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Transversalfilter mit Paralleleingängen.
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Die Erfindung bezieht sich auf ein Transversalfilter, bei dem die
Stufen eines auf einem dotierten Halbleitersubstrat integrierten, analogen CTD-Schieberegisters
mit Paralleleingängen und diesen zugeordneten Bewertungsschaltungen versehen sind,
bei dem die Bewertungsschaltungen jeweils ein entgegengesetzt zu dem Substrat dotiertes
Gebiet, ein erstes und zweites Eingangsgate und ein Transfergate aufweisen, wobei
das T;ansfergate unmittelbar neben dem Transferkanal des CTD-Schieberegisters angeordnet
ist, das eine Eingangsgate mit einem Eingangssignal, das andere Eingangsgate mit
einer konstanten Gleichspannung, das entgegengesetzt dotierte Gebiet mit einer ersten
und das Transfergate mit einer zweiten Taktspannung beschaltet sind, und bei dem
das Ausgangssignal an einem Ausgang des CTD-Schieberegisters abgreifbar ist.
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Ein derartiges Transversalfilter ist aus der Zeitschrift "Electronics
Letters", Bd. 13, Nr. 5 vom 3. März 1977, Seiten 126 und 127, bekannt. Die Größe
der einzelnen St 1 Plr/29.3.1978
Koeffizienten, mit denen das Eingangs
signal an jedem Paralleleingang individuell bewertet wird, ist dabei durch die Kapazität
des zweiten Eingangsgate gegeben.
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Transversalfilter dieser Gattung bilden auch den Gegenstand der deutschen
Patentanmeldung P 26 43 704.7. Nachteilig ist hierbei, daß große Beträge der Bewertungskoeffizienten
die für das Transversalfilter vorzusehende Halbleiterfläche entsprechend vergrößern.
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Aus den "Proceedings of the 8th Conference (1976 International) on
Solid State Devices, Tokyo, 1976", abgedruckt im "Japanese Journal of Applied Physics",
Vol. 16 (1977) Supplement 16-1, Seiten 387 - 390 ist ein solches Transversalfilter
bekannt, bei dem ein CCD-Schieberegister mehrere durch TrenndifSusionen gegeneinander
isolierte Transferkanäle aufweist, die den Paralleleingängen jeweils individuell
zugeordnet sind. Hierbei besteht das in den Bewertungsschaltungen jeweils vorgesehene
Transfergate aus der ersten Verschiebeelektrode des zugehörigen Transferkanals.
Die Transferkanäle werden in einer gemeinsamen Ausgangsstufe zusammengeführt, in
deren Bereich die genannten Trenndiffusionen weggelassen sind.
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Dort erfolgt eine Summierung der über die Kanäle getrennt übertragenen
und mit unterschiedlichen Verzögerungen eintreffenden Signalanteile zu einem Ausgangssignal.
Die Bewertungskoeffizienten, mit denen das den Paralleleingängen zugeführten Signal
belegt wird, sind durch die Gateflächen in den einzelnen Bewertungsschaltungen gegeben.
Nachteilig ist hierbei, daß die erforderliche Halbleiterfläche mit der Anzahl der
Paralleleingange und den gewünschten Beträgen der Bewertungskoeffizienten stark
ansteigt.
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Aus den obengenannten "Proceedingsn, abgedruckt in dem "Japanese Journal
of Applied Physicsn, Vol. 16 (1977), Supplement 16-1, Seiten 391 - 396, ist ein
weiteres
Transversalfilter bekannt, das sich von der eingangs erwähnten
Gattung durch eine andere Ausbildung der Bewertungsschaltungen und der Paralleleingänge
unterscheidet.
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Jede einzelne Bewertungsschaltung enthält hier zwei in Serie geschaltete
MOS-Feldeffekttransistoren und eine Widerstandsdiffusion, während jeder Paralleleingang
eine mit einer Eingangsdiffusion versehene Stufe eines Vier-Phasen-CCD-Schieberegisters
aufweist. Dabei ist die Eingangsdiffusion mit einem Anschluß des Widerstandes verbunden
und die letzte Verschiebeelektrode zu einer Verschiebeelektrode eines die Summierung
der Signalanteile vornehmenden CCD-Schieberegisters benachbart angeordnet.
