DE2845328C2 - Speichertransistor - Google Patents

Speichertransistor

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DE2845328C2 DE2845328A DE2845328A DE2845328C2 DE 2845328 C2 DE2845328 C2 DE 2845328C2 DE 2845328 A DE2845328 A DE 2845328A DE 2845328 A DE2845328 A DE 2845328A DE 2845328 C2 DE2845328 C2 DE 2845328C2
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Description

a) aus n+-dot!ertem polykristallinem Silicium, Germanium, Aluminiumarsenld, Alumlniumantlmonid, Galliumarsenid oder
b) aus einem der Metalle Aluminium, Gold, Titan, Magnesium, Mangan, Tantal, Wolfram, Molybdän, Thallium in Form einer kompakten metallischen Schicht.
12. Speichertransistor nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Gate-Elektrode (G) aus einer kompakten Schicht des gleichen Materials besteht, wie das Material -des Speichermediums (Gm).
Aus der US-PS 38 77 054 Ist ein Speichertransistor mit einem Halbleiterkörper aus Silicium bekannt, in dem eine Source- und eine Drain-Zone angeordnet sind. Dieser Speichertransistor weist eine Gate-Elektrode und eine zwischen einer Oberfläche des Halblelterkörpers und der Gate-Elektrode angeordnete Gate-Isollerschlcht auf, die aus einer an die Oberfläche des Halbleiterkörpers angrenzenden Tellschicht und elnsr an die Gate-Elektrode angrenzenden Tellschicht besteht, wobei an der Grenzfläche der Teilschichten ein Spelchermedium vorhanden Ist. Arr^dle Gate-Elektrode wird zum Einbringen bzw. Entnehmen einer Ladung In das bzw. aus dem Spelchermedium ein Schreibimpuls bzw. ein Löschimpuls zur Verschiebung der Schwellenspannung und zum Abtasten der Größe der Schwellenspannung ein Leseimpuls angelegt.
Die Erfindung betrifft einen solchen Speichertransistor gemäß dem Gattungsbegriff des Anspruchs 1.
Bei dem bekannten Speichertransistor beträgt die Programmierspannung 30 bis 60 Volt.
Aufgabe der Erfindung Ist die Verringerung der Programmierspannung bei einem solchen Speichertransistor.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die Im kennzeichnenden Teil des Anspruchs 1 angegebene Ausbildung gelöst.
Aus der GB-PS 13 83981 1st zwar ein Speichertransistor bekannt, bei dem die Gate-Isollerschlcht aus zwei je etwa 100 nm dicken Teilschichten besteht, und bei dem zwischen den Teiischichten ein Spelchermedium aus einer Schicht eines halbleitenden Materials angeordnet Ist und bei dem die Schicht des Speichermediums die Projektion der Gate-Elektrode auf das Spelchermedium seitlich so weit überragt, daß das Verhältnis des die Projektion überragenden Flächentells des Spelchermedlums zu der Projektion wesentlich größer als eins Ist. Bei diesem Speichertransistor wird aber nur zum Entnehmen von Ladung aus dem Spelchermedium an die Gate-Elek-
trade ein Löschimpuls angelegt, während das Einbringen der Ladung in das Speichermedium mittels eines Avalanche-Durchbruchs zwischen einer der Zonen und dem Substrat erfolgt.
Die Erfindung wird im folgenden anhand der Zeichnung erläutert, deren
Fig. 1 einen Querschnitt entlang der Schnittlinie B-B der Fig. 3 senkrecht durch die Source- und Drainzone eines Speichertransistors nach der Erfindung veranschaulicht, deren
Fig. 2 das Ersatzschaltbild des Speichertransistors nach der Erfindung enthält, deren
Flg. 3 ausschnittsweise die Aufsicht auf zwei Speichertransistoren einer Speichermatrix zeigt, und deren
F1 g. 4 die Schnittansicht längs der Schnittlinie A -A der F1 g. 3 veranschaulicht.
In der Fig. 1, die einen Querschnitt entlang der Schnittlinie B-B der Fig. 3 zeigt, liegt das Speichermedium Gm zwischen der am Halbleiterkörper 1 angrenzenden Telfschicht Λ und der an die Gate-Elektrode G angrenzenden Teilschicht I2. Die Kanaizone, volche die Sourcezone S mit der Drainzone D verbindet, enthält einen mittleren aktiven Bereich, da das Speichermedium Gm sich lediglich über einen mittleren Flächenbereich der Kanalzone erstreckt. An den äußeren Teilflächenbereichen Λ ist die Gate-Isolatorschlcht verdickt, um dort einen .Spannungsdurchbruch auszuschließen. An die äußeren Teilflächenbereiche U schließt sich die Passivierungsschicht /5 an, welche die größte Dicke von allen Schichten aufweist.
