DE2908585A1 - Holographisch-optisches speicherelement - Google Patents

Holographisch-optisches speicherelement

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DE2908585A1 DE19792908585 DE2908585A DE2908585A1 DE 2908585 A1 DE2908585 A1 DE 2908585A1 DE 19792908585 DE19792908585 DE 19792908585 DE 2908585 A DE2908585 A DE 2908585A DE 2908585 A1 DE2908585 A1 DE 2908585A1
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Description

  • Holographisch-optisches Speicherelement
  • Die Erfindung betrifft ein holographisch-optisches Speicherelement zur reversiblen Speicherung von Voiumenphasenhologrammen durch Zwe1-Photonen-Absorption, bestehend aus einem Cr3+-Ionen enthaltenen Lithiumniobat-(LiNb03) oder I£ithiumtantalat-(LiTaO3) Kristall.
  • Bei der Speicherung von Information in der Form von Volumenphasenhologrammen können extrem hohe Speicherdichten erreicht werden. Als Speichermaterialien werden dabei elektro-optische Kristalle wie z.B. Lithiumniobat oder Lithiumtantalat verwendet, deren Brechungsindex durch den photorefraktiven Effekt (Optica Acta, 1977, Vol24, No.4, 8.475-462) beeinflußt werden kann.
  • Der Speicherprozeß in elektro-optischen Kristallen beruht auf der Umverteilung von optisch angeregten Ladungsträgern.
  • Die resultierenden Raumladungsfelder modulieren den Brechungsindex über den elektro-optischen Effekt, so daß ein optisches Interferenzmuster im Volumen des Knstalls als entsprechendes Brechungsindexmuster gespeichert wird. Das Auslesen der gespeicherten Information erfolgt durch Abbeugung eines Lichtstrahls am Volumenphasenhologramm. Die Rekonstruktion der gespeicherten Information ist allerdings nur dann einwandfrei möglich, wenn für den Einschreib- und Ausleseprozeß Licht gleicher Wellenlänge benutzt wird.
  • In Materialien, bei denen die optische Anregung der Ladungsträger durch Ein-Photonen-Absorptionsprozesse erfolgt, Rührt dieses jedoch zu einem Löschen des Hologramms während des Auslesens, da hierbei ebenfalls Ladungsträger optisch angeregt werden.
  • Aus dem Aufsatz von D. von der Lindeu.a., erschienen in "Journal of Applied Physicstt, 1976, von.47, No.1,S.217-220 ist bekannt, daß dieser Nachteil umgangen werden kann, wenn die optische Anregung von Ladungsträgern durch Zwei-Photonen-Absorptionsprozesse erfolgt. Das zu speichernde Interferenzmuster entsteht durch Überlagerung von einem die Information tragenden Objektstrahl und einem Referenzstrahl. Beide Wellen haben die Frequenz « Während des Einschreibprozesses wird der Kristall zusätzlich mit Licht der Frequenz 5 beleuchtet. Die optische Anregung der Ladungsträger erfolgt dann durch Absorption von jeweils einem Photon der Energie 4'#1 und einem Photon der Energie i M2.
  • Die zusätzliche Beleuchtung mit Licht der Frequenz w2 ist dabei nicht unbedingt erforderlich. Es kann auch eine Anregung der Ladungsträger bei erhöhter Intensität der Strahlung durch Absorption von zwei Photonen der Energie % w 1erfolgen.
  • In beiden Fällen wird die gespeicherte Information durch Beleuchten mit dem Referenzstrahl der Frequenz @1 sowie durch Abbeugung des Referenzstrahls am eingeschriebenen Volumenphasenhologramm (Volumenphasengitter) rekonstruiert. Hierbei ist die Lichtintensität so niedrig zu wählen, daß keine Zwei-Photonen-Ab sorptionspro zesse auftreten.
