DE3021289A1 - Elektrischer baustein in schichtschaltungstechnik - Google Patents

Elektrischer baustein in schichtschaltungstechnik

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Description

  • Elektrischer Baustein in Schicht
  • schaltungstechnik.
  • Die Erfindung betrifft einen elektrischen Baustein in Schichtschaltung-stechnik gemäß dem Oberbegriff des Anspruches 1.
  • Aus der DE-AS 26 55 841 ist beispielsweise ein integrierter Widerstandsbaustein zum Einlöten in eine Flachbaugruppe bekannt, bei dem beide Hauptflächen des elektrisch isolierenden Trägerkorpers mit Schichtwiderständen und Anschlußflächen versehen sind. Es sind auch Hybridschaltungen bekannt, bei denen die Chips integrierer Schaltungen, sogenannte IC-Chips mit feinen Drähten auf den entsprechenden Leitungsbahnen der Hybridschal tung festgebondet werden. Derartige IC--Chips sind jedoch den Einflüssen von Außen in nachteiliger Weise ausgesetzt, so daß sie vorzugsweise in Multilayergehäuse eingesetzt werden. Diese Gehäuse sind vakuumdicht verschlossen, so daß die IC-Chips gegen äußere Einflüsse geschützt sind. Außerdem sind diese Multilayergehäuse für den unmittelbaren Einsatz in gedruckte Schaltungen geeignet.
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen elektrischen Baustein in Schichtschaltungstechnik zur Verfügung zu stellen, der eine sehr große Dichte der Schaltungsstruktur auf einem kleinen Trägerkörper aufweist, derart, daß beide Hauptflächen des Trägerkörpers für die Schaltungsstruktur benutzt werden, der einfach herstellbar ist und ein hohes Qualitätsniveau auch in der Massenproduktion gewährleistet.
  • Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die kennzeichnenden Merkmale des Anspruches 1 gelöst. Bevorzugte Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen gekennzeichnet.
  • Die mit der Erfindung erzielten Vorteile bestehen insbesondere darin, daß die Kontaktierung des Chips der irltegrierten Schaltung mit seiner Vielzahl von Anschlußflächen und die Verlängerung dieser Anschlußflächen mit den Anschlußflächen des Schaltungsbausteines unmittelbar und mittelbar über weitere Schaltungsstrukturen einfach und sicher gewährleistet ist.
  • Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in der Zeichnung schematisch dargestellt. Es zeigen Fig. 1 einen Schaltungsbaustein mit einem in einem Multilayergehäuse angeordneten IC-Chip, Fig. 2 einen Schnitt durch den Schaltungsbaustein -ausschnittsweise und Fig. 3 ein Formätzteil zur Kontaktverbindung der beiden Hauptflächen eines Trägerkörpers.
  • Fig. 1 zeigt einen ebenen keramischen Trägerkörper 1, der auf seiner einen Hauptfiäche mit Leitungsbahnen 4 und nicht dargestellten Schichtbauelementen und/oder diskreten Hybridbauelementen versehen ist. Die Leitungsbahnen 4 enden auf der einen Seite in Anschlußflächen 41 und auf der anderen Seite mindestens zum Teil im Bereich unter dem Multilayergehäuse 2 des IC-Chips. Auf zwei oder drei Reihen von Anschlußflächen unter dem Multilayergehäuse 2 wird ein blechförmiges, in Fig. 3 dargestelltes Formätzteil 3 mit seinen Fingern 31 angelötet und anschließend von seinem Basisteil 32 abgetrennt. Nach dem Auflöten des Multilayergehäuses 2 auf die Finger 31 des Formätzteiles 3 bzw. auf die Enden der Leitungsbahnen 4 werden die Finger 31 um die beiden dem Multilayergehäuse 2 benachbarten Längskanten 13 des Trägerkörpers 1 herumgebogen und - wie aus Fig. 2 ersichtlich ist - mit den Endflächen der auf der zweiten Hauptfläche 12 des Trägerkörpers 1 vorhandenen Leitungsbahnen 4 verlötet, die in Anschlußflächen 41 münden.

Claims (5)

  1. P A T E N T A N S P R Ü C H E : 1. Elektrischer Baustein in Schichts @altungstechnik, bei dem beide Hauptflächen des elektrisch isolierenden, ebenen Trägerkörpers mit einem Leiterbahnmuster und mit Schichtbauelementen und/oder diskreten Bauelementen und mit mindessens einer in einem Multilayergehäuse (2) mit seinen metallischen gerüstet ist, d a d u r c h q e k e n n z e 3 c r n e t daß das Multilayergehäuse (2) mit sinen metallischen Anschlußflächen (22) auf dünrtn blechstreifen (3) festgelötet ist, die selbst auf auf einer Hauptfläche (11) des Trägerkörpers (s) vorhandenen Metallschichtflächen (4) festgelötet snc und über Schmalflächen (13) des Trägerkörpers (1) herumgebogen bis zu Metallschichtflächen (4) auf der gegenüberliegenden Hauptfläche (12) des Trägerkörpers (1) reichen und hier festgelötet sind.
  2. 2. Elektrischer Baustein nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Multilayergehäuse (2) in einer Ecke des Trägerkörpers (1) angeordnet ist und zwei seiner Reihen metallischer Anschlußflächen (22) durch Blechstreifen (3) mit der gegenüberliegenden Hauptfläche (12) verbunden sind.
  3. 3. Elektrischer Baustein nach einem der Ansprüche 1 bis 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Blechstreifen (3) fingerförmig (31) aus einem Formätzteil oder aus einem Stanzmetallteil freigeschnitten sind.
  4. 4. Elektrischer Baustein nach einem cer Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß Anschlußflächen (22) des Multilayergehäuses (2) über Leiterbahnen (4) unmittelbar und/cder über weitere Schaltungsstrukturen mit Anschlußflächen (41) verbunden sind.
  5. 5. Elektrischer Baustein nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Anschlußflächen (41) alle an einer Längskante (13) des Trägerkörpers (1) angeordnet und mit Anschlußelementen verbunden sind.
    c. Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Bausteins nach einem der vorhergenannten Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Verbindung der Blechstreifen (3) mit den Metallschichtflächen (4) in einem Lötvorgang hergestellt wird.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3300693A1 (de) * 1982-02-05 1983-09-22 Hitachi, Ltd., Tokyo Halbleiteranordnung und verfahren zu ihrer herstellung
DE3437287A1 (de) * 1984-10-11 1986-04-24 Diehl GmbH & Co, 8500 Nürnberg Anordnung und verfahren zum einbau einer elektronischen anzeige
US4656442A (en) * 1984-02-27 1987-04-07 Toko, Inc. Hybrid circuit device

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