DE2820836A1 - Ladungsgekoppeltes rekursivfilter - Google Patents
Ladungsgekoppeltes rekursivfilterInfo
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Description
Thomson-CSF, Bl.Haussmann 173, P - 75008 Paris (Prankreich)
"Ladungsgekoppeltes Rekursivfilter"
Priorität: 13. Mai 1977, No 77 1*1774, Prankreich
Die Erfindung betrifft ein Rekursivfilter, bei dem elektrische Ladungen in einem Halbleiter übertragen werden. Sie bezieht sich
insbesondere auf die Eingangsstufe eines solchen Filters, bei der das Filterausgangssignal erneut in das Filter eingeführt wird.
Es wird daran erinnert, daß ein ladungsgekoppeltes Filter, häufig Transversalfilter genannt, aus einem Halbleitersubstrat besteht,
das mit einer Isolierschicht überzogen ist. Auf dieser Isolierschicht
sind Elektroden angeordnet, die durch Anlegen von periodischen gegebenen Potentialen den Weitertransport der elektrischen
Ladungspakete, die das zu behandelnde Signal darstellen, bewirken. Diese Elektroden sind gegenseitig parallel und quer zur Richtung
des Ladungstransportes angeordnet. Einige unter ihnen sind quer in zwei ungleiche Teile unterteilt und die Ladungen, die unter diesen
Elektroden ankommen, werden differentiell gelesen, um eine Signalbewertung
durchzuführen. Das Differenzsignal stellt das Ausgangssignal des Filters dar, das bei einem Rekursivfilter von neuem
beim Eingang in das Filter injiziert wird und zu dem eigentlichen Eingangssignal addiert wird.
Die vorgenannten Verfahrensschritte, nämlich Differenzbildung zwischen
den Signalen, die von den beiden jeweiligen Teilen einer unterteilten Elektrode kommen, Reinjektion des Differenzsignals und
Summation dieses Signals und des Eingangssignals, können mit -2-
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getrennten Baugruppen durchgeführt werden.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen einfachen Aufbau zu schaffen, bei dem die verschiedenen zur Durchführung dieser
Operationen erforderlichen Teile auf ein und demselben Substrat integriert sind.
Die Lösung dieser Aufgabe sowie vorteilhafte Ausführungsformen der
Erfindung sind in den Patentansprüchen angegeben.
Gemäß der Erfindung wird ein Rekursivfilter geschaffen, das eine Eingangsstufe aufweist, die aus zwei parallelen Kanälen besteht,
in denen sich die Ladungen fortpflanzen. Diese Eingangsstufe ist vor dem eigentlichen Filter angeordnet. Jeder der beiden Kanäle
umfaßt eine Ladungsinjektionsdiode, zwei Elektroden oder Gitter und eine Diode, die zwischen diesen Elektroden sitzt, um den elektrischen
Kontakt zwischen den Bereichen, die unter den Elektroden liegen, herzustellen. Durch einen der beiden Kanäle wird das Eingangssignal
in die Vorrichtung injiziert. Der andere Kanal ist für die Reinjektlon vorgesehen und erhält an seinen beiden Gittern die
Signale, die jeweils von den beiden Teilen der unterteilten Elektroden des Filters kommen, und führt sowohl die Injektion dieser
Ladungen als auch ihre Differenzbildung aus. Die Summierung des Eingangssignals und des Reinjektionssignals wird von der ersten
nicht unterteilten Elektrode des Filters vorgenommen.
Die Erfindung wird im folgenden anhand des in den Figuren schematisch
dargestellten Ausführungsbeispiels näher erläutert. Es zeigt:
Figur 1 ein Blockschaltbild zur Erläuterung
der Funktion eines ladungsgekoppelten Rekursivfliters,
Figur 2 eine Ausführungsform eines Filters gemäß der Erfindung,
Figur 3 Schaubilder von Eingangssignalen des
Filters, -3-
809846/0998
■3- S'
Figur Jj Schemata zur Erläuterung der
Arbeitsweise des Filters gemäß der Erfindung.
