DE3029446C2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- DE3029446C2 DE3029446C2 DE3029446A DE3029446A DE3029446C2 DE 3029446 C2 DE3029446 C2 DE 3029446C2 DE 3029446 A DE3029446 A DE 3029446A DE 3029446 A DE3029446 A DE 3029446A DE 3029446 C2 DE3029446 C2 DE 3029446C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- temperature
- tantalum
- thin
- resistance
- resistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 32
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 32
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 15
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910018487 Ni—Cr Inorganic materials 0.000 claims description 3
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 44
- 235000002492 Rungia klossii Nutrition 0.000 description 26
- 244000117054 Rungia klossii Species 0.000 description 26
- 229910004154 TaNi Inorganic materials 0.000 description 26
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 5
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 4
- VMJRMGHWUWFWOB-UHFFFAOYSA-N nickel tantalum Chemical compound [Ni].[Ta] VMJRMGHWUWFWOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- -1 ferrites Chemical compound 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
- G01K7/16—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements
- G01K7/18—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements the element being a linear resistance, e.g. platinum resistance thermometer
- G01K7/183—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements the element being a linear resistance, e.g. platinum resistance thermometer characterised by the use of the resistive element
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/22—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for trimming
- H01C17/232—Adjusting the temperature coefficient; Adjusting value of resistance by adjusting temperature coefficient of resistance
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/06—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material including means to minimise changes in resistance with changes in temperature
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Description
Die Erfindung geht aus von einer Dünnschichtwiderstandsanordnung nach
der Gattung des Anspruchs 1. Eine derartige Anordnung ist aus der
DD-Patenschrift 1 06 493 bekanntgeworden. Diese zeigt eine Dünnschichtwiderstandsanordnung
mit einem Temperaturkoeffizienten im
Bereich +/-10-5/Grad Celsius bis 0 und ein Verfahren zu ihrer
Herstellung, wobei zwei oder mehrere, vollständig oder teilweise übereinanderliegende
Widerstandsschichten, deren Temperaturkoeffizienten-Werte
jeweils für sich verschieden von Null sein dürfen, aber entgegengesetzte
Vorzeichen besitzen und die im einzelnen bekannt sind,
bei denen die Einstellung eines resultierenden Wertes von Null durch
Abgleich erreichbar ist, indem die Schichtwiderstandsanteile durch
eine geeignete Gestaltung des Abgleichs entsprechend dem jeweiligen
Verhältnis der Temperaturkoeffizienten bearbeitet sind. Hierbei werden
eine oder beide Schichten bereichsweise entfernt und die verbleibenden
Bereich passend verschaltet.
Die US-PS 38 45 443 betrifft ein Widerstandsthermometer mit einem
starren, mit Glas beschichteten Träger, und mit Platin als Einschichtsystem.
Aus "Thermistoren", R. v. Decker's Verlag, 1965, Seiten 48 ff.
ist der Abgleich einer Widerstandskennlinie bekannt durch Zuschalten
verschiedenartiger Widerstände zur Erzielung einer vorgegebenen Thermistor-
Kennlinie. Durch die Parallel- und/oder Reihenschaltung mit
entsprechend dimensionierten festen oder variablen ohmschen Widerständen
gelingt es dabei, eine einmal fixierte Kennlinie mit Thermistoren
normaler Toleranz eng zu approximieren. Aus "Thermistors", London
ILIFFE Books, 1971, Seiten 41 ff. ist die Gestaltung der Widerstands-
Temperaturcharakteristik kommerzieller Thermistoren bekannt,
wobei durch Reihen-, Parallel- oder Reihen-Parallel-Schaltungen von
Widerständen mit unterschiedlichen Temperaturkoeffizienten die gewünschte
Charakteristik erzielt wird. In "Thin-Film Circuit Techniques", in
"IRE-Transactions on Component Parts", 1960, Seiten 37 ff. sind Dünnschicht-
Widerstandsmaterialien beschrieben, welche zur Herstellung von
Dünnfilmschaltkreisen geeignet sind. Hierbei werden Widerstände, Kondensatoren
und elektrische Verbindungen separat auf Glassubstrate aufgebracht,
wobei verschiedene Verfahren zur Herstellung von Dünnschichtelementen
verwendet wurden. Im Verlauf der Versuche wurde eine
größere Zahl von Materialien auf ihre Eignung überprüft, darunter auch
Platin, Gold, Tantal und Nickel, einschließlich der Ferrite, Titanate,
Silizide, Nitride, Karbide und Oxide vieler Metalle. Schließlich werden
in "Dünnschichtschaltungen in Tantaltechnik" in: Sonderteil elektronikproduction
ei 1/2-1975, Seiten EP1-EP3 Dünnschichtwiderstände
beschrieben, wobei Tantal durch Kathodenzerstäubung aufgetragen wird.
Je nach den Bedingungen, die bei der Kathodenzerstäubung eingehalten
werden, entstehen unterschiedliche Gitterstrukturen des Tantal mit unterschiedlichen
spezifischen Widerständen. Für sehr hohe Flächenwiderstände
wird überwiegend Tantalnitrid verwendet. Zur besseren Haftung
von elektrischen Anschlüssen auf Tantalschichten kann zwischen eine
Goldschicht und eine Tantalschicht zusätzlich eine Nickelchromschicht
eingefügt werden.
