DE3029446C2

DE3029446C2 -

Info

Publication number: DE3029446C2
Application number: DE3029446A
Authority: DE
Inventors: Kurt 7251 Friolzheim De Burger; Heinz 7000 Stuttgart De Friedrich; Heiko Dipl.-Phys. Dr. 7016 Gerlingen De Gruner; Karl-Otto Dipl.-Ing. Linn; Erich 7500 Karlsruhe De Zabler
Original assignee: Robert Bosch GmbH
Current assignee: Robert Bosch GmbH
Priority date: 1980-08-02
Filing date: 1980-08-02
Publication date: 1990-12-20
Also published as: NL8103629A; DE3029446A1; US4464646A; JPS5753970A

Description

Die Erfindung geht aus von einer Dünnschichtwiderstandsanordnung nach der Gattung des Anspruchs 1. Eine derartige Anordnung ist aus der DD-Patenschrift 1 06 493 bekanntgeworden. Diese zeigt eine Dünnschichtwiderstandsanordnung mit einem Temperaturkoeffizienten im Bereich +/-10^-5/Grad Celsius bis 0 und ein Verfahren zu ihrer Herstellung, wobei zwei oder mehrere, vollständig oder teilweise übereinanderliegende Widerstandsschichten, deren Temperaturkoeffizienten-Werte jeweils für sich verschieden von Null sein dürfen, aber entgegengesetzte Vorzeichen besitzen und die im einzelnen bekannt sind, bei denen die Einstellung eines resultierenden Wertes von Null durch Abgleich erreichbar ist, indem die Schichtwiderstandsanteile durch eine geeignete Gestaltung des Abgleichs entsprechend dem jeweiligen Verhältnis der Temperaturkoeffizienten bearbeitet sind. Hierbei werden eine oder beide Schichten bereichsweise entfernt und die verbleibenden Bereich passend verschaltet.

Die US-PS 38 45 443 betrifft ein Widerstandsthermometer mit einem starren, mit Glas beschichteten Träger, und mit Platin als Einschichtsystem. Aus "Thermistoren", R. v. Decker's Verlag, 1965, Seiten 48 ff. ist der Abgleich einer Widerstandskennlinie bekannt durch Zuschalten verschiedenartiger Widerstände zur Erzielung einer vorgegebenen Thermistor- Kennlinie. Durch die Parallel- und/oder Reihenschaltung mit entsprechend dimensionierten festen oder variablen ohmschen Widerständen gelingt es dabei, eine einmal fixierte Kennlinie mit Thermistoren normaler Toleranz eng zu approximieren. Aus "Thermistors", London ILIFFE Books, 1971, Seiten 41 ff. ist die Gestaltung der Widerstands- Temperaturcharakteristik kommerzieller Thermistoren bekannt, wobei durch Reihen-, Parallel- oder Reihen-Parallel-Schaltungen von Widerständen mit unterschiedlichen Temperaturkoeffizienten die gewünschte Charakteristik erzielt wird. In "Thin-Film Circuit Techniques", in "IRE-Transactions on Component Parts", 1960, Seiten 37 ff. sind Dünnschicht- Widerstandsmaterialien beschrieben, welche zur Herstellung von Dünnfilmschaltkreisen geeignet sind. Hierbei werden Widerstände, Kondensatoren und elektrische Verbindungen separat auf Glassubstrate aufgebracht, wobei verschiedene Verfahren zur Herstellung von Dünnschichtelementen verwendet wurden. Im Verlauf der Versuche wurde eine größere Zahl von Materialien auf ihre Eignung überprüft, darunter auch Platin, Gold, Tantal und Nickel, einschließlich der Ferrite, Titanate, Silizide, Nitride, Karbide und Oxide vieler Metalle. Schließlich werden in "Dünnschichtschaltungen in Tantaltechnik" in: Sonderteil elektronikproduction ei 1/2-1975, Seiten EP1-EP3 Dünnschichtwiderstände beschrieben, wobei Tantal durch Kathodenzerstäubung aufgetragen wird. Je nach den Bedingungen, die bei der Kathodenzerstäubung eingehalten werden, entstehen unterschiedliche Gitterstrukturen des Tantal mit unterschiedlichen spezifischen Widerständen. Für sehr hohe Flächenwiderstände wird überwiegend Tantalnitrid verwendet. Zur besseren Haftung von elektrischen Anschlüssen auf Tantalschichten kann zwischen eine Goldschicht und eine Tantalschicht zusätzlich eine Nickelchromschicht eingefügt werden.