Die Fig. 3, welche ausschnittsweise In Aufsicht zwei Speichertransistoren nach der Erfindung Innerhalb einer Speichermatrix zeigt, läßt erkennen, daß das Speichermedium Gm neben den wirksamen Flächentellen der Gate-Elektrode G Flächentelle aufweist, die die wirksamen Flächenteile der Gate-Elektroden G seitlich überragen.
Die FI g. 4 zeigt die Schnittansicht entlang der Schnittlinie A-A der Fig. 3. Innerhalb der Projektion des wirksamen Fläche..tells Fa der Gate-Elektrode G liegt ein bestimmter Flächenanteil Fa des Speichermediums Gm, welcher Anteil in der F i g. 3 In der einen Richtung gestrichelt gezeichnet ist. Außerhalb der Projektion des wirksamen Flächenteils Fa der Gate-Elektrode G auf das Speichermedium Gm liegt der den wirksamen Flächenteil Fa seitlich überragende Flächenteil Fb, der In einer anderen Richtung gestrichelt Ist.
Wählt man nun eine Dicke d, zwischen 10 und ?.O nrn für die an den Halbleiterkörper angrenzende Tellschlcht /1 und eine Dicke d2 zwischen 20 und 50 nm für die an die Gate-Elektrode G angrenzende Teilschicht I2 sowie ein Flächen verhältnis zwischen 2 und 3 von FbIFa, so erhält man Speichertransistoren, die gegenüber herkömmlichen MIlOS-Feldeffekttransistorstrukturen eine größere Speicherzelt bei kurzer Programmlerzelt aufweisen, wobei Programmlerspannungen zwischen 20 und 25 V erforderlich sind.
Bei der Speichermatrix, die ausschnittsweise In Aufsicht In der Flg. 3 gezeigt Ist, werden spaltenweise durchgehende Sourcezonen S und Dralnzpnen D In die Haibileiteroberflächen durch Diffusion oder Ionenlmplantationen eingebracht und, wie auch die FI g. 1 veranschaulicht, rechtwinklig dazu die Gate-Elektroden G als zusammenhängende Streifen auf die Passivierungsschicht /5 aufgebracht, die abgestuft In die Gate-Isollerschlchten U und I2 mit Λ übergeht. Das Aufbringen der Speichermedien Gm erfolg nach dem Aufbringen der an den Halbleiterkörper 1 aus Silicium angrenzenden TeIlschlchten Λ durch Aufdampfen oder Ausscheiden aus der Gasphase.
Bei dem Speichertransistor des Ausführungsbelspiels erstreckt sich das Speichermedium Gm unter der Gate-Elektrode G lediglich über einen mittleren Flächenbereich der Kanalzone zwischen der Sourcezone S und der Drainzone D, wogegen die an die Sourcezone S und die Drainzone D angrenzenden Teile von einem einheitlichen äußeren Gate-Isolierschichtteil U bedeckt sind. Dieser äußere Gate-Isollerschichtteil /4 erhält zur Verbesserung des Durchschlagverhaltens vorzugsweise eine größere Dicke als der mittlere Gate-Isolierschlchtteil /, und I2 mli dem eingebetteten Speichermedium Gm. Der äußere Gate-Isolierschlchttell /4 kann beispielsweise eine einheitliche Dicke im Bereich zwischen etwa 70 und 200 nm aufweisen.
Die an die Halbleiteroberfläche angrenzende Teilschicht /, der Gate-Isolatorschlcht kann natürlich auch aus Teilschichten bestehen und muß nicht unbedingt aus einem einheitlichen dielektrischen Material bestehen, sollte jedoch eine kleinere Dielektm !tätskonstante ε, aufweisen, als die an die Gate-Elektrode H angrenzende Teilschicht I2. So kann beispielsweise die an die Halbleiteroberfläche angrenzende Teilschicht /, der Gate-!solatorschlcht aus SlO2 und die an die Gate-Elektrode angrenzende Tellschlcht I2 der Gate-Isolatorschlcht aus SI3N*, AI2O3 oder aus Ta2O5 bestehen.
