DE2813419A1 - Photomaske fuer eine integrierte schaltung - Google Patents

Photomaske fuer eine integrierte schaltung

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DE2813419A1
DE2813419A1 DE19782813419 DE2813419A DE2813419A1 DE 2813419 A1 DE2813419 A1 DE 2813419A1 DE 19782813419 DE19782813419 DE 19782813419 DE 2813419 A DE2813419 A DE 2813419A DE 2813419 A1 DE2813419 A1 DE 2813419A1
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photomask
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transparent
glass plate
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Shoichi Harada
Osamu Nagarekawa
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Hoya Electronics Corp
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/50Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Description

  • Photomaske für eine integrierte Schaltung Beschreibung Die Erfindung betrifft eine für die Herstellung einer integrierten Schaltung geeignete Photomaske, die eine Glasplatte mit extrem flacher Oberfläche, einen transparenten, elektrisch leitfähigen Überzug aus beispielsweise Indiumoxid, daran gebunden, und einen metallischen Chromüberzug, der auf dem elektrisch leitenden Überzug gebildet ist, umfaßt.
  • Die Erfindung betrifft eine für die Erzeugung einer integrierten Schaltung geeignete Photomaske, die ein Maskenmuster mit guter Dauerhaftigkeit ergibt, und eine Grundplatte für die Photomaske.
  • Eine integrierte Schaltung, oder abgekürzt IC (für den angelsächsischen Ausdruck "integrated circuit"), wird durch Laminierung eines Oxidfilms und dann eines KPR-Flüssigkeitsfilms (Kodak Photoresist, Warenzeichen für einen Flüssigkeitsfilm vom Polyvinylcinnamat-Typs, hergestellt von Eastman Kodak) auf ein Siliciumblättchen und Photoätzen eines Schaltmusters auf die Oberfläche des Laminats, z.B. durch Durchführen einer Isolierungsstufe, eine Stufe, bei der ein Material vom P-Typ darauf diffundiert wird, eine Stufe, bei der ein Material vom N-Typ darauf diffundiert wird, und eine Elektrodenverdrahtungsstufe, hergestellt. Das Schaltungsmuster beim Photoätzen muß eine hohe Genauigkeit von weniger als 1 Mikron besitzen. Beispielsweise wird ein Schaltungsmuster 300 X im Maßstab mit einer Genauigkeit von 1/25 mm gezogen und photographisch auf einen Maßstab von 1/300 durch eine Präzisionskamera verkleinert. Das photographisch reduzierte Muster wird dann als Original des Schaltungsmusters verwendet. Die Genauigkeit dieses Originals beträgt 1/7500 mm oder weniger als 1 Mikron.
  • Der Ausdruck "IC Photomaske", wie er in der vorliegenden Anmeldung verwendet wird, bedeutet eine Originaiplatte bzw. -folie mit einem Muster für die Übertragungsbelichtung (d.h. bei dem das Bildmuster durch transmittiertes Licht übertragen wird), die zum Photoätzen des Siliciumblättchens, wie oben beschrieben, verwendet wird. Bekannte IC-Photomasken werden durch Bildung eines dünnen Films (mit einer Dicke von mehreren zehn m/u) aus metallischem Chrom auf einer extrem flachen Oberfläche einer Glasplatte hergestellt, wobei man ein Zerstäubungsverfahren verwendet, wie ein Plasma- oder ein Vakuumabscheidungsverfahren.
  • Ein Schaltungsmuster bzw. -modell bzw. -vorlage aus dem dünnen Film aus metallischem Chrom wird auf der Glasplatte durch Beschichten eines photoempfindlichen Mittels, das als Photoresist bzw. Photoabdeckmittel bzw. -widerstand bezeichnet wird (z.B. KPR, wie oben beschrieben, oder ein anderer, an sich bekannter Photoresist), auf dem dünnen, metallischen Chromfilm einer solchen Photomaske gebildet. Der Photoresist wird dann mit Licht durch ein Original des obigen Schaltungsmusters, das in Kontakt mit dem Photoresist gebracht wird, belichtet, um optisch das Schaltungsmuster des Originals zu übertragen, und dann wird der Chromfilm geätzt. Dieses auf dem Chromfilm gebildete Muster wird im folgenden als "Maskenmuster" bzw. "Maskenanordnung" bezeichnet. Das Maskenmuster umfaßt den metallischen Chromfilm, der auf der Oberfläche der Glasplatte vorhanden ist. Der Film ist nicht notwendigerweise kontinuierlich, und einige. Teile des Films sind als isolierte Flächen auf der Glasplatte vorhanden.