Vorteile der Erfindung

Die erfindungsemäße Dünnschichtwiderstandsanordnung mit den kennzeichnenden Merkmalen des Hauptanspruches hat demgegenüber den Vorteil, daß aus der Beschichtung selbst ein Abgleich des Temperaturkoeffizienten der aus der Dünnschichtanordnung gebildeten Widerstände auf einem vorgegebenen Wert ermöglicht wird, wobei durch die Kombination von Widerstandsteilen mit unterschiedlichen Temperaturkoeffizienten der resultierende Temperaturkoeffizient der erzeugten Widerstände einstellbar ist.

Zeichnung

Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in der Zeichnung dargestellt und in der nachfolgenden Beschreibung näher erläutert. Es zeigt

Fig. 1 eine Anordnung mit einem zugeschalteten Serienwiderstand,

Fig. 2 eine Anordnung mit einem zugeschalteten Parallelwiderstand und

Fig. 3 eine Anordnung mit einem Serien- und einem Parallelwiderstand, wobei der zugeschaltete Widerstand zur Einstellung des Temperaturkoeffizienten des Meßwiderstandes dient;

Fig. 4 zeigt eine Hybridanordnung mit zwei Dünnschichtwiderständen und einem Kondensator, wobei der Temperaturkoeffizient bei einer Zusammenschaltung dieser Bauteile auf einen vorgegebenen Wert abgleichbar ist.

Beschreibung der Ausführungsbeispiele

In Fig. 1 ist ein Teil-Dünnschicht-Temperatursensor dargestellt, welcher sich aus der Serienschaltung eines temperaturabhängigen Widerstandes 10 (R_TaNi) und eines temperaturabhängigen Widerstandes 11 (R_Ta) zusammensetzt. Der Bereich unterhalb der gestrichelten Linie mit Anschlußfahnen 12 und 13 ist mit Ausnahme des Tantalwiderstandes 11 hochleitfähig,z. B. im Lotbad verzinnt, da Tantal von der Zinnschicht nicht benetzt wird. In der rechten Hälfte der Fig. 1 ist die Schaltungsanordnung symbolisch wiedergegeben. Aus dieser Darstellung ist ersichtlich, daß der temperaturunabhängige Tantalwiderstand 11 zunächst an der Stelle 14 überbrückt ist.

Die Dünnschichtanordnungen gemäß den Fig. 2 und 3 sind entsprechend aufgebaut, wobei gleiche Teile mit gleichen Bezugszeichen versehen sind. in Fig. 2 ist jedoch ein temperaturunabhängiger Widerstand 15 (R_Ta) dem temperaturabhängigen Widerstand 10 (R_TaNi) parallel geschaltet; bei der Anordnung nach Fig. 3 ist sowohl ein Serienwiderstand 11 als auch ein Parallelwiderstand 15 in temperaturunabhängiger Ausführung (R_Ta) vorhanden. In den Fig. 2 und 3 ist jeweils eine weitere Anschlußfahne 16 für den Parallelwiderstand 15 vorhanden. Auch bei den Anordnungen nach den Fig. 2 und 3 ist der Bereich unterhalb der gestrichelten Linien hochleitfähig, z. B. im Lotbad verzinnt zur Kontaktierung der Anordnung.