Vom Standpunkt der Herstellbarkelt Ist es natürlich am einfachsten, sämtliche Teilschlchun Λ, I2, I3 und U der Gate-Isolatorschicht aus einem chemisch einheitlichen Material, beispielsweise SiO2, SIjN4 oder Al2Oj herzustellen. Das Abscheiden dieser Materlallen und das Herstellen von Strukturen daraus erfolgt In bekannter Weise unter Anwendung photolithographischer Ätzprozesse.
Die bisher In der Praxis bekanntgewordenen nichtflüchtigen Halbleiterspeicherzellen mit Speichertransistoren der hier beschriebenen Art weisen durchwegs eine sogenannte »konventionelle Hysteiese« auf, bei welcher eine negative Programmierspannung an der Gate-Elektrod." eine positive Ladung Ins Speichermedium Gm treibt und damit die Schwellenspannung U0 In negativer Richtung verändert und entsprechend umgekehrt in positiver Richtung bei positiver Programmlerspannung an die Gate-Elektrode. Bei dieser konventionellen Hysterese findet der Netto-Ladungstransport zwischen dem Speichermedium und der Slllclumoberfiäche der Kanalzone statt.
Bei Speichertransistoren nach der Erfindung wird dies In erster Linie dadurch erreicht, daß man die Feldstärke in der inneren an G1Ie Slllciumoberfläche angrenzende Tellschlcht /, größer macht als In der äußeren TellschlciU /2, indem man für die beiden Teilschichten /; und /, soiche Isolatormateriallen wählt, daß die an die Gate-Elektrode G angrenzende Tellschlcht e'ne größere Dielektrizitätskonstante aufweist. In der Praxis wählt man dazu Sl1N4 oder auch AI2O3 für die äußere Tellschlcht I2 und SlO2 für die Innere Tellschlcht /,, so daß die Innere Tellschl-ht eine Dielektrizitätskonstante von BiIEo = 3,9 und die äußere Teilschicht I2 eine Dielektrizitätskonstante von £2/ε0 ca. 6,8 bzw. 8,5 aufweisen. Außerdem macht man die innere aus S'.C^ bestehende Tellschlcht I, Im Interesse erhöhter Schreib- und Löschgeschwlndlgkelt so dünn, daß direktes Tunneln möglich wird, was nachtelllgeuvelse aber auch zu erhöhtem Rücktunneln und damit zu einer relativ schlechten Speicherdauer führt.
Die Flg. 2 zeigt das Ersatzschaltbild des Speichertransistors nach der Erfindung, welches Grundlage der durch-
geführten Berechnung Ist. Das Speichermedium Gm Ist zwischen die Gate-Elektrode G und das Substrat eingefügt und über eine Ersatzschaltbildkapazität C mit dem Substrat I verbunden.
Der Speichertransistor nach der Erfindung 1st auch for die komplementäre Hysterese geeignet, da die Parasltärkapazltät des Speichermediums Gm neben der Gate-Elektrode G zu einer Anhebung der Feldstärke In der In die Gate-Elektrode G angrenzende Tellschlcht I1 führt und man diese Tellschlcht I1 so dünn machen kann, wie es die angestrebte Speicherdauer gerade noch zuläßt. Dadurch werden hohe Feldstärken In der Tellschlcht I1 mit relativ kleinen Gate-Spannungen ermöglicht.
Die komplementäre Hysterese kann auch mit einem Speichertransistor nach der Erfindung realisiert werden, dessen Gate-Isolatorschlcht In allen Teilschichten nur aus einem einzigen Material, beispielsweise aus SlO2, besteht. Die Umkehrung der bisher betrachteten Schichtenfolge, d. h. eine Tellschlcht /; aus SiU1 und eine Tellschlcht I] aus Sl)N4 hat dann sogar noch bessere Eigenschäften zur Folge.
Für das Speichermedium Gm sollte im Hinblick auf eine möglichst kleine Programmlerspannung eine kompakte Schicht eines Materials mit kleiner Elektronenaustrittsarbeit verwendet werden. Geeignete Materialien sind poly kristall Ines Silicium, Germanium, Alumlnlumarsenld, Alumlnlumantlmonld oder Galliumarsenid, welche Halbleitermaterialien n*-dotlert werden. Geeignete Metalle für die Schicht des Spelcheredlums Gm mit kleiner Elektronenaustrlttsarbelt sind Aluminium, Gold, Titan, Magnesium, Tantal, Wolfram, Molybdän, Mangan oder Thallium.
Bei einem Speichertransistor für komplementäre Hysterese sollte auch die Gate-Elektrode G aus einer kompakten Schicht des gleichen Materials bestehen, wie das Material des Speichermediums Gm.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen
40
45
50
55
60