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Das Gate des einen MOS-Feldeffekttransistors jeder Bewertungsschaltung
wird mit dem Eingangssignal belegt, das Gate des anderen jeweils mit einer Gleichspannung,
die durch ihre Große den durch die Transistoren fließenden Strom und damit den jeweiligen
Bewertungskoeffizienten bestimmt. Damit sind die Ubertragungseigenschaften des Transversalfilters
elektrisch einstellbar. Nachteilig ist jedoch, daß der Strom nur in einem kleinen
Änderungsbereich linear von der genannten Gleichspannung abhängt.
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Es wurde bereits vorgeschlagen, vergl. die ältere deutsche Patentanmeldung
P 26 44 284.2, bei einem Transversalfilter der eingangs genannten Art in den einzelnen
Bewertungsschaltungen zur Realisierung eines Bewertungskoeffizienten jeweils zweimal
hintereinander Ladungsmengen zu bilden und in die zugehörigen Stufen des CTD-Schieberegisters
einzugeben, um die Bewertungsschaltungen flächensparend ausbilden zu können.
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Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Transversalfilter
der eingangs genannten Art vorzusehen, das auf einer möglichst kleinen Oberfläche
des Halbleitersubstrats aufgebaut ist und trotzdem die Bildung von Bewertungskoeffizienten
erlaubt, deren Beträge
sich voneinander wesentlich unterscheiden.
Das wird gemäß der Erfindung durch die im kennzeichnenden Teil des Patentanspruchs
1 angeführten Maßnahmen erreicht.
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Der mit der Erfindung erzielte Vorteil besteht insbesondere darin,
daß durch die Ausbildung der Dickschicht- und Dünnschichtbereiche der Isolierschicht
unterhalb der Transfergateelektroden der Bewertungsschaltungen in einfacher und
flächensparender Weise festgelegt wird, wie oft aus den einzelnen Bewertungsschaltungen
durch deren Flächen gegebene Ladungsmengen in die zugehörigen Stufen des CTD-Schieberegisters
eingegeben werden, wobei sich aus der Anzahl der jeweils eingegebenen Ladungsmengen
die den Bewertungsschaltungen zugeordneten Bewertungskoeffizienten ergeben. Die
Möglichkeit, das Transversalfilter nach der Erfindung in einfacher Weise mit wesentlich
voneinander abweichenden Bewertungskoeffizienten auszustatten, vergrößert dessen
Anwendbarkeit.
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Die Erfindung wird nachfolgend anhand einiger in der Zeichnung dargestellter,
bevorzugter Ausführungsbeispiele näher erläutert. Dabei zeigt: Fig. 1 eine Prinzipdarstellung
des eingangs erwähnten, bekannten Transversalfilters mit einem CCD-Schieberegister
mit Paralleleingängen und einem Serienausgang, Fig. 2 einen Querschnitt durch eine
Teilschaltung von Fig. 1, Fig. 3 ein Zeitdiagramm der für ein Transversalfilter
nach den Figuren 1 und 2 erforderlichen Betriebsspannungen, Fig. 4 ein Ausführungsbeispiel
der Erfindung und
Fig. 5 ein Zeitdiagramm der für ein Transversalfilter
nach Fig. 4 erforderlichen Betriebsspannungen.
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Das in Fig. 1 schematisch dargestellte Transversalfilter ist als eine
auf einem dotierten Halbleitersubstrat 1, z. B. p-leitendem Silizium, monolithisch
integrierte Halbleiterschaltung ausgebildet. Einem Anschluß 2 wird ein analoges
Eingangssignalue zugeführt, während am Ausgang 3 ein analoges Ausgangssignal ua
abgreifbar ist, dessen zeitlicher Verlauf dem des Signals ue entspricht, nachdem
dieses ein Frequenzfilter mit einer bestimmten Frequenzcharakteristik durchlaufen
hat. Die Frequenz charakteristik kann beispielsweise die eines Tiefpasses sein.
Ein mit 4 bezeichnetes Schieberegister ist als eine ladungsgekoppelte Anordnung
(CCD) ausgebildet und arbeitet im 3-Phasen-Betrieb. Sie.weist eine Reihe von Elektroden
411, 412, 413, 421, 422, 423 usw. auf, die über einer das Substrat 1 abdeckenden,
dünnen Isolierschicht, z. B. einer Gateoxidschicht aus Si02, dicht nebeneinanderliegenden
in Verschieberichtung R plaziert sind.