  • Als Speichermaterialien werden in dem erwähnten Aufsatz von D. von der Linde Lithiumniobat- und Lithiumtantalat-Kristalle verwendet, die mit Cr3+-Ionen dotiert sind. Die optische Anregung der Ladungsträger durch Zwei-Photonen-Absorption erfolgt dabei, ausgehend vom 4A2-Grundzustand des Cr3+-Ions, über den reellen 4T-Zustand des Cr3+-Ions, der eine Lebensdauer von ungefähr 500 ns bei einer Temperatur von 200C besitzt. Als Lichtquelle dienen ein gepulster Rubin-Laser mit einer Eaergie < = 1,79 eV und ein blitzlampengepulster Dye-Laser mit einer Energie v ##2= 2,72 eV.
  • Die auf diese Weise durch zwei-Photonen-Absorptionsprozesse angeregten Elektronen (Ladungsträger) werden von Störstellen eingefangen, die dicht unterhalb des Leitungsbandes liegen.
  • Die Störstellen binden die Elektronen energetisch nur schwach, so daß sie thermisch und optisch leicht angeregt werden können.
  • Ihre optische Absorptionsbande reicht vom infraroten bis zum ultravioletten Spektralgebiet.
  • Aufgrund der energetisch schwachen Bindung der Elektronen an die Störstellen besitzen die mit Chrom dotierten Lithiumniobat und Lithiumtantalat-Kristalle relativ schlechte Speichereigenschaften. Beispielsweise wird ein eingeschriebenes Volumenphasenhologramm während der mit Hilfe eines Referenzstrahls durchgeführten Rekonstruktion sehr schnell gelöscht, wEhrend die Speicherzeit derartiger Kristalle ohne Beleuchtung bei nur ungefähr 20 Stunden liegt.
  • Aufgabe der Erfindung ist es, eine holographisch-optische Spechervorrichtung zur reversiblen Speicherung von Inbr tion zu schaffen, deren Speichermaterial ohne Beleuchtung eine möglichst große Speicherzeit bei einer Lagerungstemperatur von etwa 200C besitzt, und das derart ausgebildet ist, daß das in ihm gespeicherte Volumenphasenhologramm bei seiner Rekonstruktion möglichst nicht gelöscht wird.
  • Diese Aufgabe wird gemäß der Erfindung dadurch gelöst, daß das Speicherelement zusätzlich mit einem anderen Stoff dotiert ist, dessen Ionen in zwei Valenzzuständen auftreten, wobei die mit einem Elektron besetzten Grundzustände der Ionen energetisch mindestens 2,5 eV unter dem Leitungsband liegen.
  • Mit Chrom dotierte Lithiumniobat- und Lithiumtantalat-Kristalle, die zusätzlich mit energetisch tiefliegenden Störstellen dotiert sind, deren mit einem Elektron besetzten Grundzustände in der Nähe, beispielsweise kurz unterhalb des 4A2-Grundzustandes des Cr3+-Ions liegen, weisen gegenüber den nur. mit Chrom dotierten Lithiumniobat- und Lithluntantalat-Kristallen erheblich verbessefte Speichereigenschaften in bezug auf die Dunkelspeicherzeit, die bis zu einem Jahr betragen kann (Speicherzeit ohne Beleuchtung des Kristalls) ~und die Nichtlöschbarkeit eingeschriebener Volumenphasenhologramme bei ihrer Rekonstruktion auf.
  • Zur Erzeugung der energetisch tief liegenden Störstellen eignen sich Ionen, die in Lithiumniobat- bzw. Lithiumtantalat-Kristallen in zwei verschiedenen Valenzzuständen existieren können, wie z.B. die Ionen der Ubergangsmetalle Eisen, Kupfer, Nickel, Cobalt und Mangan. Beispielsweise werden durch die Fe2+-Ionen die mit einem Elektron besetzten Grundzustände der Eisen-Ionen gebildet. Die gewünscht Zusammensetzung der Kristalle wird erreicht, indem man einer Schmelze aus Lithiumniobat oder Lithiumtantalat beim Ziehen des Kristalls das jeweils geamnschte Ubergangsmetall als Metalloxid zusetzt.