Die erfindungsemäße Dünnschichtwiderstandsanordnung mit den kennzeichnenden
Merkmalen des Hauptanspruches hat demgegenüber den
Vorteil, daß aus der Beschichtung selbst ein Abgleich des Temperaturkoeffizienten
der aus der Dünnschichtanordnung gebildeten Widerstände
auf einem vorgegebenen Wert ermöglicht wird, wobei durch die Kombination
von Widerstandsteilen mit unterschiedlichen Temperaturkoeffizienten
der resultierende Temperaturkoeffizient der erzeugten Widerstände
einstellbar ist.
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in der Zeichnung dargestellt
und in der nachfolgenden Beschreibung näher erläutert. Es zeigt
Fig.
1 eine Anordnung mit einem zugeschalteten Serienwiderstand,
Fig. 2
eine Anordnung
mit einem zugeschalteten Parallelwiderstand und
Fig. 3
eine Anordnung mit einem Serien- und einem Parallelwiderstand,
wobei der zugeschaltete Widerstand zur Einstellung des
Temperaturkoeffizienten des Meßwiderstandes dient;
Fig. 4
zeigt eine Hybridanordnung mit zwei Dünnschichtwiderständen
und einem Kondensator, wobei der Temperaturkoeffizient bei
einer Zusammenschaltung dieser Bauteile auf einen vorgegebenen
Wert abgleichbar ist.
In Fig. 1 ist ein Teil-Dünnschicht-Temperatursensor dargestellt,
welcher sich aus der Serienschaltung eines temperaturabhängigen
Widerstandes 10 (RTaNi) und eines temperaturabhängigen
Widerstandes 11 (RTa) zusammensetzt. Der
Bereich unterhalb der gestrichelten Linie mit Anschlußfahnen
12 und 13 ist mit Ausnahme des Tantalwiderstandes 11
hochleitfähig,z. B. im Lotbad verzinnt, da Tantal von der
Zinnschicht nicht benetzt wird.
In der rechten Hälfte der
Fig. 1 ist die Schaltungsanordnung symbolisch wiedergegeben.
Aus dieser Darstellung ist ersichtlich, daß der
temperaturunabhängige Tantalwiderstand 11 zunächst an
der Stelle 14 überbrückt ist.
Die Dünnschichtanordnungen gemäß den Fig. 2 und 3
sind entsprechend aufgebaut, wobei gleiche Teile mit
gleichen Bezugszeichen versehen sind. in Fig. 2 ist
jedoch ein temperaturunabhängiger Widerstand 15 (RTa) dem
temperaturabhängigen Widerstand 10 (RTaNi) parallel geschaltet;
bei der Anordnung nach Fig. 3 ist sowohl ein
Serienwiderstand 11 als auch ein Parallelwiderstand 15
in temperaturunabhängiger Ausführung (RTa) vorhanden. In den
Fig. 2 und 3 ist jeweils eine weitere Anschlußfahne 16
für den Parallelwiderstand 15 vorhanden. Auch bei den
Anordnungen nach den Fig. 2 und 3 ist der Bereich
unterhalb der gestrichelten Linien hochleitfähig, z. B.
im Lotbad verzinnt zur Kontaktierung der Anordnung.
Bei TaNi-Dünnschicht-Widerständen wird die weitestgehende
Schichtdickenunabhängigkeit des Temperaturkoeffizienten
der Widerstände bis zu einer Schichtdicke
von etwa 250 nm durch die Herstellungsmethoden für die
Schichten erreicht. Aus diesen Schichten hergestellte
Temperatursensoren haben einen Widerstands-Temperaturkoeffizienten
(TCR) von 5,5 · 10-3/°C bei einem Flächenwiderstand
von 0,5 Ohm. Es zeigte sich nun jedoch, daß
in der Mengenfertigung dieser temperaturabhängigen
Widerstände eine Streuung des Widerstandes von ±10%
vom Sollwert und eine Streuung des Temperaturkoeffizienten
von ±4% vom Sollwert auftrat, verursacht durch Fertigungsungenauigkeiten.
Während die Streuung des Widerstandes
mittels Laserabgleich kompensiert werden kann auf z. B.
±0,1%, gibt es für den Temperaturkoeffizienten bei Dünnschichtanordnungen
bisher keine Abgleichmöglichkeit. Für
den Einsatz eines Temperaturfühlers, beispielsweise
als Außenlufttemperaturfühler in Verbindung mit dem Bordcomputer
eines Kraftfahrzeuges, ist aber die geforderte
Meßgenauigkeit bei Austauschbarkeit des TaNi-Sensors nur
erreichbar, wenn neben dem Widerstand auch der Temperaturkoeffizient
abgeglichen werden kann.
Für die erfindungsgemäßen Dünnschichtanordnungen, welche
insbesondere bei Dünnschicht-Hybridschaltungen und bei
Dünnschicht-Temperatursensoren Verwendung finden, wird
ein Schichtsystem verwendet, bei dem eine Nickelschicht
mit einer Tantalschicht unterlegt ist. Aus der Tantalschicht
lassen sich langzeitstabile, im wesentlichen
temperaturunabhängige Widerstände ausbilden, wenn in einem
selektiven Ätzprozeß die Nickelschicht von der Tantalschicht
abgeätzt wird. Die Tantalschicht hat eine Dicke von etwa
50 nm, der Flächenwiderstand der Tantalschicht ist
wenigstens um den Faktor 100 größer als der Flächenwiderstand
der Nickelschicht. Der Einfluß der Tantalschicht
auf das Temperaturverhalten der Nickelschicht ist
praktisch bedeutungslos, andererseits wird aber die Haftung
der Nickelschicht auf dem Substrat durch die Tantalschicht
wesentlich verbessert.