Bei TaNi-Dünnschicht-Widerständen wird die weitestgehende Schichtdickenunabhängigkeit des Temperaturkoeffizienten der Widerstände bis zu einer Schichtdicke von etwa 250 nm durch die Herstellungsmethoden für die Schichten erreicht. Aus diesen Schichten hergestellte Temperatursensoren haben einen Widerstands-Temperaturkoeffizienten (TCR) von 5,5 · 10^-3/°C bei einem Flächenwiderstand von 0,5 Ohm. Es zeigte sich nun jedoch, daß in der Mengenfertigung dieser temperaturabhängigen Widerstände eine Streuung des Widerstandes von ±10% vom Sollwert und eine Streuung des Temperaturkoeffizienten von ±4% vom Sollwert auftrat, verursacht durch Fertigungsungenauigkeiten. Während die Streuung des Widerstandes mittels Laserabgleich kompensiert werden kann auf z. B. ±0,1%, gibt es für den Temperaturkoeffizienten bei Dünnschichtanordnungen bisher keine Abgleichmöglichkeit. Für den Einsatz eines Temperaturfühlers, beispielsweise als Außenlufttemperaturfühler in Verbindung mit dem Bordcomputer eines Kraftfahrzeuges, ist aber die geforderte Meßgenauigkeit bei Austauschbarkeit des TaNi-Sensors nur erreichbar, wenn neben dem Widerstand auch der Temperaturkoeffizient abgeglichen werden kann.

Für die erfindungsgemäßen Dünnschichtanordnungen, welche insbesondere bei Dünnschicht-Hybridschaltungen und bei Dünnschicht-Temperatursensoren Verwendung finden, wird ein Schichtsystem verwendet, bei dem eine Nickelschicht mit einer Tantalschicht unterlegt ist. Aus der Tantalschicht lassen sich langzeitstabile, im wesentlichen temperaturunabhängige Widerstände ausbilden, wenn in einem selektiven Ätzprozeß die Nickelschicht von der Tantalschicht abgeätzt wird. Die Tantalschicht hat eine Dicke von etwa 50 nm, der Flächenwiderstand der Tantalschicht ist wenigstens um den Faktor 100 größer als der Flächenwiderstand der Nickelschicht. Der Einfluß der Tantalschicht auf das Temperaturverhalten der Nickelschicht ist praktisch bedeutungslos, andererseits wird aber die Haftung der Nickelschicht auf dem Substrat durch die Tantalschicht wesentlich verbessert.

Bei der erfindungsgemäßen Dünnschichtanordnung, wie sie in den Fig. 1 bis 3 für einen Temperatursensor dargestellt ist, sind also zwei langzeitstabile, flächenhaft auf ein Substrat aufgebrachte Einzelschichten vorhanden, welche mittels Ätztechnik, insbesondere Fotoätztechnik bearbeitbar sind. Durch diese Fotoätztechnik wird einerseits aus der kombinierten Tantal- und Nickelschicht der mäanderförmige temperaturabhängige Widerstand 10 geformt; andererseits wird durch Abätzen der Nickelschicht im Bereich des temperaturunabhängigen Widerstandes 11 letzterer aus der Gesamtschicht hergestellt.

Die Tatsache, daß aus dem Tantal-Nickel-Schichtsystem sowohl temperaturunabhängige Widerstände 11 als auch temperaturabhängige Widerstände 10 hergestellt werden, führt zu einer Abgleichmöglichkeit des Temperaturkoeffizienten der Nickel-Tantal-Schicht und zu einer Abgleichmöglichkeit des Temperaturkoeffizienten der Tantalschicht durch Serienschaltung und/oder Parallelschaltung beider Widerstandsarten. Auf diese Art ist der Temperaturkoeffizient von aus dem Gesamtschichtsystem erzeugten Widerständen auf einem vorgegebenen Wert einstellbar durch Zusammenschalten von wenigstens zwei Dünnschicht-Widerstandselementen (R_TaNi, R_Ta) mit unterschiedlichen Temperaturkoeffizienten. Aus dem Gesamtschichtsystem aus Nickel und Tantal werden temperaturabhängige Widerstände R_TaNi und aus dem Tantal-Anteil des Schichtsystems temperaturunabängige Widerstände R_Ta erzeugt. Auf diese Weise ist der Temperaturkoeffizient aus der gesamten Widerstandsanordnung einstellbar durch Serienschaltung (Fig. 1), durch Parallelschaltung (Fig. 2) oder durch Serien-Parallel- Schaltung (Fig. 3) der einzelnen temperaturabhängigen Widerstände 10 und temperaturunabängigen Widerstände 11. Hierbei ist der Temperaturkoeffizient der Gesamtanordnung durch die getroffene Kombination in den Grenzen der Temperaturkoeffizienten der Einzelwiderstände veränderbar.