Im Blockschaltbild der Figur 1 ist durch den Block 10 ein klassisches
ladungsgekoppeltes Filter angedeutet, das Elektroden enthält, die abwechslungsweise unterteilt und nicht unterteilt sind. Durch
Anlegen von periodischen Potentialen werden die Ladungspakete, die das zu behandelnde Signal darstellen, weiter transportiert.
Bei einem solchen Filter müssen die Ladungen unter den unterteilten
Elektroden ausgelesen werden, um die Differenz der entsprechenden Signale zu bilden: dies ist durch die Blöcke 12 und 13 angedeutet,
die Ladungsausleseschaltungen darstellen. Sie lesen die Ladungen
' in den oberen Teilen der unterteilten Elektroden (oben bezogen
auf die Darstellung in Figur 2), die der Einfachheit halber im folgenden
als Minuselektroden bezeichnet werden, und die Ladungen unter den unteren Elektroden, die der Einfachheit halber Pluselektroden
genannt werden. Dieses Auslesen der Ladungen kann in bekannter Art und Weise als Stromauslesung oder Spannungsauslesung erfolgen;
vorteilhafterweise wird die Auslesung so durchgeführt wie in der französischen Patentanmeldung 77-13 857 beschrieben.
Die Signale S~ und S , die durch die Ausleseschaltungen 12 und 13
erzeugt werden, werden einer Schaltung I1I zugeführt, die daraus die
Differenz (S) bildet, welches Signal das Ausgangssignal des Filters darstellt.
Bei einem Rekursivfilter wird dieses Ausgangssignal abgezweigt und
erneut in das Filter 10 zur gleichen Zeit wie das Eingangssignal E eingeführt, zu dem es addiert wird. In dem Schaltbild der
Figur 1 wird der InjektionsVorgang des Eingangssignales, d.h. die
Umsetzung eines elektrischen Analogsignals in einen Abtastwert,der
durch eine Ladungsmenge dargestellt ist, von einem Wandler 16 durchgeführt. Der Arbeitsschritt der Reinjektion des Ausgangssignales
S wird von einem Wandler 17 und die Addition der beiden Signale durch einen Schaltblock 11 durchgeführt, der an das Filter 10 _^_
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angeschlossen ist.
Figur 2 zeigt eine Draufsicht einer Ausführungsform eines ladungsgekoppelten
Rekursivfliters gemäß der Erfindung, bei dem die Ladungen
mit Hilfe der Technik der Ladungskopplung transportiert werden (derartige Filter werden in der angelsächsischen Literatur
Charge-Coupled Devices oder CCD-Schaltungen genannt).
Das Filter besteht aus einem Halbleitersubstrat, aus Silicium
und
beispielsweise,/einer Isolierschicht (Siliciumoxyd beispielsweise), auf der Elektroden quer zur Bewegungsrichtung OZ der Ladungen in dem Halbleiter angeordnet sind.
beispielsweise,/einer Isolierschicht (Siliciumoxyd beispielsweise), auf der Elektroden quer zur Bewegungsrichtung OZ der Ladungen in dem Halbleiter angeordnet sind.
Die Vorrichtung besteht aus zwei Teilen, die äurch die Gerade XX
getrennt sind: der linke Teil wird Eingangsstufe genannt, während der rechte Teil das eigentliche Filter darstellt, das dem Schaltblock
10 der Figur 1 entspricht.
Den Elektroden des Filters werden periodisch und in Gegenphase zwei
Potentiale zugeführt. Das Filter besitzt nicht unterteilte Elektroden 3, 4,5 und 6, die ein Signal JL erhalten und unterteilte Elektroden
31-32, 1J1-1J2, 51-52 und 61-62, die alternierend zu den vorerwähnten
Elektroden angeordnet sind und ein Signal (Jj2 beispielsweise
über die Ausleseschaltungen 12 und 13 erhalten.