Bei der erfindungsgemäßen Dünnschichtanordnung, wie sie in
den Fig. 1 bis 3 für einen Temperatursensor dargestellt
ist, sind also zwei langzeitstabile, flächenhaft auf ein
Substrat aufgebrachte Einzelschichten vorhanden, welche
mittels Ätztechnik, insbesondere Fotoätztechnik bearbeitbar
sind. Durch diese Fotoätztechnik wird einerseits aus der
kombinierten Tantal- und Nickelschicht der mäanderförmige
temperaturabhängige Widerstand 10 geformt; andererseits
wird durch Abätzen der Nickelschicht im Bereich des
temperaturunabhängigen Widerstandes 11 letzterer aus
der Gesamtschicht hergestellt.
Die Tatsache, daß aus dem Tantal-Nickel-Schichtsystem sowohl
temperaturunabhängige Widerstände 11 als auch temperaturabhängige
Widerstände 10 hergestellt werden, führt zu
einer Abgleichmöglichkeit des Temperaturkoeffizienten der
Nickel-Tantal-Schicht und zu einer Abgleichmöglichkeit des
Temperaturkoeffizienten der Tantalschicht durch Serienschaltung
und/oder Parallelschaltung beider Widerstandsarten.
Auf diese Art ist der Temperaturkoeffizient von
aus dem Gesamtschichtsystem erzeugten Widerständen
auf einem vorgegebenen Wert einstellbar durch
Zusammenschalten von wenigstens zwei Dünnschicht-Widerstandselementen
(RTaNi, RTa) mit unterschiedlichen Temperaturkoeffizienten.
Aus dem Gesamtschichtsystem aus Nickel
und Tantal werden temperaturabhängige Widerstände RTaNi
und aus dem Tantal-Anteil des Schichtsystems temperaturunabängige
Widerstände RTa erzeugt. Auf diese Weise ist
der Temperaturkoeffizient aus der gesamten Widerstandsanordnung
einstellbar durch Serienschaltung (Fig. 1),
durch Parallelschaltung (Fig. 2) oder durch Serien-Parallel-
Schaltung (Fig. 3) der einzelnen temperaturabhängigen
Widerstände 10 und temperaturunabängigen Widerstände 11.
Hierbei ist der Temperaturkoeffizient der Gesamtanordnung
durch die getroffene Kombination in den Grenzen der Temperaturkoeffizienten
der Einzelwiderstände veränderbar.
Bei Verwendung der Dünnschichtanordnung zur Herstellung
eines Temperatursensors erfolgt ein Abgleich des Temperaturkoeffizienten
des tempeturabhängigen Dünnschichtwiderstandes
10 auf einen vorgegebenen niedrigeren Wert
durch Zuschalten eines weitgehend temperaturunabhängigen
Dünnschichtwiderstandes 11 bzw. 15. Der Temperaturkoeffizient
der TaNi-Schicht wird so an die untere Grenze des
Toleranzbandes der Fertigungsstreuung abgeglichen, d. h.
daß ein Abgleich des Temperaturkoeffizienten eines Temperatursensors
10 zur Kompensation der Kennlinienstreuung
auf einen vorgegebenen niedrigeren Wert erfolgt durch
Serienschaltung und/oder Parallelschaltung eines Tantalwiderstandes
11. Im Bereich des mäanderförmigen Sensors
bleibt die Schichtkombination aus Tantal und Nickel
erhalten, im Bereich des temperaturunabhängigen Abgleichwiderstandes
11 wird nur die obenliegende Nickelschicht
weggeätzt, in den dazwischenliegenden Bereichen werden
beide Schichten entfernt.
Es soll ein Temperatursensor hergestellt werden mit einem
Widerstand von 1000 Ohm, gemessen bei einer Abgleichtemperatur
von 20°C. Der Widerstand R = 1000 Ohm setzt sich
bei der Anordnung nach Fig. 1 zusammen aus RTa + RTaNi.
Es gilt:
R (T) = R (To) × (1 + TCR × ΔT)
RTa (T) = RTa (To) × (1 + TCRTa × ΔT)
RTaNi (T) = RTaNi (To) × (1 + TCR TaNi × ΔT)
Hierbei ist
TCRTaNi = TCRist = 5,2 . . . 5,6 × 10-3/° C = 5,4 × 10-3/° C ± 4%
Der Temperaturkoeffizient des Sensors aus einer TaNi-Schicht
weist fertigungsbedingt eine Streuung auf von 5,2 . . . 5,6
× 10-3/°C.
TCRTaNi soll abgeglichen werden auf den unteren Wert des
Streubereiches von 5,2 × 10-3/°C, was durch die in den
Fig. 1 bis 3 dargestellten Schaltungsvarianten möglich
ist. Bei der dargestellten Anordnung ist wegen der weitgehenden
Temperaturunabhängigkeit des Tantal-Widerstandes
11 ein Abgleich des resultierenden Temperaturkoeffizienten
nur auf den unteren Wert des Streubereiches möglich. Bei
den vorhandenen Schichten beträgt:
RTaNi = 928, 6 Ohm . . . 1000 Ohm
RTa = 71,4 Ohm . . . 0 Ohm
Diese Werte gelten ebenso wie der zuvor genannte Wert
R = 1000 Ohm für die Abgleichtemperatur von 20°C. Beim
Abgleich ist der temperaturunabhängige Widerstand 11 zunächst
überbrückt. Nach einer Widerstandsvoralterung zur Erhöhung
der Langzeitstabilitä der Schichtwiderstände wird der
temperaturabängige Widerstand 10 bei zwei unterschiedlichen
Temperaturen gemessen, z. B. bei 0°C und 100°C.