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Jeweils drei nebeneinanderliegende Elektroden, z. B. 411, 412 und
413 oder 421, 422 und 423 gehören zu einer Schieberegisterstufe, wobei die ersten
Elektroden 411, 421 usw. sämtlicher Stufen an eine Leitung 5 angeschlossen und über
diese mit einer Verschiebetaktspannung 1 beschaltet sind, während die zweiten Elektroden
412, 422 usw. an einer gemeinsamen, mit einer Verschiebetaktspannung 2 beschalteten
Leitung 6 und die dritten Elektroden 413, -423 usw. an einer mit einer Verschiebetaktspannung
3 beschalteten Leitung 7 liegen. Bei einem zeitlichen Verlauf der Spannungen 1 bis
3 gemaß" Fig. 3 ergeben sich unterhalb jeder dritten Elektrode lokale Maxima des
Oberflächenpotentials s im Halbleitersubstrat 1, sogenannte Potentialtöpfe, die
im Takte der Spannungen 1
bis 3 in Richtung R schrittweise von Stufe
zu Stufe verschoben werden. Injiziert man nun in diese jeweils von Raumladungszonen
umgebenen Potentialtöpfe elektrische Ladungen, die eine Polarität aufweisen, die
der der Minoritätsladungsträger des Substrats 1 entspricht, so werden diese mit
den Potentialtöpfen verschoben und können nach dem Durchlaufen des gesamten Schieberegisters
4 in dessen Ausgangsstufe AS zeitverzögert ausgelesen werden. Bei der in Fig. 1
dargestellten Ausflihrungsform des Schieberegisters 4 enthält die Ausgangsstufe
AS ein zeitweilig von äußeren Potentialen freigeschaltetes Diffusionsgebiet 9 (floating
diffusion output). Dieses ist über einen Ausgangsverstärker 10 mit dem Ausgang 3
leitend verbunden. Das Gebiet 9 stellt zusammen mit einem zweiten Diffusionsgebiet
11, das über einen Anschluß 12 mit einer Drainspannung VDD beschaltet ist, und einer
Gateelektrode 13, die über die Leitung 5 an der Verschiebetaktspannung 1 liegt,
einen Feldeffekttransistor dar, der beim Auftreten der einzelnen Spannungsimpulse
von Ib, das Gebiet 9 intermittierend auf ein Referenzpotential setzt.
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Der Eingang 2 des Transversalfilters ist mit einer Reihe von Paralleleingängen
21, 22, 2n verbunden, die jeweils einzelnen Stufen des Schieberegisters 4 zugeordnet
sind.
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Jeder dieser Paralleleingänge ist mit einer Bewertungsschaltung 81,
82, 8n versehen. Diese weisen jeweils ein entgegengesetzt zum Substrat 1 dotiertes
Gebiet D, ein erstes Eingangsgate G1, ein zweites Eingangsgate G2 und ein Transfergate
G3 auf, wobei die Gebiete D aller Bewertungsschaltungen 81 bis 8n zusammenhangend
ausgebildet und mit einem Anschluß 14 verbunden sind, während die Transfergateelektroden
G3 aller Bewertungsschaltungen ebenfalls zusammenhängend ausgebildet und mit einem
Anschluß 15 versehen sind. Das erste Eingangsgate G1 der Bewertungsschaltung 81
ist mit einem Anschluß E11 versehen, G2 mit einem Anschluß E12. Die entsprechenden
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schlüsse von 82 sind mit E21 und E22 bezeichnet, die der Bewertungsschaltung
8n mit En1 und En2. In Fig. 1 sind die Anschlüsse E11, E21 und En1 jeweils mit den
Paralleleingängen 21, 22 und 2n verbunden, während die Anschlüsse E11 und E21 an
einen gemeinsamen Anschluß B1 und der Anschluß En2 an einen Anschluß B2 geführt
sind.
