DE2908524A1 - Gasionisierung - Google Patents
GasionisierungInfo
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01T—SPARK GAPS; OVERVOLTAGE ARRESTERS USING SPARK GAPS; SPARKING PLUGS; CORONA DEVICES; GENERATING IONS TO BE INTRODUCED INTO NON-ENCLOSED GASES
- H01T23/00—Apparatus for generating ions to be introduced into non-enclosed gases, e.g. into the atmosphere
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- Furnace Details (AREA)
Description
ing. MARTIN SCHUMACHER
PATENTANWALT ..- 3 -
Anmeldung: Patent und Hilfsoebrauchcmuster
Mein Aktenzeichen: 9O12I
2803 Syke - Hauptstrasse 31
Bucheneck 10
Tel. (04242) 4985 - Privat: (04249) 302
Datum
: 2. März Ί979 at2
ANMELDER:
Vanguard Energy Systems 362 Park Square Building
Boston, Massachusetts 02116 USA
ERFINDER:
1) Charles Bancroft Sp^nIr! ing
2) Vernon Gof.fin
3) Erancie il'oert Brady
^) George Michael John Seeley
VERTRETER gemäß § 16 PatGes.:
Dipl.-Ing. Martin Schumacher, Patentanwalt
2808 Syke, Hauptstr.
PRIORITÄT:
USA - Aktz.; 883,830 - AT: 6. März 1978
Gasionisierung
909842/0641
BAD ORIGINAL
-ir- 2.3.1979
GEGENSTAND DER ERFINDUNG
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf die Ionisierung von Gasen und insbesondere die Ionisierung von Luft zur
Erzeugung eines Gases mit negativer Ladung.
Es ist bekannt, daß die Ionisierung von Luft oder Brennstoff oder von beiden, in eine Brennkammer eingeführt,
die Wirksamkeit des Verbrennungsprozesses wesentlich verbessert, insbesondere zu einer vollständigeren Verbrennung
führt, die Ansammlung von unerwünschtem Material in der Verbrennungskammer und ihrem Auslaßsystem .. ..:. ν
und den Auswurf von verschmutzenden Verbrennungsrückständen
vermindert.
Um diese Wirkung auszunutzen, hat man bisher der Verbrennungsluft
im Bereich des Lufteinlasses ionisierte Luft beigemischt»
AUFGABE
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine einfache
und wirksame Einrichtung zur Ionisierung von Gas und insbesondere von Verbrennungsluft zu schaffen»
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7Q.21
LÖSUNG DER AUFGABE
Erfindungsgemäß ist zur Ionisierung von Gas, insbesondere von Verbrennungsluft, eine Kammer mit ' :. dielektrischer
Flüssigkeit, in die Flüssigkeit eintauchenden Leiterplatten unterschiedlichen elektrischen Potentials
und ein Gasdurchlaß durch diese Kammer vorgesehen derart, daß das Gas zwischen den Leiterplatten hindurchströmt
und aus dem Gasraum über der Flüssigkeit austreten.kann.
Vorzugsweise kann dabei über der Flüssigkeit ein Vakuum
aufrechterhalten werden. Die Leiterplatten können wechselweise mit einem ersten und zweiten Anschluß von
unterschiedlichem Potential verbunden sein. Zweckmäßig bestehen die Leiterplatten aus negativen Aluminiumplatten,
die oben von in geringem Abstand angeordneten positiven Kupferplatten abgebogen sind, wobei die Leiterplatten
in einem Winkel von im weser
tale geneigt angeordnet sLndc
tale geneigt angeordnet sLndc
in einem Winkel von im wesentlichen 45° gegen die Horizon-
In der Zeichnung ist die Erfindung an einem Ausführungsbeispiel dargestellte Es zeigt
Figο 1 eine schematische Darstellung der Vorrichtung
nach der Erfindung, im Aufriß und
Fig» 2 ein Schaubild des LEiterplattensystems
nach Fig. 1„
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Die dargestellte Vorrichtung besteht im wesentlichen
aus einer Kammer 10, mit einer vorzugsweise dicht abschließenden Kammerwandung 12, einer in der Kammer angebrachten
Kunststoffbasis 14 als Träger einer Plattengruppe, bestehend aus positiven, über eine Sammelschiene 18,
einen Kontakt 20 dieser Sammelschiene und ein Kabel mit einem Anschlußkontakt 24 auf der Außenseite der Kammer—
wandung 12 verbundenen Kupferplatten 16 und einer Gruppe
von negativen, geerdeten, über eine Sammelschiene 28 mit Kontakt 30 und ein Kabel 32 mit einem äußeren Anschlußkontakt
34 verbundenen Aluminiumplatten 26.
Die Kupfer- und Aluminiumplatten 16 und 26 bilden durch
ihre Neigung und auch Gestaltung eine schwalbenschwanzartige Verbindung mit einem Abstand von etwa 1/2 Zoll
zwischen den Platten eines Plattenpaares bei einer Plattenlänge von mehreren Zoll und einer Spannung zwischen
Kupfer- und Aluminiumplatten, eingetaucht in eine Dielektrikflüssigkeit bestehend aus einem Hochspannungstransformatoröl
A\y von 8000 V» Allgemein ist die Bedingung
einzuhalten, daß der Plattenabstand, die polarisierte Gleichspannung und das Dielektrikum so ausgewählt werden,
daß sich ein intensives elektrisches Feld ohne Lichtbogenbildung aufbaute Des weiteren werden die Platten 16,26
so angebracht, daß sie etwa einen Winkel von 45 zu der
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2808524
_ ^L. 2.3.1979
79.21 durch die Plattenmitte gehenden Achse einnehmeno
Die Luftzufuhr erfolgt über eine Luftleitung 36, die von
einer äußeren Luftaufnahmeöffnung 38 durch die Wandung 12
in die Kammer 10 zu einer Mündung 40 unter den Platten 16 und 26 führt.