Die Signale ^1 und ($2 sind in der Figur 3 anhand der Schaubilder
a) und b) dargestellt. Es handelt sich um im wesentlichen rechteckförmige
Signale, die die gleiche Periode T aufweisen, jedoch gegenphasig sind und deren Amplitude zwischen zwei Werten variiert:
<|)1B und <j)1H für I1 einerseits und <p2B und $2H für $2 andererseits.
Diese Werte sind bezogen auf das Potential des Substrats. Die Signale P1 und (JL sind abgesehen von ihrer Phasenverschiebung identisch
und ihr unterer Wert ($lß oder £2B) liegt nahe bei Null.
Das Filter ist durch eine Diode Dn abgeschlossen, die in dem Halbleitersubstrat
realisiert ist. Durch die Diode werden die Ladungen, die die Vorrichtung durchlaufen haben, gesammelt und abgeleitet.
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Die Eingangsstufe der Vorrichtung umfaßt zwei parallele Kanäle 1 und 2, die gegenseitig elektrisch isoliert sind. In diesen Kanälen
werden die Ladungen weiter transportiert. Die Isolierung zwischen den beiden Kanälen kann insbesondere durch eine Isolierschicht
oder durch eine lokale Vergrößerung der Dotierung des Substrates hergestellt sein.
Der Kanal 1 besteht aus einer Diode D11, die die Ladungen in das
Substrat injiziert, ferner aus zwei Elektroden oder Gittern G1 und
G2 und einer Diode D1 zwischen den Gittern G1 und G2. Die Dioden
D11 und D1 bestehen aus einem pn-übergang in dem Halbleitersubstrat.
Der Kanal 2 besteht in gleicher Weise aus einer Diode D12*
zwei Gittern G, und G^. und einer Diode D2 zwischen den beiden
Gittern.
Die beiden Dioden D11 und D12 werden durch ein Signal Vn gespeist,
das im Schaubild c) der Figur 3 gezeigt ist. Das Signal weist die gleiche Periode T wie die vorgenannten Signale auf. Seine Amplitude
ändert sich rechteckförmig zwischen den Werten V^n und V^t1.
r DB DH
Der untere Wert (Vn = VnrJ ist in Phase mit Φ. und besitzt eine
Mindestdauer von T/2.
Das Gitter G„ im Kanal 1 wird auf einem konstanten Potential Vn*
gehalten, das wie in der Figur dargestellt positiv ist, wenn das Halbleitersubstrat p-leitend ist. Das Gitter G2 erhält einerseits
ein konstantes Potential Vß2 und andererseits das Eingangssignal
E (t), das zu filtern ist.
Der Kanal 2 führt die Reinjektion des Sigrales durch. Er erhält an
seinem Gitter G, das Signal S~, das durch die Leseschaltung 12 über
einen Widerstand R1 geliefert wird. An seinem Gitter G11 erhält der
Kanal 2 das Signal S , das ve
Widerstand R2 geliefert wird,
Widerstand R2 geliefert wird,
Kanal 2 das Signal S , das von der Leseschaltung 13 über einen
Die Arbeitsweise der Vorrichtung wird anhand der Schemata a), b) und c) der Figur 1J erläutert.
Diese sind Schnitte längs der Ausbreitungsrichtung der Ladungen
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durch den Kanal 1. In den Figuren 4 sind das Halbleitersubstrat
20, die Isolierschicht 21, die das Halbleitersubstrat überdeckt,
die beiden Gitter G1 und G2 des Kanals 1 sowie die beiden ersten
Elektroden 3 und 31 des Filters dargestellt. Die Dioden D11 und
^rI bestehen aus Bereichen des Substrates, die einen Leitungsmechanismus
(η-leitend beispielsweise) aufweisen, der demjenigen des Substrates (p-leitend beispielsweise) entgegengesetzt ist.