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In Fig. 2 ist die Bewertungsschaltung 81 längs der Linie II-II geschnitten
dargestellt. Dabei sind die bereits in Fig. 1 gezeigten Teile mit denselben Bezugszeichen
versehen. Die dünne Isolierschicht, auf der die Teile 61, 62, 63 und 411 plaziert
sind, ist mit 16 bezeichnet. Die Bewertungsschaltung 81 ist für einen positiven
Bewertungskoeffizienten eingerichtet. Dabei wird dem Anschluß E11 des ersten Eingangsgate
G1 über B1 eine konstante Gleichspannung Ul zugeführt, die höchstens so groß ist
wie das kleinste zu bewertende Eingangssignal ue, so daß sich für das Oberflächenpotential
s unterhalb von G1 eine feste Potentialschwelle W1 ergibt. Dem Anschluß E12 wird
über den Paralleleingang 21 das Eingangs signal ue zugeführt, wobei sich unterhalb
von G2 Potentialwerte zwischen P (für das maximale Signal ue) und PO (für das minimale
Signal ue) ergeben.
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Unter dem Einfluß der in Fig. 3 dargestellten Taktspannungen G und
, die jeweils den Anschlüssen 14 und 15 zugeführt werden, ergeben sich Potentialwerte
D1 bzw.
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Dg und T1 bzw. T0 innerhalb des dotierten Gebiets D und unterhalb
des dem Transfergate G3 gemäß Fig. 2* Zum Zeitpunkt t0 (Fig. 3) besteht ein Potentialverlauf
Dos W1, P, T0 und CO, wobei der Potentialwert P durch die Größe des auftretenden
Eingangssignals ue gegeben ist.
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Dabei wird der unterhalb von G2 gebildete Potentialkopf mit Ladungsträgern
überschwemmt. Zum Zeitpunkt t1 ist Do in Dn übergegangen, wobei die Ladungsträger
wieder soweit aus dem Bereich unterhalb von Gl und G2 in das
Gebiet
D zurtickfließen, daß der unterhalb von G2 gebildete Potentialtopf nur noch bis
zu dem durch W1 gegebenen Rand angefüllt bleibt, was in Fig 2 durch die schraffierte
Fläche F angedeutet ist. Ist dann Tg in T1 übergegangen (Zeitpunkt t2) so wird die
durch F angedeutete Ladungsmenge entsprechend dem Pfeil 17 unter die Elektrode 411
verschoben, da diese gleichzeitig mit einer relativ hohen Verschiebetaktspannung
1 belegt ist, die einen Potentialwert C1 ergibt. Wesentlich ist hierbei, daß bei
einer Ausbildung der Schaltung 81 für einen positiven Bewertungskoeffizienten beim
Auftreten des minimalen Eingangssignals ue wegen P=PO keine Ladungsmenge eingelesen
wird, beim Auftreten des maximalen Eingangssignals ue wegen .P=P1 die maximale Ladungsmenge,
die durch die zwischen den Werten PO und P1 liegende Fläche dargestellt werden kann.
Der Einlesevorgang wiederholt sich mit der Frequenz der Verschiebetaktspannung 1
Ist eine Bewertungsschaltung, z. B. die Schaltung 8n in Fig. 1, für einen negativen
Bewertungskoeffizienten eingerichtet, so wird ihrem ersten Eingangsgate über den
Anschluß En1 von einem Paralleleingang 2n das Eingangssignal ue zugeführt, während
ihr zweites Eingangsgate über einen Anschluß En2 und einen Anschluß B2 nunmehr mit
einer konstanten Gleichspannung U2 belegt ist, die wenigstens so groß ist wie das
maximale zu bewertende Eingangssignal ue und unterhalb von G2 einen festen Potentialwert
W2 ergibt. Unterhalb von G1 ergeben sich dann Potentialwerte P1' für das maximale
Eingangs signal und Pol für das minimale Eingangssignal ue. Das =rillen des Potentialtopfes
unterhalb von G2 ist dabei nur bis zu dem durch das zum Zeitpunkt t1 anliegende
Eingangssignal ue bestimmten Rand P' möglich, was in Fig. 2 durch die Flache F'
gekennzeichnet ist. Nach dem Übergang von auf T1 und von CO auf C1 (Zeitpunkt t2)
wird die Ladungsmenge F' wieder unter eine Elektrode des CCD-Schie-
beregister
4 verschoben (Pfeil 18). Wesentlich ist, daß bei einem negativen Bewertungskoeffizienten
beim Auftreten des minimalen Eingangssignales ue wegen P'=PO' die maximale Ladungsmenge
eingegeben wird, was in Fig. 2 durch eine Fläche unterhalb von G2 und zwischen den
Potentialwerten PO' und P1' verdeutlicht wird, während für das maximale Eingangssignal
ue wegen P'=P1' keine Ladungsmenge eingelesen wird. Auch dieser Einlesevorgang wiederholt
sich mit der Frequenz der Verschiebetaktspannung; Somit finden in dem Schieberegister
4 unter den Elektroden 411, 421 usw. jeweils beim Auftreten der Verschiebetaktspannungen
1 Summierungsvorgänge statt, bei denen zu den jeweils innerhalb des Schieberegisters
4 verschobenen Ladnngsmengen die über die zugehörigen Paralleleingänge eingegebenen
Ladungsmengen F bzw. F' addiert werden. Die auf diese Weise durch mehrfache Summierungsvorgänge
angewachsenen Ladungsmengen, die schließlich in der letzten Stufe des Schieberegisters
4 nacheinander ankommen, bewirken dann beim Eindringen in das Diffusionsgebiet 9,
das zuvor auf Referenzpotential gebracht wurde, jeweils Potentialverschiebungen,
die über den Verstärker 10 ausgewertet und zu dem gefilterten Ausgangssignal ua
zusammengesetzt werden.