Hieraus kann der Temperaturkoeffizient TCRist = TCRTaNi
bestimmt werden. Der vorgegebene Temperaturkoeffizient
TCRsoll an der unteren Grenze des Streubereiches beträgt
5,2 × 10-3/°C.
Bei einer Serienschaltung gemäß Fig. 1 ist
R = RTa + RTaNi; hieraus folgt näherungsweise
hierbei ist TCRTa = 0 gesetzt, da der Wert vernachlässigbar
ist.
Aus dieser Formel lassen sich bei Kenntnis der Temperaturkoeffizienten
und des bei der Abgleichtemperatur vorgegebenen
Gesamtwiderstandes die Widerstände 10 und 11, ebenfalls
bei Abgleichtemperatur, berechnen. Es erfolgt bei
der festgelegten Abgleichtemperatur, hier 20°C, der
Abgleich des Widerstandes 10 auf den berechneten Wert.
Danach wird die Brücke 14 in Fig. 1 aufgetrennt und der
Widerstand 11 auf seinen berechneten Wert abgeglichen,
so daß der Gesamtwiderstand RTa + RTaNi = R die vorgegebenen
1000 Ohm erreicht.
Bei einer Parallelschaltung gemäß Fig. 2 ergibt sich ein
entsprechendes Vorgehen. Zur getrennten Messung und zum
Abgleich sind die beiden Anschlußfahnen 12 und 16 bei der
Herstellung der Dünnschichtschaltung zunächst getrennt.
Nach der Messung des Widerstandes 10 bei zwei unterschiedlichen
Temperaturen, beispielsweise wiederum bei 0°C
und 100°C und anschließender Berechnung des Temperaturkoeffizienten
des Widerstandes 10 (TCRTaNi) werden die
Widerstände nach folgenden Formeln berechnet:
Alle zuvor genannten Widerstände sind jeweils eine Funktion
der Temperatur T, auf entsprechende weitere Indicen
ist in den Gleichungen verzichtet worden.
Entsprechend den Fig. 1 und 2 läßt sich auch die kombinierte
Serien-Parallelschaltung gemäß Fig. 3 berechnen
und abgleichen. Eine Anordnung gemäß Fig. 3 kann
für spezielle Anwendungen erforderlich sind, z. B. wenn
der Widerstand 10 gleich dem Gesamtwiderstand sein muß;
in diesem Fall muß die Widerstandserhöhung durch die
Serienschaltung eines Widerstandes ausgeglichen werden
durch einen zusätzlichen Parallelwiderstand.
Bei der fertigen Anordnung ist der in den Figuren gestrichelt
angedeutet verzinnte Bereich gekapselt, so daß nur ein
freistehender Fühlerwiderstand 10 aus der gekapselten Anordnung
vorspringt. Die Anschlüsse 12 und 16 sind bei der fertigen
Anordnung durch den Verzinnungsprozeß kurzgeschlossen.
Fig. 4 zeigt eine Hybridanordnung, wie sie beispielsweise
Verwendung findet bei einer temperaturkompensierten
RC-Schaltungsanordnung, z. B. bei RC-Oszillatoren in
Mikrocomputer-Steuerungen. Fig. 4a ist eine Draufsicht,
Fig. 4b ein Schnitt vor dem Verzinnen, Fig. 4c ein Schnitt
nach dem Verzinnen, Fig. 4d eine Schaltungsdarstellung der
Einzelelemente und Fig. 4e zeigt die Schaltsymbole für die
Gesamtanordnung.
In Fig. 4 sind mit 20, 21 und 22 Anschlußfahnen bezeichnet,
welche für den äußeren Anschluß der Anordnung
dienen, mit 23 und 24 sind zwei weitere Anschlußfahnen
beziffert zur Verbindung eines weitgehend temperaturunabhängigen
Widerstandes 25 (RTa) und eines temperaturabhängigen
Widerstandes 26 (RTaNi). Zwischen den Anschlußfahnen
21 und 22 ist ein Kondensatorelement C angeordnet,
welches nach dem Aufbringen der Lotschicht 27 auf die Anschlußfahnen
21 und 22 aufgesetzt ist. Die Lotschicht 27
bedeckt nicht den temperaturunabhängigen Widerstand 25,
da Tantal von Zinn nicht benetzt wird. Auch der temperaturabhängige
Widerstand 26 ist trotz seiner Wickeloberfläche
nicht mit Lot bedeckt, da hier während des Lotauftrages
eine Maske vorgesehen war.
Die Anordnung gemäß Fig. 4 zeigt also wiederum eine
Serienschaltung eines temperaturunabhängigen Widerstandes
25 aus Tantal und eines temperaturabhängigen Widerstandes
26 aus Tantal und Nickel. Die Anschlußfahnen
23 und 24 sind vor dem Verzinnen getrennt und werden
beim Zinnüberzug kurzgeschlossen. Die Widerstände 25 und
26 ergeben zusammen den Gesamtwiderstand R in Fig. 4e.