Das Schaubild a) entspricht einem Zeitpunkt t entsprechend Figur
Cl
3, bei dem ^1= $lß und V0= VDB gilt. Bei den Gittern G1 und G2
deuten die gestrichelt eingezeichneten Linien 23 und 24 die Höhe
der an die Gitter angelegten Potentiale an, und zwar VQ1 (Gerade
23) und VG2 + E (Gerade 2h). Die Gerade 25 bei der Elektrode 3
repräsentiert den Wert $ß des Signals $.. Die Gerade 22 repräsentiert
den Wert VDß des Potentials V0, das an die Injektionsdiode
D11 angelegt wird. In dieser Phase werden die Ladungsträger unter
den Gittern G1 und G2 (gestrichelter Bereich in der Figur) injiziert,
sie können jedoch nicht in das Filter eindringen, da sie durch die Elektrode 3 blockiert werden.
In dem darauffolgenden Augenblick t,, auf den sich das Diagramm b)
bezieht, besitzt das Sigaal ^1 stets seinen unteren Wert $lß,
jedoch ist das Potential V0= V0H geworden. Dies ist durch die
Gerade 26 angedeutet. Die Ladungsträger bleiben unter dem Gitter G2 gefangen. Ihre Menge entspricht der Differenz zwischen dem
Potential VQ2+ E einerseits, das durch das Gitter G2 bestimmt ist,
und Vq. andererseits, das durch die Diode D1 bestimmt ist, die
die elektrische Verbindung zwischen den Bereichen unter den Gittern G1 und G2 sicherstellt. Diese Ladungsmenge Q., die in der Figur
durch A angedeutet ist, ist gleich:
0A = cox (VG2 + E - νσι>
wobei C die Kapazität der Oxydschicht ist. Die Ladungsmenge
οχ
repräsentiert das digitale Eingangssignal E (t). Für den sicheren Bettieb der Vorrichtung ist erforderlich, daß Vß2 größer als VQ1
ist.
Das Schaubild c) der Figur H bezieht sich auf den Zeitpunkt t . in
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dem Vn sich noch im oberen Zustand (V = VniI) befindet und $. in
D L) Un -*-l
den oberen Zustand (Gerade 27) übergeht, wodurch ausschließlich
die Ladungsmenge QA(A) unter die Elektrode 3 des Filters transportiert
wird, da die nächstfolgende Elektrode 31 durch das Signal ([L
gesteuert wird, das noch seinen unteren Wert besitzt Gerade 28).
Im darauffolgenden Zeitabschnitt gilt $i=$1B» vn=VDB und
d.h. daß erneut das Diagramm a) der Figur 4 gilt und daß ein neuer
Abtastwert, der repräsentativ für einen neuen Wert des Eingangssignales E (t) ist, erarbeitet wird, während gleichzeitig der Abtastwert
A der Elektrode 3 zur Elektrode 31 übertragen wird.
Aus Figur 2 ist ersichtlich, daß nach einem bekannten Mechanismus in dem ladungsgekoppelten Filter ein Ladungspaket, das einen Abtastwert
des Eingangssignales E (t) (Q„ beispielsweise) darstellt,
von einer Elektrode zur nächsten zu. jeder Halbperiode (T/2) der
Signale J)1 und (J)2 übertragen wird.
Damit die Ladungen stets in derselben Richtung (+OX) transportiert
werden, ist es erforderlich, daß auf an sich bekannte Weise die Elektroden asymmetrisch ausgebildet werden; beispielsweise ist ein
solches System in der französischen Patentanmeldung 76-11 599 der Anmelderin beschrieben.
Es wird daran erinnert, daß jede zweite Elektrode unterteilt ist und daß das Verhältnis der Elektrodenflächen einen Bewertungskoeffizient für das Signal darstellt, wodurch die gewünschte Filterung
erhalten wird. Die unter den unterteilten Elektroden befindliche Ladungsmenge wird ausgelesen. Zu diesem Zweck sind die Elektroden
mit einer Leseschaltung 12 und 13 verbunden, die jeweils ein Lesesignal S~ und S liefern. Bei einem klassischen Filter speisen
diese Signale S~ und S einen Differenzverstärker 15, der das Ausgangssignal S des Filters erarbeitet.