Claims (11)

Patentansprüche:
1. Speichertransistor mit einem Halbleiterkörper aus Silicium, in dem eine Source- und eine Drain-Zone angeordnet sind, mit einer Gate-Elektrode (G), mit einer zwischen einer Oberfläche des Halbleiterkörpers und der Gate-Elektrode angeordneten Gate-Isolatorschicht, die aus einer an die Oberfläche des Halbleiterkörpers angrenzenden Teilschicht Uo und einer an die Gate-Elektrode angrenzenden Teilschicht (Z2) besteht, und mit einem an der Grenzfläche der Teilschichten angeordneten Speichermedium (Gm), wobei an die Gate-Elektrode (G) zum Einbringen bzw. Entnehmen einer Ladung in das bzw. aus dem Speichermedium ein Schreibimpuls bzw. Löschimpuls zur Verschiebung der Schwellenspannung und zum Abtasten der Größe der Schwellenspannung ein Leseimpuls angeltet wird, dadurch gekennzeichnet, daß die an die Oberfläche des Haibleiterkörpers angrenzende Teilschicht Ui) eine Dicke zwischen 10 und 20 nm und die an die Gate-Elektrode (G) angrenzende Teilschicht eine Dicke zwischen 20 und 50 nm aufweist, daß das Spelchermedium (Gm) aus einer Schicht eines halbleitenden oder leitenden Materials besteht und daß die Schicht des Speichermediums (Gm) die Projektion des wirksamen Flächenteils (Fa) der Gate-Elektrode (G) auf das Speichermedium (Gm) seitlich so weit überragt, daß das Verhältnis des den wirksamen F'ächenteil (Fa) überragenden Flächenteils (Fb) des Spelchermeriiums IGm) zum wirksamen Flächentell (Fa) zwischen 2 und 3 liegt.
2. Speichertransistor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das an aer Grenzfläche der beiden Teiischichten (A, I1) angeordnete Speicherndedium (Gm) unter der Gate-Elektrode (G) zwischen der Sourcezone (5) und der Drainzone (D) sich über einen mittleren Flächenbereich der Kanalzone erstreckt, deren an die Source- und die Drainzone angrenzende Teile von einem einheitlichen äußeren Gate-Isolatorschichtteil (/<) bedeckt sind.
3. Speichertransistor nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der aus den beiden Teilschichten (/,, /j) bestehende Gate-Isolatorschichttell mit dem eingebetteten Speichermedium (Gm) dünner ist als der äußere Gate-Isolatorschichttell (Λ).
4. Speichertransistor nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß der äußere Gate-Isolatorschichttell (I4) eine einheitliche Dicke Im Bereich zwischen etwa 70 und 200 nm aufweist. so
5. Speichertransistor nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die an die Halbleiteroberfläche angrenzende Teilschicht (Λ) der Gate-Isolatorschicht aus einem einheitlichen dielektrischen Material besteht.
6. Speichertransistor nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die an die Halbleiteroberfläche angrenzende Teilschicht (/,) der Gate-Isolatorschlcht eine kleinere Dielektrizitätskonstante aufweist als die an die Gate-Elektrode angrenzende Teilschicht (/2).
7. Spelchertranslslor nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die an die Halbleiteroberfläche angrenzende Tellschicht (I1) der Gate-Isolatorschlcht aus SlO2 besteht, während die an die Gate-Elektrode angrenzende Teilschicht Ui) der Gate-Isolatorschlcht aus SIjN4, Al2O1 oder aus Ta2O5 besteht.
8. Speichertransistor nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß sämtliche TeIlschlchten Ui, Z2, /j und /4) der Gate-Isolatorschlcht aus einem chemisch einheitlichen Material bestehen.
9. Speichertransistor nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß das einheitliche Material aus SiO2, Si3N4 oder Al2O3 besteht.
10. Speichertransistor nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß das Speichermedium (Gm) aus einer kompakten Schicht eines Materials mit kleiner Elektronenaustrittsarbeit besteht.