Bei Verwendung der Dünnschichtanordnung zur Herstellung eines Temperatursensors erfolgt ein Abgleich des Temperaturkoeffizienten des tempeturabhängigen Dünnschichtwiderstandes 10 auf einen vorgegebenen niedrigeren Wert durch Zuschalten eines weitgehend temperaturunabhängigen Dünnschichtwiderstandes 11 bzw. 15. Der Temperaturkoeffizient der TaNi-Schicht wird so an die untere Grenze des Toleranzbandes der Fertigungsstreuung abgeglichen, d. h. daß ein Abgleich des Temperaturkoeffizienten eines Temperatursensors 10 zur Kompensation der Kennlinienstreuung auf einen vorgegebenen niedrigeren Wert erfolgt durch Serienschaltung und/oder Parallelschaltung eines Tantalwiderstandes 11. Im Bereich des mäanderförmigen Sensors bleibt die Schichtkombination aus Tantal und Nickel erhalten, im Bereich des temperaturunabhängigen Abgleichwiderstandes 11 wird nur die obenliegende Nickelschicht weggeätzt, in den dazwischenliegenden Bereichen werden beide Schichten entfernt.

Anwendungsbeispiel

Es soll ein Temperatursensor hergestellt werden mit einem Widerstand von 1000 Ohm, gemessen bei einer Abgleichtemperatur von 20°C. Der Widerstand R = 1000 Ohm setzt sich bei der Anordnung nach Fig. 1 zusammen aus R_Ta + R_TaNi.

Es gilt:

R (T) = R (To) × (1 + TCR × ΔT)

R_Ta (T) = R_Ta (To) × (1 + TCR_Ta × ΔT)

R_TaNi (T) = R_TaNi (To) × (1 + TCR _TaNi × ΔT)

Hierbei ist

TCR_TaNi = TCR_ist = 5,2 . . . 5,6 × 10^-3/° C = 5,4 × 10^-3/° C ± 4%

Der Temperaturkoeffizient des Sensors aus einer TaNi-Schicht weist fertigungsbedingt eine Streuung auf von 5,2 . . . 5,6 × 10^-3/°C.

TCR_TaNi soll abgeglichen werden auf den unteren Wert des Streubereiches von 5,2 × 10^-3/°C, was durch die in den Fig. 1 bis 3 dargestellten Schaltungsvarianten möglich ist. Bei der dargestellten Anordnung ist wegen der weitgehenden Temperaturunabhängigkeit des Tantal-Widerstandes 11 ein Abgleich des resultierenden Temperaturkoeffizienten nur auf den unteren Wert des Streubereiches möglich. Bei den vorhandenen Schichten beträgt:

R_TaNi = 928, 6 Ohm . . . 1000 Ohm

R_Ta = 71,4 Ohm . . . 0 Ohm

Diese Werte gelten ebenso wie der zuvor genannte Wert R = 1000 Ohm für die Abgleichtemperatur von 20°C. Beim Abgleich ist der temperaturunabhängige Widerstand 11 zunächst überbrückt. Nach einer Widerstandsvoralterung zur Erhöhung der Langzeitstabilitä der Schichtwiderstände wird der temperaturabängige Widerstand 10 bei zwei unterschiedlichen Temperaturen gemessen, z. B. bei 0°C und 100°C. Hieraus kann der Temperaturkoeffizient TCR_ist = TCR_TaNi bestimmt werden. Der vorgegebene Temperaturkoeffizient TCR_soll an der unteren Grenze des Streubereiches beträgt 5,2 × 10^-3/°C.