  • Eine Photomaske mit einem solchen Maskenmuster darauf wird auf ein Siliciumblättchen bzw. -platte aufgelegt und für die Übertragungsbelichtung verwendet. Da das Maskenmuster t sächlich ein zum Verbrauch bestimmtes Material ist, besteht die übliche Praxis darin, ein Maskenmuster für ein Original oder ein Suboriginal herzustellen und ein Maskenmuster für die Übertragung auf ein Siliciumblättchen unter Verwendung dieses Original- oder Suboriginal-Maskenmusters herzustellen.
  • Wegen der Produktionskosten wird bei dieser Photomaske (Arbeitsphotomaske) zur Herstellung eines Maskenmusters für die Übertragung auf ein Siliciumblättchen häufig ein Silberhalogenidemulsionsüberzug anstelle des metallischen Chromfilms verwendet.
  • Wenn das Maskenmuster des Originals oder des Suboriginals mit einem Muster in einem metallischen Chromfilm darauf auf die Photomaske mit einem Silberhalogenidemulsionsüberzug übertragen wird, beobachtet man, daß der Kantenteil der isolierten Flächen (die im folgenden als "Inseln" bezeichnet werden) des metallischen Chromfilms abfällt oder sich abschält. Selbst ein nur sehr geringes Abfallen des Kantenteils verursacht ein vollständiges Versagen der Funktion des Übertragungsoriginals, und dies ist ein vernichtender Nachteil.
  • Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Übertragungsphotomaske zur Verfügung zu stellen, die ein Maskenmuster ergibt, das frei ist vom Abfallen von Kanten der Inseln des Musterfilms.
  • Erfindungsgemäß soll weiterhin eine Grundplatte für eine solche Photomaske zur Verfügung gestellt werden.
  • Erfindungsgemäß soll ein Verfahren zur Herstellung eines Maskenmusters mit hoher Genauigkeit auf einer solchen Photomaske geschaffen werden.
  • Erfindungsgemäß soll ein Verfahren zur Herstellung eines Maskenmusters geschaffen werden, das besonders für die Übertragung auf eine Photomaske geeignet ist, die mit einer Silberhalogenidemulsion beschichtet ist.
  • Erfindungsgemäß soll eine Grundplatte für eine IC-Photomaske zur Verfügung gestellt werden, wobei die Platte eine Glasplatte bzw. -folie mit extrem flacher Oberfläche und einen daran gebundenen, transparenten, elektrisch leitfähigen Überzug enthält.
  • Erfindungsgemäß soll weiterhin eine IC-Photomaske geschaffen werden, die durch Laminierung eines metallischen Chromüberzugs auf dem transparenten, elektrisch leitfähigen Überzug auf der Grundplatte, wie oben für eine IC-Photomaske beschrieben, hergestellt wird.
  • Die Grund- bzw. Basisplatte bzw. das Grundblättchen für die erfindungsgemäße IC-Photomaske wird als Grundplatte bzw. -blättchen für die Herstellung von IC-Photomasken im Handel verkauft und ist eine an sich bekannte Glasplatte für Photomasken.
  • Als Glasplatte können bei der vorliegenden Erfindung die an sich bekannten Glasgrundmaterialien verwendet werden.
  • Die besonders für die Glasplatte erforderliche Eigenschaft ist die, daß die Oberfläche der Glasplatte eine extrem flache Oberfläche sein sollte, die frei von selbst sehr kleinen Schramme bzw. Kratzern ist. Ein Beispiel eines geeigneten Glases, das erfindungsgemäß als Glasgrundmaterial verwendet werden kann, ist ein Glas vom Na2O-CaO-SiO2-Typ. Eine geeignete Dicke für das Glasgrundmaterial liegt im Bereich von etwa 0,1 bis etwa 5 mm, und die Größe des Glasgrundmaterials kann im Bereich von etwa 40 bis etwa 150 mm liegen. Das Glasgrundmaterial sollte eine Transparenz von mindestens etwa 70% bei 400 m/u aufweisen.