Z. B. bei Mikrocomputer-Steuerungen im Kraftfahrzeug
wurden bisher zur Erzeugung hoher Grundtaktfrequenzen
Quarzoszillatoren eingesetzt, welche aufgrund relativ
hoher Ausfallraten und Kosten für diesen Einsatz nur
bedingt geeignet sind. Andererseits konnten nur bei
niedriger Taktfrequenz und geringeren Genauigkeitsanforderungen
Quarze durch RC-Oszillatoren ersetzt werden, da
letztere wegen ihres Temperaturkoeffizienten für das
RC-Produk nur bedingt geeignet sind. Durch die erfindungsgemäße
Dünnschichtanordnung erreicht man eine Kompensation
des Temperaturkoeffizienten des RC-Produktes.
Es ist jedoch auch möglich, den Temperaturkoeffizienten
des RC-Produkts so festzulegen, daß im Rahmen einer
Schaltung eine Gesamtkompensation des Temperaturkoeffizienten
unter Berücksichtigung des Temperaturganges
der Schaltung erfolgt; hierbei ist es insbesondere möglich,
den Temperaturkoeffizienten des RC-Produktes in einem
Funktionsabgleich auf die Transistorkennlinien der RC-
Netzwerke anzupassen. Es besteht also
die Möglichkeit, den Temperaturkoeffizienten eines Kondensators
C einer Hybridschaltung durch Zuschalten eines
Dünnschicht-Gesamtwiderstandes RTa+RTaNi=R mit entgegengesetztem
Temperaturkoeffizienten zu kompensieren.
Weiterhin ist es jedoch auch möglich, daß der Temperaturkoeffizient
einer elektrischen Schaltungsanordnung
kompensiert wird, indem der resultierende Temperaturkoeffizient
des RC-Produktes nicht zu Null gemacht
wird, sondern auf einen Wert festgelegt wird, welcher
den Temperaturkoeffizient der Schaltungsanordnung ausgleicht.
Dies erreicht man durch Zuschalten einer mit
entgegengesetztem Temperaturkoeffizienten versehenen
RC-Anordnung aus einem diskreten kapazitiven Bauelement
und einer den Temperaturkoeffizienten bestimmenden
Widerstandsanordnung aus den Widerständen 25 und 26.
An die Stelle einer RC-Anordnung kann auch eine RL-
Anordnung treten.
Für die in Fig. 4 gezeigte Anordnung gilt:
TCR = -TCC (TCR = -TCL) und/oder
TCR - TCC = a,
wobei a ≦ TCR
bei einer Induktivität gilt
TCR - TCL = b,
wobei b ≦ TCR
TCR - TCC = a,
wobei a ≦ TCR
bei einer Induktivität gilt
TCR - TCL = b,
wobei b ≦ TCR
Die Einstellung des Temperaturkoeffizienten erfolgt bei
der Anordnung gemäß Fig. 4 wiederum durch eine Serienschaltung
eines temperaturunabhängigen Widerstandes 25
und eines temperaturabhängigen Widerstandes 26, jedoch
könnte auch hier wie bei den zuvor beschriebenen Anordnungen
eine Parallelschaltung oder auch eine Reihen-
Parallelschaltung verwendet werden. Anstelle eines temperaturunabängigen
Widerstandes aus Tantal kann beispielsweise
auch Nickelchrom (NiCr), Tantalnitrid (TaN₂)
oder Tantal-Oxinitrid (TaOxNy) benutzt werden. Als
Altenative zu der Tantal-Nickel-Schichtenfolge können
als Materialien mit hohem positivem Temperaturkoeffizienten
beispielsweise auch Platin oder Gold
verwendet werden. Dies gilt auch für Anordnungen gemäß
den Fig. 1 bis 3.
Bei der Herstellung der Dünnschichtanordnung gemäß Fig. 4
sind der Tantalwiderstand 25 und der Tantal-Nickel-Widerstand
26 zunächst getrennt. Nach einer Widerstandsvoralterung
zur Erhöhung der Langzeitstabilitä der Schichtwiderstände
und der Temperaturkoeffizienten werden zunächst
wiederum RTa und RTaNi bei zwei unterschiedlichen Temperaturen
gemessen, z. B. wiederum bei 0°C und 100°C, um
daraus die Temperaturkoeffizienten TCRTa und TCRTaNi zu
berechnen. Nach Erhöhung der Bahnleitfähigkeit und Kurzschluß
von RTa und RTaNi, z. B. durch Verzinnen, erfolgt
der Laserabgleich der Widerstände derart, daß R = RTa
+ RTaNi = 10 kOhm bei der Abgleichtemperatur von 20°C.
Wegen der möglichen Veränderung insbesondere der Übergangswiderstände
beim Tauchverzinnen erfolgt der Abgleich
nach der Verbindung der Widerstände unter Berücksichtigung
der vorher gemessenen Einzelwiderstände. Die Widerstände
RTa und RTaNi sind aus der oben angegebenen Formel berechnet.
Hierdurch ergibt sich TCR = -TCC.
Durch die erfindungsgemäße Dünnschichtanordnung wird es
möglich, RC-Oszillatoren bei hohen Taktfrequenzen unter
wesentliche Steigerung ihrer Genauigkeit zu betreiben.