Bei einer Serienschaltung gemäß Fig. 1 ist R = R_Ta + R_TaNi; hieraus folgt näherungsweise

hierbei ist TCR_Ta = 0 gesetzt, da der Wert vernachlässigbar ist.

Aus dieser Formel lassen sich bei Kenntnis der Temperaturkoeffizienten und des bei der Abgleichtemperatur vorgegebenen Gesamtwiderstandes die Widerstände 10 und 11, ebenfalls bei Abgleichtemperatur, berechnen. Es erfolgt bei der festgelegten Abgleichtemperatur, hier 20°C, der Abgleich des Widerstandes 10 auf den berechneten Wert. Danach wird die Brücke 14 in Fig. 1 aufgetrennt und der Widerstand 11 auf seinen berechneten Wert abgeglichen, so daß der Gesamtwiderstand R_Ta + R_TaNi = R die vorgegebenen 1000 Ohm erreicht.

Bei einer Parallelschaltung gemäß Fig. 2 ergibt sich ein entsprechendes Vorgehen. Zur getrennten Messung und zum Abgleich sind die beiden Anschlußfahnen 12 und 16 bei der Herstellung der Dünnschichtschaltung zunächst getrennt. Nach der Messung des Widerstandes 10 bei zwei unterschiedlichen Temperaturen, beispielsweise wiederum bei 0°C und 100°C und anschließender Berechnung des Temperaturkoeffizienten des Widerstandes 10 (TCR_TaNi) werden die Widerstände nach folgenden Formeln berechnet:

Alle zuvor genannten Widerstände sind jeweils eine Funktion der Temperatur T, auf entsprechende weitere Indicen ist in den Gleichungen verzichtet worden.

Entsprechend den Fig. 1 und 2 läßt sich auch die kombinierte Serien-Parallelschaltung gemäß Fig. 3 berechnen und abgleichen. Eine Anordnung gemäß Fig. 3 kann für spezielle Anwendungen erforderlich sind, z. B. wenn der Widerstand 10 gleich dem Gesamtwiderstand sein muß; in diesem Fall muß die Widerstandserhöhung durch die Serienschaltung eines Widerstandes ausgeglichen werden durch einen zusätzlichen Parallelwiderstand.

Bei der fertigen Anordnung ist der in den Figuren gestrichelt angedeutet verzinnte Bereich gekapselt, so daß nur ein freistehender Fühlerwiderstand 10 aus der gekapselten Anordnung vorspringt. Die Anschlüsse 12 und 16 sind bei der fertigen Anordnung durch den Verzinnungsprozeß kurzgeschlossen.

Fig. 4 zeigt eine Hybridanordnung, wie sie beispielsweise Verwendung findet bei einer temperaturkompensierten RC-Schaltungsanordnung, z. B. bei RC-Oszillatoren in Mikrocomputer-Steuerungen. Fig. 4a ist eine Draufsicht, Fig. 4b ein Schnitt vor dem Verzinnen, Fig. 4c ein Schnitt nach dem Verzinnen, Fig. 4d eine Schaltungsdarstellung der Einzelelemente und Fig. 4e zeigt die Schaltsymbole für die Gesamtanordnung.