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Man kann durch eine mit 19 angedeutete, an sich bekannte Eingangsstufe
des Schieberegisters 4, die beispielsweise in dem Buch von Sequin und Tompsett nCharge
Transfer Devices", Academic Press, New York, 1975 auf den Seiten 48 bis 50, insbesondere
Fig. 3.12 (d), beschrieben ist, zu den über das Schieberegister verschobener, Ladungsmengen
eine konstante Grundladung hinzufügen, die in der Literatur auch als "fat zeron
bezeichnet wird. Hierbei besteht das dieser Eingangsstufe zugeführte Signal aus
einer Gleichspannung.
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Bei dem in Fig. 4 schematisch dargestellten, nach der Erfindung ausgebildeten
Transversalfilter ist das Schieberegister 4 als eine 4-Phasen-CCD-Anordnung ausgebildet.
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Die erste Stufe 401 weist die Verschiebeelektroden 411, 412, 413 und
414 auf, die zweite Stufe 402 die Elektroden 421, 422, 423 und 424. Die dritte Stufe
des Schieberegisters ist mit 403 bezeichnet, weitere Stufen und die Ausgangsstufe,
die entsprechend der Stufe AS in Figur 1 aufgebaut sein kann, sind aus Grtinden
der tfbersichtlichkeit nicht im einzelnen dargestellt. Die den ersten Schiebeelektroden
sämtlicher Stufen zugeführte Taktspannung ist mit 1 bezeichnet, während den zweiten,
dritten und vierten Elektroden sämtlicher Stufen jeweils die Verschiebetaktspannungen
2' 3 und 4 zugeleitet werden.
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Den Stufen 401, 402 und 403 sind die Bewertungsschaltungen 81, 82
und 83 zugeordnet. Sie weisen in der dargestellten Ausführungsform ein gemeinsames,
entgegengesetzt zum Substrat dotiertes Gebiet D auf, das mit einem Anschluß 14 versehen
ist. Die ersten Eingangsgateelektroden sind mit G11, G21 und G31 bezeichnet, die
zweiten Eingangsgateelektroden mit G12, G22 und G32. In der dargestellten Ausführungsform
sind die ersten und zweiten Eingangsgateelektroden der Bewertungsschaltungen 81
bis 83 untereinander verbunden und mit gemeinsamen Anschlüssen B1 bzw. 2 versehen.
Ein allen Bewertungsschaltungen gemeinsames Transfergate ist in seinen den Schaltungen
81, 82 und 83 zugeordneten Abschnitten mit G13, G23 und G33 bezeichnet und mit einem
Anschluß 15 versehen. Beim Zuführen des Eingangssignals ue an den Anschluß 2 und
einer konstanten Gleichspannung U1, die höchstens so groß ist wie das kleinste Signal
ue, an den Anschluß B1, sind die Bewertungs-Schaltungen 81 bis 83 jeweils für einen
positiven Bewertungskoeffizienten eingerichtet. Legt man ue stattdessen an den Anschluß
B1 und eine konstakte Gleich-
spannung U2, die mindestens so groß
ist wie das größte Signal ue, an den Anschluß 2, so ergeben sich nur negative Bewertungskoeffizienten.