  • Die Speichereigenschaften der Kristalle können weiter verbessert werden, wenn diese mehrere Stunden lang in oxidierender Atmosphäre bei hohen Temperaturen getempert werden.
  • Durch diese oxidierende Wärmebehandlung werden den zursätzlich eingebrachten Ubergangsmetallionen Elektronen entzogen, so daß sie als Elektronen-Akzeptor im Kristall vorliegen. Der Valenzzustand der Cr3+-Ionen wird durch die Temperung nicht merklich angegriffen.
  • Die Figuren stellen ein Aussührungsbeispiel der Erfindung dar. Es zeigen: Fig. 1 eine schematisch dargestellte Vorrichtung zur Speicherung und Rekonstruktion von Volumenphasenhologrammen, Fig. 2 ein Energiebandschema zur Veranschaulichung der Anregungs- und Speichermechanismen in mit Chrom dotierten Lithiumniobat- oder Lithiumtantalat-Kristallen, die zusätzlich mit übergangsmetallionen dotiert sind.
  • In Fig. 1 ist eine Vorrichtung zur Speicherung und Rekonstruktion von Volumenpha senholo grammen dargestiLt. Als Lichtquelle 1 wird ein Rubin-Laser mit einer Wellenlänge von # = 694 nm (Energie E1), einer Pulsdauer von 20 ns und einer Intensität von ##1O7W/cm2 verwendet. Der vom Laser 1 ausgesandte Lichtstrahl wird mit Hilfe einer Strahlteilerplatte 2 in einem Objektstrahl 0 und einen Referenzstrahl R aufgespalten. Der Spiegel 3 bewirkt eine Ablenkung des Referenzstrahls R, so daß sich Objektstrahl 0 und Referenzstrahl R am Ort des Speicherelements 4 (Speicherkristall) überlagern. Die pyroelektrische C-Achse des Speicherkristalls 4 liegt in der Einfallsebene von Objekt- und Referenzstrahl und steht senkrecht auf den -elementaren Interferenzstreifen, die bei der Überlagerung von Objektstrahl 0 und Referenzstrahl R gebildet werden.
  • Die parallel zueinander und zur C-Achse liegenden Begrenzungsebenen 4a und 4b des Speicherelementes 4, das quaderförmig ausgebildet ist, stehen ebenfalls senkrecht auf der Einfallsebene.
  • Das im Speichermaterial 4 gespeicherte Volumenphasenhologramm wird mit Hilfe des Referenzstrahls R ausgelesen, indem dieser am Volumenphasenhologramm abgebeugt wird.
  • Hierzu wird unter Verwendung eines Lichtchoppers 6 der ObJektSrahl 0 abgedeckt und mit Hilfe eines hinter dem Speicherelement 4 angeordneten Lichtdetektors 5 die abgebeugte Intensität des Referenzstrahls R gemessen.