In Fig. 4 sind mit 20, 21 und 22 Anschlußfahnen bezeichnet, welche für den äußeren Anschluß der Anordnung dienen, mit 23 und 24 sind zwei weitere Anschlußfahnen beziffert zur Verbindung eines weitgehend temperaturunabhängigen Widerstandes 25 (R_Ta) und eines temperaturabhängigen Widerstandes 26 (R_TaNi). Zwischen den Anschlußfahnen 21 und 22 ist ein Kondensatorelement C angeordnet, welches nach dem Aufbringen der Lotschicht 27 auf die Anschlußfahnen 21 und 22 aufgesetzt ist. Die Lotschicht 27 bedeckt nicht den temperaturunabhängigen Widerstand 25, da Tantal von Zinn nicht benetzt wird. Auch der temperaturabhängige Widerstand 26 ist trotz seiner Wickeloberfläche nicht mit Lot bedeckt, da hier während des Lotauftrages eine Maske vorgesehen war.

Die Anordnung gemäß Fig. 4 zeigt also wiederum eine Serienschaltung eines temperaturunabhängigen Widerstandes 25 aus Tantal und eines temperaturabhängigen Widerstandes 26 aus Tantal und Nickel. Die Anschlußfahnen 23 und 24 sind vor dem Verzinnen getrennt und werden beim Zinnüberzug kurzgeschlossen. Die Widerstände 25 und 26 ergeben zusammen den Gesamtwiderstand R in Fig. 4e.

Z. B. bei Mikrocomputer-Steuerungen im Kraftfahrzeug wurden bisher zur Erzeugung hoher Grundtaktfrequenzen Quarzoszillatoren eingesetzt, welche aufgrund relativ hoher Ausfallraten und Kosten für diesen Einsatz nur bedingt geeignet sind. Andererseits konnten nur bei niedriger Taktfrequenz und geringeren Genauigkeitsanforderungen Quarze durch RC-Oszillatoren ersetzt werden, da letztere wegen ihres Temperaturkoeffizienten für das RC-Produk nur bedingt geeignet sind. Durch die erfindungsgemäße Dünnschichtanordnung erreicht man eine Kompensation des Temperaturkoeffizienten des RC-Produktes. Es ist jedoch auch möglich, den Temperaturkoeffizienten des RC-Produkts so festzulegen, daß im Rahmen einer Schaltung eine Gesamtkompensation des Temperaturkoeffizienten unter Berücksichtigung des Temperaturganges der Schaltung erfolgt; hierbei ist es insbesondere möglich, den Temperaturkoeffizienten des RC-Produktes in einem Funktionsabgleich auf die Transistorkennlinien der RC- Netzwerke anzupassen. Es besteht also die Möglichkeit, den Temperaturkoeffizienten eines Kondensators C einer Hybridschaltung durch Zuschalten eines Dünnschicht-Gesamtwiderstandes R_Ta+R_TaNi=R mit entgegengesetztem Temperaturkoeffizienten zu kompensieren. Weiterhin ist es jedoch auch möglich, daß der Temperaturkoeffizient einer elektrischen Schaltungsanordnung kompensiert wird, indem der resultierende Temperaturkoeffizient des RC-Produktes nicht zu Null gemacht wird, sondern auf einen Wert festgelegt wird, welcher den Temperaturkoeffizient der Schaltungsanordnung ausgleicht. Dies erreicht man durch Zuschalten einer mit entgegengesetztem Temperaturkoeffizienten versehenen RC-Anordnung aus einem diskreten kapazitiven Bauelement und einer den Temperaturkoeffizienten bestimmenden Widerstandsanordnung aus den Widerständen 25 und 26. An die Stelle einer RC-Anordnung kann auch eine RL- Anordnung treten.