  • Der bei der vorliegenden Erfindung verwendete, transpav rente, elektrisch leitfähige Überzug sollte solche Eigenschaften besitzen, daß eine gute Transmission des Lichts und eine gute Leitung der Elektrizität möglich sind. Bevorzugt besitzt der transparente, elektrisch leitfähige Überzug eine Lichtdurchlässigkeit von mindestens etwa 70% bei einer Wellenlänge von 400 nyi und einen oberflächenelektrischen Widerstand von etwa 1 Kill hm/cm2 oder weniger. Spezifische Beispiele von Überzügen mit diesen Eigenschaften sind ein Überzug aus Indiumoxid, ein Überzug aus Zinnoxid und ein Überzug aus Wolframtrioxid.
  • Ein Indiumoxidüberzug ist bevorzugt. Dieser Überzug kann leicht unter Verwendung eines Vakuumabscheidungsverfahrens hergestellt werden, und eine geeignete Dicke des Überzugs beträgt etwa 10 bis etwa 500 m/u.
  • Der metallische Chromüberzug als Deckschicht der erfindungsgemäßen Photomaske kann, wie bei bekannten Photomasken.
  • nach einem Zerstäubungsverfahren unter Verwendung eines Plasma-oder Vakuumabscheidungsverfahrens hergestellt werden. Der metallische Chromüberzug ist üblicherweise etwa 10 bis etwa 500 m/u dick.
  • Gegenstand der Erfindung ist ebenfalls ein Photomaskenmuster, das hunter Verwendung der erfindungsgemäßen Photomaske erhalten wird, und ein Verfahren zur Herstellung dieses Maskenmusters. Erfindungsgemäß kann ein Maskenmuster in der erfindungsgemäßen Photomaske durch Beschichten eines Photoresists auf die Photomaske in an sich bekannter Weise, optische Projektion des Musters eines Originals auf den Photoresist, Entfernung der nichtbelichteten Flächen des Photoresists und dann Ätzen des Chromüberzugs hergestellt werden. Für diese Ätzstufe ist es erforderlich, ein Ätzmittel zu verwenden, das das metallische Chrom löst, das aber den transparenten, elektrisch leitfähigen Überzug darunter nicht angreift. Geeignete ätzmittel, die verwendet werden können, werden von der Art des vorhandenen, transparenten, elektrisch leitfähigen Überzugs abhängen. Beispielsweise kann, wenn der transparente, elektrisch leitfähige Überzug Indiumoxid ist, eine wäßrige Lösung aus Cer<IV)-ammoniumnitrat CCe(NH4)2.(N03)6] geeigneterweise als ätzmittel verwendet werden. Geeignete Photoresists, die bei der vorliegenden Erfindung verwendet werden können, umfassen Resists vom positiven Typ und vom negativen Typ, Resists vom Elektrostrahltyp, usw. Diese Photoresists, Verfahren für ihre Verwendung, Atzlösungen und Bedingungen -u.ä. werden z.B. von Ohyo Butsuri, Journal of Applied Physics, Band 41, Nr. 9, Seiten 839-842 (1972), und von Ohyo Butsuri, Journal of Applied Physics, Band 43, Nr. 5, Seiten 481-490 (1974), herausgegeben von Japanese Applied Physics Association, beschrieben.
  • Das entstehende Übertragungsoriginal, das durch Bildung eines Maskenmusters in der erfindungsgemäßen Photomaske auf-die oben beschriebene Art erhalten wird, wird auf eine Arbeitsmaske durch ein Maskenmuster aus metallischem Chrom, das in Kontakt damit gebracht wird, übertragen. Mit bekannten, mit metallischem Chrom beschichteten Photomasken fällt der Kantenteil der Inseln des Musters ab, abhängig von dem Material, aus dem die Arbeitsmaske hergestellt ist. Bei der erfindungsgemäßen Photomaske wird das Abfallen des Kantenteils der Inseln vermieden.