11. Speichertransistor nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß das Spelchermedium (Gm) aus einem der folgenden Materialien besteht:
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IT (1) IT1193241B (de)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4590503A (en) * 1983-07-21 1986-05-20 Honeywell Inc. Electrically erasable programmable read only memory
US4698787A (en) * 1984-11-21 1987-10-06 Exel Microelectronics, Inc. Single transistor electrically programmable memory device and method
US4947221A (en) * 1985-11-29 1990-08-07 General Electric Company Memory cell for a dense EPROM
DE69523743T2 (de) * 1994-03-03 2002-08-01 Rohm Corp Überlöschungsdetektion in einer niederspannungs-eintransistor-flash-eeprom-zelle unter verwendung von fowler-nordheim-programmierung und -löschung
JP2973876B2 (ja) * 1995-07-07 1999-11-08 日本電気株式会社 化合物半導体メモリ
US6778441B2 (en) * 2001-08-30 2004-08-17 Micron Technology, Inc. Integrated circuit memory device and method
US7042043B2 (en) * 2001-08-30 2006-05-09 Micron Technology, Inc. Programmable array logic or memory devices with asymmetrical tunnel barriers
US7075829B2 (en) 2001-08-30 2006-07-11 Micron Technology, Inc. Programmable memory address and decode circuits with low tunnel barrier interpoly insulators
US7132711B2 (en) * 2001-08-30 2006-11-07 Micron Technology, Inc. Programmable array logic or memory with p-channel devices and asymmetrical tunnel barriers
US6754108B2 (en) * 2001-08-30 2004-06-22 Micron Technology, Inc. DRAM cells with repressed floating gate memory, low tunnel barrier interpoly insulators
US7135734B2 (en) * 2001-08-30 2006-11-14 Micron Technology, Inc. Graded composition metal oxide tunnel barrier interpoly insulators
US7476925B2 (en) 2001-08-30 2009-01-13 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposition of metal oxide and/or low asymmetrical tunnel barrier interploy insulators
US6963103B2 (en) 2001-08-30 2005-11-08 Micron Technology, Inc. SRAM cells with repressed floating gate memory, low tunnel barrier interpoly insulators
US7068544B2 (en) 2001-08-30 2006-06-27 Micron Technology, Inc. Flash memory with low tunnel barrier interpoly insulators
US7087954B2 (en) 2001-08-30 2006-08-08 Micron Technology, Inc. In service programmable logic arrays with low tunnel barrier interpoly insulators
US7221586B2 (en) 2002-07-08 2007-05-22 Micron Technology, Inc. Memory utilizing oxide nanolaminates
US7927948B2 (en) 2005-07-20 2011-04-19 Micron Technology, Inc. Devices with nanocrystals and methods of formation
US8110469B2 (en) 2005-08-30 2012-02-07 Micron Technology, Inc. Graded dielectric layers

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2201028C3 (de) * 1971-01-15 1981-07-09 Intel Corp., Mountain View, Calif. Verfahren zum Betrieb eines Feldeffekttransistors und Feldeffekttransistor zur Ausübung dieses Verfahrens
US3877054A (en) * 1973-03-01 1975-04-08 Bell Telephone Labor Inc Semiconductor memory apparatus with a multilayer insulator contacting the semiconductor
US4115914A (en) * 1976-03-26 1978-09-26 Hughes Aircraft Company Electrically erasable non-volatile semiconductor memory
US4162504A (en) * 1977-12-27 1979-07-24 Rca Corp. Floating gate solid-state storage device

Also Published As

Publication number Publication date
GB2033153A (en) 1980-05-14
US4295150A (en) 1981-10-13
FR2439480A1 (fr) 1980-05-16
FR2439480B3 (de) 1981-07-10
JPS5556665A (en) 1980-04-25
IT7926449A0 (it) 1979-10-12
DE2845328A1 (de) 1980-04-30
GB2033153B (en) 1983-02-09
IT1193241B (it) 1988-06-15

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