Es können billige Chip-Kondensatoren mit eventuell höheren
Kapazitäten in Hybridschaltungen benutzt werden.
Claims (4)
1. Dünnschichtwiderstandsanordnung, insbesondere für Hybridanordnungen
oder Temperatursensoren, deren Widerstandswert und Temperaturkoeffizient
auf einen vorgegebenen Wert einstellbar ist durch Zusammenschaltung
von wenigstens zwei Dünnschicht-Widerstandselementen mit unterschiedlichen
Temperaturkoeffizienten, die aus auf einem isolierenden
Substrat aufgebrachtes Widerstandsschichten gebildet sind,
dadurch gekennzeichnet,
daß auf das Substrat eine Oberschicht aus Nickel oder Platin oder Gold aufgebracht ist, die mit einer Unterschicht aus Tantal oder Tantalnitrid oder Tantaloxinitrid oder Nickelchrom unterlegt ist,
daß durch Entfernung der Schichtung aus Ober- und Unterschicht vom Substrat auf einem Teilbereich des Substrats ein erstes Widerstandselement gebildet wird, und
daß auf einem weiteren Teilbereich des Substrats durch bereichsweise Entfernung der Schichtung und anschließende Entfernung der Oberschicht von Teilbereichen der Schichtung mindestens ein mit dem ersten Widerstandselement zusammenschaltbares weiteres Widerstandselement gebildet wird.
daß auf das Substrat eine Oberschicht aus Nickel oder Platin oder Gold aufgebracht ist, die mit einer Unterschicht aus Tantal oder Tantalnitrid oder Tantaloxinitrid oder Nickelchrom unterlegt ist,
daß durch Entfernung der Schichtung aus Ober- und Unterschicht vom Substrat auf einem Teilbereich des Substrats ein erstes Widerstandselement gebildet wird, und
daß auf einem weiteren Teilbereich des Substrats durch bereichsweise Entfernung der Schichtung und anschließende Entfernung der Oberschicht von Teilbereichen der Schichtung mindestens ein mit dem ersten Widerstandselement zusammenschaltbares weiteres Widerstandselement gebildet wird.
2. Dünnschichtwiderstandsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die Oberschicht aus Nickel und die Unterschicht aus
Tantal besteht.
3. Verwendung einer Dünnschichtwiderstandsanordnung nach Anspruch 1
als Temperatursensor.
4. Verwendung einer Dünnschichtwiderstandsanordnung nach Anspruch 1
oder 2 in einer temperaturkompensierten Hybridschaltung.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE3029446A DE3029446A1 (de) | 1980-08-02 | 1980-08-02 | Duennschichtanordnung |
US06/281,169 US4464646A (en) | 1980-08-02 | 1981-07-07 | Controlled temperature coefficient thin-film circuit element |
NL8103629A NL8103629A (nl) | 1980-08-02 | 1981-07-31 | Inrichting met dunne lagen. |
JP56120795A JPS5753970A (de) | 1980-08-02 | 1981-08-03 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE3029446A DE3029446A1 (de) | 1980-08-02 | 1980-08-02 | Duennschichtanordnung |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3029446A1 DE3029446A1 (de) | 1982-03-11 |
DE3029446C2 true DE3029446C2 (de) | 1990-12-20 |
Family
ID=6108804
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE3029446A Granted DE3029446A1 (de) | 1980-08-02 | 1980-08-02 | Duennschichtanordnung |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4464646A (de) |
JP (1) | JPS5753970A (de) |
DE (1) | DE3029446A1 (de) |
NL (1) | NL8103629A (de) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4104674A1 (de) * | 1991-02-15 | 1992-08-20 | Ludwig Schneider Messtechnik G | Sensor, insbesondere temperatursensor |
DE4337676A1 (de) * | 1993-02-16 | 1994-08-18 | Landis & Gyr Business Support | Abgeglichener Drahtwiderstand zur Erfassung der Temperatur und Verfahren zur Herstellung von abgeglichenen Drahtwiderständen |
DE4312394A1 (de) * | 1993-04-16 | 1994-10-20 | Gsf Forschungszentrum Umwelt | Widerstandsthermometer |
DE4445243A1 (de) * | 1993-12-27 | 1995-06-29 | Ngk Insulators Ltd | Temperaturfühler |
DE10119928A1 (de) * | 2001-04-23 | 2002-10-31 | Behr France Sarl | Heizregister mit PTC-Elementen |
DE19780905C2 (de) * | 1996-08-27 | 2003-03-20 | Kamaya Electric Co | Widerstand und Verfahren zu seiner Herstellung |
DE102014225897B3 (de) * | 2014-12-15 | 2016-03-17 | Ust Umweltsensortechnik Gmbh | Hysteresefreier Hochtemperatursensor |
Families Citing this family (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0132374B1 (de) * | 1983-07-20 | 1988-01-20 | Tokyo Tatsuno Company Limited | Vorrichtung zur Volumendurchflussmessung mit Temperaturkompensation |
EP0193015A3 (de) * | 1985-02-26 | 1990-05-09 | Novasina AG | Sensor zur Messung der elektrischen Leitfähigkeit |
GB2179748B (en) * | 1985-08-20 | 1989-09-06 | Sharp Kk | Thermal flow sensor |