  • Man nimmt an, daß dieses Abfallen als Folge der statischen Ladungen auftritt, die zum Zeitpunkt des Kontakts für die Übertragung erzeugt werden, und daß der metallische Chromüberzug, der an der Oberfläche der Glasplatte mit einer nicht sehr starken Adhäs on haftet, sich, bedingt durch den Einfluß der statischen Ladung, abschält. An Teilen mit Ausnahme der Inseln wird die statische Ladung durch die für das Pressen der Photomaske verwendeten Metallstücke geführt, und daher tritt kein Abschälen an diesen Teilen auf. Man nimmt an, daß in der erfindungsgemäßen Photomaske die statische Ladung' die in dem metallischen Chromüberzug in den Inseln gebildet wird, durch den transparenten, elektrisch leitfähigen Überzug, der unter dem Chromüberzug liegt, zerstreut wird und daß dementsprechend ein Abschälen der Inseln verhindert wird.
  • Aus diesem Grund ist die erfindungsgemäße Photomaske eine besonders nützliche Photomaske, die wirksam für die Übertragung eines Naskenmusters auf alle Arbeitsphotomasken verwendet werden kann, wo sich beim Kontakt statische Ladungen aufbauen können.
  • Hinsichtlich der Produktionskosten sind Photomasken, die mit einer Silberhalogenidemulsion beschichtet sind, als Arbeitsphotomasken bevorzugt. Es wurde gefunden, daß, wenn ein Maskenmuster der erfindungsgemäßen Photomaske auf solche Arbeitsphotomasken übertragen wird, die Gebrauchsdauer des übertragenen Musters als Original wesentlich verlängert wird, verglichen mit der Verwendung bekannter Maskenmuster, die keinen transparenten, elektrisch leitfähigen Überzug enthalten.
  • Da Licht von dem transparenten, elektrisch leitfähigen Überzug des Maskenmusters bei der vorliegenden Erfindung durchgelassen wird, kann der angeätzte Teil für die optische Übertragung verwendet werden, selbst wenn das Maskenmuster mit einer Glasplatte verbunden ist. Dies ist ein weiterer, wesentlicher Vorteil.
  • Die folgenden Beispiele erläutern die Erfindung. Sofern nicht anders angegeben, sind alle Teile, Prozentgehalte und ähnliche Angaben durch das Gewicht ausgedrückt.
  • Vergleichsbeispiel Metallisches Chrom wird direkt mit einer Na2O-CaO-SiO##-Glasplatte unter Verwendung eines Zerstäubungsverfahrens in einer Dicke von 80 m/u unter Bildung einer Maske aufgetragen bzw. verbunden. Ein Muster wird optisch projiziert und auf die entstehende Maske übertragen. Zehn solche Proben werden hergestellt. Das Muster jeder Probe wird auf eine Photomaske übertragen, die mit einer Silberhalogenidemulsion beschichtet ist. Das Abfallen des Musters des Originals wird unter Verwendung eines optischen Mikroskops nach Beendigung von jeweils zehn Übertragungsvorgängen geprüft. Nach 10 Übertragungen zeigen drei Proben ein Abfallen. Nach 20 Übertragungen zeigen fünf Proben ein Abfallen. Alle Originale zeigen ein Abfallen nach 30 Übertragungen.
  • Beispiel 1 Indiumoxid wird als transparenter, elektrisch leitfähiger Überzug in einer Dicke von 140 m/u auf eine Na2O-CaO-SiO2-Glasplatte durch Vakuumabscheidung aufgetragen. Der transparente, elektrisch leitfähige Überzug besitzt eine Lichtdurchlässigkeit bei einer Wellenlänge von 400 m/u von 90% und einen elektrischen ~ Oberflächenwiderstand von 70 Ohm/cm2. Metållisches Chrom wird in einer Dicke von 80 m/u auf den elektrisch leitfähigen Überzug unter Verwendung eines Zerstäubungsverfahrens unter Herstellung einer Maske abgeschieden. Ein Muster wird optisch projiziert und auf die entstehende Maske übertragen. Zehn solche Proben werden hergestellt und ihre Dauerhaftigkeit wird geprüft. Selbst nachdem die Muster von diesen Originalproben 60 Mal auf Photomasken, die mit einer Silberhalogenidemulsion beschichtet sind, übertragen wurden, tritt an keiner der zehn Proben ein Abfallen auf.