Für die in Fig. 4 gezeigte Anordnung gilt:

TCR = -TCC (TCR = -TCL) und/oder
TCR - TCC = a,
wobei a ≦ TCR
bei einer Induktivität gilt
TCR - TCL = b,
wobei b ≦ TCR

Die Einstellung des Temperaturkoeffizienten erfolgt bei der Anordnung gemäß Fig. 4 wiederum durch eine Serienschaltung eines temperaturunabhängigen Widerstandes 25 und eines temperaturabhängigen Widerstandes 26, jedoch könnte auch hier wie bei den zuvor beschriebenen Anordnungen eine Parallelschaltung oder auch eine Reihen- Parallelschaltung verwendet werden. Anstelle eines temperaturunabängigen Widerstandes aus Tantal kann beispielsweise auch Nickelchrom (NiCr), Tantalnitrid (TaN₂) oder Tantal-Oxinitrid (TaO_xN_y) benutzt werden. Als Altenative zu der Tantal-Nickel-Schichtenfolge können als Materialien mit hohem positivem Temperaturkoeffizienten beispielsweise auch Platin oder Gold verwendet werden. Dies gilt auch für Anordnungen gemäß den Fig. 1 bis 3.

Bei der Herstellung der Dünnschichtanordnung gemäß Fig. 4 sind der Tantalwiderstand 25 und der Tantal-Nickel-Widerstand 26 zunächst getrennt. Nach einer Widerstandsvoralterung zur Erhöhung der Langzeitstabilitä der Schichtwiderstände und der Temperaturkoeffizienten werden zunächst wiederum R_Ta und R_TaNi bei zwei unterschiedlichen Temperaturen gemessen, z. B. wiederum bei 0°C und 100°C, um daraus die Temperaturkoeffizienten TCR_Ta und TCR_TaNi zu berechnen. Nach Erhöhung der Bahnleitfähigkeit und Kurzschluß von R_Ta und R_TaNi, z. B. durch Verzinnen, erfolgt der Laserabgleich der Widerstände derart, daß R = R_Ta + R_TaNi = 10 kOhm bei der Abgleichtemperatur von 20°C. Wegen der möglichen Veränderung insbesondere der Übergangswiderstände beim Tauchverzinnen erfolgt der Abgleich nach der Verbindung der Widerstände unter Berücksichtigung der vorher gemessenen Einzelwiderstände. Die Widerstände R_Ta und R_TaNi sind aus der oben angegebenen Formel berechnet. Hierdurch ergibt sich TCR = -TCC.

Durch die erfindungsgemäße Dünnschichtanordnung wird es möglich, RC-Oszillatoren bei hohen Taktfrequenzen unter wesentliche Steigerung ihrer Genauigkeit zu betreiben. Es können billige Chip-Kondensatoren mit eventuell höheren Kapazitäten in Hybridschaltungen benutzt werden.

Claims

1. Dünnschichtwiderstandsanordnung, insbesondere für Hybridanordnungen oder Temperatursensoren, deren Widerstandswert und Temperaturkoeffizient auf einen vorgegebenen Wert einstellbar ist durch Zusammenschaltung von wenigstens zwei Dünnschicht-Widerstandselementen mit unterschiedlichen Temperaturkoeffizienten, die aus auf einem isolierenden Substrat aufgebrachtes Widerstandsschichten gebildet sind, dadurch gekennzeichnet,
daß auf das Substrat eine Oberschicht aus Nickel oder Platin oder Gold aufgebracht ist, die mit einer Unterschicht aus Tantal oder Tantalnitrid oder Tantaloxinitrid oder Nickelchrom unterlegt ist,
daß durch Entfernung der Schichtung aus Ober- und Unterschicht vom Substrat auf einem Teilbereich des Substrats ein erstes Widerstandselement gebildet wird, und
daß auf einem weiteren Teilbereich des Substrats durch bereichsweise Entfernung der Schichtung und anschließende Entfernung der Oberschicht von Teilbereichen der Schichtung mindestens ein mit dem ersten Widerstandselement zusammenschaltbares weiteres Widerstandselement gebildet wird.

2. Dünnschichtwiderstandsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Oberschicht aus Nickel und die Unterschicht aus Tantal besteht.

3. Verwendung einer Dünnschichtwiderstandsanordnung nach Anspruch 1 als Temperatursensor.

4. Verwendung einer Dünnschichtwiderstandsanordnung nach Anspruch 1 oder 2 in einer temperaturkompensierten Hybridschaltung.