Will man einzelnen Bewertungskoeffizienten, z. B. dem der Schaltung 82, ein negatives
Vorzeichen geben, so müssen die betreffenden Eingangsgateelektroden dieser Schaltung,
im betrachteten Fall also G21 und G22, in Abweichung von Figur 4 von den übrigen
Eingangsgateelektroden getrennt werden und mit den Spannungen ue und U2 beschaltet
werden, wobei ue an G21 und U2 an G22 gelegt wird.
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In Figur 4 entspricht die Breite der ersten und zweiten Eingangsgateelektroden
einer Bewertungsschaltung, z. B.
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G11 und G12, der Länge der zugeordneten Stufe des Schieberegisters
4, z. B. der Länge von 401. Hierdurch wird erreicht, daß die Bewertungsschaltung
während des gesamten Zeitintervalls AT, in dem sich der durch die Verschiebetaktspannungen
gebildete Potentialtopf unterhalb der Elektroden dieser Stufe befindet, für das
Einlesen von Ladungsmengen vorbereitet ist. Dem Anschluß 14 wird eine erste Taktspannung
Dt und dem Anschluß 15 eine zweite Taktspnnnung G1 (Fig. 5) zugeführt, deren Impulsfolgefrequenz
der vierfachen Impulsfolgefrequenz einer der Schiebetaktspannungen 01 bis 4 entsprechen.
Damit ist die betrachtete Bewertungsschaltung im einzelnen so vorbereitet, daß in
die zugehörige Stufe des Schieberegisters, z. B. 401, eine durch die Fläche des
zweiten Eingangsgate, z. B. G12, bestimmte Ladungsmenge innerhalb der Zeit AT viermal
eingelesen wird und zwar jeweils dann, wenn der durch die Verschiebetaktspannungen
gebildete Potentialtopf sich unter einer der vier Elektroden dieser Stufe befindet.
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Nach der Erfindung werden Maßnahmen getroffen, daß von diesen vorbereiteten
Ladungseingaben nur eine ganz bestinsrte Anzahl tatsächlich erfolgt. Dies geschieht
in
der Weise, daß unterhalb des zu der betreffenden Stufe des Schieberegisters
4 gehörenden Abschnittes der Transfergateelektrode, z. B. unterhalb von G13, nur
innerhalb eines ganz bestimmten Teilabschnittes, z. B. TA1, ein Dümischichtbereich
(Gateoxidbereich) der die Oberfläche des Halbleitersubstrats abdeckenden Isolierschicht,
z. B. aus SiO2, vorgesehen ist, während unterhalb der übrigen Teilabschnitte von
G13 ein Dickschichtbereich (Feldoxidbereich) vorhanden ist. Unterhalb von G23 sind
in Fig. 4 ausschließlich Dünnschichtbereiche vorgesehen, während unterhalb von G33
drei Dünnschichtbereiche neben den ersten drei Elektroden der Stufe 403 und neben
der vierten Elektrode ein Dickschichtbereich vorgesehen ist.
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Damit erfolgen während des Zeitintervalls AT eine Ladungseingabe in
die Stufe 401, vier Ladungseingaben in die Stufe 402 und drei Ladungseingaben in
die Stufe 403.
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Für die Stufe 401 ergibt sich somit ein Bewertungskoeffizient, der
der Fläche von G12 proportional ist, für die Stufe 402 ein solcher, der der vierfachen
Fläche von G22 proportional ist und für die Stufe 403 ein Koeffizient, der der dreifachen
Fläche von G32 entspricht.
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Allgemein wird bei einer Ausbildung des Schieberegisters mit n Elektroden
pro Stufe die Impulsfolgefrequenz der ersten und zweiten Taktspannung D' und so
so gewählt, daß sie dem n-fachen Wert der Impulsfolgefrequenz einer der Verschiebetaktspannungen
01 bis n entspricht, wobei durch die Anordnung der Dünnschichtbereiche und Dickschichtbereiche
der Isolierschicht unterhalb der Transfergateelektroden der einzelnen Bewertungsschaltungen
eine Auswahl getroffen wird, ob jeweils die durch die Flächen der zweiten Eingangsgateelektroden
bestimmten Ladungsmengen einfach, mehrfach bis maximal n-fach oder überhaupt nicht
eingelesen werden sollen. Letzteres ist der Fall, wenn unterhalb des Transfergate
einer Bewertungsschaltung
nur Dickschichtbereiche der Isolierschicht
vorgesehen sind.
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3 Patentansprüche 5 Figuren