JPS6244971A (ja) * | 1985-08-23 | 1987-02-26 | 日本特殊陶業株式会社 | セラミツク基板ヒ−タ− |
US4792782A (en) * | 1985-09-23 | 1988-12-20 | Hammond Robert W | Apparatus and method for providing improved resistive ratio stability of a resistive divider network |
DE3733192C1 (de) * | 1987-10-01 | 1988-10-06 | Bosch Gmbh Robert | PTC-Temperaturfuehler sowie Verfahren zur Herstellung von PTC-Temperaturfuehlerelementen fuer den PTC-Temperaturfuehler |
US4803457A (en) * | 1987-02-27 | 1989-02-07 | Chapel Jr Roy W | Compound resistor and manufacturing method therefore |
US4907341A (en) * | 1987-02-27 | 1990-03-13 | John Fluke Mfg. Co., Inc. | Compound resistor manufacturing method |
US4920329A (en) * | 1989-09-13 | 1990-04-24 | Motorola, Inc. | Impedance-compensated thick-film resistor |
US5041809A (en) * | 1990-01-08 | 1991-08-20 | General Electric Company | Glass-ceramic temperature sensor for heating ovens |
DE4025715C1 (de) * | 1990-08-14 | 1992-04-02 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart, De | |
US5444219A (en) * | 1990-09-24 | 1995-08-22 | U.S. Philips Corporation | Temperature sensing device and a temperature sensing circuit using such a device |
US5161541A (en) * | 1991-03-05 | 1992-11-10 | Edentec | Flow sensor system |
JP2968111B2 (ja) * | 1991-11-22 | 1999-10-25 | 日本特殊陶業株式会社 | マイグレーション防止パターンを備えた抵抗体物理量センサ |
JPH0653417A (ja) * | 1992-05-19 | 1994-02-25 | Texas Instr Inc <Ti> | 抵抗器回路およびそれを形成する方法 |
JP3196395B2 (ja) * | 1993-02-18 | 2001-08-06 | 株式会社村田製作所 | 抵抗温度センサ |
JPH08219900A (ja) * | 1995-02-15 | 1996-08-30 | Murata Mfg Co Ltd | 白金温度センサ |
JPH09318594A (ja) * | 1996-03-25 | 1997-12-12 | Ngk Insulators Ltd | ガスセンサおよび被測定ガス中の特定成分量の測定方法 |
CZ297066B6 (cs) * | 1999-08-10 | 2006-08-16 | Zpusob vztazného merení teplot a rozdílu teplot, asymetrický teplotní senzor a asymetrický vztazný clen pro provádení zpusobu | |
DE19957991C2 (de) * | 1999-12-02 | 2002-01-31 | Daimler Chrysler Ag | Anordnung einer Heizschicht für einen Hochtemperaturgassensor |
SE516411C2 (sv) * | 2000-05-26 | 2002-01-15 | Ericsson Telefon Ab L M | Anordning för att kompensera variationer hos ett motstånds ytresistans på ett chips |
JP4009520B2 (ja) * | 2002-11-05 | 2007-11-14 | 日東電工株式会社 | 温度測定用フレキシブル配線回路基板 |
US7012499B2 (en) | 2003-06-02 | 2006-03-14 | International Business Machines Corporation | Method of fabrication of thin film resistor with 0 TCR |
DE102004034185B3 (de) * | 2004-07-15 | 2006-01-05 | Zitzmann, Heinrich, Dr. | Temperaturfühler und Verfahren zu dessen Herstellung |
FR2912674B1 (fr) * | 2007-02-20 | 2009-08-28 | Snecma Services Sa | Procede de rechargement d'une piece en alliage d'aluminium |
US8305186B1 (en) * | 2010-08-24 | 2012-11-06 | Minco Products, Inc. | Resistive temperature detector assembly |
US20130193851A1 (en) * | 2012-01-26 | 2013-08-01 | Vishay Dale Electronics, Inc. | Integrated Circuit Element and Electronic Circuit for Light Emitting Diode Applications |
US9595518B1 (en) | 2015-12-15 | 2017-03-14 | Globalfoundries Inc. | Fin-type metal-semiconductor resistors and fabrication methods thereof |
US11226244B2 (en) * | 2019-01-30 | 2022-01-18 | Sensata Technologies, Inc. | Automotive exhaust gas sensor with two calibration portions |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR1317558A (de) * | 1961-03-13 | 1963-05-08 | ||
US3513411A (en) * | 1968-01-30 | 1970-05-19 | El Rad Mfg Co | Frequency stabilized tuned circuit oscillator |
US3845443A (en) * | 1972-06-14 | 1974-10-29 | Bailey Meter Co | Thin film resistance thermometer |
DD106493A1 (de) * | 1973-08-24 | 1974-06-12 | ||
DE2362567A1 (de) * | 1973-12-17 | 1975-06-19 | Crl Electronic Bauelemente | Temperaturstabilisierte elektronische schaltung |
JPS5111161A (ja) * | 1974-07-18 | 1976-01-29 | Iwatsu Electric Co Ltd | Hakumakuteikososhino teikoondokeisuchoseiho |
US4019168A (en) * | 1975-08-21 | 1977-04-19 | Airco, Inc. | Bilayer thin film resistor and method for manufacture |
US4079349A (en) * | 1976-09-29 | 1978-03-14 | Corning Glass Works | Low TCR resistor |
JPS53103194A (en) * | 1977-02-18 | 1978-09-08 | Hitachi Ltd | Thin film resistor unit with resistor for compensating resistance temperature coefficient |
US4104607A (en) * | 1977-03-14 | 1978-08-01 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Zero temperature coefficient of resistance bi-film resistor |
JPS53133800A (en) * | 1977-04-26 | 1978-11-21 | Nec Corp | Method of manufacturing thin film resistor element |