  • Die physikalischen Vorgänge im Speichermedium 4 werden durch Fig..2 anhand eines Energiebandschemas veranschaulicht, in dem vertikal eine Energieachse E und horizontal eine Ortsachse X verläuft. Das Leitungsband ist hierbei mit L und das Valenzband mit V bezeichnet. Das Speichermaterial 4 besteht beispielsweise aus mit Chrom-(Cr3+)Ionen dotiertem Lithiumniobat, in dem sich zusätzlich Eisen-(Fe3+)Ionen befinden. Anstelle des Lithiumniobat kann auch Lithiumtantalat und an Stelle der Eisen-Zonen können Kupfer, Nickel-, Cobalt-oder Manganionen verwendet werden. -Durch Absorption von jeweils zwei Photonen der Energie Ei bei maximaler Intensität des Lasers 1 werden Elektronen vom 4A2-Grundzustand der Cr3+-Ionen über den 4T1-Zwischen-2 zustand in das Leitungsband L angehoben und umverteilt. Von hier aus werden die Elektronen von schwachen Störstellen S bzw. von den Fe#+-Ionen,deren Grundzustand in Fig. 2 mit G bezeichnet ist, eingefangen. Auf diese Weise werden Fe2+-Ionen erzeugt, durch die die mit einem Elektron besetzten Grundzustände der Eisen-Ionen gebildet werden. Die an die schwachen Störstellen S gebundenen Elektronen können durch Absorption eines Photons wieder angeregt werden. Die an die Fe3+-Ionen gebundenen Elektronen jedoch liegen energetisch so tief, daß sie durch Absorption nur eines Photons der Energie Ei nicht angeregt werden können. Beim Auslesen des Volumenphasenhologramms wird aber die Laserintensität soweit verringert, daß eine Anregung der an die Fe3+-Ionen gebundenen Elektronen durch Zwei-Photonen-Absorptionsprozesse nicht mehr möglich ist.
  • In den folgenden drei Beispielen werden unterschiedlich dotierte Speicherelemente 4 beschrieben.
  • beispiel 1 Ein eindomäniger Lithiumniob at-Kri stall (LiNbO3) wird mit 0,007 Gew.% Chrom (etwa 0,01 Gew. NQ Cr2O3) und 0,05 Gew.% Eisen (etwa 0,075 Gew.%o Fe203) dotiert. Die Metalloxide wurden einer LiNb03-Schmelze beim Ziehen des Kristalls zugegeben. Der Kristall wurde ca. 10 Stunden bei einer Temperatur von 1000°C in reiner Sauerstoffatmosphäre bei Normaldruck getempert. Die Abmessungen eines untersuchten rechteckigen Kristalls betrugen in der Länge 0,5 cm (Richtung der C-Achse),in der Breite 0,4 cm und in der Tiefe 0,05 cm.
  • Beispiel 2 Ein eindomäniger Lithiumtantalat-Kristall (LiTaO3) wird mit 0,14 Gew.06# Chrom (etwa 0,2 Gew.% Cr2O3) und 0,05 Gew.% Eisen (0,075 Gew.% Fe203) dotiert und entsprechend Beispiel 1 behandelt.
  • Beispiel 3 Ein eindomäniger Lithiumniobat-Kristall (LiNbO3) wird mit 0,03 Gew.% Chrom (etwa 0,05 Gew. Cr2O3) und 0,08 Gew.% Kupfer (etwa 0,05 Gew.# CuO) dotiert und entsprechend Deispiel 1 behandelt.
  • Zum Einschreiben eines Volumenphasenhologramms mit einem Auslesewirkungsgrad von 93 = 154 undeinem einzigen Puls des Rubinlasers 1 in eines der Speicherelemente 4 ist etwa eine Lichtenergiedichte von 5= 600 mJ/cm2 notwendig (Haß für Empfindlichkeit des Speichermaterials). Der Auslesewirkungsgrad ist herbei als das Verhältnis der abgebeugten Intensität zur direkt transmittierten Intensität (ohne Kristall) definiert.
  • Zum Löschen eines Volumenphasenhologramms, das beispielsweise in einem mit Kupfer oder Eisen dotierten LiNbO3Cr-Kristall eingespeichert ist, ist bei Verwendung eines Rubinlasers ( t = 694 nm) mit einer Pulsdauer von 20 ns und einer Energiedichte pro Puls von 0,2 J/cm2 eine Löschenergiedichte von 700 J/cm2 erforderlich. Die Löschenergiedichte für Rubinlaser hängt quadratisch von der Energiedichte seiner Einzelpulse ab. Verwendet man daher zum Auslesen der im Kristall 4 gespeicherten Information Pulse sehr keiner Energiedichte, findet praktisch kein Löschprozeß statt. Das gleiche gilt auch für LiNb03:Cr-und LiTa03:Cr-Kristalle, die zusä#tzlich mit Nickel, Cobalt oder Mangan dotiert sind.