Das Dielektrikum 42 füllt den größten Teil der Kammer 10 aus, so daß die Platten 16 und 26 unter dem Flüssigkeitsspiegel
liegen„ Über diesem Spiegel befindet sich in der
Kammer 10 ein Gasraum 44. Dieser Gasraum steht oben über eine Gasauslaßöffnung 46 mit einer Gasableitung 48 und
einer Vakuumpumpe 50 in Verbindung, welche mit einer Speiseleitung 52 versehen ist„ Die Innenwandungen aller
über dem Flüssigkeitsspiegel liegenden Behälterteile sind mit einer vorzugsweise hochgradig dielektrischen Isolierschicht versehen»
5 Durch die Vakuumpumpe 50 wird in der Gaskammer 44 über dem Dielektrikum 43 ein Teilvakuum erzeugt, durch welches
Luft über die Leitung 36 angesaugt und zwischen den Platten 16 und 26 hindurchgeführt wirdo Die Außenkontakte 24 und
34 sind mit einer Spannungsquelle verbunden, so daß an
den Platten eine Spannungsdifferenz von beispielsweise
8000 V aufrechterhalten wird. Dadurch wird die hindurchstreichende Luft ionisiert und durch die Vakuumpumpe 50
und die Speiseleitung 52 wird ionisierte Luft geliefert und in die Verbrennungskammer der Anordnung gegeben, deren
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79.21
Verbrennungsprozeß gefördert werden soll. Es kann sich
dabei um irgendeine, mit Verbrennung arbeitende Einrichtung handeln, z.B„ einen industriellen Ölofen oder den
Verbrennungsmotor eines Kraftwagens„
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BEZUGSZEICHEHLISTE | Kammer | 2.3.1979 | chamb er | |
Kammerwand/u ng | 79.21 | chamber wall | ||
Kunststoffbasis, Träger für 16,26 | plastic base | |||
10 | Kupferplatten | copper plates | ||
12 | Αΐυminiumplatten | aluminium plates | ||
14 | Sammelschiene für 16 | |||
16 | Kontakt von 18 | terminal | ||
26 | Sammelschiene für 26 | cupper btxs | ||
18 | Kontakt -von 26 | terminal | ||
20 | Kabel für 26,28 | cable | ||
28 | Anschlußkontakt für 26 | terminal | ||
30 | Kabel für 16,18 | cable | ||
32 | Anschlußkontakt für 16 | terminal | ||
34 | Luftleitung | air supply tube | ||
22 | Luft aufnahmeöffnung | intake port | ||
24 | Luftauslaßöffnung, Mündung | outlet port | ||
36 | Gasraum | region not filled wit | ||
38 | liquid 42 | |||
40 | Gasauslaßöffnung | intake port | ||
44 | Gasableitung | gas extracting tube | ||
Vakuumpumpe | vaccuum pump | |||
46 | Speis eleitimg | suprly tube | ||
48 | ||||
50 | ||||
52 | ||||
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Leerseite
Claims (8)
1. Vorrichtung ?um Ionisieren von Ga?, gekennzeichnet
durch eine geschlossere Kammer (10) init einem flüssigen
Dielektrikum (42), mit verschiedener elektrischer: Potentialen verbindbarer- Leiterplatten (16, ?6) im
■Dielektrikum und Oasleitungsa-nschlüssen (36,48) rvm
Durchleiten und Ionisieren von Oas rrvrl^cr-sn ier. Leiter
platten.
2. Vorrichtung n.?.ch Anspruch 1, 3ekenr.seichr.ei: durch, eine
Einrichtung sur Erse'j^im?; eines Teil Vakuums in einem
Gasraum (44) über dem Dielektrikum (42).
3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet,
daß die Lufteinlaßleitung (96) mit einer Lufttuündung (40) im Dielektrikum (42), vorzugsweise
unter den Leiterplatten (16,26) versehen ist.
4. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 35 dadurch
3ekenn?,eiclmet, daß wechselweise Leiterplatten
positiven und negativen Potentials vorgesehen sind.
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-P- P^ 1Q7Q
5. Vorrichtung nach eirem der Ansprüche 1 bis 4-, gekennzeichnet
durch geneigte Anordnung der Leiterplatten (16,26)
zu ihrer durch die Plattenmitten gehenden Achse.
6. Vorrichtung nach Anspruch 55 gekennzeichnet durch eine
Neigung; der Leiterplatten zu ihrer durch die Plattenmitten
gehende Achse von etwa 45 .
7- Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Leiterplatten (26) negativen
Potentials aus Aluminium und die Leiterplatten (16) positiven Potentials aus Kupfer bestehen.
8. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens eine der beiden Leiterplatten
(16) bzw. (26) oben aus der 4-5°-Neigung nach
der Vertikalrichtung hin abgewinkelt sind.
909842/0641
BAD ORIGINAL
BAD ORIGINAL
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US05/883,830 US4156267A (en) | 1978-03-06 | 1978-03-06 | Gas ionizing |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2908524A1 true DE2908524A1 (de) | 1979-10-18 |
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ID=25383415
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19797906054U Expired DE7906054U1 (de) | 1978-03-06 | 1979-03-05 | Geraet zum ionisieren von gas |
DE19792908524 Withdrawn DE2908524A1 (de) | 1978-03-06 | 1979-03-05 | Gasionisierung |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19797906054U Expired DE7906054U1 (de) | 1978-03-06 | 1979-03-05 | Geraet zum ionisieren von gas |
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JP (1) | JPS54151553A (de) |
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FR (1) | FR2419601A1 (de) |
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8139 | Disposal/non-payment of the annual fee |