DE2719988C2 (de) * | 1977-05-04 | 1983-01-05 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Amorphe, Tantal enthaltende mindestens bis 300 Grad C temperaturstabile Metallschicht und Verfahren zu ihrer Herstellung |
JPS548865A (en) * | 1977-06-22 | 1979-01-23 | Hitachi Ltd | Method of making thin film resistance elements |
JPS5434901A (en) * | 1977-08-23 | 1979-03-14 | Teijin Ltd | Method of producing printing plate |
FR2440618A1 (fr) * | 1978-11-03 | 1980-05-30 | Lignes Telegraph Telephon | Circuit integre resistance - capacite a couches minces |
DE2965814D1 (en) * | 1979-03-21 | 1983-08-11 | Bbc Brown Boveri & Cie | Thin film resistor having a high temperature coefficient and method of manufacturing the same |
-
1980
- 1980-08-02 DE DE3029446A patent/DE3029446A1/de active Granted
-
1981
- 1981-07-07 US US06/281,169 patent/US4464646A/en not_active Expired - Fee Related
- 1981-07-31 NL NL8103629A patent/NL8103629A/nl not_active Application Discontinuation
- 1981-08-03 JP JP56120795A patent/JPS5753970A/ja active Pending
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4104674A1 (de) * | 1991-02-15 | 1992-08-20 | Ludwig Schneider Messtechnik G | Sensor, insbesondere temperatursensor |
DE4337676A1 (de) * | 1993-02-16 | 1994-08-18 | Landis & Gyr Business Support | Abgeglichener Drahtwiderstand zur Erfassung der Temperatur und Verfahren zur Herstellung von abgeglichenen Drahtwiderständen |
DE4312394A1 (de) * | 1993-04-16 | 1994-10-20 | Gsf Forschungszentrum Umwelt | Widerstandsthermometer |
DE4445243A1 (de) * | 1993-12-27 | 1995-06-29 | Ngk Insulators Ltd | Temperaturfühler |
US5823680A (en) * | 1993-12-27 | 1998-10-20 | Ngk Insulators, Ltd. | Temperature sensor |
DE4445243C2 (de) * | 1993-12-27 | 2002-03-21 | Ngk Insulators Ltd | Temperaturfühler |
DE19780905C2 (de) * | 1996-08-27 | 2003-03-20 | Kamaya Electric Co | Widerstand und Verfahren zu seiner Herstellung |
DE10119928A1 (de) * | 2001-04-23 | 2002-10-31 | Behr France Sarl | Heizregister mit PTC-Elementen |
DE102014225897B3 (de) * | 2014-12-15 | 2016-03-17 | Ust Umweltsensortechnik Gmbh | Hysteresefreier Hochtemperatursensor |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
NL8103629A (nl) | 1982-03-01 |
JPS5753970A (de) | 1982-03-31 |
DE3029446A1 (de) | 1982-03-11 |
US4464646A (en) | 1984-08-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3029446C2 (de) | ||
DE69117374T2 (de) | SiC-Dünnschichtthermistor und Verfahren und Herstellungsverfahren. | |
DE3603757C2 (de) | Schichtwiderstand für einen Strömungsfühler sowie Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE2221062C3 (de) | Kapazitiver Druckwandler | |
DE3705279C2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Widerständen in Chip-Form | |
EP0018013A1 (de) | Dehnungsmessstreifen - Brückenschaltung | |
DE4445243C2 (de) | Temperaturfühler | |
EP0021291A1 (de) | Mengendurchflussmesser | |
DE3035678A1 (de) | Justierbarer duennschicht-beanspruchungsmesser und verfahren zur herstellung | |
DE60002954T2 (de) | Filmartiger drucksensor | |
DE60025355T2 (de) | Dehnungsmessstreifen | |
DE19834640A1 (de) | Mehrschicht-Leiterbahnsubstrat für einen integrierten Hybrid-Schaltkreis, sowie Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE4207188C2 (de) | Strömungsmengenfühler thermischer Bauart | |
DE2916425C2 (de) | Dehnungsmeßstreifen und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE102004009027A1 (de) | Wärmeempfindliches Flussratendetekorelement und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE3606851A1 (de) | Anordnung zur messung der stroemungsgeschwindigkeit | |
DE3042506C2 (de) | Dehnungsmeßstreifenwandler | |
DE3118306A1 (de) | Vorrichtung zur kompensation der temperaturdrift eines piezoresistiven halbleiter-drucksensors | |
DE2513859C2 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Kondensator-Widerstands-Netzwerks | |
EP0235359A2 (de) | Anordnung zur Messung der Strömungsgeschwindigkeit | |
DE3110047A1 (de) | Sensor zur messung physikalischer groessen sowie verfahren zu seiner herstellung und seine verwendung | |
DE3421963C2 (de) | ||
EP0060427B1 (de) | Sensor zur Messung physikalischer Grössen sowie Verfahren zu seiner Herstellung und seine Verwendung | |
EP0152054A2 (de) | Elektromechanische Wägezelle mit Biegemesskörper | |
DE2720049C3 (de) | Dünnschicht-Heißleiter und Verfahren zu seiner Herstellung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
8120 | Willingness to grant licences paragraph 23 | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |