DE2814464C3 - Verfahren zur Abtrennung mindestens zweier höhersiedender gasförmiger Komponenten aus einem tiefersiedenden Trägergas oder Trägergasgemisch durch Tieftemperaturrektifikation - Google Patents
Verfahren zur Abtrennung mindestens zweier höhersiedender gasförmiger Komponenten aus einem tiefersiedenden Trägergas oder Trägergasgemisch durch TieftemperaturrektifikationInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Abtrennung mindestens zweier höhersiedender gasförmiger Komponenten
aus einem tiefersiedenden Trägergas oder Trägergasgemisch durch Tieftemperaturrektifikation,
Aufgabe der Erfindung ist es daher, ein Verfahren der eingangs genannten Art bereitzustellen, das einen
kontinuierlichen Betrieb gewährleistet und bei dem Ausfrierungen mit Sicherheit vermieden werden, so daß
insgesamt eine ausreichende Wirtschaftlichkeit im großtechnischen Maßstab sowie eine höhere Verfügbarkeit
der Anlage erzielbar ist. Insbesondere soll das Verfahren auch dann anwendbar sein, wenn die
abzutrennenden Komponenten im Trägergas mit
zeitlich schwankenden Konzentrationen anfallen.
Diese Aufgabe wird mit Hilfe des im kennzeichnenden Teil des Patentanspruchs 1 genannten Verfahrensschrittes gelöst
Da der Festpunkt der höhersiedenden abzutrennenden Komponente, bei der die Gefahr des Ausfrierens
besteht, von deren Konzentration im Verhältnis zu den übrigen Komponenten abhängt, so ist es möglich, diesen
Punkt durch Erhöhung des Anteils an tiefersiedenden Komponenten zu tieferen Temperaturen hin zu
verschieben, so daß schließlich keine Festausscheidungen mehr auftreten. Das Ausmaß dieser Verschiebung
kann durch geeignete Wahl der zugespeisten Gasmengen variiert werden.
Im allgemeinen wird wenigstens die erste Stufe der Tieftemperaturrektifikation, in der die abzutrennenden
Komponenten zunächst gemeinsam aus dem Trägergas entfernt werden, um dann in einer oder mehreren
anschließenden Rektifikationsstufen in die Einzelkomponenten aufgetrennt zu werden, unter erhöhtem Druck
durchgeführt. Das gesamte Gasgemisch muß also verdichtet und gegebenenfalls von mitgeführten höhersiedenden
Verunreinigungen befreit werden, denn letztere können ebenfalls zu Festausscheidungen in der
Tieftemperaturstufe führen. Demnach ist es zumeist erforderlich, das die abzutrennenden Komponenten
enthaltende Trägergas vor Einführung in die Tieftemperaturrektifikation zu verdichten und von etwa noch
vorhandenen höhersiedenenden Verunreinigungen zu befreien. In diesen Fällen kann es zweckmäßig sein, die
Gaseinspeisung im Anschluß an die Verdichtung und die
Entfernung der Verunreinigungen vorzunehmen. Dies kann von Vorteil sein, weil dadurch eine zusätzliche
Belastung des Verdichters vermieden wird, was insbesondere dann wünschenswert ist, wenn die
einzuspeisenden Gase agressiv oder radioaktiv sind. Weiterhin ist es vorteilhaft, daß durch die vorgesehene
Maßnahme die Anlage zur Entfernung der mitgeführten Verunreinigungen nicht unnötig belastet wird. Diese
Entfernung von Verunreinigungen wird häufig mit Hilfe <to von Adsorbern durchgeführt, wobei die Adsorber mit
dem bereits verdichteten Gasgemisch beaufschlagt werden. Die Einführung des zuzuspeisenden Gases vor
dem Adsorber würde zu einer unnötigen Vergrößerung desselben sowie zu unvermeidlichen und unerwünschten
Ablagerungen eines gewissen Anteils des zugespeisten Gases führen, so daß auch der Aufwand zur
Regeneration der Adsorber vergrößert werden müßte. Bei Zuspeisung agressiver oder radioaktiver Komponenten
wurden sich zusätzliche Schwierigkeiten ergeben. Die Gaseinspeisung unmittelbar vor der Tieftemperaturstufe
weist demnach verschiedene vorteilhafte Aspekte auf.
Falls die abzutrennenden Komponenten im Anschluß an die erste Tieftemperaturrektifikationsstufe in einer
oder mehreren weiteren Stufe in die Einzelkomponenten aufgetrennt werden, ist es zweckmäßig, das
einzuspeisende Gas durch Rückführung eines Teils der tiefersiedenden, in der Tieftemperaturrektifikation
abgetrennten Komponenten zu gewinnen. Es liegt dann ein ständig zirkulierender Rückführgasstrom vor,
dessen Menge und Zusammensetzung im gewünschten Maß geregelt werden kann.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens ist vorgesehen, das zuzuspeisende
Gas durch eine Strahlpumpe anzusaugen, die mit dem verdichteten und gereinigten Trägergas als
Treibmittel arbeitet. Falls das zuzuspeisende Gas nicht bereits in einem Speicher unter dem geeigneten Druck
vorliegt, so muß es im Falle der Einspeisung in das bereits verdichtete Trägergas ebenfalls auf den
erforderlichen Druck gebracht werden. Dieses Problem tritt insbesondere bei der oben erwähnten Rückführung
eines Teils der bei der Rektifikation gewonnenen Komponenten auf. Die Verwendung einer Strahlpumpe
hat gegenüber der eines Verdichters zunächst ganz allgemein den Vorteil, daß keine bewegten Teile
vorhanden sind und die Wartung daher praktisch entfällt. Außerdem ergeben sich Vorteile bei den
Anlagekosten.
Als besonders günstig erweist sich der Einsatz einer
Strahlpumpe jedoch im Falle der Einspeisung agressiver, und hierbei insbesondere radioaktiver Gase. Diese
beeinträchtigen die Funktion eines Verdichters mit bewegten Teilen nämlich in erheblich stärkerem
Ausmaße, als dies bei Strahlpumpen zu erwarten ist. Hinzu kommt noch, daß besonders bei radioaktiven
Gasen hohe Dichteanforderungen gestellt werden müssen. Diese sind im allgemeinen nur mit bestimmten
Verdichtertypen zu erfüllen. Die hierfür in Frage kommenden Wasserringverdichter können dann nicht
verwendet werden, wenn die Einspeisung hinter der Adsorberstation erfolgen soll, da die mitgeführte
Feuchtigkeit in der Tieftemperaturstufe zu Eisablagerungen führt. Die hinsichtlich der Dichteanforderungen
ebenfalls in Betracht zu ziehenden Membranverdichter haben dagegen den Nachteil, daß die Lebensdauer der
Membranen bei dauernder Berührung mit agressiven oder radioaktiven Gase sehr gering ist. Die sich beim
Einsatz von Strahlpumpen ergebenden zahlreichen Vorteile sind somit unübersehbar.
Das erfindungsgemäße Verfahren eignet sich auch zur Anwendung auf Gasgemische, bei denen die
Konzentrationen der abzutrennenden Komponenten im Trägergas zeitlichen Schwankungen unterworfen sind.
Hierbei wird gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfindung so vorgegangen, daß die Zusammensetzung
des zuzuspeisenden Gases, gegebenenfalls unter Beimischung eines Anteils auch der höhersiedenden
abzutrennenden Komponenten, so geregelt wird, daß die Konzentrationen der abzutrennenden Komponenten
bei Eintritt in die Tieftemperaturrektifikation im wesentlichen zeitlich konstant bleiben. Diese Maßnahme
hat den Vorteil, daß für die Tieftemperaturrektifikation stets konstante Betriebsbedingungen vorliegen,
eine Regelung in Abhängigkeit von der schwankenden Einsatzgaszusammensetzung demnach lediglich beim
zuzuspeisenden Gas vorzunehmen ist.
Insbesondere kann das erfindungsgemäße Verfahren bei der Abtrennung von radioaktive Isotope enthaltendem
Krypton und Xenon aus einem im wesentlichen aus Stickstoff bestehenden Trägergas angewandt werden,
wobei als in das Trägergas einzuspeisendes Gas abgetrenntes Krypton oder eine regelbare Mischung
abgetrennten Kryptons und abgetrennten Xenons aus der Tieftemperaturrektifikation zurückgeführt wird.
In diesem Zusammenhang ist aus der US-PS 39 44 646 ein Verfahren bekannt, mit dessen Hilfe ebenfalls
radioaktive Isotope enthaltendes Krypton und Xenon aus einem Trägergasgemisch abgetrennt werden soll,
das im wesentlichen aus Stickstoff besteht. Dort (F i g. 2) sinu verschiedene Schritte zur Vorbehandlung des
Trägergasgemisches vorgesehen, das dann schließlich, im wesentlichen nur mehr aus Stickstoff, Xenon und
Krypton sowie geringen Beimengungen an Methan bestehend, einer Tieftemperaturrektifikation unterzo-
gen wird, wobei am Kopf der Rektifikationssäule Stickstoff entnommen und im Sumpf der Säule ein
flüssiges, stark mit Krypton und Xenon angereichertes Kondensat angesammelt wird. In diesem Kondensat
liegen die Anteile an Krypton und Xenon naturgemäß annähernd in demselben Verhältnis vor wie im
Trägergasgemisch. Ein Teil dieses Kondensats w>rd
einer Speicherung zugeführt, ein anderer mit Luft vermischt und einer katalytischen Verbrennung unterzogen.
Dabei werden die Methananteile in Kohlendioxid und Wasserdampf überführt Das so entstandene,
neben Krypton und Xenon Stickstoff, Sauerstoff, Kohlendioxid sowie Wasserdampf enthaltende Gasgemisch
wird anschließend in das noch nicht verdichtete Trägergasgemisch zurückgeführt. Dieses rückgeführte
Gasgemisch unterscheidet sich jedoch von dem der vorliegenden Erfindung ganz wesentlich in seiner
Zusammensetzung, insbesondere führt es nicht zu einer Veränderung des Verhältnisses der Krypton- und
Xenonanteile im Trägergasgemisch. Dementsprechend liegt bei diesem bekannten Verfahren auch eine
gegenüber der vorliegenden Erfindung völlig abweichende Aufgabenstellung vor, die darin besteht, die
Aufkonzentrierung von Methan im Sumpf der Rektifiziersäule dadurch zu begrenzen, daß ständig Methan
abgezogen und katalytisch verbrannt wird.
In der Abbildung ist in schematischer Weise ein Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Verfahrens
dargestellt, das sich auf die Abtrennung radioaktive Isotope enthaltender Edelgase aus einem aus kerntechnischen
Anlagen stammenden Abgas bezieht.
Mit Hilfe des dargestellten Verfahrens soll ein Abgasstrom aus einer Wiederaufbereitungsanlage für
Brennelemente behandelt werden, der als Trägergase nahezu 99 Vol-% Stickstoff sowie etwa 1 Vol-% Argon
enthält und daneben Spuren von Wasserstoff sowie Restmengen an Kohlendioxid und Wasser mitführt. Die
abzutrennenden Komponenten sind die Edelgase Krypton einschließlich des radioaktiven Isotops Krypton
85 sowie Xenon, die in der Größenordnung von unter 0,1 Vol-% in dem Abgas enthalten sind, wobei das
Volumenverhältnis von Krypton zu Xenon ca. 1:9 beträgt. Diese radioaktiven Spaltedelgase treten in dem
Abgasstrom jedoch nicht kontinuierlich auf. Dies hat seine Ursache darin, daß die Brennelemente jeweils
einzeln hintereinander einem Zersetzungsprozeß in einem Salpetersäurebad unterworfen werden. Die
Spaltedelgase treten dabei nur in gewissen relativ kurzen Zeiträumen auf, so daß sie in dem Abgas in Form
von zeitlich regelmäßig aufeinanderfolgenden Konzentrationsspitzen vorliegen. Die übrigen bei dem Auflösungsprozeß
mehr oder weniger kontinuierlich anfallenden Gas- oder Dampikomponenten werden ebenso wie
die Spaltedelgase von einem Luftstrom abgeführt. Nach Abtrennung des Sauerstoffs, der Stickoxide, Kohlenwasserstoffe
sowie Hauptmengen an Wasser und Kohlendioxid, die in bekannter Weise vorgenommen
wird, liegt zur weiteren Behandlung ein Gasgemisch vor, das als Trägergas im wesentlichen nur mehr aus
Stickstoff besteht und, wie oben angegeben, daneben noch geringere Mengen an Wasserstoff und Argon,
Reste an Wasser und Kohlendioxid sowie die abzutrennenden Spaltedelgase enthält
Ein derartig zusammengesetztes Gasgemisch wird in einer Menge von ca. 100 NmVh durch eine Leitung 1
einem Kompressor 2 zugeführt der insbesondere ein Wasserringverdichter sein kann. Nach Verdichtung auf
8 bis 8,5 bar wird das Gasgemisch zur Entfernung der Wasser- und Kohlendioxidreste einer kontinuierlich
regenerierbaren Adsorberstation 3 zugeführt. Das so gereinigte und getrocknete Gasgemisch dient sodann
als Treibmittel für eine Strahlpumpe 4, mit deren Hilfe unter Entspannung des Treibmittels auf ca. 6 bar durch
eine Leitung 5 ein im wesentlichen aus Krypton bestehender Rückführgasstrom angesaugt wird. Die
Menge des Rückführgasstromes, der in der Leitung 5 unter einem Druck von ca. 3 bar strömt, und zu dessen
ίο Ansaugung der Wasserringverdichter eine um 2 bis
2,5 bar über dem Druck der ersten Rektifikationsstufe liegende Druckdifferenz aufbringen muß, liegt bei ca.
2 NmVh. Das die Strahlpumpe 4 verlassende Gasgemisch besteht nun aus nahezu 97 Vol-% Stickstoff, 1
Vol-% Argon, 500 vpm Wasserstoff, 2 Vol-% Krypton und 0,15 Vol-% Xenon.
Das so zusammengesetzte Gasgemisch wird nach Abkühlung auf ca. 120 K in einem Wärmeaustauscher 7
in eine erste Rektifikationssäule 8 eingeführt die zusammen mit einer zweiten Rektifikationssäule 16
sowie dem Wärmeaustauscher 7 die Tieftemperaturrektifikationsstufe 6 des Abgasbehandlungsverfahrens
bildet Die Rektifikationssäule 8 wird im Sumpf beheizt und am Kopf über einen Kopfkondensator 12 mit Hilfe
von bei 11 zugeführtem flüssigem Stickstoff gekühlt, der als Dampf über eine Leitung 13 wieder abgeführt wird.
Durch eine Leitung 9 wird vom Kopf der Säule 8 ein tiefsiedendes Gasgemisch abgezogen, das die Trägergaskomponenten
Stickstoff, Argon und Wasserstoff
«ι enthält und dessen Kryptongehalt unterhalb von 0,02
Vol-ppm liegt. Am Fuß der Säule wird kurz oberhalb des Sumpfes durch eine Leitung 14 ein an Krypton und
Xenon hoch aufkonzentriertes Dampfgemisch entnommen, das nach Entspannung auf ca. 3 bar im Entspan-
J5 nungsventil 15 in eine zweite Rektifikationssäule 16
eingespeist wird, die der getrennten Gewinnung der Einzelkomponenten Krypton und Xenon dient.
Die zweite Rektifikationssäule 16 wird ebenfalls im Sumpf beheizt und am Kopf über einen Kondensator 19
4(i mit Hilfe von bei 11 zugeführtem und bei 20 in
Dampfform abgeführtem flüssigem Stickstoff gekühlt Eine Leitung 17 dient zur Entnahme von hochreinem
gasförmigem Krypton (ca. 92 Vol-%) am Kopf der Säule 16. Weiteres hochreines Krypton kann zum Zwecke der
4r> Speicherung in gasförmigem Zustand bei 24 und in
flüssiger Form bei 25 entnommen werden. Ein Regelventil 18 läßt den größten Teil des gasförmig
abgezogenen Kryptons in eine Rückführleitung 5 gelangen, wo es mit einem gewissen Anteil von durch
eine Leitung 21 oberhalb des Sumpfes der Säule 16 abgezogenem gasförmigem Xenon vereinigt wird. Die
Zuspeisung des Xenons in die Rückführleitung 5 erfolgt mit Hilfe eines Regelventil» 22. Der nicht rückgefühne
Anteil des gasförmigen Xenons kann bei 23, flüssiges Xenon bei 26 entnommen werden. Die Regelung der
beiden Ventile 18 und 22 erfolgt in Abhängigkeit von der Spaltedelgaskonzentration sowie dem gegenseitigen
Konzentrationsverhältnis der einzelnen Spaltgase in dem durch Leitung 1 zugeführten Gasgemisch. Trifft
M) dort gerade eine der genannten. Krypton und Xenon
enthaltenden Konzentrationsspitzen ein, so besteht der Rückführgasstrom nahezu vollständig aus Krypton, um
die Kryptonkonzentration auf etwa den 12fachen Wert der Xenonkonzentration zu bringen. Ist die Konzentra-
b5 tionsspitze an dem in der Leitung 1 vor dem
Kompressor 2 liegenden Meßpunkt vorbeigelaufen, wird die Zusammensetzung des Rückführgasstromes so
eingeregelt daß die Konzentrationsverhältnisse bezug-
lieh der Spaltedelgase konstant bleiben. Dies bedeutet,
daß der Rückführgasstrom auch einen gewissen Anteil an Xenon enthalten muß.
Obwohl die Konzentrationsspitzen im Abgas nur relativ kurzzeitig auftreten und daher während der
meisten Zeit an sich keine abzutrennenden Komponenten vorliegen, ist die dauernde Umwälzung des
Rückführgasstromes doch wirtschaftlicher und betriebs-
sicherer als ein periodisch zu wiederholendes Abschalten der Tieftemperaturrektifikationsanlage bzw. ein
periodisch sich wiederholendes, jeweils langer andauerndes Leerlaufen. Die Aufrechterhaltung konstanter
Betriebsbedingungen und die damit verbundene höhere Verfügbarkeit der Anlage ist, insbesondere
wenn nur geringere Mengen an Rückführgas umzuwälzen sind, unbedingt vorzuziehen.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (6)
1. Verfahren zur Abtrennung mindestens zweier höhersiedender gasförmiger Komponenten aus
einem tiefersiedenden Trägergas oder Trägergasgemisch durch Tieftemperaturrektifikation, wobei die
Konzentration zumindest einer der höhersiedenden unter den abzutrennenden Komponenten im Verhältnis
zu den Konzentrationen der tiefersiedenden unter den abzutrennenden Komponenten so hoch
ist, daß während der Tieftemperaturrektifikation Ausfrierungen zumindest dieser einen höhersiedenden
abzutrennenden Komponente auftreten, dadurch gekennzeichnet, daß in das die abzutrennenden Komponenten mitführende Trägergas
(1) vor Eintritt in die Tieftemperaturrektifikation (6) ein Gas (5) eingespeist wird, das aus mindestens
einer der tiefersiedenden unter den abzutrennenden Komponenten besteht.
2. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem das die abzutrennenden Komponenten enthaltende Trägergas
vor Einführung in die Tieftemperaturrektifikation verdichtet und von etwa noch vorhandenen
höhersiedenden Verunreinigungen befreit wird, dadurch gekennzeichnet, daß die Gaseinspeisung (5)
im Anschluß an die Verdichtung (2) und die Entfernung der Verunreinigungen (3) vorgenommen
wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das zugespeiste Gas (5) durch
Rückführung eines Teiles der tiefersiedenden (17), in der Tieftemperaturrektifikation (6) abgetrennten
Komponenten gewonnen wird.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß das zuzuspeisende Gas
(5) durch eine Strahlpumpe (4) angesaugt wird, die mit dem verdichteten und gereinigten Trägergas als
Treibmittel arbeitet.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß bei zeitlich schwankenden
Konzentrationen der abzutrennenden Komponenten im Trägergas (1) die Zusammensetzung
des zuzuspeisenden Gases (5), gegebenenfalls unter Beimischung eines Anteils auch der höhersiedenden
abzutrennenden Komponenten (21), so geregelt wird, daß die Konzentration der abzutrennenden
Komponenten bei Eintritt in die Tieftemperaturrektifikation (6) im wesentlichen zeitlich konstant
bleiben.