  • Ferner kann zum Auslesen der in einem Speicherelement 4 eingeschriebenen Information auch das Licht eines Helium-Neon-Lasers ( t = 633 nm) verwendet werden. Die bei dieser Wellenlänge erforderlichen Löschenergiedichten betragen etwa 104 bis i05 J/cm2. Das Auslesen der gespeicherten Information erfolgt üblicherweise in relativ kurzer Zeit (einige Sekunden), so daß die Löschenergiedichte während des Auslesens mit einem Helium-Neon-Laser unterhalb dieser Grenze liegt.
  • Die mit Kupfer dotierten LiNb03:Cr- und LiTaO3:Cr-Kristalle eignen sich gut als optisch reversible Speichermaterialien, da die gespeicherten Volumenphasenhologramme mit Licht der Wellenlänge B = 514 nm bzw. t = 476 nm (Argon-Laser) in sehr kurzer Zeit (einige Sekunden) vollständig gelöscht werden können. Die Löschenergiediohten liegen für dieses Material bei relativ geringen Werten von 250 J/cm2 = 514=) und 90 J/cm2 (, 476 nm).
  • Demgegenüber sind die mit Eisen dotierten LiNb03:Cr- und LiTa03:Cr-Kristalle generell unempfindlicher gegen Beleuchtung. Sie eignen sich daher besser für Anwendungen, bei denen die optische Nichtlöschbarkeit der gespeicherten Information im Vordergrund steht.
  • Leerseite

Claims (6)

  1. PATENTAiNSPRUCH#: Holographisch-optisches Speicherelement zur reversiblen Speicherung von Volumenphasenholograinmen durch Zwei-Photonen-Absorption, bestehend aus einem Cr3+-Ionen enthaltenen Lithiumniobat-(LiNbO3) oder Lithiumtantalat-(LiTaO3) Kristall, dadurch gekennzeichnet, daß das Speicherelement (4) zusätzlich mit einem anderen Stoff dotiert ist, dessen Ionen in zwei Valenzzuständen auftreten, wobei die mit einem Elektron besetzten Grundzustände der Ionen energetisch mindestens 2,5 eV unter dem Leitungsband (L) liegen.
  2. 2. Holographisch-optisches Speicherelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Ionen jeweils Eisen, Kupfer, Nickel-, Cobalt- oder Mangan-Ionen sind.
  3. 3. lographisch-optisches Speicherelement nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß es aus Lithiumniobat besteht sowie annähernd 0,003 bis 0,3 Gew.% Chrom und annähernd 0,004 bis 0,4 Gew.% von einem der ubergangsmetalle Eisen, Cobalt oder Mangan enthält.
  4. 4. Holographisch-optisches Speicherelement nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß es aus Litthiumtantalat besteht sowie annähernd 0,003 bis 0,3 Gew.% Chrom und annähernd 0,004 bis 0,4 Gew.:b von einem der Übergangsmetalle Eisen, Cobalt oder Mangan enthalt.
  5. 5. Holographisch-optLsches Speicherlement nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß es aus Lithiumniobat oder Lithiumtantalat besteht sowie annähernd 0,003 bis 0,3 Gew.0/o Chrom und annähernd 0,004 bis 0,8 Gew.
    von einem der übergangsmetalle Kupfer oder Nickelt enthält.
  6. 6. Verwendung des holographisch-optischen Speicherelementes nach einem der Ansprüche 1 bis 5 in einer holographisch-optischen Speichervorrichtung, mit einer kohärentes und monochromatisches Licht aussendenden Strahlenquelle (1) zur Erzeugung eines ObJekt und eines Referenzstrahls zur Speicherung eines Hologramms in dem Speicherelement, und mit einem zum Auslesen des Hologramms geeigneten Strahlungsdetektor (5).
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