Bei dem Rekursivfilter gemäß der Erfindung werden die Signale S~
und S+ am Ausgang der Schaltungen 12 und 13 abgegriffen und an die
Gitter G-, und G11 des Kanals 2 der Eingangsstufe geführt. _g_
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M)
Der Kanal 2 arbeitet in gleicher Weise wie der Kanal 1; das Signal
S" ersetzt das Potential Vßl und das Signal S+ das Potential (Vß2
+ E). Der Kanal 2 führt eine Differenzbildung durch und liefert eine Ladungsmenge, die der Differenz (S - S~) entspricht. Die
Abtastwerte werden in beiden Kanälen 1 und 2 durch Steuerung des gleichen Signals V^ geliefert; sie kommen folglich in Phase unter
der ersten Elektrode 3 des Filters an, wo sie addiert werden.
Der Vorteil eines solchen Aufbaus liegt in der Symmetrie: der
gleiche Aufbau wird zur Injektion des Eingangssignales und zur Reinjektion der Ausgangssignale verwendet, wodurch Störsignale
gering gehalten werden. Das Ausgangssignal wird durch Differenzbildung erhalten.
Der Kanal 2 kann beide Signale S und S~ über Widerstände R- und
R. erhalten, falls eine Bewertung sich in der Praxis als notwendig
erweist.
Vorstehend wurde eine Verfahren zum Injizieren von Ladungsmengen unter Differenzbildung beschrieben, bei dem jeder Kanal eine Diode
(D1 und D 2) enthält, um den elektrischen Kontakt zwischen den
beiden Gittern des Kanals aufrecht zu erhalten. Dabei handelt es sich nur um ein Ausführungsbeispiel, da die Aufrechterhaltung des
durch
Kontaktes auch/anaere Mittel insbesondere eine Ausdehnung des zweiten
Gitters (G2 und G^) bis unter das erste Gitter (G1 und G»)
erhalten werden kann, das mit einer Isolierschicht überzogen ist.
Gemäß der Erfindung wurde eine Vorrichtung mit einem einfachen Aufbau geschaffen, bei dem die verschiedenen Organe,die zur Differenzßildung
der Signale S und S~ zum Zwecke ihrer Reinjektion, zur Reinjektion und zur Summenbildung des reinjizierten Signales
und des Eingangssignales des Rekursivfilter in der Eingangsstufe dieses Filters integriert sind. Diese Integration führt zu einer
Verringerung des Stromverbrauchs und zu einer wesentlichen Verkleinerung der Vorrichtung.
Das Filter gemäß der Erfindung ist insbesondere zur Erzielung von
Frequenzantwort Signalen mit steilen Anstiegsflanken geeignet, da
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diese eine große Anzahl von Bewertungsstufen und folglich eine
große Anzahl von Elektroden in einem klassischen Filter erfordern. Die Erfindung ist folglich insbesondere bei der telephonischen
übertragung verwendbar.
