzt wird
4. Verfahren
zur Herstellung einer lichtempfindlichen, elektrisch aufladbaren Oberflächenschicht
aus Selen auf einer Drucktrommel (2) nach Anspruch 1 bis 3, d a -d u r c h g e ke
n n z e i c h n e t S daß in einen evakuierbaren Gefäß (1) eine Niederdruckglimmentladung
(7) zwischen der im Inneren des Gefäßes (1) befindlichen Drucktrommel (2) und einer
dazu konzentrisch angeordneten Gegenelektrode (1) aufrechterhalten wird, daß in
das Gefäß (i) Selenhexafluorid und/oder Selenwasserstoff (5) eingeleitet wird, welches
im Plasma (7) zersetzt wird und daß das amorphe Selen auf der als Elektrode wirkenden
Trommel (2) abgeschieden wird,
5. Verfahren nach Anspruch 4, d a
d u r c h g e -k e n n z e i c h e t, daß als Zusatz Arsenwasserstoff ((AsH3) verwendet
wird, wobei das Mischungsverhältnis durch unterschiedliche Strömungsgeschwindigkeit
und/oder Verdünnung mit Wasserstoff und/oder Inertgas, vorzugsweise mit Argon, eingestellt
wird.
6. Verfahren nach Anspruch 4 und/oder 5, d a d u r c h g e k e n n
z e i c h n e t , daß als Gegenelektrode der Mantel des evakuierbaren Gefäßes (1)
verwendet wird.
7. Verfahren nach Anspruch 1 bis 6, d a d u r c h g e k e n n z e
i c h n e t , daß das gasförmige Selenhexafluorid und/oder der Selenwasserstoff
mit Wasserstoff und/oder Argon verdünnt wird.
8. Verfahren nach Anspruch 1 bis 7, d a d u r c h g e k e n n z e
i c h n e t , daß die Substrattemperatur auf 20 bis 3000C eingestellt wird.
9. Verfahren nach Anspruch 1 bis 8, d a- d u r c h g e k e n n z e
i c h n e t , daß der Druck auf einen Wert im Bereich von 0,5 bis 500 Pa eingestellt
wird.
10. Verfahren nach Anspruch bis 9, d a d u r c h g e k e n-n z eic
h n e t , daß die amorphe Selenschicht auf eine-Schichtdicke im Bereich von 10 bis
100 um eingestellt wird.
11. Verfahren nach Anspruch 1 bis 10, d a d u r c h g e k e n n z
e i c h-n e t , daß die Verdünnung der gasförmigen Ausgangsverbindungen mit Wasserstoff
so vorgenommen wird, daß die amorphe Selenschicht einen Wasserstoffgehalt von 1
bis 20 Atom,', vorzugsweise 10 Atom %, enthält.
12. Drucktrommel für elektroradiographische Kopierver-
fahren
mit einer Oberflächenschicht aus lichtempfindlichem, elektrisch aufladbarem Material,
g e k e n n -z e i c h n e t d a d u r c h , daß das Material der Oberflächenschicht
aus amorphen durch Niederdruckglimm entladung erzeugtem Selen besteht.
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Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2746967A1 (de) * | 1977-10-19 | 1979-04-26 | Siemens Ag | Drucktrommel fuer elektrostatisches kopierverfahren |
| DE2855718A1 (de) * | 1977-12-22 | 1979-06-28 | Canon Kk | Lichtempfindliches element fuer die elektrophotographie und verfahren zu dessen herstellung |
| JPS54155046A (en) * | 1978-05-26 | 1979-12-06 | Canon Inc | Method of manufacturing electrophotographic image forming material |
| EP0029679A2 (de) * | 1979-11-14 | 1981-06-03 | Hitachi, Ltd. | Photoelektrische Vorrichtung |
| DE3000905A1 (de) * | 1978-03-16 | 1981-07-16 | Energy Conversion Devices Inc., 48084 Troy, Mich. | Amorpher Halbleiter |
-
1981
- 1981-06-24 DE DE19813124810 patent/DE3124810A1/de not_active Withdrawn
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2746967A1 (de) * | 1977-10-19 | 1979-04-26 | Siemens Ag | Drucktrommel fuer elektrostatisches kopierverfahren |
| DE2855718A1 (de) * | 1977-12-22 | 1979-06-28 | Canon Kk | Lichtempfindliches element fuer die elektrophotographie und verfahren zu dessen herstellung |
| DE3000905A1 (de) * | 1978-03-16 | 1981-07-16 | Energy Conversion Devices Inc., 48084 Troy, Mich. | Amorpher Halbleiter |
| JPS54155046A (en) * | 1978-05-26 | 1979-12-06 | Canon Inc | Method of manufacturing electrophotographic image forming material |
| EP0029679A2 (de) * | 1979-11-14 | 1981-06-03 | Hitachi, Ltd. | Photoelektrische Vorrichtung |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| US-Z: Solid Statee Technology, Januar 1978, S. 55-60 * |
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