6. Anwendung des Verfahrens nach einem der Ansprüche 1 bis 5 bei der Abtrennung von
radioaktive Isotope enthaltendem Krypton und Xenon aus einem im wesentlichen aus Stickstoff
bestehenden Trägergas, wobei als in das Trägergas einzuspeisendes Gas abgetrenntes Krypton oder
eine regelbare Mischung abgetrennten Kryptons und abgetrennten Xenons aus der Tieftemperaturrektifikation
zurückgeführt wird.
wie es im Oberbegriff des Patentanspruchs 1 näher umrissen ist
Demnach ist das Verfahren auf Gasgemische anwendbar, die neben einem oder mehreren Trägergasen
mindestens zwei gasförmige Komponenten enthalten, deren gemeinsame Abtrennung beabsichtigt ist Oas
zu behandelnde Gasgemisch stellt also mindestens ein Dreistoffgemisch dar. Ist beispielsweise das Trägergas
ein gegenüber den abzutrennenden Komponenten
ίο tiefersiedendes Gas und liegen die Siedepunkte der
abzutrennenden Komponenten genügend weit auseinander, so kann es geschehen, daß im Falle eines
Dreistoffgemisches die höhersiedende der beiden abzutrennenden Komponenten noch in der der
Trennung dienenden Rektifikationssäule ausfriert. Dies wird insbesondere dann der Fall sein, wenn an die
Trennwirkung hohe Anforderungen gestellt und das Trägergas sehr weitgehend von den abzutrennenden
Komponenten befreit werden soll. Dann ist es nämlich erforderlich, am Kopf der Rektifikationssäule verhältnismäßig
sehr tiefe Temperaturen aufrechtzuerhalten, so daß trotz der geringen Restkonzentrationen der
abzutrennenden Komponenten im Säulenoberteil wegen der nach unten hin zunehmenden Anreicherung
dieser Komponenten in der Gasphase an einer bestimmten Stelle im Inneren der Säule der Festpunkt
der höhersiedenden abzutrennenden Komponente überschritten wird. Damit besteht die Gefahr von
Verlegungen der Säulenböden. Ohne zusätzliche Maßnahmen kann das Verfahren daher nicht kontinuierlich
betrieben werden.
Aus der Zeitschrift »Kerntechnik«, 19. Jahrgang (1977), Nr. 11, Seite 483 bis 487 ist ein Tieftemperaturrektifikationsverfahren
zum Abscheiden von Krypton 85 und Xenon 133 aus einem Abgas bekannt, das in kerntechnischen Anlagen anfällt. Das in der Tieftemperaturrektifikation
zu behandelnde Gasgemisch enthält als Trägergas im wesentlichen Stickstoff sowie geringere
Mengen an Wasserstoff und Argon, als abzutrennende Komponenten Xenon und Krypton sowie als
Verunreinigungen Spuren von Kohlendioxid, Kohlenwasserstoffen und Stickoxiden. Die Konzentration des
Xenons als der höhersiedenden unter den beiden abzutrennenden Komponenten beträgt nahezu das
Sechsfache der Konzentration des Kryptons als der tiefersiedenden abzutrennenden Komponente. Vor
Eintritt in die Rektifikationssäule wird das Gasgemisch bei einem Druck von ca. 5 bar auf 114 K abgekühlt. In
dem dazu benötigten Wärmeaustauscher tritt zum erstenmal das Problem des Ausfrierens von Xenon auf.
Dies soll gemäß der Veröffentlichung mit Hilfe gewisser Temperaturregelmaßnahmen zu beheben sein. Die
Gefahr des Ausfrierens von Xenon während der Rektifikation soll durch Verwendung von Siebboden
sowie eine geeignete Prozeßführung umgasngen werden können. Praktische Erfahrungen lassen jedcoh
erwarten, daß mit diesem Verfahren ein kontinuierlicher Betrieb in technischem Maßstab noch nicht erreichbar
ist.
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Also Published As
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