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Leerseite
Claims (4)
1.) Ladungsgekoppeltes Rekursivfilter mit einem Halbleitersubstrat,
einer darauf angebrachten Isolierschicht, mit auf der Isolierschicht angebrachten Elektroden, von denen ein Teil unterteilt
und der Rest nicht unterteilt sind, wobei die Elektroden so angeordnet sind, daß unterteilte und nicht unterteilte Elektroden
abwechselnd aufeinanderfolgen, so daß bei Anlegen von gegebenen Potentialen Ladungen in dem Substrat weiter transportiert
werden, und mit Schaltungen zum Auslesen der Ladungsmengen, die sich unter .den unterteilten Elektroden befinden, dadurch
gekennzeichnet, daß in Transportrichtung gesehen vor den Elektroden
(3, 31···) eine zwei im wesentlichen parallele, isolierte Kanäle (1, 2) aufweisende Eingangsstufe vorgesehen ist, wobei
jeder der Kanäle (1,2) der Eingangsstufe jeweils folgendes enthält:
- eine Injektionsdiode (D11J ^i?^' durch die die Ladungen in
den Kanal injiziert werden,
- zwei Elektroden oder im wesentlichen parallele Gitter (G1, G2;
G3, G11) und
- Mittel zum Sicherstellen des elektrischen Kontaktes zwischen den Bereichen des Substrats (20) unterhalb der Gitter (G13Q2;
daß der erste Kanal (1) das Abtasten und das Injizieren des
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-2-
Ladungssignales (E) durchführt, daß der zweite Kanal (2) an seinen Gittern (G-,, G^) die beiden Lesesignale (S , S~) aufnimmt,
die den beiden Teilen der unterteilten Elektroden entsprechen, daß die Injektionsdiode (D.n) des zweiten Kanals (2)
mit der Injektionsdiode (D11) des ersten Kanals (1) in Phase
gesteuert wird und daß die Summation der beiden in die beiden Kanäle (1, 2) injizierten Ladungsmengen in der ersten nicht
unterteilten Elektrode (3) erfolgt.
2. Filter nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Injektionsdioden
(D11J D.2) durch das gleiche periodische Signal
(Vß) gesteuert werden.
3. Filter nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß den nicht unterteilten Elektroden (3, 4, 5,6) ein Signal J1 der Periode T
zugeführt wird, daß den beiden Teilen der unterteilten Elektroden (31, ... 62) ein Signal (J)2 mit derselben Periode (T),
jedoch um T/2 in Bezug auf (L phasenverschoben zugeführt wird
und daß das Steuersignal (Vp) für die Injektionsdioden (D11;
D.2) in Bezug auf <jL im wesentlichen um TM nacheilt.
4. Filter nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet,
daß die beiden Gitter des ersten Kanals (1) mit zwei konstanten Potentialquellen (Vg1, v Gp^ verbunden sind und daß das zweite
Gitter (G2) zusätzlich das Eingangssignal (E) des Filters
erhält.
5· Filter nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet,
daß die Mittel zum Herstellen des Kontaktes zwischen den unter den Gittern gelegenen Bereichen des Substrats (20) in jedem
Kanal (1, 2) eine zweite Diode (D ., Dp) umfassen, die jeweils
aus einem Bereich des Substrates (20) besteht, dessen Leitungsmechanismus demjenigen des restlichen Substrats (20) entgegengesetzt
ist.
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Publications (2)
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0011571A1 (de) * | 1978-11-21 | 1980-05-28 | Thomson-Csf | Rekursives Ladungsübertragungsfilter |
Families Citing this family (1)
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|---|---|---|---|---|
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Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2718093B2 (de) * | 1976-04-23 | 1979-03-01 | Thomson-Csf, Paris | Eingangsstufe für ein Ladungsverschiebetiefpaßfilter |
-
1977
- 1977-05-13 FR FR7714774A patent/FR2390857A1/fr active Granted
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Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2718093B2 (de) * | 1976-04-23 | 1979-03-01 | Thomson-Csf, Paris | Eingangsstufe für ein Ladungsverschiebetiefpaßfilter |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0011571A1 (de) * | 1978-11-21 | 1980-05-28 | Thomson-Csf | Rekursives Ladungsübertragungsfilter |
| FR2442547A1 (fr) * | 1978-11-21 | 1980-06-20 | Thomson Csf | Filtre recursif a transfert de charges electriques |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB1596336A (en) | 1981-08-26 |
| FR2390857B1 (de) | 1982-01-29 |
| DE2820836C2 (de) | 1983-11-17 |
| FR2390857A1 (fr) | 1978-12-08 |
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