  • Beispiel 2 3 Gew.% Wolframtrioxid enthaltendes Indiumoxid wird als transparenter, elektrisch leitfähiger Überzug auf eine Na20-CaO-SiO2-Glasplatte durch Vakuumabscheidung in einer Dicke von 140 m/u abgeschieden. Der elektrisch leitfähige Überzug besitzt eine Lichtdurchlässigkeit bei einer Wellenlänge von 400 m/u von 90% und einen elektrischen Oberflächenwiderstand von 14 Ohm/cm2. Metallisches Chrom wird in einer Dicke von 80 m/u unter Verwendung eines Zerstäubungsverfahrens auf den elektrisch leitfähigen Überzug unter Bildung einer Maske abschieden. Ein Mus-l;er wird optisch projiziert und auf die entstehende Maske übertragen. Zehn solche Proben werden hergestellt und auf ihre Dauerhaftigkeit geprüft. Selbst nachdem die Muster dieser Originalproben 60 Mal auf Photomasken, die mit Silberhalogenidemulsion beschichtet sind, übertragen wurden, tritt kein Abfallen in irgendeiner der zehn Proben auf.
  • Ende der Beschreibung.

Claims (1)

  1. Keramischer Heizleiterträger und Verfahren zur Herstellung.
    Patentansprüche: 1. Keramischer Heizleiterträger, insbesondere für in Wäriespeicheröfen zu verwendenden geizkörpern, dadurch gekennzeichnet, daß er in wesentlichen oder ganz aus zusammengesintertem kerarischen, elektrisch isolierendem und auf den lleisleiter nicht korrosiev wirkende. Material einer oder mehrerer Metalloxide besteht, desdurchlässigkeit bei einer Wellenlänge von 400 m/u von mindestens etwa 70%, einen Oberflächenwiderstand von etwa 1 Kiloohm/ cm2 oder weniger und eine Dicke von etwa 10 bis etwa 500 m/u besitzt und daß der metallische Chromüberzug etwa 10 bis etwa 500 m/u dick ist.
    7. Photomaske nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dai3 der transparente, elektrisch leitfähige Überzug einen Überzug aus einer Verbindung aus der Gruppe Indiumoxid, Zinnoxid und/ oder Wolframtrioxid enthält.
    8. Photomaske nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der transparente, elektrisch leitfähige Überzug einen Überzug aus Indiumoxid enthält.
    9. Verfahren zur Herstellung eines Musters auf einer Photomaske für integrierte Schaltungen, dadurch gekennzeichnet, daß man eine Schicht aus einem Photoresist auf die Oberfläche der Photomaske von Anspruch 5 aufträgt; ein Maskenmuster für integrierte Schaltungen auf die Photoresistschicht optisch proJiziert; die belichteten Flächen der Photoresistschicht anätzt; und dann den metallischen Chromüberzug mit einem Ätzmittel anätzt.
    10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß der transparente, elektrisch leitfähige Überzug der Photomaske einen Überzug aus Indiumoxid enthält und daß man als Ätzmittel für den metallischen Chromüberzug eine wäßrige Lösung aus Cer(IV)-ammoniumnitrat verwendet,
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1274444B (de) * 1965-02-09 1968-08-01 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung von Photomasken fuer Halbleiteranordnungen
US3922420A (en) * 1974-05-31 1975-11-25 Rca Corp Method of making a semi-transparent photomask

Patent Citations (2)

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Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
"Elektronik", 1973, Heft 11, S. 394 und 395 *
"Journal of Applied Physics" (heraus- gegeben von Japanese Applied Physics Association), Bd. 41 (1972), Nr. 9, S. 839-842 *
"Journal of Applied Physics" (heraus- gegeben von Japanese Applied Physics Association), Bd. 43 (1974), Nr. 5, S. 481-490 *

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